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数据表
电压检测器IC系列
免费延迟时间的设置
CMOS电压检测器IC系列
BD52xx系列BD53xx系列
■一般
描述
ROHM的BD52xx和BD53xx系列是高度
高精度,低功耗复位IC系列
一个内置的延迟电路。此次推出的产品成立,
拖车的输出类型( N沟道开漏以及CMOS输出)
检测电压范围从2.3V至6.0V的
0.1V的增量,使该系列可以被选择
根据手头的应用程序。
■特点
免费延时时间由外部电容设置
两种输出类型( N沟道开漏以及CMOS输出)
超低消耗电流
非常小,低高度封装
Typical
应用电路
V
DD1
R
L
BD52xx
C
T
C
L
(电容器
噪音过滤)
●钥匙
特定网络阳离子
检测电压:
2.3V至6.0V (典型值)。
0.1V步骤
高精度检测电压:
±1.0%
超低消耗电流:
0.95μA (典型值)。
█Package
SSOP5 :
2.90毫米X 2.80毫米X 1.15毫米
VSOF5 :
1.60毫米X 1.60毫米X 0.60毫米
■应用
使用微控制器和逻辑的所有电子设备
电路
V
DD2
V
DD1
R
ST
调节器
BD53xx
C
T
R
ST
调节器
C
L
(电容器
噪音过滤)
GND
GND
漏极开路输出类型
BD52xx系列
●连接
SSOP5
C
T
顶视图
北卡罗来纳州
VSOF5
顶视图
CMOS输出类型
BD53xx系列
V
DD
GND
4
5
记号
说明
PIN号
1
2
3
4
5
符号
V
OUT
V
DD
GND
北卡罗来纳州
C
T
V
OUT
V
DD
GND
SSOP5
地块。没有
记号
1 2 3
V
OUT
SUB
T
VSOF5
PIN号
1
2
3
4
5
符号
V
OUT
C
T
GND
V
DD
地块。没有
功能
复位输出
电源电压
GND
未连接的终端
电容器连接端子
输出的延迟时间
功能
复位输出
基材*
电容器连接端子
输出的延迟时间
GND
电源电压
*衬底连接到GND 。
“产品
结构:硅单片集成电路
TSZ22111½14½001
产品并非设计防止放射性射线。
www.rohm.com 2011 ROHM有限公司保留所有权利。
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TSZ02201-0R7R0G300040-1-2
19.DEC.2011 Rev.002
BD52xx系列
BD53xx系列
数据表
“订购
信息
B
D
5
2
2
3
G
TR
包装和形成规范
TR :压纹带和卷轴
BD52 :可调延时
CMOS复位IC
漏极开路型
BD53 :可调延时
CMOS复位IC
CMOS输出类型
复位电压值
23 : 2.3V至( 0.1V步)
60: 6.0V
G: SSOP5
FVE : VSOF5
SSOP5
2.9±0.2
5
4
+
6
°
4
° 4°
<Tape和卷轴information>
TAPE
QUANTITY
方向
饲料
压纹载带
3000pcs
TR
方向是产品的1PIN数据是,当你持有的右上角
+0.2
1.6
0.1
2.8±0.2
1
2
3
0.2Min.
(
卷轴上的左手拔出右手胶带
1pin
)
+0.05
0.13
0.03
1.25Max.
