霍尔IC系列
全极性检测
霍尔IC
BU52001GUL ， BU52011HFV ， BU52021HFV ，
BU52015GUL ， BU52025G ， BU52051NVX ， BD7411G
No.10045ECT02
°说明
双极霍尔IC是可以操作两个S -和N极，在其输出变为从喜到磁开关
低。除了常规的单输出霍尔集成电路，我们提供了一个排队的双输出单元与反向输出端
（高电平有效） 。
■特点
1 ）全极检测
2）微操作（使用间歇操作法的小电流）（ BD7411G除外）。
3 ）超小型CSP封装（ BU52001GUL ， BU52015GUL ）
4 ）超小外形封装HVSOF5 （ BU52011HFV ， BU52021HFV ）
5 ）超小外形封装SSON004X1216 （ BU52051NVXV ）
6 ）小外形封装（ BU52025G ， BD7411G ）
7 ）进线供电电压可达
对于1.8V的电源电压（ BU52011HFV ， BU52015GUL ， BU52051NVX ）
对于3.0V电源电压（ BU52001GUL ）
对于3.3V的电源电压（ BU52021HFV ， BU52025G ）
对于5.0V电源电压（ BD7411G ）
8 ）双输出型（ BU52015GUL ）
9 ）高ESD抵抗8kV的（ HBM ）
■应用
手机，笔记本电脑，数码摄像机，数码相机，白色家电等。
“产品
阵容
产品名称
BU52001GUL
BU52015GUL
BU52051NVX
BU52011HFV
BU52021HFV
BU52025G
BD7411G
供应
电压
(V)
2.40½3.30
1.65½3.30
1.65½3.30
1.65½3.30
2.40½3.60
2.40½3.60
4.50½5.50
操作
点
（MT ）
+/-3.7
※
+/-3.0
※
+/-3.0
※
+/-3.0
※
+/-3.7
※
+/-3.7
※
+/-3.4
※
迟滞
（MT ）
0.8
0.9
0.9
0.9
0.8
0.8
0.4
期
（女士）
50
50
50
50
50
50
-
电源电流
（ AVG）
(A)
8.0μ
5.0μ
5.0μ
5.0μ
8.0μ
8.0μ
2.0m
输出类型
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
CMOS
包
VCSP50L1
VCSP50L1
SSON004X1216
HVSOF5
HVSOF5
SSOP5
SSOP5
※加
上表达的S极;减去上的N极
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BU52001GUL,BU52011HFV,BU52021HFV,
BU52015GUL ， BU52025G ， BU52051NVX ， BD7411G
“绝对
最大额定值
BU52001GUL （ TA = 25 ℃ ）
参数
电源电压
输出电流
功耗
工作温度范围
存储温度范围
技术说明
符号
VDD
IOUT
Pd
TOPR
TSTG
极限
-0.1½+4.5
±1
420
※
2
※
1
单位
V
mA
mW
℃
℃
-40½+85
-40½+125
※1.
不超过钯
※2.
每提高1 ℃，钽超过25 ℃降低4.20mW
（安装在50毫米X20 58毫米玻璃环氧树脂印刷电路板）
BU52015GUL （ TA = 25 ℃ ）
参数
电源电压
输出电流
功耗
工作温度范围
存储温度范围
符号
V
DD
I
OUT
Pd
T
OPR
T
英镑
极限
-0.1½+4.5
±0.5
420
※
4
※
3
单位
V
mA
mW
℃
℃
-40½+85
-40½+125
※3.
不超过钯
※4.
每提高1 ℃，钽超过25 ℃降低4.20mW
（安装在50毫米X20 58毫米玻璃环氧树脂印刷电路板）
BU52051NVX （ TA = 25 ℃ ）
参数
电源电压
输出电流
功耗
工作温度范围
存储温度范围
符号
V
DD
I
OUT
Pd
T
OPR
T
英镑
极限
-0.1½+4.5
±0.5
2049
※
6
※
5
单位
V
mA
mW
℃
℃
-40½+85
-40½+125
※5.
不超过钯
※6.
