BD646 ， BD648 ， BD650 ， BD652
PNP硅功率DARLINGTONS
●
●
●
●
专为配套使用带
BD645 ， BD647 ， BD649和BD651
在25 ° C的温度62.5 W
8的连续集电极电流
最低
FE
750在3V ，3A
B
C
E
的TO-220封装
（ TOP VIEW ）
1
2
3
销2与安装底座的电接触。
MDTRACA
在25 ℃的情况下绝对最大额定值（除非另有说明）
等级
BD646
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
BD648
BD650
BD652
BD646
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
BD648
BD650
BD652
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流（见注1 ）
连续基极电流
连续器件耗散（或低于） 25 ℃的外壳温度（见注2 ）
在（或低于） 25℃自由空气温度连续设备损耗（见注3 ）
非钳位电感负载的能量（见注4 ）
工作结温范围
存储温度范围
从案例铅温度3.2毫米10秒
注：1 。
2.
3.
4.
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
P
合计
½LI
C
2
T
j
T
英镑
T
L
V
首席执行官
V
CBO
符号
价值
-80
-100
-120
-140
-60
-80
-100
-120
-5
-8
-12
-0.3
62.5
2
50
-65到+150
-65到+150
260
V
A
A
A
W
W
mJ
°C
°C
°C
V
V
单位
该值适用于吨
p
≤
0.3毫秒，占空比
≤
10%.
降额直线到150℃情况下，温度以0.4的速率的W / ℃。
线性降额至150℃自由空气温度为16毫瓦/ ℃的速率。
此评价是基于晶体管的能力在一个电路安全地操作：L = 20毫亨，我
B（上）
= -5毫安，R
BE
= 100
,
V
BE （OFF）的
= 0, R
S
= 0.1
,
V
CC
= -20 V.
1993年5月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
1
BD646 ， BD648 ， BD650 ， BD652
PNP硅功率DARLINGTONS
在25℃的情况下温度的电特性（除非另有说明）
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
测试条件
BD646
V
（ BR ） CEO
I
C
= -30毫安
I
B
= 0
（见注5 ）
BD648
BD650
BD652
V
CE
= -30 V
I
首席执行官
集电极 - 发射极
截止电流
V
CE
= -40 V
V
CE
= -50 V
V
CE
= -60 V
V
CB
= -60 V
V
CB
= -80 V
V
CB
= -100 V
I
CBO
集电极截止
当前
V
CB
= -120 V
V
CB
= -40 V
V
CB
= -50 V
V
CB
= -60 V
V
CB
= -70 V
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
发射极截止
当前
正向电流
传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射
电压
V
EB
=
V
CE
=
I
B
=
I
B
=
I
B
=
V
CE
=
-5 V
-3 V
-12毫安
-50毫安
-50毫安
-3 V
I
B
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
C
= 0
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
C
=
-3 A
-3 A
-5 A
-5 A
-3 A
T
C
= 150°C
T
C
= 150°C
T
C
= 150°C
T
C
= 150°C
（见注5和6）
（见注5和6）
（见注5和6）
（见注5和6）
（见注5和6）
750
-2
-2.5
-3
-2.5
V
V
V
BD646
BD648
BD650
BD652
BD646
BD648
BD650
BD652
BD646
BD648
BD650
BD652
民
-60
-80
-100
-120
-0.5
-0.5
-0.5
-0.5
-0.2
-0.2
-0.2
-0.2
-2.0
-2.0
-2.0
-2.0
-5
mA
mA
mA
V
典型值
最大
单位
注： 5。这些参数必须使用脉冲技术进行测量，T
p
= 300微秒，占空比
≤
2%.
