INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
描述
-collector
目前-I
C
=
15A
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
= 40V （最小值） - BD545 ; 60V （最小值） - BD545A
80V （最小值） - BD545B ; 100V （最小） - BD545C
.Complement
到类型BD546 / A / B / C
应用
·设计
用于一般用途的功率放大器使用和
切换应用程序
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
BD545
BD545A
V
CBO
集电极 - 基极电压
BD545B
BD545C
BD545
集电极 - 发射极
电压
BD545A
BD545B
BD545C
V
EBO
I
C
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极耗散功率
@ T
a
=25℃
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
存储温度范围
80
100
40
60
V
80
100
5
15
3.5
W
85
150
-65~150
℃
℃
V
A
价值
40
60
V
单位
BD545/A/B/C
V
首席执行官
P
C
T
J
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
R
第j个-C
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
最大
1.47
35.7
单位
℃/W
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
BD545 ， BD545A ， BD545B ， BD545C
NPN硅功率晶体管
版权所有 1997年，创新动力有限公司， UK
1973年6月 - 修订1997年3月
q
专为配套使用的
BD546系列
85瓦， 25 ° C的温度
B
SOT- 93封装
（ TOP VIEW ）
1
q
q
q
15 A连续集电极电流
提供客户指定的选择
C
2
E
3
销2与安装底座的电接触。
MDTRAA
绝对最大额定值
在25℃的情况下的温度（除非另有说明）
等级
BD545
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
BD545A
BD545B
BD545C
BD545
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0 ） （见注1 ）
BD545A
BD545B
BD545C
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
连续器件耗散（或低于） 25 ℃的外壳温度（见注2 ）
在（或低于） 25℃自由空气温度连续设备损耗（见注3 ）
工作自由空气的温度范围
工作结温范围
存储温度范围
从案例铅温度3.2毫米10秒
注释：1.这些值适用于当基极 - 发射极二极管是断路。
2.减额直线到150℃情况下，温度保持在0.68 W / ℃的速率。
3.减免线性至150℃自由空气温度在28毫瓦/ ℃的速率。
V
EBO
I
C
P
合计
P
合计
T
A
T
j
T
英镑
T
L
V
首席执行官
V
CBO
符号
价值
40
60
80
100
40
60
80
100
5
15
85
3.5
-65到+150
-65到+150
-65到+150
260
V
A
W
W
°C
°C
°C
°C
V
V
单位
产品
信息
信息为出版日期。产品符合根据规格
随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
1
BD545 ， BD545A ， BD545B ， BD545C
NPN硅功率晶体管
1973年6月 - 修订1997年3月
在25℃的情况下温度的电特性
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
测试条件
BD545
V
（ BR ） CEO
I
C
= 30毫安
（见注4 ）
V
CE
= 40 V
I
CES
集电极 - 发射极
截止电流
集电极截止
当前
发射极截止
当前
正向电流
传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
电压
小信号转发
电流传输比
小信号转发
电流传输比
V
CE
= 60 V
V
CE
= 80 V
V
CE
= 100 V
I
首席执行官
I
EBO
V
CE
= 30 V
V
CE
= 60 V
V
EB
=
V
CE
=
V
CE
=
V
CE
=
I
B
=
V
CE
=
5V
4V
4V
4V
2A
4V
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
C
= 0
I
C
=
I
C
=
I
C
=
1A
5A
5A
（见注4和5）
60
25
10
（见注4和5）
（见注4和5）
F = 1千赫
F = 1 MHz的
20
3
0.8
1
1.8
V
V
I
B
= 0
BD545A
BD545B
BD545C
BD545
BD545A
BD545B
BD545C
BD545/545A
BD545B/545C
民
40
60
80
100
0.4
0.4
0.4
0.4
0.7
0.7
1
mA
mA
mA
V
典型值
最大
单位
h
FE
I
C
= 10 A
I
C
= 10 A
I
C
= 10 A
I
C
= 0.5 A
I
C
= 0.5 A
V
CE （ SAT ）
V
BE
h
fe
I
B
= 625毫安
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V
|
h
fe
|
注： 4。这些参数必须使用脉冲技术进行测量，T
p
= 300微秒，占空比
≤
2%.
