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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
BD500/B
描述
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO （ SUS ）
= -50V （最小值）
-80V(Min)
高
功耗
应用
·设计
在高功率音频放大器使用利用
互补或准互补电路。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
BD500
V
CBO
集电极 - 基极电压
BD500B
BD500
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BD500B
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
存储温度范围
-80
-5
-10
75
150
-55~150
V
A
W
℃
℃
-85
-50
V
价值
-55
V
单位
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻，结到外壳
最大
1.39
单位
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
BD500/B
典型值。
最大
单位
BD500
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
BD500B
I
C
= -30mA ;我
B
= 0
B
-50
V
-80
BD500
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极
饱和电压
BD500B
I
C
= -5A ;我
B
= -0.5A
B
-1.0
I
C
= -3.5A ;我
B
= -0.35A
B
V
BD500
V
BE （
on
)
基射极电压上
BD500B
I
C
= -5A ; V
CE
= -4V
-1.6
I
C
= -3.5A ; V
CE
= -4V
V
V
CB
= -55V ;我
E
= 0
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= -85V ;我
E
= 0
-1.0
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= -5V ;我
C
= 0
-1.0
mA
BD500
h
FE
直流电流增益
BD500B
I
C
= -5A ; V
CE
= -4V
15
I
C
= -3.5A ; V
CE
= -4V
90
f
T
电流增益带宽积
I
C
= -1.0A ; V
CE
= -10V
8
兆赫
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
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