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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
BD539C
描述
ΔDC
电流增益 -
: h
FE
= 40 （分钟） @我
C
=
0.5A
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
= 100V （最小值）
.Complement
到类型BD540C
应用
·设计
在中等功率线性和开关应用
应用程序。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极耗散功率
@ T
a
=25℃
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
存储温度范围
P
C
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
100
单位
V
100
5
V
V
5
A
2
W
45
150
-65~150
℃
℃
最大
2.78
62.5
单位
℃/W
℃/W
T
J
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
R
日J-一
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
BD539C
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 30毫安;我
B
= 0
100
V
V
CE（
SAT
)-1
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 1A ;我
B
= 0.125A
B
0.25
V
V
CE（
SAT
)-2
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 3A ;我
B
= 0.375A
B
0.8
V
V
CE（
SAT
)-3
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
= 1A
B
1.5
V
V
BE （
on
)
基射极电压上
I
首席执行官
收藏家Cuto FF电流
I
CES
收藏家Cuto FF电流
I
EBO
发射Cuto FF电流
h
FE-1
直流电流增益
h
FE-2
直流电流增益
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
V
CB
= 60V ;我
B
= 0
B
I
C
= 3A ; V
CE
= 4V
1.25
V
0.3
mA
V
CE
= 100V; V
BE
= 0
0.2
mA
V
EB
= 5V ;我
C
= 0
1.0
mA
I
C
= 0.5A ; V
CE
= 4V
40
I
C
= 1A ; V
CE
= 4V
30
h
FE-3
直流电流增益
I
C
= 3A ; V
CE
= 4V
12
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
BD539B
描述
ΔDC
电流增益 -
: h
FE
= 40 （分钟） @我
C
=
0.5A
-collector极 - 发射极
击穿电压 -
: V
（ BR ） CEO
= 80V （最小值）
.Complement
到类型BD540B
应用
·设计
在中等功率线性和开关应用
应用程序。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极耗散功率
@ T
a
=25℃
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
存储温度范围
价值
80
80
5
5
2
W
45
150
-65~150
℃
℃
单位
V
V
V
A
P
C
T
J
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
R
日J-一
参数
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
最大
2.78
62.5
单位
℃/W
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
BD539B
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 30毫安;我
B
= 0
80
V
V
CE（
SAT
)-1
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 1A ;我
B
= 0.125A
B
0.25
V
V
CE（
SAT
)-2
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 3A ;我
B
= 0.375A
B
0.8
V
V
CE（
SAT
)-3
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
= 1A
B
1.5
V
V
BE （
on
)
基射极电压上
I
C
= 3A ; V
CE
= 4V
1.25
V
I
首席执行官
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 60V ;我
B
= 0
B
0.3
mA
I
CES
收藏家Cuto FF电流
V
CE
= 80V; V
BE
= 0
0.2
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 5V ;我
C
= 0
1.0
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 0.5A ; V
CE
= 4V
40
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 1A ; V
CE
= 4V
30
h
FE-3
直流电流增益
I
C
= 3A ; V
CE
= 4V
12
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
BD539 ， BD539A ， BD539B ， BD539C ， BD539D
NPN硅功率晶体管
