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SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN Dalington功率晶体管

描述

·采用TO- 220封装

·补充输入BD644

·达林顿

应用

·对于音频的输出级使用

设备，一般的放大器，并

模拟开关应用

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器;连接到

安装底座

辐射源

描述

BD643

绝对最大额定值（ TA = 25 ）

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

C

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流DC

集电极电流脉冲

基极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

T

C

=25

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

45

5

8

12

150

62.5

150

-55~150

单位

V

A

W

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

最大

1.5

单位

/W

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN Dalington功率晶体管

BD643

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

二极管的正向电压

跃迁频率

条件

I

C

= 0.1A ，我

B

=0

I

C

= 5毫安，我

E

=0

I

E

= 2毫安，我

C

=0

I

C

= 3A ，我

B

=12mA

I

C

= 3A ，V

CE

=3V

V

CB

=V

CBmax

; I

E

=02

V

CE

=1/2 V

CEmax

; I

B

=0

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

C

= 0.5A ; V

CE

=3V

I

C

= 3A ; V

CE

=3V

I

C

= 6A ; V

CE

=3V

I

F

=3A

I

C

=3A;V

CE

=3V;f=1MHz

750

1.8

7

V

兆赫

1500

民

45

5

2.0

2.5

0.2

0.5

5

典型值。

最大

单位

V

mA

符号

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

V

CESAT

V

BE

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

h

FE-3

V

F

f

T

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN Dalington功率晶体管

包装外形

BD643

图2外形尺寸

3

半导体

BD643/645/647/649/651

硅达林顿功率晶体管

在单片Dalrington电路NPN型外延基区晶体管和容纳在一个

的TO-220 ENVELOPPE 。它们被设计用于音频设备的输出级，

一般放大器和模拟开关应用。

PNP互补是BD644 ， BD646 ， BD648 ， BD650和BD652

绝对最大额定值

符号

评级

BD643

BD645

BD647

BD649

BD651

BD643

BD645

BD647

BD649

BD651

BD643

BD645

BD647

BD649

BD651

BD643

BD645

BD647

BD649

BD651

BD643

BD645

BD647

BD649

BD651

价值

60

80

100

120

140

45

60

80

100

120

5

单位

V

CBO

集电极 - 基极电压

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

V

EBO

发射极 - 基极电压

V

I

C

集电极电流

8

A

I

CM

集电极电流峰值

12

A

第1页5

半导体

BD643/645/647/649/651

符号

评级

BD643

BD645

BD647

BD649

BD651

BD643

BD645

BD647

BD649

BD651

BD643

BD645

BD647

BD649

BD651

BD643

BD645

BD647

BD649

BD651

价值

单位

I

B

基极电流

150

mA

P

T

功耗

@ T

mb

< 25 °

62.5

瓦

T

J

连接点

温度

150

°C

-65到+150

T

s

存储温度范围

按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值

热特性

符号

R

THJ - MB

评级

从结点到安装基座

BD643

BD645

BD647

BD649

BD651

BD643

BD645

BD647

BD649

BD651

价值

2

单位

K / W

R

THJ -A

从结点到环境中的自由空气

70

K / W

页2的5

半导体

BD643/645/647/649/651

电气特性

TC = 25° C除非另有说明

符号

评级

测试条件（S ）

BD643

BD645

BD647

BD649

BD651

BD643

BD645

BD647

BD649

BD651

BD643

BD645

BD647

BD649

BD651

BD643

BD645

BD647

BD649

BD651

BD643

BD645

BD647

BD649

BD651

BD643

BD645

BD647

BD649

BD651

BD643

BD645

BD647

BD649

BD651

BD643

BD645

BD647

BD649

BD651

最小典型单位的Mx

I

E

=0,V

CB

