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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第752页 > BD675A
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BD675A/677A/679A/681
描述
·带
TO- 126封装
.Complement
键入BD676A / 678a上/ 680A / 682
·达林顿
应用
For
中功率线性和
切换应用程序
钉扎
1
2
3
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
℃)
符号
参数
固电
导½
BD675A
BD677A
BD679A
V
CBO
的HAn
INC。
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极基极电压连续
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
BD681
ES
G
发射极开路
ND
ICO
EM
条件
OR
UCT
价值
45
60
80
100
45
60
单位
V
BD675A
BD677A
开基
BD679A
V
首席执行官
V
80
100
BD681
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
集电极开路
5
4
6
0.1
V
A
A
A
W
T
C
=25℃
40
150
-65~150
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
BD675A
集电极 - 发射极
维持
电压
BD677A
I
C
= 50毫安;我
B
=0
BD679A
BD681
集电极 - 发射极
饱和电压
BD675A/677A/679A
BD681
BD675A/677A/679A
BD681
BD675A
集热器
截止电流
I
C
= 2A ;我
B
=40mA
BD675A/677A/679A/681
条件
45
60
典型值。
最大
单位
V
CEO ( SUS )
V
80
100
2.8
V
2.5
2.5
V
2.5
V
CESAT
I
C
= 1.5A ;我
B
=30mA
I
C
= 2A ; V
CE
=3V
I
C
= 1.5A ; V
CE
=3V
V
CB
= 45V ;我
E
=0
V
CB
= 60V ;我
E
=0
V
CB
= 80V ;我
E
=0
V
BE(上)
基射
电压
I
CBO
固电
I
首席执行官
导½
BD677A
BD679A
BD681
BD675A
BD677A
BD679A
BD681
集热器
截止电流
IN
的HAn
C
BD681
ES
G
ND
ICO
EM
V
CB
= 100V ;我
E
=0
V
CE
=45V; V
BE
=0
V
CE
=60V; V
BE
=0
V
CE
=80V; V
BE
=0
V
CE
=100V; V
BE
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 2A ; V
CE
=3V
I
C
= 1.5A ; V
CE
=3V
OR
UCT
0.5
0.2
mA
mA
I
EBO
发射极截止电流
BD675A/677A/679A
2
750
750
mA
h
FE
直流电流增益
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BD675A/677A/679A/681
固电
IN
导½
ES
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BD675A/677A/679A/681
描述
·采用TO- 126封装
·补键入BD676A / 678a上/ 680A / 682
·达林顿
应用
·对于中等功率的线性和
切换应用程序
钉扎
1
2
3
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
)
符号
参数
BD675A
V
CBO
集电极 - 基极电压
BD677A
BD679A
BD681
BD675A
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BD677A
BD679A
BD681
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
发射极基极电压连续
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
45
60
80
100
45
60
80
100
5
4
6
0.1
40
150
-65~150
V
A
A
A
W
V
V
单位
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
BD675A
集电极 - 发射极
维持
电压
BD677A
I
C
= 50毫安;我
B
=0
BD679A
BD681
集电极 - 发射极
饱和电压
BD675A/677A/679A
BD681
BD675A/677A/679A
BD681
BD675A
集热器
截止电流
BD677A
BD679A
BD681
BD675A
集热器
截止电流
BD677A
BD679A
BD681
I
EBO
发射极截止电流
BD675A/677A/679A
h
FE
直流电流增益
BD681
符号
BD675A/677A/679A/681
条件
45
60
典型值。
最大
单位
V
CEO ( SUS )
V
80
100
I
C
= 2A ;我
B
=40mA
I
C
= 1.5A ;我
B
=30mA
I
C
= 2A ; V
CE
=3V
I
C
= 1.5A ; V
CE
=3V
V
CB
= 45V ;我
E
=0
V
CB
= 60V ;我
E
=0
2.8
V
2.5
2.5
V
2.5
V
CESAT
V
BE(上)
基射
电压
I
CBO
0.2
V
CB
= 80V ;我
E
=0
V
CB
= 100V ;我
E
=0
V
CE
=45V; V
BE
=0
V
CE
=60V; V
BE
=0
0.5
V
CE
=80V; V
BE
=0
V
CE
=100V; V
BE
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 2A ; V
CE
=3V
I
C
= 1.5A ; V
CE
=3V
750
750
2
mA
I
首席执行官
mA
mA
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BD675A/677A/679A/681
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BD675A/677A/679A/681
描述
·带