版权所有 1997年，创新动力有限公司， UK
1973年6月 - 修订1997年3月
q
专为配套使用的
BD540系列
在25 ° C的温度， 45瓦
5连续集电极电流
高达120 V V
首席执行官
等级
B
C
E
的TO-220封装
（ TOP VIEW ）
q
q
q
1
2
3
销2与安装底座的电接触。
MDTRACA
绝对最大额定值
在25℃的情况下的温度（除非另有说明）
等级
BD539
BD539A
集电极 - 基极电压
BD539B
BD539C
BD539D
BD539
BD539A
集电极 - 发射极电压（见注1 ）
BD539B
BD539C
BD539D
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
连续器件耗散（或低于） 25 ℃的外壳温度（见注2 ）
在（或低于） 25℃自由空气温度连续设备损耗（见注3 ）
工作自由空气的温度范围
工作结温范围
存储温度范围
从案例铅温度3.2毫米10秒
注释：1.这些值适用于当基极 - 发射极二极管是断路。
2.减额直线到150℃情况下，温度保持在0.36 W / ℃的速率。
3.减免线性至150℃自由空气温度为16毫瓦/ ℃的速率。
V
EBO
I
C
P
合计
P
合计
T
A
T
j
T
英镑
T
L
V
首席执行官
V
CBO
符号
价值
40
60
80
100
120
40
60
80
100
120
5
5
45
2
-65到+150
-65到+150
-65到+150
260
V
A
W
W
°C
°C
°C
°C
V
V
单位
产品
信息
信息为出版日期。产品符合根据规格
随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
1
BD539 ， BD539A ， BD539B ， BD539C ， BD539D
NPN硅功率晶体管
1973年6月 - 修订1997年3月
在25℃的情况下温度的电特性
参数
测试条件
BD539
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
BD539A
I
C
= 30毫安
（见注4 ）
V
CE
= 40 V
I
CES
集电极 - 发射极
截止电流
V
CE
= 60 V
V
CE
= 80 V
V
CE
= 100 V
V
CE
= 120 V
I
首席执行官
集电极截止
当前
发射极截止
当前
正向电流
传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
电压
小信号转发
电流传输比
小信号转发
电流传输比
V
CE
= 30 V
V
CE
= 60 V
V
CE
= 90 V
V
EB
=
V
CE
=
V
CE
=
V
CE
=
5V
4V
4V
4V
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
C
= 0
I
C
= 0.5 A
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
C
=
1A
3A
1A
3A
5A
3A
（见注4和5）
F = 1千赫
F = 1 MHz的
20
3
（见注4和5）
（见注4和5）
40
30
12
0.25
0.8
1.5
1.25
V
V
I
B
= 0
BD539B
BD539C
BD539D
BD539
BD539A
BD539B
BD539C
BD539D
BD539/539A
BD539B/539C
BD539D
民
40
60
80
100
120
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.3
0.3
0.3
1
mA
mA
mA
V
典型值
最大
单位
I
EBO
h
FE
I
B
= 125毫安
I
B
= 375毫安
I
B
=
V
CE
=
1A
4V
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
h
fe
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V
I
C
= 0.5 A
I
C
= 0.5 A
|
h
fe
|
注： 4。这些参数必须使用脉冲技术进行测量，T
p
= 300微秒，占空比
≤
2%.
5.这些参数必须使用电压感测接触，分开的载流触点来测量。
热特性
参数
R
θ
JC
R
θ
JA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
民
典型值
最大
2.78
62.5
单位
° C / W
° C / W
在25℃的情况下温度的电阻负载开关特性
参数
t
on
t
关闭
测试条件
I
C
= 1 A
V
BE （OFF）的
= -4.3 V
I
B（上）
= 0.1 A
R
L
= 30
民
I
B（关闭）
= -0.1 A
t
p
= 20微秒，直流
≤
2%
典型值
0.5
2
最大
单位
s
s
开启时间
打开-O FF时间
显示电压和电流值是名义;精确值与晶体管的参数略有不同。
产品
信息
2
BD539 ， BD539A ， BD539B ， BD539C ， BD539D
NPN硅功率晶体管
1973年6月 - 修订1997年3月
典型特征
典型的直流电流增益
vs
集电极电流
1000
V
CE
= 4 V
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
TCS631AH
集电极 - 发射极饱和电压
vs
基极电流
V
CE （ SAT ）
- 集电极 - 发射极饱和电压 - V
10
TCS631AB
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
h
FE
- 直流电流增益
1·0
100
0·1
I
C
= 100毫安
I
C
= 300毫安
I
C
= 1 A
I
C
= 3 A
0·01
0·1
1·0
10
100
1000
10
0·01
0·1
1·0
10
I
C
- 集电极电流 - 一个
I
B
- 基本电流 - 毫安
图1 。
图2中。
基射极电压
vs
集电极电流
1·0
V
CE
= 4 V
T
C
= 25°C
V
BE
- 基射极电压 - V
0·9
TCS631AC
0·8
0·7
0·6
0·5
0·01
0·1
1·0
10
I
C
- 集电极电流 - 一个