每提高1 ℃，钽超过25 ℃降低20.49mW
（安装在70毫米X30 70毫米× 1.6毫米玻璃环氧树脂印刷电路板）
BU52011HFV （ TA = 25 ℃ ）
参数
电源电压
输出电流
功耗
工作温度范围
存储温度范围
符号
V
DD
I
OUT
Pd
T
OPR
T
英镑
极限
-0.1½+4.5
±0.5
536
※
8
※
7
单位
V
mA
mW
℃
℃
-40½+85
-40½+125
※7.
不超过钯
※8.
每提高1 ℃，钽超过25 ℃降低5.36mW
（安装在70毫米X30 70毫米× 1.6毫米玻璃环氧树脂印刷电路板）
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BU52015GUL ， BU52025G ， BU52051NVX ， BD7411G
BU52021NVX （ TA = 25 ℃ ）
参数
电源电压
输出电流
功耗
工作温度范围
存储温度范围
技术说明
符号
V
DD
I
OUT
Pd
T
OPR
T
英镑
极限
-0.1½+4.5
±1
536
※
10
※
9
单位
V
mA
mW
℃
℃
-40½+85
-40½+125
※9.
不超过钯
※10.
减少by5.36mW每提高1 ℃，钽超过25 ℃
（安装在70毫米X30 70毫米× 1.6毫米玻璃环氧树脂印刷电路板）
BU52025G （ TA = 25 ℃ ）
参数
电源电压
输出电流
功耗
工作温度范围
存储温度范围
符号
V
DD
I
OUT
Pd
T
OPR
T
英镑
极限
-0.1½+4.5
±1
540
※
12
※
11
单位
V
mA
mW
℃
℃
-40½+85
-40½+125
※11.
不超过钯
※12.
每提高1 ℃，钽超过25 ℃降低5.40mW
（安装在70毫米X30 70毫米× 1.6毫米玻璃环氧树脂印刷电路板）
BD7411G （ TA = 25 ℃ ）
参数
电源电压
输出电流
功耗
工作温度范围
存储温度范围
符号
V
DD
I
OUT
Pd
T
OPR
T
英镑
极限
-0.3½+7.0
±1
540
※
14
※
13
单位
V
mA
mW
℃
℃
-40½+85
-55½+150
※13.
不超过钯
※14.
每提高1 ℃，钽超过25 ℃降低5.40mW
（安装在70毫米X30 70毫米× 1.6毫米玻璃环氧树脂印刷电路板）
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BU52015GUL ， BU52025G ， BU52051NVX ， BD7411G
●磁性，
电气特性
BU52001GUL （除非另有规定，V
DD
＝3.0V,
Ta＝25℃)
极限
参数
符号
民
典型值
电源电压
操作点
放点
迟滞
期
输出高电压
输出低电压
电源电流
电源电流在启动时间
供应CurrentDuring待机时间
V
DD
B
OPS
B
OPN
B
RPS
B
RPN
B
hysS
B
hysN
T
p
V
OH
V
OL
I
DD （ AVG ）
I
DD （ EN ）
I
DD （ DIS ）
2.4
-
-5.5
0.8
-
-
-
-
V
DD
-0.4
-
-
-
-
3.0
3.7
-3.7
2.9
-2.9
0.8
0.8
50
-
-
8
4.7
3.8
技术说明
最大
3.3
5.5
-
-
-0.8
-
-
100
-
0.4
12
-
-
单位
V
mT
mT
mT
ms
V
V
μA
mA
μA
条件
B
RPN
<B<B
RPS
I
OUT
=-1.0mA
B<B
OPN
,B
OPS
<b
I
OUT
=+1.0mA
平均
※
15
※
15
在启动时间价值
在待机时间价值
※15
B =磁通密度
1mT=10Gauss
正（ “+”）极性的磁通被定义为磁通从南极是直接朝向所述传感器的烙面。
将电源后，需要一段的一个周期（T
P
）成为一定的输出。
辐射抗寒没有设计。
BU52015GUL （除非另有规定，V
DD
＝1.80V,
Ta＝25℃
)
极限
参数
符号
民
典型值
电源电压
操作点
放点
迟滞
期
输出高电压
输出低电压
电源电流1
电源电流在启动时间1
供应CurrentDuring待机时间1
电源电流2
电源电流在启动时间2
供应CurrentDuring待机时间2
V
DD
B
OPS