TO- 126封装
.Complement
键入BD676A / 678a上/ 680A / 682
·达林顿
应用
For
中功率线性和
切换应用程序
钉扎
1
2
3
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
描述
绝对最大额定值(Ta = 25
℃)
符号
参数
BD675A
BD677A
V
CBO
集电极 - 基极电压
BD679A
BD681
BD675A
BD677A
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BD679A
BD681
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
发射极基极电压连续
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
80
100
5
4
6
0.1
40
150
-65~150
V
A
A
A
W
发射极开路
80
100
45
60
V
条件
价值
45
60
V
单位
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
BD675A
集电极 - 发射极
维持
电压
BD677A
I
C
= 50毫安;我
B
=0
BD679A
BD681
集电极 - 发射极
饱和电压
BD675A/677A/679A
BD681
BD675A/677A/679A
BD681
BD675A
集热器
截止电流
BD677A
BD679A
BD681
BD675A
集热器
截止电流
BD677A
BD679A
BD681
I
EBO
发射极截止电流
BD675A/677A/679A
h
FE
直流电流增益
BD681
I
C
= 2A ;我
B
=40mA
BD675A/677A/679A/681
条件
45
60
典型值。
最大
单位
V
CEO ( SUS )
V
80
100
2.8
V
2.5
2.5
V
2.5
V
CESAT
I
C
= 1.5A ;我
B
=30mA
I
C
= 2A ; V
CE
=3V
I
C
= 1.5A ; V
CE
=3V
V
CB
= 45V ;我
E
=0
V
CB
= 60V ;我
E
=0
V
BE(上)
基射
电压
I
CBO
0.2
V
CB
= 80V ;我
E
=0
V
CB
= 100V ;我
E
=0
V
CE
=45V; V
BE
=0
V
CE
=60V; V
BE
=0
0.5
V
CE
=80V; V
BE
=0
V
CE
=100V; V
BE
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 2A ; V
CE
=3V
I
C
= 1.5A ; V
CE
=3V
750
750
2
mA
I
首席执行官
mA
mA
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BD675A/677A/679A/681
图2外形尺寸
3
高直流电流增益 -
的hFE = 750 (最小值) @ IC = 1.5和2.0 ADC
整体结构
BD675 , 675A , 677 , 677A , 679 , 679A 681是互补与BD676 , 676A ,
678, 678A, 680, 680A, 682
BD 677 , 677A , 679 , 679A相当于MJE 800 , 801 , 802 , 803
。 。 。用作互补通用放大器应用的输出设备
系统蒸发散。
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
塑料中功率
硅NPN达林顿
半导体技术资料
摩托罗拉
热特性
最大额定值
第七版
工作和存储结
Temperating范围
器件总功耗
@Tc = 25
_
C
减免上述25
_
C
基极电流
集电极电流
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
热阻,结到外壳
等级
特征
符号
TJ , TSTG
VCEO
VCB
VEB
PD
5.0
PD ,功耗(瓦)
IC
IB
10
40
50
15
20
25
30
35
45
0
15
30
BD675
BD675A
图1.电源温度降额
45
45
45
符号
θ
JC
BD677
BD677A
60
TC ,外壳温度( ° C)
- 55至+ 150
60
60
75
40
0.32
0.1
4.0
5.0
BD679
BD679A
90
80
80
3.13
最大
105
BD681
120
100
100
135
_
C / W
W/
_
C
单位
单位
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
_
C
150
165
4.0安培
达林顿
功率晶体管
NPN硅
60 , 80 , 100伏
40瓦
BD675
BD675A
BD677
BD677A
BD679
BD679A
BD681*
*摩托罗拉的首选设备
CASE 77-08
TO- 225AA型
订购此文件
通过BD675 / D
1
BD675 BD675A BD677 BD677A BD679 BD681 BD679A
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度
动态特性
基本特征
直流Currert增益( 1)
( IC = 1.5 ADC , VCE = 3.0 V直流)
( IC = 2.0 ADC , VCE = 3.0 V直流)
开关特性
电气特性
( TC = 25
_
C除非另有说明)
小信号电流增益( IC = 1.5 ADC , VCE = 3.0伏, F = 1.0兆赫)
基射极电压上( 1 )
( IC = 1.5 ADC , VCE = 3.0 V直流)
( IC = 2.0 ADC , VCE = 3 0伏)
集电极 - 发射极饱和电压( 1 )
( IC = 1.5 ADC , IB = 30 MADC )
( IC = 2.0 ADC , IB = 40 MADC )
发射极截止电流( VBE = 5.0伏, IC = 0 )
收藏家Cuto FF电流
( VCB =额定BVCEO , IE = 0 )
( VCB =额定BVCEO , IE = 0 , TC = 100'C )
集电极截止电流( VCE =半额定VCEO , IB = 0 )
集电极 - 发射极击穿电压( 1 )
( IC = 50 MADC , IB = 0 )
2
0.05
1.0
IC ,集电极电流( AMP )
5.0
1.0
2.0
0.1
0.2
0.5
TC = 25°C
2.0
5.0
10
50
20
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
图2.直流安全工作区
焊线LIMIT
中的热极限在Tc = 25℃
二次击穿极限
v
300
s,
占空比
v
2.0%.
