【SavantIC半导体产品speci fi cation硅PNP功率晶体管BD440 BD442描述】,IC型号BD440,BD440 PDF资料,BD440经销商,ic,电子元器件-51电子网

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

BD440 BD442

描述

·采用TO- 126封装

·补充输入BD439 ， BD441

应用

·对于中等功率的线性和

切换应用程序

钉扎

针

1

2

3

描述

辐射源

集热器;连接到

安装底座

BASE

绝对最大额定值（Ta = 25

)

符号

参数

BD440

V

CBO

集电极 - 基极电压

BD442

BD440

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

BD442

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

C

T

j

T

英镑

发射极基极电压连续

集电极电流（ DC ）

集电极电流峰值

基极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

T

C

=25

集电极开路

开基

发射极开路

条件

价值

单位

-

60

V

-

80

-

60

V

-

80

-

5

-

4

-

7

-

1

36

150

-65~150

V

A

W

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压上

集电极 - 发射极

维持电压

BD440

I

C

=

-

0.1A ;我

B

=0

BD442

BD440

I

CBO

集电极截止电流

BD442

BD440

I

CES

集电极截止电流

BD442

I

EBO

发射极截止电流

BD440

h

FE-1

直流电流增益

BD442

h

FE-2

直流电流增益

BD440

h

FE-3

直流电流增益

BD442

f

T

跃迁频率

I

C

=

-

250毫安; V

CE

=

-

1V

I

C

=

-

2A ; V

CE

=

-

1V

I

C

=

-

0.5A ; V

CE

=

-

1V

I

C

=

-

10毫安; V

CE

=

-

5V

V

CE

=

-

80V; V

BE

=0

V

EB

=

-

5V ;我

C

=0

V

CB

=

-

80V ;我

E

=0

V

CE

=

-

60V; V

BE

=0

V

CB

=

-

60V ;我

E

=0

条件

I

C

=

-

2A ;我

B

=

-

0.2A

I

C

=

-

10毫安; V

CE

=

-

5V

I

C

=

-

2A ; V

CE

=

-

1V

符号

V

CESAT

V

BE-1

V

BE-2

BD440 BD442

民

典型值。

最大

单位

V

-

0.8

-

0.58

-

1.5

-

60

V

CEO （ SUS ）

V

-

80

-

100

A

-

100

-

1

20

130

15

40

25

15

3

140

A

mA

兆赫

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

包装外形

BD440 BD442

图2外形尺寸

3

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

BD440 BD442

描述

·带

TO- 126封装

.Complement

输入BD439 ， BD441

应用

For

中功率线性和

切换应用程序

钉扎

针

1

2

3

描述

辐射源

集热器;连接到

安装底座

BASE

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

参数

BD440

V

CBO

集电极 - 基极电压

BD442

BD440

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

BD442

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

C

T

j

T

英镑

发射极基极电压连续

集电极电流（ DC ）

集电极电流峰值

基极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

T

C

=25℃

集电极开路

开基

发射极开路

条件

价值

单位

-

60

V

-

80

-

60

V

-

80

-

5

-

4

-

7

-

1

36

150

-65~150

V

A

W

℃

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

V

CESAT

V

BE-1

V

BE-2

参数

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压上

BD440

I

C

=

-

0.1A ;我

B

=0

BD442

BD440

I

CBO

集电极截止电流

BD442

BD440

I

CES

集电极截止电流

BD442

I

EBO

发射极截止电流

BD440

h

FE-1

直流电流增益

BD442

h

FE-2

直流电流增益

BD440

h

FE-3

直流电流增益