1.1±0.05
0.05±0.05
+0.05
0.42
0.04
0.95
0.1
进给方向
(单位:毫米)
REEL
订购数量需要是多个最小量的。
VSOF5
0.2MAX
1.6±0.05
1.0±0.05
5
4
( MAX 1.28包括BURR )
1.6
±
0.05
1.2
±
0.05
1
2
3
0.13±0.05
0.6MAX
0.5
0.22±0.05
(单位:毫米)
Lineup
发现
记号
电压
PW
6.0V
PV
5.9V
PU
5.8V
PT
5.7V
PS
5.6V
PR
5.5V
PQ
5.4V
PP
5.3V
PN
5.2V
PM
5.1V
PL
5.0V
PK
4.9V
PJ
4.8V
PH
4.7V
PG
4.6V
PF
4.5V
PE
4.4V
PD
4.3V
PC
4.2V
部分
记号
BD5260
PB
BD5259
PA
BD5258
MV
BD5257
MU
BD5256
MT
BD5255
MS
BD5254
MR
BD5253
MQ
BD5252
MP
BD5251
MN
BD5250
MM
BD5249
ML
BD5248
MK
BD5247
MJ
BD5246
MH
BD5245
MG
BD5244
MF
BD5243
ME
BD5242
MD
发现
电压
4.1V
4.0V
3.9V
3.8V
3.7V
3.6V
3.5V
3.4V
3.3V
3.2V
3.1V
3.0V
2.9V
2.8V
2.7V
2.6V
2.5V
2.4V
2.3V
部分
记号
BD5241
RW
BD5240
RV
BD5239
RU
BD5238
RT
BD5237
RS
BD5236
RR
BD5235
RQ
BD5234
RP
BD5233
RN
BD5232
RM
BD5231
RL
BD5230
RK
BD5229
RJ
BD5228
RH
BD5227
RG
BD5226
RF
BD5225
RE
BD5224
RD
BD5223
RC
发现
电压
6.0V
5.9V
5.8V
5.7V
5.6V
5.5V
5.4V
5.3V
5.2V
5.1V
5.0V
4.9V
4.8V
4.7V
4.6V
4.5V
4.4V
4.3V
4.2V
部分
记号
BD5360
RB
BD5359
RA
BD5358
QV
BD5357
QU
BD5356
QT
BD5355
QS
BD5354
QR
BD5353
QQ
BD5352
QP
BD5351
QN
BD5350
QM
BD5349
QL
BD5348
QK
BD5347
QJ
BD5346
QH
BD5345
QG
BD5344
QF
BD5343
QE
BD5342
QD
发现
电压
4.1V
4.0V
3.9V
3.8V
3.7V
3.6V
3.5V
3.4V
3.3V
3.2V
3.1V
3.0V
2.9V
2.8V
2.7V
2.6V
2.5V
2.4V
2.3V
部分
BD5341
BD5340
BD5339
BD5338
BD5337
BD5336
BD5335
BD5334
BD5333
BD5332
BD5331
BD5330
BD5329
BD5328
BD5327
BD5326
BD5325
BD5324
BD5323
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19.DEC.2011 Rev.002
BD52xx系列
BD53xx系列
数据表
绝对最大额定值(Ta = 25 ° C)
参数
电源电压
N沟道开漏输出
输出电压
CMOS输出
*1*3
动力
SSOP5
*2*3
耗散
VSOF5
工作温度
保存环境温度
符号
V
DD
-GND
V
OUT
Pd
TOPR
TSTG
范围
-0.3 ~ +10
GND - 0.3 + 10
GND - 0.3 V
DD
+0.3
540
210
-40 ~ +105
-55 ~ +125
单位
V
V
mW
°C
°C
* 1使用上述TA = 25 ℃,结果在每度一5.4mW的损失。
* 2使用上述TA = 25 ℃,结果在每度一2.1mW的损失。
* 3当ROHM的标准电路板( 70毫米X30 70毫米X30 1.6毫米玻璃环氧树脂板)安装。
ⅵELECTRICAL
特性(除非另有说明TA = -40至105 ° C)
参数
检测电压
符号
V
DET
条件
V