BD675 , 675A
BD677 , 677A
BD679 , 679A
BD681
特征
NPN
BD675 , 675A
BD677 , 677A
BD679 , 679A
BD681
图3.达林顿电路原理图
BASE
100
BD677 , 679 , 681
BD675A , 677A , 679A
BD675 , 677 , 679 , 681
BD675A , 677A , 679A
BD675 , 675A
BD677 , 677A
BD679 , 679A
BD681
BD677 , 679 , 681
BD675A , 677A , 679A
[
8.0 k
[
120
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管的平均结温及二次
击穿。安全工作区曲线表明IC - VCE lim-
该晶体管的其必须为可靠操作被观察
化;例如,晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
在高温情况下,热限制将减少
可处理到值小于局限性的功率
系统蒸发散了二次击穿的罚款。
集热器
辐射源
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
VCE ( SAT )
VBE (ON)的
符号
BVCEO
ICBO
ICEO
IEBO
的hFE
的hFE
45
60
80
100
750
750
1.0
最大
500
2.5
2.5
2.5
2.8
2.0
0.2
2.0
MADC
MADC
μAdc
单位
VDC
VDC
VDC
BD675 BD675A BD677 BD677A BD679 BD681 BD679A
包装尺寸
–B–
U
Q
F
M
C
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
M
Q
R
S
U
V
英寸
最大
0.425
0.435
0.295
0.305
0.095
0.105
0.020
0.026
0.115
0.130
0.094 BSC
0.050
0.095
0.015
0.025
0.575
0.655
5
_
典型值
0.148
0.158
0.045
0.055
0.025
0.035
0.145
0.155
0.040
–––
MILLIMETERS
最大
10.80
11.04
7.50
7.74
2.42
2.66
0.51
0.66
2.93
3.30
2.39 BSC
1.27
2.41
0.39
0.63
14.61
16.63
5
_
典型值
3.76
4.01
1.15
1.39
0.64
0.88
3.69
3.93
1.02
–––
–A–
1 2 3
H
K
V
G
S
D
2 PL
0.25 (0.010)
M
J
R
0.25 (0.010)
A
M
A
M
M
B
M
B
M
风格1 :
PIN 1.辐射源
2.收集
3. BASE
CASE 77-08
TO- 225AA型
ISSUE V
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
BD675 BD675A BD677 BD677A BD679 BD681 BD679A
摩托罗拉保留更改,恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保,声明或保证
其产品适用于任何特定用途,也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任,
并明确拒绝承担任何责任,包括但不限于间接或附带损失。 “典型”参数,并会根据不同的
应用程序。所有的操作参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并
不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。摩托罗拉产品不是设计,意,或授权用作组件
旨在系统通过外科手术移植到体内,或其他应用程序旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的故障
摩托罗拉的产品可能会造成这样一种情况人身伤害或死亡可能会发生。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何此类
意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并持有摩托罗拉和其职员,雇员,子公司,联营公司及分销商无害
对所有索赔,费用,损失,费用,以及直接或间接引起的,合理的律师费,人身伤害或死亡的任何索赔
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称,摩托罗拉对零件的设计或制造疏忽造成的。
摩托罗拉
注册摩托罗拉公司,摩托罗拉公司的商标是一个平等机会/ AF连接rmative行动雇主。
如何找到我们:
美国/欧洲:
摩托罗拉文学分布;
P.O. 20912盒;亚利桑那州凤凰城85036. 1-800-441-2447
M传真:
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键( 602 ) 244-6609
互联网:
http://Design-NET.com
日本:
日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ,利胜乙木,
6F西武Butsuryu中心, 3-14-2巽江东区,东京135 ,日本。 03-3521-8315
香港:
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园,
51汀角路,大埔,新界,香港。 852-26629298
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
*BD675/D*
BD675/D
高直流电流增益 -
的hFE = 750 (最小值) @ IC = 1.5和2.0 ADC
整体结构
BD675 , 675A , 677 , 677A , 679 , 679A 681是互补与BD676 , 676A ,
678, 678A, 680, 680A, 682
BD 677 , 677A , 679 , 679A相当于MJE 800 , 801 , 802 , 803
。 。 。用作互补通用放大器应用的输出设备
系统蒸发散。
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
塑料中功率
硅NPN达林顿
半导体技术资料
摩托罗拉
热特性
最大额定值
第七版
工作和存储结
Temperating范围
器件总功耗
@Tc = 25
_
C
减免上述25
_
C
基极电流
集电极电流
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
热阻,结到外壳
等级
特征
符号
TJ , TSTG
VCEO
VCB
VEB
PD
5.0
PD ,功耗(瓦)
IC
IB
10
40
50
15
20
25
30
35
45
0
15
30
BD675
BD675A
图1.电源温度降额
45
45
45
符号
θ
JC
BD677
BD677A
60
TC ,外壳温度( ° C)
- 55至+ 150
60
60
75
40
0.32
0.1
4.0
5.0
BD679
BD679A
90
80
80
3.13
最大
105
BD681
120
100
100
135
_
C / W
W/
_
C
单位
单位
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
_
C
150
165
4.0安培
达林顿
功率晶体管
NPN硅
60 , 80 , 100伏
40瓦
BD675
BD675A
BD677
BD677A
BD679
BD679A
BD681*
*摩托罗拉的首选设备
CASE 77-08
TO- 225AA型
订购此文件
通过BD675 / D
1
BD675 BD675A BD677 BD677A BD679 BD681 BD679A
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度
动态特性
基本特征
直流Currert增益( 1)
( IC = 1.5 ADC , VCE = 3.0 V直流)
( IC = 2.0 ADC , VCE = 3.0 V直流)
开关特性
电气特性
( TC = 25
_
C除非另有说明)
小信号电流增益( IC = 1.5 ADC , VCE = 3.0伏, F = 1.0兆赫)
基射极电压上( 1 )
( IC = 1.5 ADC , VCE = 3.0 V直流)
( IC = 2.0 ADC , VCE = 3 0伏)
集电极 - 发射极饱和电压( 1 )
( IC = 1.5 ADC , IB = 30 MADC )
( IC = 2.0 ADC , IB = 40 MADC )
发射极截止电流( VBE = 5.0伏, IC = 0 )
收藏家Cuto FF电流
( VCB =额定BVCEO , IE = 0 )
( VCB =额定BVCEO , IE = 0 , TC = 100'C )
集电极截止电流( VCE =半额定VCEO , IB = 0 )
集电极 - 发射极击穿电压( 1 )
( IC = 50 MADC , IB = 0 )
2
0.05
1.0
IC ,集电极电流( AMP )
5.0
1.0
2.0
0.1
0.2
0.5
TC = 25°C
2.0
5.0
10
50
20
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
图2.直流安全工作区
焊线LIMIT
中的热极限在Tc = 25℃
二次击穿极限
v
300
s,
占空比
v
2.0%.
