BD533/5/7
BD534/6/8
互补硅功率晶体管
s
BD534 ， BD535 ， BD536 ， BD537和BD538
ARE SGS- THOMSON最佳
SALESTYPES
描述
该BD533 ， BD535 ， BD537和硅都
外延基NPN功率晶体管在JEDEC的
TO- 220塑料封装， intented在使用
中功率线性和开关应用。
互补PNP类型是BD534 ，
BD536 ， BD538和分别。
TO-220
1
2
3
内部原理图
绝对最大额定值
符号
参数
NPN
PNP
V
CBO
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
C,
I
E
I
B
P
吨OT
T
英镑
T
j
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压（V
BE
= 0)
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
发射极 - 基极电压（I
C
= 0)
集电极和发射极电流
基极电流
总功耗在T
c
≤
25 C
o
价值
BD533
BD534
45
45
45
BD535
BD536
60
60
60
5
8
1
50
-65到150
150
BD537
BD538
80
80
80
UNI吨
V
V
V
V
A
A
W
o
o
储存温度
马克斯。操作摄像结温
C
C
为PNP型的电压和电流值是负的。
1997年6月
1/4
BD533/BD534/BD535/BD536/BD537/BD538
热数据
R
吨HJ -CA SE
R
吨hj- AMB
热阻结案件
热阻结到环境
最大
最大
2.5
70
o
o
C / W
C / W
电气特性
(T
例
= 25
o
C除非另有说明）
SYMB OL
I
CBO
参数
集电极截止
电流（I
E
= 0)
集电极截止
电流（V
BE
= 0)
发射极截止电流
(I
C
= 0)
测试电导率银行足球比赛s
为
BD533/534
为
BD535/536
为
BD537/538
为
BD533/534
为
BD535/536
为
BD537/538
V
EB
= 5 V
I
C
= 100毫安
为
BD533/534
为
BD535/536
为
BD537/538
I
B
= 0.2 A
I
B
= 0.6 A
V
CE
= 2 V
V
CE
= 5 V
为
BD533/534
为
BD535/536
为
BD537/538
V
CE
= 2 V
V
CE
= 2 V
为
BD533/534
为
BD535/536
为
BD537/538
V
CE
= 1 V
20
20
15
40
25
25
15
3
12
兆赫
45
60
80
0.8
0.8
1.5
V
CB
= 45 V
V
CB
= 60 V
V
CB
= 80 V
V
CE
= 45 V
V
CE
= 60 V
V
CE = 80 V
分钟。
典型值。
马克斯。
100
100
100
100
100
100
1
取消它
A
A
A
A
A
A
mA
V
V
V
V
V
V
I
CES
I
EBO
V
CEO （ SUS）
集电极 - 发射极
维持电压
(I
B
= 0)
V
CE （SAT）
V
BE
h
FE
集电极 - 发射极
饱和电压
基射极电压
直流电流摹泉
I
C
= 2 A
I
C
= 6 A
I
C
= 2 A
I
C
= 10毫安
I
C
= 500毫安
I
C
= 2 A
f
T
跃迁频率
I
C
= 500毫安
脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 ％
为PNP型的电压和电流值是负的。
安全工作区
2/4
BD533/BD534/BD535/BD536/BD537/BD538
TO- 220机械数据
DIM 。
分钟。
A
C
D
D1
E
F
F1
F2
G
G1
H2
L2
L4
L5
L6
L7
L9
DIA 。
13.0
2.65
15.25
6.2
3.5
3.75
0.49
0.61
1.14
1.14
4.95
2.4
10.0
16.4
14.0
2.95
15.75
6.6
3.93
3.85
0.511
0.104
0.600
0.244
0.137
0.147
4.40
1.23
2.40
1.27
0.70
0.88
1.70
1.70
5.15
2.7
10.40
0.019
0.024
0.044
0.044
0.194
0.094
0.393
0.645
0.551
0.116
0.620
0.260
0.154
0.151
mm
典型值。
马克斯。
4.60
1.32
2.72
分钟。
0.173
0.048
0.094
0.050
0.027
0.034
0.067
0.067
0.203
0.106
0.409
寸
典型值。
马克斯。
0.181
0.051
0.107
P011C
3/4
BD533/BD534/BD535/BD536/BD537/BD538
提供的资料被认为是准确和可靠。不过， SGS - THOMSON微电子承担的任何责任
对此类信息的使用，也不对任何侵犯第三方专利或可借鉴其使用效果等权利的后果。没有
获发牌照以暗示或其他方式SGS - THOMSON微电子公司的任何专利或专利权。规格提到