网络连接gure 3 。
产品
信息
3
BD539 ， BD539A ， BD539B ， BD539C ， BD539D
NPN硅功率晶体管
1973年6月 - 修订1997年3月
最大安全工作区
最大正向偏置
安全工作区
10
SAS631AI
I
C
- 集电极电流 - 一个
1·0
0·1
BD539
BD539A
BD539B
BD539C
BD539D
10
100
1000
0·01
1·0
V
CE
- 集电极 - 发射极电压 - V
图4中。
热信息
最大功率耗散
vs
外壳温度
50
P
合计
- 最大功耗 - W
TIS631AC
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度 - C
图5中。
产品
信息
4
BD539 ， BD539A ， BD539B ， BD539C ， BD539D
NPN硅功率晶体管
1973年6月 - 修订1997年3月
机械数据
TO-220
3 - pin塑料法兰安装型封装
此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的
化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形，并且电路的性能
当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的
在钎焊组件中使用时，清洗或处理。
TO220
4,70
4,20
3,96
3,71
10,4
10,0
2,95
2,54
6,6
6,0
15,90
14,55
1,32
1,23
见注释B
另请注意：C
6,1
3,5
0,97
0,61
1
2
3
1,70
1,07
14,1
12,7
2,74
2,34
5,28
4,88
2,90
2,40
0,64
0,41
第1版
第2版
以毫米为单位所有长度
注：A。该中心引脚与安装标签的电接触。
B.根据包的版本安装标签角落的个人资料。
据包版本C.典型固定孔中心站开高。
第1版18.0毫米。版本2 17.6毫米。
MDXXBE
产品
信息
5
BD539 ， BD539A ， BD539B ， BD539C ， BD539D
NPN硅功率晶体管
●
●
●
●
专为配套使用的
BD540系列
在25 ° C的温度， 45瓦
5连续集电极电流
高达120 V V
首席执行官
等级
B
C
E
的TO-220封装
（ TOP VIEW ）
1
2
3
销2与安装底座的电接触。
MDTRACA
在25 ℃的情况下绝对最大额定值（除非另有说明）
等级
BD539
BD539A
集电极 - 基极电压
BD539B
BD539C
BD539D
BD539
BD539A
集电极 - 发射极电压（见注1 ）
BD539B
BD539C
BD539D
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
连续器件耗散（或低于） 25 ℃的外壳温度（见注2 ）
在（或低于） 25℃自由空气温度连续设备损耗（见注3 ）
工作自由空气的温度范围
工作结温范围
存储温度范围
从案例铅温度3.2毫米10秒
注释：1.这些值适用于当基极 - 发射极二极管是断路。
2.减额直线到150℃情况下，温度保持在0.36 W / ℃的速率。
3.减免线性至150℃自由空气温度为16毫瓦/ ℃的速率。
V
EBO
I
C
P
合计
P
合计
T
A
T
j
T
英镑
T
L
V
首席执行官
V
CBO
符号
价值
40
60
80
100
120
40
60
80
100
120
5
5
45
2
-65到+150
-65到+150
-65到+150
260
V
A
W
W
°C
°C
°C
°C
V
V
单位
1973年6月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
1
BD539 ， BD539A ， BD539B ， BD539C ， BD539D
NPN硅功率晶体管
在25℃的情况下温度的电特性
参数
测试条件
BD539
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极
击穿电压
BD539A
I
C
= 30毫安
（见注4 ）
V
CE
= 40 V
I
CES
集电极 - 发射极
截止电流
V
CE
= 60 V
V
CE
= 80 V
V
CE
= 100 V
V
CE
= 120 V
I
首席执行官
集电极截止
当前
发射极截止
当前
正向电流
传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
电压
小信号转发
电流传输比
小信号转发
电流传输比
V
CE
= 30 V
V
CE
= 60 V
V
CE
= 90 V
V
EB
=
V
CE
=
V
CE
=
V
CE
=
5V
4V
4V
4V
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
C
= 0
I
C
= 0.5 A
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
C
=
1A
3A
1A
3A
5A
3A
（见注4和5）
F = 1千赫
F = 1 MHz的
20
3
（见注4和5）
（见注4和5）
40
30
12
0.25
0.8
1.5
1.25
V
V
I
B
= 0
BD539B
BD539C
BD539D
BD539
BD539A
BD539B
BD539C
BD539D
BD539/539A
BD539B/539C
BD539D
民
40
60
80
100
120
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.3
0.3
0.3
1
mA
mA
mA
V
典型值
最大
单位
I
EBO
h
FE
I
B
= 125毫安
I
B
= 375毫安
I
B
=
V
CE
=
1A
4V
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
h
fe
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V
I
C
= 0.5 A
I
C
= 0.5 A
|
h
fe
|
注： 4。这些参数必须使用脉冲技术进行测量，T
p
= 300微秒，占空比
≤
2%.