BD442

f

T

跃迁频率

I

C

=

-

250毫安; V

CE

=

-

1V

I

C

=

-

2A ; V

CE

=

-

1V

I

C

=

-

0.5A ; V

CE

=

-

1V

I

C

=

-

10毫安; V

CE

=

-

5V

V

CE

=

-

80V; V

BE

=0

V

EB

=

-

5V ;我

C

=0

V

CB

=

-

80V ;我

E

=0

V

CE

=

-

60V; V

BE

=0

V

CB

=

-

60V ;我

E

=0

条件

I

C

=

-

2A ;我

B

=

-

0.2A

I

C

=

-

10毫安; V

CE

=

-

5V

I

C

=

-

2A ; V

CE

=

-

1V

BD440 BD442

民

典型值。

最大

单位

V

-

0.8

-

0.58

-

1.5

-

60

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极

维持电压

V

-

80

μA

-

100

-

100

μA

-

1

20

130

15

40

25

15

3

140

mA

兆赫

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅PNP功率晶体管

包装外形

BD440 BD442

图2外形尺寸

3

BD436 ， BD438 ， BD440 ，

BD442

塑料中功率

硅PNP晶体管

这一系列的塑料，中等功率硅PNP晶体管可

用于为放大器和开关应用。补充

类型BD437和BD441 。

特点

http://onsemi.com

无铅包可用*

4.0功放电源

晶体管PNP硅

最大额定值

等级

符号

V

首席执行官

价值

32

45

60

80

32

45

60

80

5.0

4.0

1.0

36

288

- 55至+ 150

单位

VDC

集电极 - 发射极电压

BD436

BD438

BD440

BD442

BD436

BD438

BD440

BD442

集电极 - 基极电压

V

CBO

VDC

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

器件总功耗@ T

C

= 25°C

减免上述25℃

工作和存储结

温度范围

V

EBO

I

C

I

B

P

D

T

J

, T

英镑

VDC

ADC

W

W / ℃，

°C

TO225AA

CASE 77

风格1

3 2

1

标记图

YWW

BD4xxG

BD4xx

Y

WW

G

=器件代码

XX = 36 ， 36T ， 38 ， 40 ， 42

=年

=工作周

= Pb-Free包装

热特性

特征

符号

q

JC

最大

3.5

单位

热阻，结到外壳

° C / W

最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。

施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不

正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制

超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和

可靠性可能受到影响。

*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请

下载安森美半导体焊接与安装技术

参考手册， SOLDERRM / D 。

半导体元件工业有限责任公司， 2005年

订购信息

设备

BD436

BD436G

BD436T

BD436TG

BD438

BD438G

BD440

BD440G

BD442

BD442G

包

TO225AA

（无铅）

TO225AA

（无铅）

TO225AA

（无铅）

TO225AA

（无铅）

TO225AA

（无铅）

航运

500单位/箱

50单位/铁

500单位/箱

1

2005年12月 - 14牧师

出版订单号：

BD438/D

电气特性

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

电流增益 - 带宽积

(V

CE

= 1.0 V，I

C

= 250 mA时， F = 1.0兆赫）

基射极电压ON

(I

C

= 2.0 A，V

CE

= 1.0 V)

集电极饱和电压

(I

C

= 2.0 A，I

B

= 0.2 A)

(I

C

= 3.0 A，I

B

= 0.3 A)

直流电流增益

(I

C

= 2.0 A，V

CE

= 1.0 V)

直流电流增益

(I

C

= 500毫安， V

CE

= 1.0 V)

直流电流增益

(I

C

= 10 mA时， V

CE

= 5.0 V)

发射Cuto FF电流

(V

EB

= 5.0 V)

收藏家Cuto FF电流

(V

CB

= 32 V，I

E

= 0)

(V

CB

= 45 V，I

E

= 0)

(V

CB

= 60 V，I

E

= 0)

(V

CB

= 80 V，I

E

= 0)

发射极 - 基极击穿电压

(I

E

= 100

毫安，

I

C

= 0)

集电极 - 基极击穿电压

(I

C

= 100

毫安，

I

B

= 0)

集电极 - 发射极击穿电压

(I

C

= 100毫安，我

B

= 0)