DD
= H L ,R
L
=470k
V
DET
=2.3-3.1V
V
DET
=3.2-4.2V
V
DD
=V
DET
-0.2V
V
DET
=4.3-5.2V
V
DET
=5.3-6.0V
V
DET
=2.3-3.1V
V
DET
=3.2-4.2V
V
DD
=V
DET
+2.0V
V
DET
=4.3-5.2V
V
DET
=5.3-6.0V
V
OL
≤0.4V,
TA = 25 105 ° C,R
L
=470k
V
OL
≤0.4V,
TA = -40 25 ° C,R
L
=470k
V
DS
=0.5V V
DD
=1.2V
V
DS
=0.5V V
DD
=2.4V
V
DS
=0.5V V
DD
=4.8V V
DET
=2.3-4.2V
V
DS
=0.5V V
DD
=6.0V V
DET
=4.3-5.2V
V
DS
=0.5V V
DD
=8.0V V
DET
=5.3-6.0V
V
DD
=V
DS
=10V
V
DD
=V
DET
×1.1, V
DET
= 2.3-2.6V ,R
L
=470k
V
DD
=V
DET
×1.1, V
DET
= 2.7-4.2V ,R
L
=470k
C
T
引脚阈值电压
V
CTH
V
DD
=V
DET
×1.1, V
DET
= 4.3-5.2V ,R
L
=470k
V
DD
=V
DET
×1.1, V
DET
= 5.3-6.0V ,R
L
=470k
输出延迟性
C
T
引脚输出电流
检测电压
温度COEF网络cient
滞后电压
R
CT
I
CT
V
DD
=V
DET
×1.1 V
CT
=0.5V
V
CT
=0.1V V
DD
=0.95V
V
CT
=0.5V V
DD
=1.5V
*1
*1
*1
电路电流时的开
I
DD
1
短路电流OFF时
I
DD
2
工作电压范围
“低”输出电流( N沟道)
“高”输出电流( P沟道)
泄漏电流关断时
V
OPL
I
OL
I
OH
I
泄漏
*1
分钟。
马克斯。
V
DET
(T)
V
DET
(T)
V
DET
(T)
×0.99
×1.01
-
0.80
2.40
-
0.85
2.55
-
0.90
2.70
-
0.95
2.85
-
0.75
2.25
-
0.80
2.40
-
0.85
2.55
-
0.90
2.70
0.95
-
-
1.20
-
-
0.4
1.2
-
2.0
5.0
-
0.7
1.4
-
0.9
1.8
-
1.1
2.2
-
-
-
0.1
V
DD
V
DD
V
DD
×0.30
×0.40
×0.60
V
DD
V
DD
V
DD
×0.30
×0.45
×0.60
V
DD
V
DD
V
DD
×0.35
×0.50
×0.60
V
DD
V
DD
V
DD
×0.40
×0.50
×0.60
5.5
9
12.5
15
40
-
150
240
-
-
V
DET
×0.03
±100
V
DET
×0.05
±360
V
DET
×0.08
极限
典型值。
单位
V
A
A
V
mA
mA
A
V
M
A
PPM /°C的
V
V
DET
/ ΔT TA = -40 ° C至105℃
V
DET
V
DD
= L H L ,R
L
=470k
V
DET
(T ) :标准检测电压( 2.3V至6.0V , 0.1V步)
R
L
:上拉电阻连接V之间
OUT
和电源。
设计保证。 (出厂检验是不是对所有的产品进行。 )
* 1保证为Ta = 25 ℃。
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BD52xx系列
图表
BD53xx系列
数据表
V
DD
V
OUT
VREF
GND
图1 BD52xx
CT
系列
V
DD
V
OUT
VREF
GND
图2 BD53xx
CT
系列
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BD52xx系列
BD53xx系列
数据表
Typical
性能曲线
短路电流
I
DD
[μA]
BD5242G/FVE
BD5242
1.5
BD5342
"LOW"输出电流
I
OL
[马]
2.0
18
15
12
9
6
3
0
0.0
V
DD
=1.2V
BD5242G/FVE
BD5242
BD5342
V
DD
=2.4V