5.这些参数必须使用电压感测接触，分开的载流触点来测量。
热特性
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
民
典型值
最大
2.78
62.5
单位
° C / W
° C / W
在25℃的情况下温度的电阻负载开关特性
参数
t
on
t
关闭
测试条件
I
C
= 1 A
V
BE （OFF）的
= -4.3 V
I
B（上）
= 0.1 A
R
L
= 30
民
I
B（关闭）
= -0.1 A
t
p
= 20微秒，直流
≤
2%
典型值
0.5
2
最大
单位
s
s
开启时间
打开-O FF时间
显示电压和电流值是名义;精确值与晶体管的参数略有不同。
2
1973年6月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
BD539 ， BD539A ， BD539B ， BD539C ， BD539D
NPN硅功率晶体管
典型特征
典型的直流电流增益
vs
集电极电流
1000
V
CE
= 4 V
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
TCS631AH
集电极 - 发射极饱和电压
vs
基极电流
V
CE （ SAT ）
- 集电极 - 发射极饱和电压 - V
10
TCS631AB
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
h
FE
- 直流电流增益
1·0
100
0·1
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
C
=
0·01
0·1
百毫安
300毫安
1A
3A
1·0
10
100
1000
10
0·01
0·1
1·0
10
I
C
- 集电极电流 - 一个
I
B
- 基本电流 - 毫安
图1 。
图2中。
基射极电压
vs
集电极电流
1·0
V
CE
= 4 V
T
C
= 25°C
V
BE
- 基射极电压 - V
0·9
TCS631AC
0·8
0·7
0·6
0·5
0·01
0·1
1·0
10
I
C
- 集电极电流 - 一个
网络连接gure 3 。
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3
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NPN硅功率晶体管
最大安全工作区
最大正向偏置
安全工作区
10
SAS631AI
I
C
- 集电极电流 - 一个
1·0
0·1
BD539
BD539A
BD539B
BD539C
BD539D
10
100
1000
0·01
1·0
V
CE
- 集电极 - 发射极电压 - V
图4中。
热信息
最大功率耗散
vs
外壳温度
50
P
合计
- 最大功耗 - W
TIS631AC
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度 - C
图5中。
4
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NOITAMROFNI
TCUDORP
BD539 ， BD539A ， BD539B ， BD539C ， BD539D
NPN硅功率晶体管
机械数据
TO-220
3 - pin塑料法兰安装型封装
此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的
化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形，并且电路的性能
当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的
在钎焊组件中使用时，清洗或处理。
TO220
4,70
4,20
3,96
3,71
10,4
10,0
2,95
2,54
6,6
6,0
15,90
14,55
1,32
1,23
见注释B
另请注意：C
6,1
3,5
0,97
0,61
1
2
3
1,70
1,07
14,1
12,7
2,74
2,34
5,28
4,88
2,90
2,40
0,64
0,41
第1版
第2版
以毫米为单位所有长度
注：A。该中心引脚与安装标签的电接触。
B.根据包的版本安装标签角落的个人资料。
据包版本C.典型固定孔中心站开高。
第1版18.0毫米。版本2 17.6毫米。
MDXXBE
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BZX84C4V3S-7-F
B72214P2321K101
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