特征

BD436 ， BD438 ， BD440 ， BD442

http://onsemi.com

BD436/BD438

BD440/BD442

BD436

BD438

BD440

BD442

BD436

BD438

BD440

BD442

BD436

BD438

BD440

BD442

BD436

BD438

BD440

BD442

BD436

BD438

BD440

BD442

BD436

BD438

BD440

BD442

BD436

BD438

BD440

BD442

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

符号

V

BE（上）

V

CE （ SAT ）

I

CBO

I

EBO

h

FE

h

FE

h

FE

f

T

民

3.0

5.0

50

40

25

15

85

40

30

20

15

32

45

60

80

32

45

60

80

典型值

最大

475

1.1

1.5

0.5

0.7

0.8

1.0

0.1

MADC

兆赫

单位

VDC

2

BD436 ， BD438 ， BD440 ， BD442

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

2.0

1.6

I

C

= 10毫安

百毫安

1.0 A

3.0 A

1.2

0.8

T

J

=

255C

0.4

0

0.05 0.070.1

0.2

0.3

0.5 0.7 1.0

2.0 3.0

5.0 7.0 10

I

B

，基极电流（毫安）

20

30

50 70 100

200

300

500

图1.集电极饱和区

hFE参数，电流增益（标准化）

200

100

80

60

40

20

0

10

2

3

100

I

C

，集电极电流（ AMP ）

1

5

图2.电流增益

T

J

= 25°C

1.6

电压（伏）

IC ，集电极电流（ AMP ）

2.0

10

4.0

T

J

= 150°C

1.0

0.5

dc

二次击穿

热限制牛逼

C

= 25°C

焊线LIMIT

5毫秒

1.2

0.8

V

BE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 10

V

BE

@ V

CE

= 2.0 V

曲线适用于低于额定V

首席执行官

BD438

BD440

BD442

1.0

2.0

5.0

10

20

50

100

V

CE

，集电极 - 发射极电压（伏）

0.4

V

CE （ SAT ）

@ I

C

/I

B

= 10

0

0.005 0.01 0.02 0.030.05

0.1 0.2 0.3 0.5

1.0 2.0 3.0 4.0

0.1

I

C

，集电极电流（ AMP ）

图3. “开”电压

图4.活动区安全工作区

http://onsemi.com

3

BD436 ， BD438 ， BD440 ， BD442

包装尺寸

TO225AA

CASE 77-09

ISSUE

B

U

Q

F

M

C

A

1 2 3

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

3. 077-01 THRU -08陈旧，新标准

07709.

英寸

民

最大

0.425

0.435

0.295

0.305

0.095

0.105

0.020

0.026

0.115

0.130

0.094 BSC

0.050

0.095

0.015

0.025

0.575

0.655

5

_

典型值

0.148

0.158

0.045

0.065

0.025

0.035

0.145

0.155

0.040

MILLIMETERS

民

最大

10.80

11.04

7.50

7.74

2.42

2.66

0.51

0.66

2.93

3.30

2.39 BSC

1.27

2.41

0.39

0.63

14.61

16.63

5

_

典型值

3.76

4.01

1.15

1.65

0.64

0.88

3.69

3.93

1.02

H

K

V

G

S

D

2 PL

0.25 (0.010)

M

J

R

0.25 (0.010)

A

M

A

M

B

M

B

M

暗淡

A

B

C

D

F

G

H

J

K

M

Q

R

S

U

V

风格1 ：

PIN 1.辐射源

2.收集

3. BASE

安森美半导体

和

是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利

这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任

由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。

这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有

运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可

也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序

旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应

买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，

和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害

与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等

机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。

出版物订货信息

文学履行：

N.美国技术支持：

免费电话800-282-9855

安森美半导体文学配送中心

美国/加拿大

P.O. 61312盒，凤凰城，亚利桑那州85082-1312 USA

电话：

480-829-7710或800-344-3860免费电话美国/加拿大

日本：

安森美半导体，日本顾客焦点中心

2-9-1 Kamimeguro ，目黑区，东京，日本153-0051

传真：

480-829-7709或800-344-3867免费电话美国/加拿大

电话：

81357733850

电子邮件：

orderlit@onsemi.com

安森美半导体网站：

http://onsemi.com

为了文学：

http://www.onsemi.com/litorder

有关更多信息，请联系您

当地销售代表。

http://onsemi.com

4

BD438/D

BD438/BD440/BD442

公司Bauelemente

PNP型

塑料封装晶体管

符合RoHS产品

的" - C"后缀指定卤素&无铅

8.0

±0.2

2.0

±0.2

4.14

±0.1

11.0

±0.2

1

2

3

O2.8

±0.1

O

3.2

±0.1

特点

*放大器和开关应用

o

TO-126

3.2

±0.2

最大额定值* T

A

=25

C

除非另有说明

符号

V

CBO

参数

集电极 - 基极电压

BD438

BD440

BD442

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

BD438

BD440

BD442

V

EBO

I

C

P

C

T

J

T

英镑

发射极 - 基极电压

集电极电流 - 连续

集电极耗散

结温

储存温度

价值

-45

-60

-80

-45

-60

-80

-5

-4

1.25

150

-55-150

V

A

W

4.55

±0.1

单位

V

1.4

±0.1

1.27

±0.1

15.3

±0.2

V

0.76

±0.1

2.28典型。

0.5

±0.1

1 ：发射器

2 ：收藏家

3 ：基本

单位：毫米

电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃

参数

符号

V

（ BR ） CBO

除非

TEST

否则

条件

特定网络版）

民

典型值

最大

单位

V

I

C

= -100μA ，我

E

=0

集电极 - 基极击穿电压

BD438

BD440

BD442

BD438

BD440

BD442

BD438

BD440

BD442

BD438

BD440

BD442

-45

-60

-80

-45

-60

-80

-5

-0.1

-1

30

20

15

85

40

25

15

-0.7

-0.8

-1.1

-1.5

3

V

兆赫

375

475

V

A

V

集电极 - 发射极击穿电压

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

EBO

h

FE(1)