BD675 , 675A
BD677 , 677A
BD679 , 679A
BD681
特征
NPN
BD675 , 675A
BD677 , 677A
BD679 , 679A
BD681
图3.达林顿电路原理图
BASE
100
BD677 , 679 , 681
BD675A , 677A , 679A
BD675 , 677 , 679 , 681
BD675A , 677A , 679A
BD675 , 675A
BD677 , 677A
BD679 , 679A
BD681
BD677 , 679 , 681
BD675A , 677A , 679A
[
8.0 k
[
120
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管的平均结温及二次
击穿。安全工作区曲线表明IC - VCE lim-
该晶体管的其必须为可靠操作被观察
化;例如,晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
在高温情况下,热限制将减少
可处理到值小于局限性的功率
系统蒸发散了二次击穿的罚款。
集热器
辐射源
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
VCE ( SAT )
VBE (ON)的
符号
BVCEO
ICBO
ICEO
IEBO
的hFE
的hFE
45
60
80
100
750
750
1.0
最大
500
2.5
2.5
2.5
2.8
2.0
0.2
2.0
MADC
MADC
μAdc
单位
VDC
VDC
VDC
BD675 BD675A BD677 BD677A BD679 BD681 BD679A
包装尺寸
–B–
U
Q
F
M
C
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
M
Q
R
S
U
V
英寸
最大
0.425
0.435
0.295
0.305
0.095
0.105
0.020
0.026
0.115
0.130
0.094 BSC
0.050
0.095
0.015
0.025
0.575
0.655
5
_
典型值
0.148
0.158
0.045
0.055
0.025
0.035
0.145
0.155
0.040
–––
MILLIMETERS
最大
10.80
11.04
7.50
7.74
2.42
2.66
0.51
0.66
2.93
3.30
2.39 BSC
1.27
2.41
0.39
0.63
14.61
16.63
5
_
典型值
3.76
4.01
1.15
1.39
0.64
0.88
3.69
3.93
1.02
–––
–A–
1 2 3
H
K
V
G
S
D
2 PL
0.25 (0.010)
M
J
R
0.25 (0.010)
A
M
A
M
M
B
M
B
M
风格1 :
PIN 1.辐射源
2.收集
3. BASE
CASE 77-08
TO- 225AA型
ISSUE V
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
BD675 BD675A BD677 BD677A BD679 BD681 BD679A
摩托罗拉保留更改,恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保,声明或保证
其产品适用于任何特定用途,也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任,
并明确拒绝承担任何责任,包括但不限于间接或附带损失。 “典型”参数,并会根据不同的
应用程序。所有的操作参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并
不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。摩托罗拉产品不是设计,意,或授权用作组件
旨在系统通过外科手术移植到体内,或其他应用程序旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的故障
摩托罗拉的产品可能会造成这样一种情况人身伤害或死亡可能会发生。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何此类
意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并持有摩托罗拉和其职员,雇员,子公司,联营公司及分销商无害
对所有索赔,费用,损失,费用,以及直接或间接引起的,合理的律师费,人身伤害或死亡的任何索赔
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称,摩托罗拉对零件的设计或制造疏忽造成的。
摩托罗拉
注册摩托罗拉公司,摩托罗拉公司的商标是一个平等机会/ AF连接rmative行动雇主。
如何找到我们:
美国/欧洲:
摩托罗拉文学分布;
P.O. 20912盒;亚利桑那州凤凰城85036. 1-800-441-2447
M传真:
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键( 602 ) 244-6609
互联网:
http://Design-NET.com
日本:
日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ,利胜乙木,
6F西武Butsuryu中心, 3-14-2巽江东区,东京135 ,日本。 03-3521-8315
香港:
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园,
51汀角路,大埔,新界,香港。 852-26629298
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
*BD675/D*
BD675/D
BD675A/677A/679A/681
BD675A/677A/679A/681
中功率线性和开关
应用
中功率达林顿TR
分别补到BD676A , BD678A , BD680A和BD682
TO-126
2.Collector
3.Base
NPN外延硅晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
集电极 - 基极电压
参数
: BD675A
: BD677A
: BD679A
: BD681
: BD675A
: BD677A
: BD679A
: BD681
1
1.发射器
价值
45
60
80
100
45
60
80
100
5
4
6
100
40
150
- 65 ~ 150
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
W
°C
°C
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
J