B
OPN
B
RPS
B
RPN
B
hysS
B
hysN
T
p
V
OH
V
OL
I
DD1(AVG)
I
DD1(EN)
I
DD1(DIS)
I
DD2(AVG)
I
DD2(EN)
I
DD2(DIS)
1.65
-
-5.0
0.6
-
-
-
-
V
DD
-0.2
-
-
-
-
-
-
-
1.80
3.0
-3.0
2.1
-2.1
0.9
0.9
50
-
-
5
2.8
1.8
8
4.5
4.0
最大
3.30
5.0
-
-
-0.6
-
-
100
-
0.2
8
-
-
12
-
-
单位
V
mT
mT
mT
ms
V
V
μA
mA
μA
μA
mA
μA
条件
OUT1 ： B
RPN
<B<B
RPS
OUT2 ： B<B
OPN
, B
OPS
<b
I
OUT
= -0.5mA
OUT1 ： B<B
OPN
, B
OPS
<b
OUT2 ： B
RPN
<B<B
RPS
I
OUT
= + 0.5毫安
V
DD
= 1.8V ，平均
V
DD
=1.8V,
在启动时间价值
V
DD
=1.8V,
在待机时间价值
V
DD
= 2.7V ，平均
V
DD
=2.7V,
在启动时间价值
V
DD
=2.7V,
在待机时间价值
16
※
16
※
※16
B =磁通密度
1mT=10Gauss
正（ “+”）极性的磁通被定义为磁通从南极是直接朝向所述传感器的烙面。
将电源后，需要一段的一个周期（T
P
）成为一定的输出。
辐射抗寒没有设计。
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BU52001GUL,BU52011HFV,BU52021HFV,
BU52015GUL ， BU52025G ， BU52051NVX ， BD7411G
BU52051NVX ， BU52011HFV （除非另有规定，V
DD
＝1.80V,
Ta＝25℃)
BU52021HFV ， BU52025G （除非另有规定，V
DD
＝3.0V,
Ta＝25℃)
极限
参数
符号
单位
民
TYP MAX
电源电压
操作点
放点
迟滞
期
输出高电压
输出低电压
电源电流
电源电流在启动时间
供应CurrentDuring待机时间
V
DD
B
OPS
B
OPN
B
RPS
B
RPN
B
hysS
B
hysN
T
p
V
OH
V
OL
I
DD （ AVG ）
I
DD （ EN ）
I
DD （ DIS ）
2.4
-
-5.5
0.8
-
-
-
-
V
DD
-0.4
-
-
-
-
3.0
3.7
-3.7
2.9
-2.9
0.8
0.8
50
-
-
8
4.7
3.8
3.6
5.5
-
-
-0.8
-
-
100
-
0.4
12
-
-
V
mT
mT
mT
ms
V
V
μA
mA
μA
技术说明
条件
B
RPN
<B<B
RPS
I
OUT
=-1.0mA
B<B
OPN
, B
OPS
<b
I
OUT
=+1.0mA
平均
※
17
※
17
在启动时间价值
在待机时间价值
※17
B =磁通密度
1mT=10Gauss
正（ “+”）极性的磁通被定义为磁通从南极是直接朝向所述传感器的烙面。
将电源后，需要一段的一个周期（T
P
）成为一定的输出。
辐射抗寒没有设计。
BD7411G （除非另有说明， VDD = 5.0V ，TA = 25 ℃ ）
极限
参数
符号
民
典型值
电源电压
操作点
放点
迟滞
输出高电压
输出低电压
电源电流
V
DD
B
OPS
B
OPN
B
RPS
B
RPN
B
hysS
B
hysN
V
OH
V
OL
I
DD
4.5
-
-5.6
1.5
-
-
-
4.6
-
-
5.0
3.4
-3.4
3.0
-3.0
0.4
0.4
-
-
2
最大
5.5
5.6
-
-
-1.5
-
-
-
0.4
4
单位
V
mT
mT
mT
V
V
mA
条件
B
RPN
<B<B
RPS
I
OUT
=-1.0mA
B<B
OPN ，
B
OPS
<b
I
OUT
=+1.0mA
※
18
※
18
※18
B =磁通密度
1mT=10Gauss
正（ “+”）极性的磁通被定义为磁通从南极是直接朝向所述传感器的烙面。
辐射抗寒没有设计。
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