I

C

= -100mA ，我

B

=0

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

I

E

= -100μA ，我

C

=0

V

CB

= -45V ，我

E

=0

V

CB

= -60V ，我

E

=0

V

CB

= -80V ，我

E

=0

V

EB

= -5V ，我

C

=0

V

CE

= -5V ，我

C

=-10mA

直流电流增益

h

FE(2)

V

CE

= -1V ，我

C

=-500mA

BD438

BD440/BD442

V

CE

= -1V ，我

C

=-2A

BD438

BD440

BD442

BD438

BD440/BD442

BD438

BD440/BD442

h

FE(3)

集电极 - 发射极饱和电压

基射极电压

跃迁频率

http://www.SeCoSGmbH.com/

01君2002年修订版A

V

CE （ SAT ）

V

BE

f

T

I

C

= -3A ，我

B

=-300mA

V

CE

= -1V ，我

C

=-2A

V

CE

= -1V ，我

C

= -250mA ， F = 1MHz的

的说明书中的任何改变将不被通知个人

第1页

2

BD438/BD440/BD442

公司Bauelemente

PNP型

塑料封装晶体管

典型特征

BD438,440,442

http://www.SeCoSGmbH.com/

01君2002年修订版A

的说明书中的任何改变将不被通知个人

页面

2of 2

BD439/BD440

BD441/BD442

互补硅功率晶体管

s

意法半导体的优选

SALESTYPES

互补PNP - NPN器件

描述

的BD439和BD441是硅外延基

NPN功率晶体管在JEDEC的SOT- 32塑料

包装， intented在电力线的使用和

开关应用。

互补PNP类型是BD440 ，并

BD442分别。

SOT-32

3

2

1

内部原理图

绝对最大额定值

符号

参数

NPN

PNP

V

CBO

V

CES

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

合计

T

英镑

T

j

集电极 - 基极电压（I

E

= 0)

集电极 - 发射极电压（V

BE

= 0)

集电极 - 发射极电压（I

B

= 0)

发射极 - 基极电压（I

C

= 0)

集电极电流

集电极电流峰值（T

≤

10毫秒）

基极电流

总功耗在T

c

≤ 25

o

C

储存温度

马克斯。工作结温

BD439

BD440

60

5

4

7

1

36

-65到150

150

价值

BD441

BD442

80

单位

V

A

W

o

C

o

C

为PNP型的电压和电流值是负的。

2000年12月

1/4

BD439/BD440/BD441/BD442

热数据

R

THJ情况

R

THJ - AMB

热阻结案件

热阻结到环境

最大

3.5

100

o

C / W

电气特性

(T

例

= 25

o

C除非另有说明）

符号

I

CBO

I

CES

I

EBO

参数

集电极截止

电流（I

E

= 0)

集电极截止

电流（V

BE

= 0)

发射极截止电流

(I

C

= 0)

测试条件

为

BD439/440

为

BD441/442

为

BD439/440

为

BD441/442

V

EB

= 5 V

I

C

= 100毫安

为

DB439/440

为

BD441/442

I

B

= 0.2 A

V

CE

= 5 V

V

CE

= 1 V

V

CE

= 5 V

为

BD439/440

为

BD441/442

V

CE

= 1 V

为

BD439/440

为

BD441/442

V

CE

= 1 V

为

BD439/440

为

BD441/442

V

CE

= 1 V

V

CE

= 1 V

3

0.58

1.5

60

80

0.8

V

CB

= 60 V

V

CB

= 80 V

V

CB

= 60 V

V

CB

= 80 V

分钟。

典型值。

马克斯。

100

1

单位

A

mA

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极

维持电压

(I

B

= 0)