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
*集电极电流(脉冲)
基极电流
集电极耗散(T
C
=25°C)
结温
储存温度
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
( SUS)的
参数
*集电极发射极耐受电压
: BD675A
: BD677A
: BD679A
: BD681
集电极 - 基极电压
: BD675A
: BD677A
: BD679A
: BD681
: BD675A
: BD677A
: BD679A
: BD681
: BD675A / 677A / 679A
: BD681
测试条件
I
C
= 50mA时我
B
= 0
分钟。
45
60
80
100
200
200
200
200
500
500
500
500
2
750
750
2.8
2.5
2.5
2.5
V
V
V
V
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
A
A
mA
I
CBO
V
CB
= 45V ,我
E
= 0
V
CB
= 60V ,我
E
= 0
V
CB
= 80V ,我
E
= 0
V
CB
= 100V, V
BE
= 0
V
CE
= 45V, V
BE
= 0
V
CE
= 60V, V
BE
= 0
V
CE
= 80V, V
BE
= 0
V
CE
= 100V, V
BE
= 0
V
EB
= 5V ,我
C
= 0
V
CE
= 3V ,我
C
= 2A
V
CE
= 3V ,我
C
= 1.5A
I
C
= 2A ,我
B
= 40毫安
I
C
= 1.5A ,我
B
= 30毫安
V
CE
= 3V ,我
C
= 2A
V
CE
= 3V ,我
C
= 1.5A
I
首席执行官
集电极截止电流
I
EBO
h
FE
V
CE
(SAT)
发射极截止电流
*直流电流增益
*集电极 - 发射极饱和电压
: BD675A / 677A / 679A
: BD681
*基射极电压ON : BD675A / 677A / 679A
: BD681
V
BE
(上)
*脉冲测试: PW = 300μS ,占空比= 1.5 %脉冲
2000仙童半导体国际
版本A , 2000年2月
BD675A/677A/679A/681
典型特征
10000
V
CE
(饱和) [ V]时,饱和电压
V
CE
= 3V
2.4
IC = 250我
B
2.0
h
FE
,直流电流增益
1.6
1000
1.2
0.8
0.4
100
0.1
1
10
0.0
0.1
1
10
I
C
[A] ,集电极电流
I
C
[A] ,集电极电流
图1.直流电流增益
图2.集电极 - 发射极饱和电压
4.0
3.8
V
CE
= 3V
3.6
3.4
3.2
3.0
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2.0
10
I
C
(最大值)。脉冲
I
C
(最大值)。连续
10
s
I
C
[A] ,集电极电流
I
C
[A] ,集电极电流
DC
100
s
1
BD675A
BD677A
BD679A
BD681
0.1
1
10
1ms
10ms
100
1000
V
BE
[ V]时,基极发射极电压
V
CE
[V] ,集电极 - 发射极电压
图3.基射极电压上
图4.安全工作区
50
P
C
[W] ,功率耗散
40
30
20
10
0
0
25
50
o
75
100
125
150
175
200
T
C
[C] ,外壳温度
图5.功率降额
2000仙童半导体国际
版本A , 2000年2月
BD675A/677A/679A/681
包装Demensions
TO-126
±0.10
3.90
8.00
±0.30
3.25
±0.20
14.20MAX
3.20
±0.10
11.00
±0.20
(1.00)
0.75
±0.10
1.60
±0.10
0.75
±0.10
±0.30
(0.50)
1.75
±0.20
#1
2.28TYP
[2.28±0.20]
2.28TYP
[2.28±0.20]
13.06
16.10
±0.20
0.50
–0.05
+0.10
单位:毫米
2000仙童半导体国际
版本A , 2000年2月
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
FACT
FACT静音系列
FASTr
GTO
放弃
HiSeC
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QFET
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
UHC
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中,为了提高可靠性,功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照,也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统,而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
国际。
如本文所用:
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中, ( a)打算通过外科手术移植到体内,
或(b )支持或维持生命,或(c )其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签,可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统,其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统,或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据,和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候,恕不另行通知,以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知,以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2000仙童半导体国际
英文内容
TRANSYS
电子
L I M I T E
NPN塑力达林顿晶体管
BD675 , BD675A
BD677 , BD677A
BD679 , BD679A
BD681 , BD683
TO126
塑料包装
EC
B
互补BD676 , 676A , 678 , 678a上, 680 , 680A , 682 & 684
绝对最大额定值
描述
符号
BD675
BD675A
45
45
677
677A
60
60
5
4
0.1
40
0.32
- 55至+ 150