1.0
0.5
0.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10
V
DD
电源电压
V
DD
[V]
图3电路电流
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
漏源电压
V
DS
[V]
图4 “低”输出电流
"HIGH"输出电流
I
OH
[马]
45
9
输出电压
V
OUT
[V]
BD5342G/FVE
BD5342
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
1
2
8
7
6
5
4
3
2
1
0
Ta=25
BD5242G/FVE
BD5242
BD5342
V
DD
=8.0V
V
DD
=6.0V
V
DD
=4.8V
3
4
5
6
Ta=25
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5
漏源电压
V
DS
[V]
V
DD
电源电压
V
DD
[V]
图6 I / O特性
图5 “高”输出电流
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数据表
电压检测器IC系列
免费延迟时间的设置
CMOS电压检测器IC系列
BD52xx系列
BD53xx系列
●钥匙
特定网络阳离子
检测电压:
■一般
描述
ROHM的BD52xx和BD53xx系列是高度
高精度,低功耗电压检测器
集成电路用电容控制的时间延迟。排队
包括BD52xx设备与N沟道开漏
输出BD53xx设备与CMOS输出。该
设备可用于特异性检测电压
范围从2.3V至6.0V以0.1V为单位。
■特点
延迟时间控制由外部电容器
两种输出类型(N沟道开漏和CMOS
输出)
超低消耗电流
非常小,低高度封装
封装SSOP5类似于SOT- 23-5 ( JEDEC )
Typical
应用电路
V
DD1
R
L
2.3V至6.0V (典型值)。
0.1V步骤
高精度检测电压:
±1.0%
超低消耗电流:
0.95μA (典型值)。
█Package
SSOP5 :
2.90毫米X 2.80毫米X 1.25毫米
VSOF5 :
1.60毫米X 1.60毫米X 0.60毫米
■应用
使用微控制器或逻辑电路的电路
需要复位。
V
DD2
V
DD1
BD52xx
C
T
C
L
R
ST
调节器
BD53xx
C
T
R
ST
调节器
C
L
(电容器
噪音过滤)
(电容器
噪音过滤)
GND
GND
漏极开路输出类型
BD52xx系列
●连接
C
T
北卡罗来纳州
SSOP5
顶视图
CMOS输出类型
BD53xx系列
VSOF5
顶视图
V
DD
GND
4
5
记号
说明
PIN号
1
2
3
4
5
符号
V
OUT
V
DD
GND
北卡罗来纳州
C
T
V
OUT
V
DD
GND
地块。没有
记号
1 2 3
V
OUT
SUB
T
VSOF5
PIN号
1
2
3
4
5
符号
V
OUT
C
T
GND
V
DD
地块。没有
SSOP5
功能
复位输出
电源电压
GND
未连接的终端
电容器连接端子
输出的延迟时间
功能
复位输出
基材*
电容器连接端子
输出的延迟时间
GND
电源电压
*衬底连接到GND 。
“产品
结构:硅单片集成电路
产品并非设计用于防止放射性射线
.
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22.May.2013 Rev.006
BD52xx系列
BD53xx系列
数据表
“订购
信息
B
部分
D
x
x
x
x
x
-
T
R
输出类型
52 :漏极开路
53 : CMOS
复位电压超值套餐
23 : 2.3V
G: SSOP5
0.1V步FVE : VSOF5
60 : 6.0V
包装
形成规范
TR :压纹带
和卷轴
SSOP5
2.9±0.2
5
4
+
6
°
4
° 4°
<Tape和卷轴information>
TAPE
QUANTITY
方向
饲料
压纹载带
3000pcs
TR
方向是产品的1PIN数据是,当你持有的右上角
+0.2
1.6
0.1
2.8±0.2
1
2
3
0.2Min.
(
卷轴上的左手拔出右手胶带
1pin
)
+0.05
0.13
0.03
1.25Max.