本出版物中如有更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
SGS - THOMSON微电子产品不授权不明确的生命支持设备或系统中的关键组件
SGS - THOMSON Microelectonics的书面批准。
1997 SGS - THOMSON微电子 - 印刷意大利 - 版权所有
公司SGS - THOMSON微电子集团
澳大利亚 - 巴西 - 加拿大 - 中国 - 法国 - 德国 - 香港 - 意大利 - 日本 - 韩国 - 马来西亚 - 马耳他 - 摩洛哥 - 荷兰 -
新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 台湾 - 泰国 - 英国 - 美国
. ..
4/4
BD534/536/538
BD534/536/538
中功率线性和开关
应用
低饱和电压
补分别为BD533 ， BD535和BD537
1
TO-220
2.Collector
3.Emitter
1.Base
PNP外延硅晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
集电极 - 基极电压
参数
： BD534
： BD536
： BD538
： BD534
： BD536
： BD538
价值
- 45
- 60
- 80
- 45
- 60
- 80
-5
-8
-1
50
150
- 65 ~ 150
单位
V
V
V
V
V
V
V
A
A
W
°C
°C
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
J
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
基极电流
集电极耗散（T
C
=25°C)
结温
储存温度
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
I
CBO
参数
集电极截止电流
： BD534
： BD536
： BD538
： BD534
： BD536
： BD538
测试条件
V
CB
= - 45V ，我
E
= 0
V
CB
= - 60V ，我
E
= 0
V
CB
= - 80V ，我
E
= 0
V
CE
= - 45V, V
BE
= 0
V
CE
= - 60V, V
BE
= 0
V
CE
= - 80V, V
BE
= 0
V
EB
= - 5V ，我
C
= 0
V
CE
= -2 V，I
C
= - 500毫安
V
CE
= - 5V ，我
C
= - 10毫安
V
CE
= - 2V ，我
C
= - 2A
40
20
15
25
15
30
15
40
20
- 0.8
- 1.5
3
12
75
100
- 0.8
V
V
V
兆赫
分钟。
典型值。
马克斯。
- 100
- 100
- 100
- 100
- 100
- 100
-1
单位
A
A
A
A
A
A
mA
I
CES
集电极截止电流
I
EBO
h
FE
发射极截止电流
*直流电流增益
：所有的设备
： BD534 / 536
： BD538
： BD534 / 536
： BD538
：所有的设备
：所有的设备
h
FE
h
FE
群体
J
K
V
CE
= - 2V ，我
C
= - 2A
V
CE
= - 2V ，我
C
= - 3A
V
CE
= -2V ，我
C
= - 2A
V
CE
= - 2V ，我
C
= - 3A
I
C
= - 2A ，我
B
= - 0.2A
I
C
= - 6A ，我
B
= - 0.6A
V
CE
= - 2V ，我
C
= - 2A
V
CE
= - 1V ，我
C
= - 500毫安
V
CE
（SAT）
V
BE
（上）
f
T
*集电极 - 发射极饱和电压
*基射极电压ON
电流增益带宽积
*脉冲测试： PW = 300μS ，占空比= 1.5 ％脉冲
2000仙童半导体国际
版本A ， 2000年2月
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
放弃
HiSeC
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QFET
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
UHC
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
国际。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统，其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2000仙童半导体国际
英文内容
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
BD534/536/538
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
BD533 BD535 BD537
BD534 BD536
互补功率晶体管
特点
■
.
