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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
BD736
描述
ΔDC
电流增益 -
: h
FE
= 40 （分钟） @我
C
= -
20mA
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
= -35V （最小值）
.Complement
到类型BD735
应用
·设计
为放大器和开关应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流连续
集电极耗散功率
@ T
a
=25℃
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
-35
单位
V
-35
-5
V
V
-4
-7
-1
2
W
40
150
-55~150
℃
℃
A
A
A
P
C
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
T
J
T
英镑
结温
存储温度范围
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
BD736
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= -30mA ;我
B
= 0
-35
V
V
（ BR ） CBO
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= -0.1mA ;我
E
= 0
-35
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= -1mA ;我
C
= 0
-5
V
V
CE（
SAT
)
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -2A ;我
B
= -0.2A
B
-0.6
V
V
BE （
on
)
基射极电压上
I
CES
收藏家Cuto FF电流
h
FE-1
直流电流增益
h
FE-2
直流电流增益
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
V
CE
= -35V; V
BE
= 0
I
C
= -20mA ; V
CE
= -4V
I
C
= -2A ; V
CE
= -1V
I
C
= -2A ; V
CE
= -1V
-1.1
V
-0.2
mA
40
40
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
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BL8560-DCRC
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
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