附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
电压检测器IC系列
标准CMOS
电压检测器IC
BD48 □□ G， BD48 □□ FVE ， BD49 □□ G， BD49 □□ FVE系列
No.09006EAT04
描述
ROHM的BD48 □□ G / FVE和BD49 □□ G / FVE系列是高精度，低电流消耗复位IC系列。阵容
建立与拖车的输出类型（ N沟道开漏以及CMOS输出）和检测电压范围从2.3V至6.0V
在0.1V的增量，使该系列可以根据手边的应用而选择的。
特点
1 ）检测电压： 2.3V至6.0V （典型值） ， 0.1V的步骤
2 ）高精度检测电压： ± 1.0 ％
3 ）超低消耗电流： 0.8μA （典型值） 。
4 ） N沟道开漏输出（ BD48 □□ G / FVE ） ， CMOS输出（ BD49 □□ G / FVE ）
5 ）小型封装VSOF5 ： BD48 □□ FVE ， BD49 □□ FVE
SSOP5 ： BD48 □□ G， BD49 □□摹
应用
使用微控制器和逻辑电路的所有电子设备
选购指南
号
1
特定网络阳离子
输出电路的格式
检测电压
包
描述
8 ：开漏输出， 9 ： CMOS输出
例如：显示VS超过2.3V至6.0V范围内
0.1V的增量。 （ 2.9V被标记为“ 29”）
产品型号： BD4
1
2
3
2
3
G： SSOP5 / FVE ： VSOF5
阵容
记号
EW
EV
EU
ET
ES
ER
EQ
EP
EN
EM
EL
EK
EJ
EH
EG
EF
EE
ED
EC
发现
电压
6.0V
5.9V
5.8V
5.7V
5.6V
5.5V
5.4V
5.3V
5.2V
5.1V
5.0V
4.9V
4.8V
4.7V
4.6V
4.5V
4.4V
4.3V
4.2V
部分
数
BD4860
BD4859
BD4858
BD4857
BD4856
BD4855
BD4854
BD4853
BD4852
BD4851
BD4850
BD4849
BD4848
BD4847
BD4846
BD4845
BD4844
BD4843
BD4842
记号
EB
EA
DV
DU
DT
DS
DR
DQ
DP
DN
DM
DL
DK
DJ
DH
DG
DF
DE
DD
发现
电压
4.1V
4.0V
3.9V
3.8V
3.7V
3.6V
3.5V
3.4V
3.3V
3.2V
3.1V
3.0V
2.9V
2.8V
2.7V
2.6V
2.5V
2.4V
2.3V
部分
数
BD4841
BD4840
BD4839
BD4838
BD4837
BD4836
BD4835
BD4834
BD4833
BD4832
BD4831
BD4830
BD4829
BD4828
BD4827
BD4826
BD4825
BD4824
BD4823
记号
GW
GV
GU
GT
GS
GR
GQ
GP
GN
GM
GL
GK
GJ
GH
GG
GF
GE
GD
GC
发现
电压
6.0V
5.9V
5.8V
5.7V
5.6V
5.5V
5.4V
5.3V
5.2V
5.1V
5.0V
4.9V
4.8V
4.7V
4.6V
4.5V
4.4V
4.3V
4.2V
部分
数
BD4960
BD4959
BD4958
BD4957
BD4956
BD4955
BD4954
BD4953
BD4952
BD4951
BD4950
BD4949
BD4948
BD4947
BD4946
BD4945
BD4944
BD4943
BD4942
记号
GB
GA
FV
FU
FT
FS
FR
FQ
FP
FN
FM
FL
FK
FJ
FH
FG
FF
FE
FD
发现
电压
4.1V
4.0V
3.9V
3.8V
3.7V
3.6V
3.5V
3.4V
3.3V
3.2V
3.1V
3.0V
2.9V
2.8V
2.7V
2.6V
2.5V
2.4V
2.3V
部分
数
BD4941
BD4940
BD4939
BD4998
BD4937
BD4936
BD4935
BD4934
BD4933
BD4932
BD4931
BD4930
BD4929
BD4928
BD4927
BD4926
BD4925
BD4924
BD4923
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2009.04 - Rev.A的
BD48 □□ G， BD48 □□ FVE ， BD49 □□ G， BD49 □□ FVE系列
绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）
参数
电源电压
N沟道开漏输出
输出电压
CMOS输出
*1*3
SSOP5
动力
*2*3
耗散
VSOF5
工作温度
保存环境温度
技术说明
符号
VDD ， GND
VOUT
Pd
TOPR
TSTG
范围