=V

首席执行官

最大

-

0.1

mA

I

CBO

收藏家Cuto FF电流

I

E

=0,V

CB

=1/2 V

CBO

最大，

T

J

=150°C

-

1

mA

I

首席执行官

收藏家Cuto FF电流

I

E

=0, V

CE

=1/2 V

首席执行官

最大

-

0.2

mA

I

EBO

发射Cuto FF电流

V

EB

= 5 V，I

C

=0

-

5.0

mA

I

C

= 4 A，I

B

= 16毫安

V

CE （ SAT ）

集电极 - 发射极饱和

电压（*）

I

C

= 3 A，I

B

= 12毫安

I

C

= 5 A，I

B

-50毫安

-

2

-

2

2.5

V

BE （ SAT ）

基射极饱和

电压（*）

I

C

= 12 A，I

B

-50毫安

-

3

V

第3 5

半导体

BD643/645/647/649/651

符号

评级

BD643

BD645

BD647

BD649

BD651

BD643

BD645

BD647

BD649

BD651

BD643

BD645

BD647

BD649

BD651

BD643

BD645

BD647

BD649

BD651

BD643

BD645

BD647

BD649

BD651

BD643

BD645

BD647

BD649

BD651

BD643

BD645

BD647

BD649

BD651

BD643

BD645

BD647

BD649

BD651

-

750

-

750

-

10

-

10

价值

-

2.5

-

2.5

-

单位

I

C

= 4 A，V

CE

=3 V

V

BE

基射极电压（ * ）

V

I

C

= 3 A，V

CE

=3 V

V

CE

= 3.0 V，I

C

=0.5 A

1900

V

CE

= 3.0 V，I

C

=4 A

h

FE

直流电流增益（ * ）

V

CE

= 3.0 V，I

C

=3 A

-

V

CE

= 3.0 V，I

C

=8 A

1800

V

CE

= 3.0 V，I

C

= 4 A， F = 1MHz的

h

fe

小信号电流增益

V

CE

= 3.0 V，I

C

= 3 A， F = 1MHz的

-

（ * ）脉冲宽度

≈

300

s,

占空比

∠

2.0%

第4 5

半导体

BD643/645/647/649/651

机械数据案例TO- 220

尺寸

mm

A

B

C

D

E

F

G

H

L

M

N

P

R

S

T

U

引脚1 ：

引脚2 ：

3脚：

9,86

15,73

13,37

6,67

4,44

4,21

2,99

17,21

1,29

3,6

1,36

0,46

2,1

5

2,51

0,79

英寸

0,39

0,62

0,52

0,26

0,17

0,16

0,11

0,68

0,05

0,14

0,05

0,02

0,08

0,19

0,098

0,03

阳极1

阳极2

门

页5

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN Dalington功率晶体管

描述

·带

TO- 220封装

.Complement

输入BD644

·达林顿

应用

For

在音频输出级使用

设备，一般的放大器，并

模拟开关应用

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器;连接到

安装底座

辐射源

描述

BD643

绝对最大额定值（Ta = 25

℃

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

C

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流DC

集电极电流脉冲

基极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

T

C

=25℃

条件

发射极开路

开基

集电极开路

价值

45

5

8

12

150

62.5

150

-55~150

单位

V

A

W

℃

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻结到外壳

最大

1.5

单位

℃/W

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN Dalington功率晶体管

BD643

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） EBO

V

CESAT

V

BE

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

h

FE-1

h

FE-2

h

FE-3

V

F

f

T

参数

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

二极管的正向电压

跃迁频率

条件

I

C

= 0.1A ，我

B

=0

I

C

= 5毫安，我

E

=0

I

E

= 2毫安，我

C

=0

I

C

= 3A ，我

B

=12mA

I

C

= 3A ，V

CE

=3V

V

CB

=V

CBmax

; I

E

=02

V

CE

=1/2 V

CEmax

; I

B

=0

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

C

= 0.5A ; V

CE

=3V

I

C

= 3A ; V

CE

=3V

I

C

= 6A ; V

CE

=3V

I

F

=3A

I

C

=3A;V

CE

=3V;f=1MHz

750

1.8

7

V

兆赫

1500

民

45

5

2.0

2.5

0.2

0.5

5

典型值。

最大

单位

V

mA

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN Dalington功率晶体管

包装外形

BD643

图2外形尺寸

3