679 681
679A
80
80
100
100
683
单位
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
集电极电流
基极电流
总功率耗散@ T C = 25
o
C
减免上述25℃
操作&存储结
温度范围
热阻
从结点到外壳
O
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
D
T
j,
T
英镑
120
120
V
V
V
A
A
W
W / ℃,
C
R
日(J -C )
3.13
摄氏度/ W
电气特性(TC = 25℃除非另有规定)
描述
集电极 - 发射极电压
符号测试条件
V
首席执行官
*
I
C
= 50mA时我
B
=0
BD675/BD675A
BD677/BD677A
BD679/BD679A
BD681
BD683
V
CE
=半额定V
首席执行官,
I
B
=0
V
CB
=额定V
CBO
, I
E
=0
V
CB
=额定V
CBO
, I
E
=0
T
C
=100 C
V
EB
= 5V ,我
C
=0
O
最大
单位
45
60
80
100
120
500
0.2
2.0
2.0
V
集电极切断电流
I
首席执行官
I
CBO
I
CBO
A
mA
发射器切断电流
I
EBO
NPN塑力达林顿晶体管
BD675 , BD675A
BD677 , BD677A
BD679 , BD679A
BD681 , BD683
TO126
塑料包装
EC
B
描述
符号测试条件
最大
单位
集电极 - 发射极饱和电压
非甲
V
CE ( SAT )
*
A
V
CE ( SAT )
*
基极发射极电压
非甲
V
BE(上)
*
A
直流电流增益
h
FE
*
非甲
A
h
FE
*
lh
fe
l
小信号电流增益
I
C
= 1.5A ,我
B
=6mA
I
C
= 2.0A ,我
B
=8mA
I
C
=1.5A,V
CE
=3V
I
C
=2A,V
CE
=3V
750
750
1.0
2.5
2.8
2.5
2.5
V
V
I
C
=1.5A,V
CE
=3V
I
C
=2A,V
CE
=3V
I
C
= 1.5A ,V
CE
=3V
f=1MHz
脉冲测试:脉冲宽度< 300μS ;占空比< 2 % 。
BD675 , BD675A
BD677 , BD677A
BD679 , BD679A
BD681 , BD683
TO126
塑料包装
TO- 126 ( SOT- 32 )塑料包装
A
N
P
B
C
暗淡
A
B
C
D
E
7.4
10.5
2.4
0.7
0.49
最大
7.8
10.8
2.7
0.9
0.75
2.25 TYP 。
4.5 TYP 。
15.7 TYP 。
1.27 TYP 。
3.75 TYP 。
3.0
3.2
S
1
1
2
3
D
E
G
F
M
F
2
3
引脚配置
1.发射器
2.收集
3. BASE
G
L
M
N
P
L
S
2.5 TYP 。
在MM都diminsions 。
包装细节
TO- 126散装
TO- 126管
标准包装
详细
净重量/数量
500个/塑料袋340克/ 500个
50个/管
73克/ 50个
内箱箱
SIZE
数量
3" X 7.5" X 7.5"
3" X 3.7" X 21.5"
2K
1K
SIZE
外箱BOX
数量
克重量
32K
10K
31公斤
15公斤
17 & QUOT ; ×15 & QUOT ; X 13.5 & QUOT ;
19 QUOT ; ×19 & QUOT ; ×19 & QUOT ;
TRANSYS
电子
L I M I T E
NPN塑力达林顿晶体管
BD675 , BD675A
BD677 , BD677A
BD679 , BD679A
BD681 , BD683
TO126
塑料包装
EC
B
互补BD676 , 676A , 678 , 678a上, 680 , 680A , 682 & 684
绝对最大额定值
描述
符号
BD675
BD675A
45
45
677
677A
60
60
5
4
0.1
40
0.32
- 55至+ 150
679 681
679A
80
80
100
100
683
单位
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
集电极电流
基极电流
总功率耗散@ T C = 25
o
C
减免上述25℃
操作&存储结
温度范围
热阻
从结点到外壳
O
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
D
T
j,
T
英镑
120
120
V
V
V
A
A
W
W / ℃,
C
R
日(J -C )
3.13
摄氏度/ W
电气特性(TC = 25℃除非另有规定)
描述
集电极 - 发射极电压
符号测试条件
V
首席执行官
*
I
C
= 50mA时我
B
=0
BD675/BD675A
BD677/BD677A
BD679/BD679A
BD681
BD683
V
CE
=半额定V
首席执行官,
I
B
=0
V
CB
=额定V
CBO
, I
E
=0
V
CB
=额定V
CBO
, I
E
=0
T
C
=100 C
V
EB
= 5V ,我
C
=0
O
最大
单位
45
60
80
100
120
500
0.2
2.0
2.0
V
集电极切断电流
I
首席执行官
I
CBO
I
CBO
A
mA
发射器切断电流
I
EBO
NPN塑力达林顿晶体管
BD675 , BD675A
BD677 , BD677A
BD679 , BD679A
BD681 , BD683
TO126
塑料包装
EC
B
描述
符号测试条件
最大
单位
集电极 - 发射极饱和电压
非甲
V
CE ( SAT )
*
A
V
CE ( SAT )
*
基极发射极电压
非甲
V
BE(上)
*
A
直流电流增益
h
FE
*
非甲
A
h
FE
*
lh
fe
l
小信号电流增益
I
C
= 1.5A ,我
B
=6mA
I
C
= 2.0A ,我
B
=8mA
I
C
=1.5A,V
CE
=3V
I
C
=2A,V
CE
=3V
750
750
1.0
2.5
2.8
2.5
2.5
V
V
I
C
=1.5A,V
CE
=3V
I
C
=2A,V
CE
=3V
I
C
= 1.5A ,V
CE
=3V
f=1MHz
脉冲测试:脉冲宽度< 300μS ;占空比< 2 % 。
BD675 , BD675A
BD677 , BD677A
BD679 , BD679A
BD681 , BD683
TO126
塑料包装
TO- 126 ( SOT- 32 )塑料包装
A
N
P
B
C
暗淡
A
B
C
D
E
7.4
10.5
2.4
0.7
0.49
最大
7.8
10.8
2.7
0.9
0.75
2.25 TYP 。
4.5 TYP 。
15.7 TYP 。
1.27 TYP 。
3.75 TYP 。
3.0
3.2
S
1
1
2
3
D
E
G
F
M
F
2
3
引脚配置
1.发射器
2.收集
3. BASE
G