1.1±0.05
0.05±0.05
+0.05
0.42
0.04
0.95
0.1
进给方向
(单位:毫米)
REEL
订购数量需要是多个最小量的。
VSOF5
0.2MAX
1.6±0.05
1.0±0.05
5
4
( MAX 1.28包括BURR )
1.6
±
0.05
1.2
±
0.05
1
2
3
0.13±0.05
0.6MAX
0.5
0.22±0.05
(单位:毫米)
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2013 ROHM有限公司保留所有权利。
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2/13
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22.May.2013 Rev.006
BD52xx系列
Lineup
BD53xx系列
数据表
输出类型
检测电压标记
6.0V
5.9V
5.8V
5.7V
5.6V
5.5V
5.4V
5.3V
5.2V
5.1V
5.0V
4.9V
4.8V
4.7V
4.6V
4.5V
4.4V
4.3V
4.2V
4.1V
4.0V
3.9V
3.8V
3.7V
3.6V
3.5V
3.4V
3.3V
3.2V
3.1V
3.0V
2.9V
2.8V
2.7V
2.6V
2.5V
2.4V
2.3V
PW
PV
PU
PT
PS
PR
PQ
PP
PN
PM
PL
PK
PJ
PH
PG
PF
PE
PD
PC
PB
PA
MV
MU
MT
MS
MR
MQ
MP
MN
MM
ML
MK
MJ
MH
MG
MF
ME
MD
漏极开路
产品型号
BD5260
BD5259
BD5258
BD5257
BD5256
BD5255
BD5254
BD5253
BD5252
BD5251
BD5250
BD5249
BD5248
BD5247
BD5246
BD5245
BD5244
BD5243
BD5242
BD5241
BD5240
BD5239
BD5238
BD5237
BD5236
BD5235
BD5234
BD5233
BD5232
BD5231
BD5230
BD5229
BD5228
BD5227
BD5226
BD5225
BD5224
BD5223
记号
RW
RV
RU
RT
RS
RR
RQ
RP
RN
RM
RL
RK
RJ
RH
RG
RF
RE
RD
RC
RB
RA
QV
QU
QT
QS
QR
QQ
QP
QN
QM
QL
QK
QJ
QH
QG
QF
QE
QD
CMOS
产品型号
BD5360
BD5359
BD5358
BD5357
BD5356
BD5355
BD5354
BD5353
BD5352
BD5351
BD5350
BD5349
BD5348
BD5347
BD5346
BD5345
BD5344
BD5343
BD5342
BD5341
BD5340
BD5339
BD5338
BD5337
BD5336
BD5335
BD5334
BD5333
BD5332
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BD53xx系列
数据表
“绝对
最大额定值
参数
电源电压
N沟道开漏输出
输出电压
CMOS输出
输出电流
*1*3
SSOP5
动力
*2*3
耗散
VSOF5
工作温度
保存环境温度
符号
V
DD
-GND
V
OUT
Io
Pd
TOPR
TSTG
范围
-0.3至+10
GND - 0.3 + 10
GND - 0.3 V
DD
+0.3
80
540
210
-40到+105
-55到+125
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
* 1使用超过25℃时减少由5.4mW / ℃。
* 2使用超过25℃时减少由2.1mW / ℃。
* 3当安装在ROHM标准电路板( 70毫米X30 70毫米X30 1.6毫米,玻璃环氧树脂板) 。
ⅵELECTRICAL
特性(除非另有说明TA = -40至105 ° C)
参数
符号
条件
V
DD
= H L ,R
L
=470k
Ta=+25°C
TA = -40 ° C至85°C
TA = 85 ° C至105℃
Ta=+25°C
TA = -40 ° C至85°C
TA = 85 ° C至105℃
Ta=+25°C
TA = -40 ° C至85°C
TA = 85 ° C至105℃
Ta=+25°C
TA = -40 ° C至85°C
TA = 85 ° C至105℃
Ta=+25°C
TA = -40 ° C至85°C
*1
VDET=2.5V
分钟。
V
DET
(T)
×0.99
2.475
2.418
2.404
2.970
2.901
2.885
3.267