BD533 ， BD535 ， BD537和是NPN
晶体管
描述
这些器件在平面制造
技术与“基地岛”的布局。该
导致晶体管显示特殊的高增益
再加上非常低饱和度的表现
电压。该PNP类型是BD534和BD536 。
图1 。
1
2
3
TO-220
内部示意图
表1中。
设备简介
记号
BD533
BD534
BD535
BD536
BD537
包
包装
订货编号
BD533
BD534
BD535
BD536
BD537
TO-220
管
2007年7月
转4
1/11
www.st.com
11
绝对最大额定值
BD533 BD534 BD535 BD536 BD537
1
绝对最大额定值
表2中。
符号
绝对最大额定值
参数
NPN
PNP
BD533
BD534
45
45
45
价值
BD535
BD536
60
60
60
5
8
1
50
-65到150
150
80
80
80
V
V
V
V
A
A
W
°C
°C
BD537
单位
V
CBO
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
英镑
T
J
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压（V
B
= 0)
集电极 - 基极电压（I
B
= 0)
发射极 - 基极电压（I
C
= 0)
集电极电流
基极电流
总功耗在T
例
= 25°C
储存温度
马克斯。工作结温
注意：
为PNP型的电压和电流值是负
2/11
BD533 BD534 BD535 BD536 BD537
表3中。
电气特性
绝对最大额定值
(T
例
= 25°C ;除非另有规定）
表4 。
符号
I
CBO
电气特性
参数
集电极截止电流
(I
E
= 0)
集电极截止电流
(V
BE
= 0)
发射极截止电流
(I
C
= 0)
(1)
测试条件
V
CB
=额定V
CBO
为BD533 / 534
为BD535 / 536
为BD537
V
EB
= 5V
I
C
= 100毫安
为BD533 / 534
为BD535 / 536
为BD537
I
C
= 2A
__
I
C
= 6A
__
I
C
= 2A
___
I
B
= 0.2A
I
B
= 0.6A
V
CE
= 2V
V
CE
= 45 V
V
CE
= 60 V
V
CE
= 80 V
分钟。
典型值。
马克斯。
0.1
0.1
0.1
0.1
1
单位
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
I
CES
I
EBO
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
(I
B
= 0)
集电极 - 发射极
饱和电压
基射极电压
45
60
80
0.8
0.8
1.5
V
CE(sat)(1)
V
BE(1)
V
V
V
h
FE(1)
直流电流增益
I
C
= 10mA__ V
CE
= 5V
为BD533 / 534
为BD535 / 536
为BD537
I
C
= 500mA_ V
CE
= 2V
I
C
= 2A_
V
CE
= 2V
为BD533 / 534
为BD535 / 536
为BD537
20
20
15
40
25
25
15
1，脉冲持续时间= 300毫秒，占空比
≥1.5%.
注意：
对于PNP类型电压E的电流值是负的。
3/11
绝对最大额定值
BD533 BD534 BD535 BD536 BD537
1.1
电特性（曲线）
图2中。
安全工作区
网络连接gure 3 。
降额曲线
图4中。
直流电流增益（ NPN ）
图5中。
直流电流增益（ PNP ）
图6 。
直流电流增益（ NPN ）
图7 。
直流电流增益（ PNP ）
4/11
BD533 BD534 BD535 BD536 BD537
网络连接gure 8 。
集电极 - 发射极饱和
电压（ NPN）的
图9 。
绝对最大额定值
集电极 - 发射极饱和
电压（ PNP ）
图10.相应的发射极饱和
电压（ NPN）的
图11中相应发射极饱和
电压（ PNP ）
上的电压如图12中相应发射极
（ NPN ）
上的电压如图13中相应发射极
（ PNP）
5/11
BD533 BD535 BD537
BD534 BD536
互补功率晶体管
特点
■
.