-0.3 ~ +10
GND - 0.3 + 10
GND - 0.3 VDD + 0.3
540
210
-40 ~ +105
-55 ~ +125
单位
V
V
mW
°C
°C
* 1使用上述TA = 25 ℃，结果在每度一5.4mW的损失。
* 2使用上述TA = 25 ℃，结果在每度一2.1mW的损失。
* 3当ROHM的标准电路板（ 70毫米X30 70毫米X30 1.6毫米玻璃环氧树脂板）安装。
电气特性（除非另有说明TA = -40至105 ° C）
参数
检测电压
输出延迟时间“ LH ”
符号
V
S
t
PLH
条件
R
L
= 470KΩ ，V
DD
= H → L
C
L
= 100pF的
Ｌ
=100k
Vout=GND50%
V
S
=2.3-3.1V
V
S
=3.2-4.2V
V
DD
=V
S
-0.2V
*1
V
S
=4.3-5.2V
V
S
=5.3-6.0V
V
S
=2.3-3.1V
V
S
=3.2-4.2V
V
DD
=V
S
+2.0V
*1
V
S
=4.3-5.2V
V
S
=5.3-6.0V
V
OL
≤0.4V,
TA = 25 105 ° C，R
L
=470k
V
OL
≤0.4V,
TA = -40 25 ° C，R
L
=470k
V
DS
=0.5V, V
DD
=1.5V, V
S
=2.3-6.0V
V
DS
=0.5V, V
DD
=2.4V, V
S
=2.7-6.0V
V
DS
=0.5V, V
DD
=4.8V, V
S
=2.3-4.2V
V
DS
=0.5V, V
DD
=6.0V, V
S
=4.3-5.2V
V
DS
=0.5V, V
DD
=8.0V, V
S
=5.3-6.0V
V
DD
=V
DS
=10V
TA = -40 ° C至105℃
（设计保证）
V
DD
= L→H → L
*1
*2
分钟。
V
S
(T)
×0.99
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.95
1.20
0.4
2.0
0.7
0.9
1.1
极限
典型值。
V
S
(T)
-
0.51
0.56
0.60
0.66
0.75
0.80
0.85
0.90
-
-
1.0
4.0
1.4
1.8
2.2
-
±100
马克斯。
V
S
(T)
×1.01
100
1.53
1.68
1.80
1.98
2.25
2.40
2.55
2.70
-
-
-
-
-
-
-
0.1
±360
单位
V
s
电路电流时的开
I
CC
1
A
短路电流OFF时
I
CC
2
A
最低工作电压
“ Low'Output电流（ N沟道）
' High'Output电流（ P沟道）
(BD49□□G/FVE)
泄漏电流关断时
(BD48□□G/FVE)
检测电压
温度COEF网络cient
滞后电压
V
OPL
I
OL
V
mA
I
OH
mA
ILEAK
V
S
/T
V
S
*1
-
-
A
PPM /°C的
V
V
S
×0.03 V
S
×0.05 V
S
×0.08
V
S
（T ） ：标准检测电压（ 2.3V至6.0V ， 0.1V步）
R
L
：上拉电阻连接V之间
OUT
和电源。
C
L
：电容被连接V之间
OUT
和GND 。
设计保证。 （出厂检验是不是对所有的产品进行。 ）
* 1保证为Ta = 25 ℃。
*2 t
PLH
:V
DD
= （ VS typ. - 0.5V ） （ VS典型值+ 0.5V ）
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BD48 □□ G， BD48 □□ FVE ， BD49 □□ G， BD49 □□ FVE系列
方框图
BD48□□G/FVE
V
DD
技术说明
BD49□□G/FVE
V
DD
V
OUT
V
OUT
VREF
VREF
GND
GND
Fig.1
顶视图
Fig.2
顶视图
SSOP5
PIN号
1
2
3
4
5
符号
VOUT
VDD
GND
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
功能
复位输出
电源电压
GND
未连接的终端
未连接的终端
PIN号
1
2
3
4
5
符号
VOUT
子
北卡罗来纳州
GND
VDD
VSOF5
功能
复位输出
基材*
未连接的终端
GND
电源电压
*衬底连接到GND 。
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BD48 □□ G， BD48 □□ FVE ， BD49 □□ G， BD49 □□ FVE系列
参考数据（除非另有说明， TA = 25 ° C）
技术说明
短路电流
：
I
DD
[μA]
【
BD4842G/FVE
】
1.5
【
BD4842G/FVE
】
15
"HIGH"输出电流
：
I
OH
[马]
"LOW"输出电流
：
