BD436 ， BD438 ， BD440 ，
BD442
塑料中功率
硅PNP晶体管
这一系列的塑料，中等功率硅PNP晶体管可
用于为放大器和开关应用。补充
类型BD437和BD441 。
特点
http://onsemi.com
无铅包可用*
4.0功放电源
晶体管PNP硅
最大额定值
等级
符号
V
首席执行官
价值
32
45
60
80
32
45
60
80
5.0
4.0
1.0
36
288
- 55至+ 150
单位
VDC
集电极 - 发射极电压
BD436
BD438
BD440
BD442
BD436
BD438
BD440
BD442
集电极 - 基极电压
V
CBO
VDC
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
V
EBO
I
C
I
B
P
D
T
J
, T
英镑
VDC
ADC
ADC
W
W / ℃，
°C
TO225AA
CASE 77
风格1
3 2
1
标记图
YWW
BD4xxG
BD4xx
Y
WW
G
=器件代码
XX = 36 ， 36T ， 38 ， 40 ， 42
=年
=工作周
= Pb-Free包装
热特性
特征
符号
q
JC
最大
3.5
单位
热阻，结到外壳
° C / W
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2005年
订购信息
设备
BD436
BD436G
BD436T
BD436TG
BD438
BD438G
BD440
BD440G
BD442
BD442G
包
TO225AA
TO225AA
（无铅）
TO225AA
TO225AA
（无铅）
TO225AA
TO225AA
（无铅）
TO225AA
TO225AA
（无铅）
TO225AA
TO225AA
（无铅）
航运
500单位/箱
500单位/箱
50单位/铁
50单位/铁
500单位/箱
500单位/箱
500单位/箱
500单位/箱
500单位/箱
500单位/箱
1
2005年12月 - 14牧师
出版订单号：
BD438/D
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
电流增益 - 带宽积
(V
CE
= 1.0 V，I
C
= 250 mA时， F = 1.0兆赫）
基射极电压ON
(I
C
= 2.0 A，V
CE
= 1.0 V)
集电极饱和电压
(I
C
= 2.0 A，I
B
= 0.2 A)
(I
C
= 3.0 A，I
B
= 0.3 A)
直流电流增益
(I
C
= 2.0 A，V
CE
= 1.0 V)
直流电流增益
(I
C
= 500毫安， V
CE
= 1.0 V)
直流电流增益
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 5.0 V)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 32 V，I
E
= 0)
(V
CB
= 45 V，I
E
= 0)
(V
CB
= 60 V，I
E
= 0)
(V
CB
= 80 V，I
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 100
毫安，
I
C
= 0)
集电极 - 基极击穿电压
(I
C
= 100
毫安，
I
B
= 0)
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 100毫安，我
B
= 0)
特征
BD436 ， BD438 ， BD440 ， BD442
http://onsemi.com
BD436/BD438
BD440/BD442
BD436
BD438
BD440
BD442
BD436
BD438
BD440
BD442
BD436
BD438
BD440
BD442
BD436
BD438
BD440
BD442
BD436
BD438
BD440
BD442
BD436
BD438
BD440
BD442
BD436
BD438
BD440
BD442
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
符号
V
BE（上）
V
CE （ SAT ）
I
CBO
I
EBO
h
FE
h
FE
h
FE
f
T
民
3.0
5.0
50
40
25
15
85
85
40
40
40
30
20
15
32
45
60
80
32
45
60
80
典型值
最大
475
475
475
475
1.1
1.5
0.5
0.7
0.8
0.8
1.0
0.1
0.1
0.1
0.1
MADC
MADC
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
VDC
2
BD436 ， BD438 ， BD440 ， BD442
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
2.0
1.6
I
C
= 10毫安
百毫安
1.0 A
3.0 A
1.2
0.8
T
J
=
255C
0.4
0
0.05 0.070.1
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
I
B
，基极电流（毫安）
20
30
50 70 100
200
300
500
图1.集电极饱和区
hFE参数，电流增益（标准化）
200
100
80
60
40
20
0
10
2
3
100
I
C
，集电极电流（ AMP ）
1
5
图2.电流增益
T
J
= 25°C
1.6
电压（伏）
IC ，集电极电流（ AMP ）
2.0
10
4.0
T
J
= 150°C
1.0
0.5
dc
二次击穿
热限制牛逼
C
= 25°C
焊线LIMIT
5毫秒
1.2
0.8
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 2.0 V
曲线适用于低于额定V
首席执行官
BD438
BD440
BD442
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
0.4
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.005 0.01 0.02 0.030.05
0.1 0.2 0.3 0.5
1.0 2.0 3.0 4.0
0.1
I
C
，集电极电流（ AMP ）
图3. “开”电压
图4.活动区安全工作区
http://onsemi.com
3
BD436 ， BD438 ， BD440 ， BD442
包装尺寸
TO225AA
CASE 77-09
ISSUE
B
U
Q
F
M
C
A
1 2 3
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3. 077-01 THRU -08陈旧，新标准
07709.
英寸
民
最大
0.425
0.435
0.295
0.305
0.095
0.105
0.020
0.026
0.115
0.130
0.094 BSC
0.050
0.095
0.015
0.025
0.575
0.655
5
_
典型值
0.148
0.158
0.045
0.065
0.025
0.035
0.145
0.155
0.040
MILLIMETERS
民
最大
10.80
11.04
7.50
7.74
2.42
2.66
0.51
0.66
2.93
3.30
2.39 BSC
1.27
2.41
0.39
0.63
14.61
16.63
5
_
典型值
3.76
4.01
1.15
1.65
0.64
0.88
3.69
3.93
1.02
H
K
V
G
S
D
2 PL
0.25 (0.010)
M
J
R
0.25 (0.010)
A
M
A
M
M
B
M
B
M
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
M
Q
R
S
U
V
风格1 ：
PIN 1.辐射源
2.收集
3. BASE
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
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4
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