3.191
3.173
4.158
4.061
4.039
4.752
4.641
极限
典型值。
V
DET
(T)
2.5
-
-
3.0
-
-
3.3
-
-
4.2
-
-
4.8
-
-
0.80
0.85
0.90
0.95
0.75
0.80
0.85
0.90
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
V
DET
(T)
×1.01
2.525
2.584
2.597
3.030
3.100
3.117
3.333
3.410
3.428
4.242
4.341
4.364
4.848
4.961
4.987
2.40
2.55
2.70
2.85
2.25
2.40
2.55
2.70
-
-
0.5
0.5
-
-
-
单位
VDET=3.0V
检测电压
V
DET
VDET=3.3V
V
VDET=4.2V
VDET=4.8V
TA = 85 ° C至105℃
4.616
V
DET
=2.3-3.1V
-
V
DET
=3.2-4.2V
-
电路电流时的开
I
DD
1
V
DD
=V
DET
-0.2V
V
DET
=4.3-5.2V
-
V
DET
=5.3-6.0V
-
V
DET
=2.3-3.1V
-
V
DET
=3.2-4.2V
-
短路电流OFF时
I
DD
2
V
DD
=V
DET
+2.0V
V
DET
=4.3-5.2V
-
V
DET
=5.3-6.0V
-
V
OL
≤0.4V,
TA = 25 105 ° C,R
L
=470k
0.95
工作电压范围
V
OPL
V
OL
≤0.4V,
钽= -40至25° C,R
L
=470k
1.20
V
DD
=
1.5V
, I
SINK
=
0.4毫安,V
DET
=2.3-6.0V
-
“低”输出电压( NCH)
V
OL
V
DD
=
2.4V
, I
SINK
=
2.0毫安,V
DET
=2.7-6.0V
-
V
DD
=
4.8V
, I
来源
=
0.7毫安
,
V
DET
( 2.3V至4.2V ) VDD - 0.5
“高”输出电压( P沟道)
V
OH
V
DD
=6.0V,
I
来源
=
0.9毫安
,
V
DET
( 4.3V至5.2V ) VDD - 0.5
V
DD
=8.0V,
I
来源
=
1.1毫安
,
V
DET
( 5.3V至6.0V ) VDD - 0.5
V
DET
(T ) :标准检测电压( 2.3V至6.0V , 0.1V步)
R
L
:上拉电阻连接V之间
OUT
和电源。
设计保证。 (出厂检验是不是对所有的产品进行。 )
* 1保证在Ta = 25 ℃。
A
A
V
V
V
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BD53xx系列
数据表
ⅵELECTRICAL
特性(除非另有说明TA = -40至105 ° C) - 续
参数
漏电流
符号
I
泄漏
V
DD
=V
DS
=10V
V
DD
=V
DET
×1.1, V
DET
= 2.3-2.6V ,R
L
=470k
V
DD
=V
DET
×1.1, V
DET
= 2.7-4.2V ,R
L
=470k
C
T
引脚阈值电压
V
CTH
V
DD
=V
DET
×1.1, V
DET
= 4.3-5.2V ,R
L
=470k
V
DD
=V
DET
×1.1, V
DET
= 5.3-6.0V ,R
L
=470k
输出延迟性
C
T
引脚输出电流
检测电压
温度COEF网络cient
滞后电压
R
CT
I
CT
V
DD
=V
DET
×1.1 V
CT
=0.5V
V
CT
=0.1V V
DD
=0.95V
V
CT
=0.5V V
DD
=1.5V
*1
*1
条件
*1
极限
分钟。
-
V
DD
×0.30
V
DD
×0.30
V
DD
×0.35
V
DD
×0.40
5.5
15
150
-
V
DET
×0.03
典型值。
-
V
DD
×0.40
V
DD
×0.45
V
DD
×0.50
V
DD
×0.50
9
40
240
±100
V
DET
×0.05
马克斯。
0.1
V
DD
×0.60
V
DD
×0.60
V
DD
×0.60
V
DD
×0.60
12.5
-
-
±360
V
DET
×0.08
单位
A
V
M
A
PPM /°C的
V
V
DET
/ ΔT TA = -40 ° C至105℃
V
DET
V
DD
= L H L ,R
L
=470k
V
DET
(T ) :标准检测电压( 2.3V至6.0V , 0.1V步)
R
L
:上拉电阻连接V之间
OUT
和电源。
设计保证。 (出厂检验是不是对所有的产品进行。 )
* 1保证在Ta = 25 ℃。
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