BD533 ， BD535 ， BD537和是NPN
晶体管
描述
这些器件在平面制造
技术与“基地岛”的布局。该
导致晶体管显示特殊的高增益
再加上非常低饱和度的表现
电压。该PNP类型是BD534和BD536 。
图1 。
1
2
3
TO-220
内部示意图
表1中。
设备简介
记号
BD533
BD534
BD535
BD536
BD537
包
包装
订货编号
BD533
BD534
BD535
BD536
BD537
TO-220
管
2007年7月
转4
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11
绝对最大额定值
BD533 BD534 BD535 BD536 BD537
1
绝对最大额定值
表2中。
符号
绝对最大额定值
参数
NPN
PNP
BD533
BD534
45
45
45
价值
BD535
BD536
60
60
60
5
8
1
50
-65到150
150
80
80
80
V
V
V
V
A
A
W
°C
°C
BD537
单位
V
CBO
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
英镑
T
J
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压（V
B
= 0)
集电极 - 基极电压（I
B
= 0)
发射极 - 基极电压（I
C
= 0)
集电极电流
基极电流
总功耗在T
例
= 25°C
储存温度
马克斯。工作结温
注意：
为PNP型的电压和电流值是负
2/11
BD533 BD534 BD535 BD536 BD537
表3中。
电气特性
绝对最大额定值
(T
例
= 25°C ;除非另有规定）
表4 。
符号
I
CBO
电气特性
参数
集电极截止电流
(I
E
= 0)
集电极截止电流
(V
BE
= 0)
发射极截止电流
(I
C
= 0)
(1)
测试条件
V
CB
=额定V
CBO
为BD533 / 534
为BD535 / 536
为BD537
V
EB
= 5V
I
C
= 100毫安
为BD533 / 534
为BD535 / 536
为BD537
I
C
= 2A
__
I
C
= 6A
__
I
C
= 2A
___
I
B
= 0.2A
I
B
= 0.6A
V
CE
= 2V
V
CE
= 45 V
V
CE
= 60 V
V
CE
= 80 V
分钟。
典型值。
马克斯。
0.1
0.1
0.1
0.1
1
单位
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
I
CES
I
EBO
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
(I
B
= 0)
集电极 - 发射极
饱和电压
基射极电压
45
60
80
0.8
0.8
1.5
V
CE(sat)(1)
V
BE(1)
V
V
V
h
FE(1)
直流电流增益
I
C
= 10mA__ V
CE
= 5V
为BD533 / 534
为BD535 / 536
为BD537
I
C
= 500mA_ V
CE
= 2V
I
C
= 2A_
V
CE
= 2V
为BD533 / 534
为BD535 / 536
为BD537
20
20
15
40
25
25
15
1，脉冲持续时间= 300毫秒，占空比
≥1.5%.
注意：
对于PNP类型电压E的电流值是负的。
3/11
绝对最大额定值
BD533 BD534 BD535 BD536 BD537
1.1
电特性（曲线）
图2中。
安全工作区
网络连接gure 3 。
降额曲线
图4中。
直流电流增益（ NPN ）
图5中。
直流电流增益（ PNP ）
图6 。
直流电流增益（ NPN ）
图7 。
直流电流增益（ PNP ）
4/11
BD533 BD534 BD535 BD536 BD537
网络连接gure 8 。
集电极 - 发射极饱和
电压（ NPN）的
图9 。
绝对最大额定值
集电极 - 发射极饱和
电压（ PNP ）
图10.相应的发射极饱和
电压（ NPN）的
图11中相应发射极饱和
电压（ PNP ）
上的电压如图12中相应发射极
（ NPN ）
上的电压如图13中相应发射极
（ PNP）
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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
BD534/536/538
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
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