I
OL
[马]
2.0
20
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
6
漏源电压
：
V
DS
[V]
V
DD
=6.0V
V
DD
=4.8V
V
DD
=8.0V
【
BD4942G/FVE
】
1.0
10
V
DD
=2.4V
0.5
5
V
DD
=1.2V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10
V
DD
电源电压
：
V
DD
[V]
漏源电压
：
V
DS
[V]
图3电路电流
图4 “低”输出电流
图5 “高”输出电流
9
1.0
输出电压
：
V
OUT
[V]
【
BD4842G/FVE
】
输出电压
：
V
OUT
[V]
7
6
5
4
3
2
1
0
Ta=25
℃
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5
0.8
检测电压
：
V
S
[V]
8
【BD4842G/FVE】
5.4
5.0
【
BD4842G/FVE
】
从低到高（V
S
+ΔV
S
）
0.6
4.6
4.2
3.8
3.4
3.0
½
½
-40
0
40
80
前高后低（V
S
）
0.4
Ta=25
℃
0.2
0.0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
电源电压： [V ]
V
DD
电源电压
：
V
DD
[V]
温度
：
TA [ ℃ ]
图6 I / O特性
图7操作系统限制电压
图8检测电压
释放电压
电路电流时的开
：
I
DD1
[μA]
短路电流OFF时
：
I
DD2
[μA]
1.5
【
BD4842G/FVE
】
1.5
【
BD4842G/FVE
】
最低工作电压
：
V
OPL
[V]
1.5
【
BD4842G/FVE
】
1.0
1.0
1.0
0.5
0.5
0.5
0.0
-40 -20
0
20
40
60
80 100
0.0
-40 -20
0
20
40
60
80 100
0.0
-40 -20
0
20
40
60
80 100
温度
：
TA [
℃
]
温度
：
TA [
℃
]
温度
：
TA [
℃
]
图9短路电流时ON
图10电路电流关断时
图11的工作极限电压
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BD48 □□ G， BD48 □□ FVE ， BD49 □□ G， BD49 □□ FVE系列
技术说明
参考数据
领导（ TPLH ）和下降（的TPH1 ）输出的例子
产品型号
TPLH （微秒）
的TPH1 （微秒）
BD4845G/FVE
39.5
87.8
BD4945G/FVE
32.4
52.4
VDD=4.3V5.1V
VDD=5.1V4.3V
*此数据仅供参考。
这些数字将与应用程序有所不同，所以请确认后再使用的实际运行工况。
操作说明
对于与开漏型（图12）和CMOS输出型（图13 ），检测和释放电压被用作
阈值电压。当施加到VDD端子的电压达到适用的阈值电压，在VOUT端子
从电压开关或者“高”到“低”或“低”到“高” 。由于BD48 □□ G / FVE系列采用漏极开路
输出类型，能够以连接一个上拉电阻连接到VDD或在另一个电源[输出“高”电压（VOUT）
这种情况下变为VDD或其它电源的电压。
V
DD
V
DD
R1
VREF
V
OUT
R2
Q1
R
L
VREF
R1
Q2
V
OUT
Q1
R2
R3
GND
R3
GND
图12 （ BD48 □□型内部结构图）
图13 （ BD49 □□型内部结构图）
时序波形
实施例：下面示出了输入之间的关系的电压VDD和输出电压VOUT时
输入电源电压VDD由扫起来，扫倒（电路是那些在图12和图13） 。
当电源被接通时，输出从未定
后在工作极限电压（ VOPL ），直到的TPH1 。有它脱颖而出
可能的是，复位信号不被输出时的上升时间
VDD高于的TPH1更快。
2
当VDD高于VOPL更大但小于复位释放
电压（ VS +
ΔVS ）
输出电压将切换至低。
3
如果VDD电压超过复位释放电压（ VS +
ΔVS ）
然后
VOUT切换从L到H.
4
如果VDD低于检测电压（ VS ）的功率时，
电源断电或当有一个电源波动，
VOUT切换到L （用的TPH1的延迟）。
5
所述检测电压和所述间的电位差
释放电压被称为滞后宽度（ ΔVS ） 。该系统
被设计为使得输出不翻转触发器与电源
这种滞后幅度内波动，防止因故障
噪声的影响。
1
V
DD
V
DET
+ΔV
DET
V
DET
V
OPL
0V
⑤
V
OUT
V
OH
T
PHL
V
OL
T
PLH
T
PHL
T
PLH
①
②
Fig.14
③
④
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