6.这些参数必须使用电压感测接触，分开的载流触点来测量。
热特性
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
民
典型值
最大
2.0
62.5
单位
° C / W
° C / W
2
1993年5月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
BD646 ， BD648 ， BD650 ， BD652
PNP硅功率DARLINGTONS
典型特征
典型的直流电流增益
vs
集电极电流
V
CE （ SAT ）
- 集电极 - 发射极饱和电压 - V
50000
TCS135AD
集电极 - 发射极饱和电压
vs
集电极电流
-2·0
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
I
B
= I
C
/ 100
TCS135AB
h
FE
- 典型的直流电流增益
T
C
= -40°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
10000
-1·5
1000
-1·0
V
CE
= -3 V
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
100
-0·5
-1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
-10
T
C
= -40°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
-0·5
-0·5
-1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
-10
图1 。
图2中。
基射极饱和电压
vs
集电极电流
-3·0
V
BE （ SAT ）
- 基射极饱和电压 - V
T
C
= -40°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
TCS135AC
-2·5
-2·0
-1·5
-1·0
I
B
= I
C
/ 100
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
-0·5
-0·5
-1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
-10
网络连接gure 3 。
1993年5月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
3
BD646 ， BD648 ， BD650 ， BD652
PNP硅功率DARLINGTONS
最大安全工作区
最大正向偏置
安全工作区
-10
SAS135AC
I
C
- 集电极电流 - 一个
-1·0
-0·1
-0.01
-1·0
BD646
BD648
BD650
BD652
-10
-100
-1000
V
CE
- 集电极 - 发射极电压 - V
图4中。
热信息
最大功率耗散
vs
外壳温度
80
P
合计
- 最大功耗 - W
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度 - C
TIS130AC
图5中。
4
1993年5月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
BD646 ， BD648 ， BD650 ， BD652
PNP硅功率DARLINGTONS
机械数据
TO-220
3 - pin塑料法兰安装型封装
此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的
化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形，并且电路的性能
当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的
在钎焊组件中使用时，清洗或处理。
TO220
4,70
4,20
3,96
3,71
10,4
10,0
2,95
2,54
6,6
6,0
15,90
14,55
1,32
1,23
见注释B
另请注意：C
6,1
3,5
0,97
0,61
1
2
3
1,70
1,07
14,1
12,7
2,74
2,34
5,28
4,88
2,90
2,40
0,64
0,41
第1版
第2版
以毫米为单位所有长度
注：A。该中心引脚与安装标签的电接触。
B.根据包的版本安装标签角落的个人资料。
据包版本C.典型固定孔中心站开高。
第1版18.0毫米。版本2 17.6毫米。
MDXXBE
1993年5月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
5
半导体
BD644/646/648/650/652
硅达林顿功率晶体管
在单片Dalrington电路的PNP外延基区晶体管和容纳在一个
的TO-220 ENVELOPPE 。它们被设计用于音频设备的输出级，
一般放大器和模拟开关应用。
NPN互补是BD643 ， BD645 ， BD647 ， BD649和BD651
绝对最大额定值
符号
评级
BD644
BD646
BD648
BD650
BD652
BD644
BD646
BD648
BD650
BD652
BD644
BD646
BD648
BD650
BD652
BD644
BD646
BD648
BD650
BD652
BD644
BD646
BD648
BD650
BD652
价值
45
60
80
100
120
45
60
80
100
120
5
单位
-V
CBO
集电极 - 基极电压
V
-V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
-V
EBO
发射极 - 基极电压
V
-I
C
集电极电流
8
A
-I
CM
集电极电流峰值
12
A
第1页5
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·采用TO- 220封装
·补类型为BD645 / 647 /六百五十一分之六百四十九
·达林顿
应用
·对于音频的输出级使用
设备，一般的放大器，并
模拟开关应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
BD646/648/650/652
绝对最大额定值（ TA = 25 ）
符号
参数
BD646
V
CBO
集电极 - 基极电压
BD648
BD650
BD652
BD646
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BD648
BD650
BD652
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流DC
集电极电流脉冲
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
-80
-100
-120
-140
-60
-80
-100
-120
-5
-8
-12
-150
62.5
150
-65~150
V
A
A
mA
W
V
V
单位
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·带
TO- 220封装
.Complement
输入BD645 / 647 /六百五十一分之六百四十九
·达林顿
应用
For
在音频输出级使用
设备，一般的放大器，并
模拟开关应用
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
BD646/648/650/652
绝对最大额定值（Ta = 25
℃
)
符号
固电
IN
导½
半
参数
条件
BD646
BD648
BD650
V
CBO
集电极 - 基极电压
ES
昂
CH
BD652
BD646
BD648
BD650
BD652
发射极开路
ICO
EM
OR
UCT
ND
价值
-80
-100
-120
-140
-60
-80
单位
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
开基
-100
-120
集电极开路
-5
-8
-12
-150
T
C
=25℃
62.5
150
-65~150
V
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流DC
集电极电流脉冲
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
V
A
A
mA
W
℃
℃
BD646 ， BD648 ， BD650 ， BD652
PNP硅功率DARLINGTONS
版权所有 1997年，创新动力有限公司， UK
1993年5月 - 修订1997年3月
q
专为配套使用带
BD645 ， BD647 ， BD649和BD651
在25 ° C的温度62.5 W
8的连续集电极电流
最低
FE
750在3 V ，3A
B
C
E
q
q
q
的TO-220封装
（ TOP VIEW ）
1
2
3
销2与安装底座的电接触。
MDTRACA
绝对最大额定值
在25℃的情况下的温度（除非另有说明）
等级
BD646
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
BD648
BD650
BD652
BD646
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
BD648
BD650
BD652
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流（见注1 ）
连续基极电流
连续器件耗散（或低于） 25 ℃的外壳温度（见注2 ）
在（或低于） 25℃自由空气温度连续设备损耗（见注3 ）
非钳位电感负载的能量（见注4 ）
工作结温范围
存储温度范围
从案例铅温度3.2毫米10秒
注：1 。
2.
3.
4.
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
P
合计
½LI
C
T
j
T
英镑
T
L
2
符号
价值
-80
-100
-120
-140
-60
-80
-100
-120
-5
-8
-12
-0.3
62.5
2
50
-65到+150
-65到+150
260
单位
V
CBO
V
V
首席执行官
V
V
A
A
A
W
W
mJ
°C
°C
°C
该值适用于吨
p
≤
0.3毫秒，占空比
≤
10%.