5.这些参数必须使用电压感测接触，分开的载流触点来测量。
热特性
参数
R
θ
JC
R
θ
JA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
民
典型值
最大
1.47
35.7
单位
° C / W
° C / W
在25℃的情况下温度的电阻负载开关特性
参数
t
on
t
关闭
测试条件
I
C
= 6 A
V
BE （OFF）的
= -4 V
I
B（上）
= 0.6 A
R
L
= 5
民
I
B（关闭）
= -0.6 A
t
p
= 20微秒，直流
≤
2%
典型值
0.6
1
最大
单位
s
s
开启时间
打开-O FF时间
显示电压和电流值是名义;精确值与晶体管的参数略有不同。
产品
信息
2
BD545 ， BD545A ， BD545B ， BD545C
NPN硅功率晶体管
1973年6月 - 修订1997年3月
典型特征
典型的直流电流增益
vs
集电极电流
1000
V
CE
= 4 V
T
C
= 25°C
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
TCS633AJ
集电极 - 发射极饱和电压
vs
基极电流
V
CE （ SAT ）
- 集电极 - 发射极饱和电压 - V
10
TCS633AB
I
C
= 1 A
I
C
= 3 A
I
C
= 6 A
I
C
= 10 A
h
FE
- 直流电流增益
100
1·0
10
0·1
1·0
0·1
1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
10
0·01
0·01
0·1
1·0
10
I
B
- 基极电流 - 一个
图1 。
图2中。
基射极电压
vs
集电极电流
1·8
V
CE
= 4 V
T
C
= 25°C
V
BE
- 基射极电压 - V
1·6
TCS633AC
1·4
1·2
1·0
0·8
0·6
0·1
1
I
C
- 集电极电流 - 一个
10
网络连接gure 3 。
产品
信息
3
BD545 ， BD545A ， BD545B ， BD545C
NPN硅功率晶体管
1973年6月 - 修订1997年3月
最大安全工作区
最大正向偏置
安全工作区
100
SAS633AE
I
C
- 集电极电流 - 一个
10
1·0
0·1
BD545
BD545A
BD545B
BD545C
10
100
1000
0·01
1·0
V
CE
- 集电极 - 发射极电压 - V
图4中。
热信息
最大功率耗散
vs
外壳温度
100
P
合计
- 最大功耗 - W
TIS633AC
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度 - C
图5中。
产品
信息
4
BD545 ， BD545A ， BD545B ， BD545C
NPN硅功率晶体管
1973年6月 - 修订1997年3月
机械数据
SOT-93
3 - pin塑料法兰安装型封装
此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的
化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形，并且电路的性能
当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的
在钎焊组件中使用时，清洗或处理。
SOT-93
4,90
4,70
4,1
4,0
15,2
14,7
3,95
4,15
1,37
1,17
16,2 MAX 。
12,2 MAX 。
31,0 TYP 。
18,0 TYP 。
1
1,30
1,10
2
3
0,78
0,50
11,1
10,8
2,50 TYP 。
以毫米为单位所有长度
注一：中心引脚与安装标签的电接触。
MDXXAW
产品
信息
5
BD545 ， BD545A ， BD545B ， BD545C
NPN硅功率晶体管
●
●
●
●
专为配套使用的
BD546系列
85瓦， 25 ° C的温度
15 A连续集电极电流
提供客户指定的选择
C
B
SOT- 93封装
（ TOP VIEW ）
1
2
E
3
销2与安装底座的电接触。
MDTRAAA
在25 ℃的情况下绝对最大额定值（除非另有说明）
等级
BD545
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
BD545A
BD545B
BD545C
BD545
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0 ） （见注1 ）
BD545A
BD545B
BD545C
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
连续器件耗散（或低于） 25 ℃的外壳温度（见注2 ）
在（或低于） 25℃自由空气温度连续设备损耗（见注3 ）
工作自由空气的温度范围
工作结温范围
存储温度范围
从案例铅温度3.2毫米10秒
注释：1.这些值适用于当基极 - 发射极二极管是断路。
2.减额直线到150℃情况下，温度保持在0.68 W / ℃的速率。
3.减免线性至150℃自由空气温度在28毫瓦/ ℃的速率。
V
EBO
I
C
P
合计
P
合计
T
A
T
j
T
英镑
T
L
V
首席执行官
V
CBO
符号
价值
40
60
80
100
40
60
80
100
5
15
85
3.5
-65到+150
-65到+150
-65到+150
260
V
A
W
W
°C
°C
°C
°C
V
V
单位
1973年6月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
1
BD545 ， BD545A ， BD545B ， BD545C
NPN硅功率晶体管
在25℃的情况下温度的电特性
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
测试条件
BD545
V
（ BR ） CEO
I
C
= 30毫安
（见注4 ）
V
CE
= 40 V
I
CES
集电极 - 发射极
截止电流
集电极截止
当前
发射极截止
当前
正向电流
传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
电压
小信号转发
电流传输比
小信号转发
电流传输比
V
CE
= 60 V
V
CE
= 80 V
V
CE
= 100 V
I
首席执行官
I
EBO
V
CE
= 30 V
V
CE
= 60 V
V
EB
=
V
CE
=
V
CE
=
V
CE
=
I
B
=
V
CE
=
5V
4V
4V
4V
2A
4V
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
C
= 0
I
C
=
I
C
=
I
C
=
1A
5A
5A
（见注4和5）
60
25
10
（见注4和5）
（见注4和5）
F = 1千赫
F = 1 MHz的
20
3
0.8
1
1.8
V
V
I
B
= 0
BD545A
BD545B
BD545C
BD545
BD545A
BD545B
BD545C
BD545/545A
BD545B/545C
民
40
60
80
100
0.4
0.4
0.4
0.4
0.7
0.7
1
mA
mA
mA
V
典型值
最大
单位
h
FE
I
C
= 10 A
I
C
= 10 A
I
C
= 10 A
I
C
= 0.5 A
I
C
= 0.5 A
V
CE （ SAT ）
V
BE
h
fe
I
B
= 625毫安
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V
|
h
fe
|
注： 4。这些参数必须使用脉冲技术进行测量，T
p
= 300微秒，占空比
≤
2%.