V

CE （ SAT ）

V

BE

集电极 - 发射极

饱和电压

基射极电压

I

C

= 2 A

I

C

= 10毫安

I

C

= 2 A

I

C

= 10毫安

h

FE

直流电流增益

20

15

40

25

15

130

140

I

C

= 500毫安

I

C

= 2 A

h

FE1

/h

FE2

一对匹配

f

T

跃迁频率

I

C

= 500毫安

I

C

= 250毫安

1.4

兆赫

*脉冲：脉冲持续时间= 300毫秒，占空比1.5 ％

2/4

BD439/BD440/BD441/BD442

SOT- 32 （ TO- 126 ）机械数据

mm

分钟。

A

B

b

b1

C

c1

D

e

e3

F

G

H

3

4.15

3.8

3.2

2.54

0.118

7.4

10.5

0.7

0.49

2.4

1.0

15.4

2.2

4.65

0.163

0.150

0.126

0.100

典型值。

马克斯。

7.8

10.8

0.9

0.75

2.7

1.3

16.0

分钟。

0.291

0.413

0.028

0.019

0.040

0.039

0.606

0.087

0.183

寸

典型值。

马克斯。

0.307

0.445

0.035

0.030

0.106

0.050

0.629

DIM 。

H2

c1

0016114

3/4

BD439/BD440/BD441/BD442

提供的资料被认为是准确和可靠。然而，意法半导体承担的后果不承担任何责任

使用这些信息，也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。无许可证

牌照以暗示或以其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格

如有更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。意法半导体的产品

未授权使用的，而不意法半导体的明确书面批准的生命支持设备或系统中的关键组件。

ST的标志是意法半导体公司的商标。

公司意法半导体集团

澳大利亚 - 巴西 - 中国 - 芬兰 - 法国 - 德国 - 香港 - 印度 - 意大利 - 日本 - 马来西亚 - 马耳他 - 摩洛哥 -

新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 英国 - 美国

http://www.st.com

4/4

BD439/BD440

BD441/BD442

互补硅功率晶体管

s

意法半导体的优选

SALESTYPES

互补PNP - NPN器件

描述

的BD439和BD441是硅外延基

NPN功率晶体管在JEDEC的SOT- 32塑料

包装， intented在电力线的使用和

开关应用。

互补PNP类型是BD440 ，并

BD442分别。

SOT-32

3

2

1

内部原理图

绝对最大额定值

符号

参数

NPN

PNP

V

CBO

V

CES

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

合计

T

英镑

T

j

集电极 - 基极电压（I

E

= 0)

集电极 - 发射极电压（V

BE

= 0)

集电极 - 发射极电压（I

B

= 0)

发射极 - 基极电压（I

C

= 0)

集电极电流

集电极电流峰值（T

≤

10毫秒）

基极电流

总功耗在T

c

≤ 25

o

C

储存温度

马克斯。工作结温

BD439

BD440

60

5

4

7

1

36

-65到150

150

价值

BD441

BD442

80

单位

V

A

W

o

C

o

C

为PNP型的电压和电流值是负的。

2000年12月

1/4

BD439/BD440/BD441/BD442

热数据

R

THJ情况

R

THJ - AMB

热阻结案件

热阻结到环境

最大

3.5

100

o

C / W

电气特性

(T

例

= 25

o

C除非另有说明）

符号

I

CBO

I

CES

I

EBO

参数

集电极截止

电流（I

E

= 0)

集电极截止

电流（V

BE

= 0)

发射极截止电流

(I

C

= 0)

测试条件

为

BD439/440

为

BD441/442

为

BD439/440

为

BD441/442

V

EB

= 5 V

I

C

= 100毫安

为

DB439/440

为

BD441/442

I

B

= 0.2 A

V

CE

= 5 V

V

CE

= 1 V

V

CE

= 5 V

为

BD439/440

为

BD441/442

V

CE

= 1 V

为

BD439/440

为

BD441/442

V

CE

= 1 V

为

BD439/440

为

BD441/442

V

CE

= 1 V

V

CE

= 1 V

3

0.58

1.5

60

80

0.8

V

CB

= 60 V

V

CB

= 80 V

V

CB

= 60 V

V

CB

= 80 V

分钟。

典型值。

马克斯。

100

1

单位

A

mA

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极

维持电压

(I

B

= 0)