降额直线到150℃情况下，温度以0.4的速率的W / ℃。
线性降额至150℃自由空气温度为16毫瓦/ ℃的速率。
此评价是基于晶体管的能力在一个电路安全地操作：L = 20毫亨，我
B（上）
= -5毫安，R
BE
= 100
,
V
BE （OFF）的
= 0, R
S
= 0.1
,
V
CC
= -20 V.
产品
信息
信息为出版日期。产品符合根据规格
随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
1
BD646 ， BD648 ， BD650 ， BD652
PNP硅功率DARLINGTONS
1993年5月 - 修订1997年3月
在25℃的情况下温度的电特性（除非另有说明）
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
测试条件
BD646
V
（ BR ） CEO
I
C
= -30毫安
I
B
= 0
（见注5 ）
BD648
BD650
BD652
V
CE
= -30 V
I
首席执行官
集电极 - 发射极
截止电流
V
CE
= -40 V
V
CE
= -50 V
V
CE
= -60 V
V
CB
= -60 V
V
CB
= -80 V
V
CB
= -100 V
I
CBO
集电极截止
当前
V
CB
= -120 V
V
CB
= -40 V
V
CB
= -50 V
V
CB
= -60 V
V
CB
= -70 V
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
发射极截止
当前
正向电流
传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
基射
电压
V
EB
=
V
CE
=
I
B
=
I
B
=
I
B
=
V
CE
=
-5 V
-3 V
-12毫安
-50毫安
-50毫安
-3 V
I
B
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
E
= 0
I
C
= 0
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
C
=
-3 A
-3 A
-5 A
-5 A
-3 A
T
C
= 150°C
T
C
= 150°C
T
C
= 150°C
T
C
= 150°C
（见注5和6）
（见注5和6）
（见注5和6）
（见注5和6）
（见注5和6）
750
-2
-2.5
-3
-2.5
V
V
V
BD646
BD648
BD650
BD652
BD646
BD648
BD650
BD652
BD646
BD648
BD650
BD652
民
-60
-80
-100
-120
-0.5
-0.5
-0.5
-0.5
-0.2
-0.2
-0.2
-0.2
-2.0
-2.0
-2.0
-2.0
-5
mA
mA
mA
V
典型值
最大
单位
注： 5。这些参数必须使用脉冲技术进行测量，T
p
= 300微秒，占空比
≤
2%.
6.这些参数必须使用电压感测接触，分开的载流触点来测量。
热特性
参数
R
θ
JC
R
θ
JA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
民
典型值
最大
2.0
62.5
单位
° C / W
° C / W
产品
信息
2
BD646 ， BD648 ， BD650 ， BD652
PNP硅功率DARLINGTONS
1993年5月 - 修订1997年3月
典型特征
典型的直流电流增益
vs
集电极电流
V
CE （ SAT ）
- 集电极 - 发射极饱和电压 - V
50000
TCS135AD
集电极 - 发射极饱和电压
vs
集电极电流
-2·0
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
I
B
= I
C
/ 100
TCS135AB
h
FE
- 典型的直流电流增益
T
C
= -40°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
10000
-1·5
1000
-1·0
V
CE
= -3 V
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
100
-0·5
-1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
-10
T
C
= -40°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
-0·5
-0·5
-1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
-10
图1 。
图2中。
基射极饱和电压
vs
集电极电流
-3·0
V
BE （ SAT ）
- 基射极饱和电压 - V
T
C
= -40°C
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
TCS135AC
-2·5
-2·0
-1·5
-1·0
I
B
= I
C
/ 100
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
-0·5
-0·5
-1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
-10
网络连接gure 3 。
产品
信息
3
BD646 ， BD648 ， BD650 ， BD652
PNP硅功率DARLINGTONS
1993年5月 - 修订1997年3月
最大安全工作区
最大正向偏置
安全工作区
-10
SAS135AC
I
C
- 集电极电流 - 一个
-1·0
-0·1
-0.01
-1·0
BD646
BD648
BD650
BD652
-10
-100
-1000
V
CE
- 集电极 - 发射极电压 - V
图4中。
热信息
最大功率耗散
vs
外壳温度
80
P
合计
- 最大功耗 - W
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度 - C
TIS130AC
图5中。
产品
信息
4
BD646 ， BD648 ， BD650 ， BD652
PNP硅功率DARLINGTONS
1993年5月 - 修订1997年3月
机械数据
TO-220
3 - pin塑料法兰安装型封装
此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的
化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形，并且电路的性能
当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的
在钎焊组件中使用时，清洗或处理。
TO220
4,70
4,20
3,96
3,71
10,4
10,0
2,95
2,54
6,6
6,0
15,90
14,55
1,32
1,23
见注释B
另请注意：C
6,1
3,5
0,97
0,61
1
2
3
1,70
1,07
14,1
12,7
2,74
2,34
5,28
4,88
2,90
2,40
0,64
0,41
第1版
第2版
以毫米为单位所有长度
注：A。该中心引脚与安装标签的电接触。
B.根据包的版本安装标签角落的个人资料。
据包版本C.典型固定孔中心站开高。
第1版18.0毫米。版本2 17.6毫米。
MDXXBE
产品
信息
5
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