L
M
N
P
L
S
2.5 TYP 。
在MM都diminsions 。
包装细节
TO- 126散装
TO- 126管
标准包装
详细
净重量/数量
500个/塑料袋340克/ 500个
50个/管
73克/ 50个
内箱箱
SIZE
数量
3" X 7.5" X 7.5"
3" X 3.7" X 21.5"
2K
1K
SIZE
外箱BOX
数量
克重量
32K
10K
31公斤
15公斤
17 & QUOT ; ×15 & QUOT ; X 13.5 & QUOT ;
19 QUOT ; ×19 & QUOT ; ×19 & QUOT ;
BD675系列
NPN硅
大功率达林顿晶体管
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述:
中央半导体BD675系列
类型NPN硅达林顿功率晶体管,
可用在塑料的TO- 126封装,并且
设计用于音频和视频输出的应用。
标记:全部型号
TO- 126 CASE
BD675
最大额定值:
(TC=25°C)
SYMBOL BD675A
集电极 - 基极电压
VCBO
45
集电极 - 发射极电压
VCEO
45
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
连续基极电流
功耗
工作和存储
结温
热阻
电动
符号
ICBO
ICBO
ICEO
IEBO
BVCEO
BVCEO
BVCEO
BVCEO
BVCEO
VCE ( SAT )
VCE ( SAT )
VBE (ON)的
VBE (ON)的
的hFE
的hFE
的hFE
VEBO
IC
IB
PD
TJ , TSTG
Θ
JC
BD677
BD677A
60
60
BD679
BD679A
80
80
5.0
4.0
100
40
-65到+150
3.13
最大
200
2.0
500
2.0
45
60
80
100
120
2.5
2.8
2.5
2.5
750
750
1.0
BD681
100
100
BD683
120
120
单位
V
V
V
A
mA
W
°C
° C / W
单位
A
mA
A
mA
V
V
V
V
V
V
V
V
V
特性:
( TA = 25° C除非另有说明)
测试条件
VCB =额定VCBO
VCB =额定VCBO , TC = 100℃
VCE = & frac12 ;额定VCEO
VEB=5.0V
IC = 50毫安( BD675 , BD675A )
IC = 50毫安( BD677 , BD677A )
IC = 50毫安( BD679 , BD679A )
IC = 50毫安( BD681 )
IC = 50毫安( BD683 )
IC = 1.5A , IB = 30毫安(非A)
IC = 2.0A , IB = 40毫安( A)
VCE = 3.0V , IC = 1.5A (非A)
VCE = 3.0V , IC = 2.0A ( A)
VCE = 3.0V , IC = 1.5A (非A)
VCE = 3.0V , IC = 2.0A ( A)
VCE = 3.0V , IC = 1.5A , F = 1.0MHz的
R1 ( 2010年14月)
BD675系列
NPN硅
大功率达林顿晶体管
TO- 126案例 - 机械外形
前导码:
1 )发射
2 )集电极
3 )基
标记:
全部型号
R1 ( 2010年14月)
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
NPN BD675 / A - BD677 / A - BD679 / A - BD681 / A
硅达林顿功率晶体管
该BD675 / A - BD677 / A- BD679 / A- BD681 / A是安装在JEDEC的TO -126 NPN晶体管
塑料封装。
它们是在单片达林顿电路eptaxial基晶体管对音频和视频
应用程序。
PNP互补是BD676 / A - BD678 / A - BD680 / A - BD682 / A
符合RoHS指令。
绝对最大额定值
符号
集电极 - 发射极电压
评级
BD675/A
BD677/A
BD679/A
BD681/A
BD675/A
BD677/A
BD679/A
BD681/A
I
C
I
CM
I
BM
@ T
mb
= 25°C
价值
45
60
80
100
45
60
80
100
5
4
6
0.1
40
150
-65到+150
单位
V
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
T
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流(峰值)
总功耗
结温
储存温度
V
V
A
A
W
°C
°C
热特性
符号
R
THJ - MB
R
THJ -A
评级
热阻,结到mouting基地
热阻,结到环境中的自由空气
价值
3.12
100
单位
K / W
K / W
23/10/2012
半导体COMSET
1 |3
NPN BD675 / A - BD677 / A - BD679 / A - BD681 / A
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
评级
测试条件(S )
I
E
=0 , V
CB
= 60 V
I
E
=0 , V
CB
= 80 V
I
E
=0 , V
CB
= 100 V
I
E
=0 , V
CB
= 120 V
I
E
=0 ,V
CB
= 30V ,T
j
= 150°C
I
E
=0 ,V
CB
≤ 40V ,T
j
= 150°C
I
E
=0 ,V
CB
= 50V ,T
j
= 150°C
I
E
=0 ,V
CB
= 60V ,T
j
= 150°C
I
B
=0 , V
CE
= & frac12 ; V
CEOMAX
I
B
=0 , V
CE
= & frac12 ; V
CEOMAX
I
B
=0 , V
CE
= & frac12 ; V
CEOMAX
I
B
=0 , V
CE
= & frac12 ; V
CEOMAX
I
C
=0, -V
EB
=5 V
BD675/A
BD677/A
BD679/A
BD681/A
BD675/A
BD677/A
BD679/A
BD681/A
BD675/A
BD677/A
BD679/A
BD681/A
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
45
60
80
100
-
-
-
750
-
750
-
-
10
-
-
0,8
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2200
-
1500
-
-
-
-
60
1,5
-
最大
0,2
0,2
0,2
0,2
2
2
2
2
0,5
0,5
0,5
0,5
5
-
-
-
-
2,5
单位
I
CBO
集电极截止
当前
mA
I
首席执行官
集电极截止
当前
发射cut-