5.这些参数必须使用电压感测接触，分开的载流触点来测量。
热特性
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
民
典型值
最大
1.47
35.7
单位
° C / W
° C / W
在25℃的情况下温度的电阻负载开关特性
参数
t
on
t
关闭
测试条件
I
C
= 6 A
V
BE （OFF）的
= -4 V
I
B（上）
= 0.6 A
R
L
= 5
民
I
B（关闭）
= -0.6 A
t
p
= 20微秒，直流
≤
2%
典型值
0.6
1
最大
单位
s
s
开启时间
打开-O FF时间
显示电压和电流值是名义;精确值与晶体管的参数略有不同。
2
1973年6月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
BD545 ， BD545A ， BD545B ， BD545C
NPN硅功率晶体管
典型特征
典型的直流电流增益
vs
集电极电流
1000
V
CE
= 4 V
T
C
= 25°C
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
TCS633AJ
集电极 - 发射极饱和电压
vs
基极电流
V
CE （ SAT ）
- 集电极 - 发射极饱和电压 - V
10
TCS633AB
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
C
=
1A
3A
6A
10 A
h
FE
- 直流电流增益
100
1·0
10
0·1
1·0
0·1
1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
10
0·01
0·01
0·1
1·0
10
I
B
- 基极电流 - 一个
图1 。
图2中。
基射极电压
vs
集电极电流
1·8
V
CE
= 4 V
T
C
= 25°C
V
BE
- 基射极电压 - V
1·6
TCS633AC
1·4
1·2
1·0
0·8
0·6
0·1
1
I
C
- 集电极电流 - 一个
10
网络连接gure 3 。
1973年6月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
3
BD545 ， BD545A ， BD545B ， BD545C
NPN硅功率晶体管
最大安全工作区
最大正向偏置
安全工作区
100
SAS633AE
I
C
- 集电极电流 - 一个
10
1·0
0·1
BD545
BD545A
BD545B
BD545C
10
100
1000
0·01
1·0
V
CE
- 集电极 - 发射极电压 - V
图4中。
热信息
最大功率耗散
vs
外壳温度
100
P
合计
- 最大功耗 - W
TIS633AC
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度 - C
图5中。
4
1973年6月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
BD545 ， BD545A ， BD545B ， BD545C
NPN硅功率晶体管
机械数据
SOT-93
3 - pin塑料法兰安装型封装
此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的
化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形，并且电路的性能
当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的
在钎焊组件中使用时，清洗或处理。
SOT-93
4,90
4,70
4,1
4,0
15,2
14,7
1,37
1,17
3,95
4,15
16,2 MAX 。
12,2 MAX 。
31,0 TYP 。
18,0 TYP 。
1
1,30
1,10
2
3
0,78
0,50
11,1
10,8
2,50 TYP 。
以毫米为单位所有长度
注一：中心引脚与安装标签的电接触。
MDXXAW
1973年6月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
5
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
描述
-collector
目前-I
C
=
15A
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
= 40V （最小值） - BD545 ; 60V （最小值） - BD545A
80V （最小值） - BD545B ; 100V （最小） - BD545C
.Complement
到类型BD546 / A / B / C
应用
·设计
用于一般用途的功率放大器使用和
切换应用程序
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
BD545
价值
40
单位
BD545/A/B/C
V
CBO
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极
电压
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
BD545A
BD545B
60
80
V
BD545C
BD545
100
40
BD545A
BD545B
60
80
V
BD545C
100
5
15
3.5
W
85
150
-65~150
℃
℃
V
A
V
EBO
I
C
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极耗散功率
@ T
a
=25℃
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
存储温度范围
P
C
T
J
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
R
第j个-C
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
最大
1.47
35.7
单位
℃/W
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
QQ：2881677436 复制