offcurrent
mA
mA
V
I
EBO
V
CEO ( SUS )
V
CE ( SAT )
h
FE
V
BE
h
fe
f
的hFE
V
F
I
(SB)
BD675/A
BD677/A
集电极 - 发射极
I
B
=0 , I
C
-50毫安
Sustaning电压
BD679/A
BD681/A
BD675 , BD677 , BD679 , BD681
I
C
= 1.5 A,I
B
= 30毫安
集电极 - 发射极
饱和电压BD675A , BD677A , BD679A , BD681A
I
C
= 2 A,I
B
= 40毫安
BD675 , BD677 , BD679 , BD681
V
CE
= 3 V,I
C
± 500毫安
BD675 , BD677 , BD679 , BD681
V
CE
= 3 V,I
C
=1,5 A
直流电流增益
BD675 , BD677 , BD679 , BD681
V
CE
= 3 V,I
C
=4 A
BD675A , BD677A , BD679A , BD681A
V
CE
= 3 V,I
C
=2 A
BD675 , BD677 , BD679 , BD681
V
CE
= 3 V,I
C
=1,5 A
基射
Voltage(1&2)
BD675A , BD677A , BD679A , BD681A
V
CE
= 3 V,I
C
=2 A
小信号
V
CE
= 3 V,I
C
= 1.5 A, F = 1兆赫
电流增益
Ut的截止频率
V
CE
= 3 V,I
C
=1,5 A
二极管正向
I
F
=1,5 A
电压
二线
-V
CE
= 50 V,T
P
= 20ms的,非共和国,无
击穿
散热器
集电极电流
V
2.8
-
-
-
-
2,5
V
2.5
-
-
-
-
千赫
V
A
23/10/2012
半导体COMSET
2 |3
NPN BD675 / A - BD677 / A - BD679 / A - BD681 / A
符号
t
on
t
关闭
1.
2.
评级
开启时间
打开-O FF时间
测试条件(S )
-I
CON
= 1,5A , -I
BON
= I
B关
= 6毫安,
-
-
典型值
0,3
1,5
最大
1.5
5
单位
s
脉冲的条件下测定:吨
P
<300s,
<2%.
V
BE
降低了约3,6毫伏/ K随温度的升高。
机械数据案例TO- 126
尺寸
最大
7.4
7.8
10.5
10.8
2.4
2.7
0.7
0.9
2.25 TYP 。
0.49
0.75
4.4典型。
15.7 TYP 。
1.27 TYP 。
3.75 TYP 。
3.0
3.2
2.54 TYP 。
A
B
C
D
E
F
G
L
M
N
P
S
引脚1 :
引脚2 :
3脚:
辐射源
集热器
BASE
修订后的2012年8月
提供的资料被认为是准确和可靠。然而,半导体COMSET承担的后果不承担任何责任
对此类信息的使用,也不对任何侵犯第三方专利或可借鉴其使用效果等权利。数据受
更改,恕不另行通知。 COMSET半导体公司对于其产品适用于任何任何保证,声明或担保
特定用途,也不COMSET半导体承担由此产生的任何产品的应用或使用特别的任何法律责任
不承担任何责任,包括但不限于间接或附带损失。 COMSET半导体的产品都没有
授权用作生命支持设备或系统中的关键组件。
www.comsetsemi.com
23/10/2012
半导体COMSET
info@comsetsemi.com
3 |3
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BD675A
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-82563615 82563213
联系人:王云
地址:深圳市华强北上步204栋五楼520室
BD675A
ST
2425+
11280
TO-126
进口原装!优势现货!
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
BD675A
onsemi
24+
10000
TO-126
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
BD675A
ON/安森美
2443+
23000
TO-126
一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
BD675A
onsemi
24+
10000
TO-126
全新原装现货,原厂代理。
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电话:0755-83268779
联系人:吴
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6楼A座611(本公司为一般纳税人,可以开17%增值税)
BD675A
ON/正品
13+
25800
TO-126
全新原装正品,大量现货库存,可以出样品,欢迎咨询洽谈
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电话:0755-83015506-23947236
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
BD675A
ST
24+
9850
TO-126
官方授权代理商入驻
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电话:0755-83247290
联系人:吴先生/吴小姐/李小姐
地址:深圳市福田区航都大厦17F1
BD675A
ONS
23+
5600
原厂原封装
绝对进口原装,公司现货
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电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
BD675A
ON/安森美
24+
21000
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真实库存信息/只做原装正品/支持实单
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电话:0755-83777607/83777708/82799993
联系人:销售部1部
地址:美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜
BD675A
FAIRCHILD
25+23+
44187
TO126F
绝对原装正品渠道优势商!全新进口深圳现货原盒原包!
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
BD675A
ST/意法
22+
32570
NEW
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