V

CE （ SAT ）

V

BE

集电极 - 发射极

饱和电压

基射极电压

I

C

= 2 A

I

C

= 10毫安

I

C

= 2 A

I

C

= 10毫安

h

FE

直流电流增益

20

15

40

25

15

130

140

I

C

= 500毫安

I

C

= 2 A

h

FE1

/h

FE2

一对匹配

f

T

跃迁频率

I

C

= 500毫安

I

C

= 250毫安

1.4

兆赫

*脉冲：脉冲持续时间= 300毫秒，占空比1.5 ％

2/4

BD439/BD440/BD441/BD442

SOT- 32 （ TO- 126 ）机械数据

mm

分钟。

A

B

b

b1

C

c1

D

e

e3

F

G

H

3

4.15

3.8

3.2

2.54

0.118

7.4

10.5

0.7

0.49

2.4

1.0

15.4

2.2

4.65

0.163

0.150

0.126

0.100

典型值。

马克斯。

7.8

10.8

0.9

0.75

2.7

1.3

16.0

分钟。

0.291

0.413

0.028

0.019

0.040

0.039

0.606

0.087

0.183

寸

典型值。

马克斯。

0.307

0.445

0.035

0.030

0.106

0.050

0.629

DIM 。

H2

c1

0016114

3/4

BD439/BD440/BD441/BD442

提供的资料被认为是准确和可靠。然而，意法半导体承担的后果不承担任何责任

使用这些信息，也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。无许可证

牌照以暗示或以其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格

如有更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。意法半导体的产品

未授权使用的，而不意法半导体的明确书面批准的生命支持设备或系统中的关键组件。

ST的标志是意法半导体公司的商标。

公司意法半导体集团

澳大利亚 - 巴西 - 中国 - 芬兰 - 法国 - 德国 - 香港 - 印度 - 意大利 - 日本 - 马来西亚 - 马耳他 - 摩洛哥 -

新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 英国 - 美国

http://www.st.com

4/4

热特性

最大额定值

热阻，结到外壳

工作和存储结温范围

器件总功耗@ TC = 25

_

C

减免上述25

_

C

基极电流

集电极电流

发射极 - 基极电压

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

特征

等级

BD438

BD440

BD442

BD438

BD440

BD442

符号

TJ ， TSTG

VCBO

VCEO

VEBO

θ

JC

PD

IC

IB

- 55至+ 150

价值

最大

36

288

3.5

1.0

4.0

5.0

45

60

80

45

60

80

CASE 77-08

TO- 225AA型

瓦

W/

_

C

摩托罗拉公司1995年

摩托罗拉双极功率晶体管器件数据

。。。为放大器和开关应用。互补的类型是BD437和

BD441.

塑料中功率硅

PNP晶体管

半导体技术资料

摩托罗拉

第七版

4.0安培

功率晶体管

PNP硅

BD438

BD440

BD442

订购此文件

通过BD438 / D

_

C / W

单位

ADC

VDC

_

C

1

BD438 BD440 BD442

电气特性

（ TC = 25

_

C除非另有说明）

电流增益 - 带宽积

（ VCE = 1.0 V， IC = 250 mA时， F = 1.0兆赫）

基射极电压ON

（ IC = 2.0 A ， VCE = 1.0 V）

集电极饱和电压

（ IC = 3.0 A， IB = 0.3 A）

直流电流增益

（ IC = 2.0 A ， VCE = 1.0 V）

直流电流增益

（ IC = 500 mA时， VCE = 1.0 V）

直流电流增益

（ IC = 10 mA时， VCE = 5.0 V）

发射Cuto FF电流

（ VEB = 5.0 V）

收藏家Cuto FF电流

（ VCB = 45 V， IE = 0 ）

（ VCB = 60 V ， IE = 0 ）

（ VCB = 80 V， IE = 0 ）

发射极 - 基极击穿电压

（IE = 100

A,

IC = 0）

集电极 - 基极击穿电压

（ IC = 100

A,

IB = 0）的

集电极 - 发射极击穿电压

（ IC = 100 mA时， IB = 0 ）

特征

BD438

BD440

BD442

BD438

BD440

BD442

BD438

BD440

BD442

BD438

BD440/442

BD438

BD440

BD442

BD438

BD440

BD442

BD438

BD440

BD442

BD438

BD440

BD442

V（ BR ） CBO

V（ BR ） CEO

V（ BR ） EBO

VBE （ON）的

VCE （ SAT ）

符号

ICBO

IEBO

的hFE

fT

民

3.0

5.0

40

25

15

85

40

30

20

15

45

60

80

45

60

80

—

典型值

—

最大

375

475

1.1

1.5

0.7

0.8

1.0

0.1

—

MADC

兆赫

单位

VDC

2

摩托罗拉双极功率晶体管器件数据

BD438 BD440 BD442

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

2.0

1.6

IC = 10毫安

百毫安

1.0 A

3.0 A

1.2

0.8

TJ = 25°C

0.4

0

0.05 0.07 0.1

0.2

0.3

0.5 0.7

1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

IB ，基极电流（毫安）

20

30

50

70

100

200

300

500

图1.集电极饱和区

hFE参数，电流增益（标准化）

200

100

80

60

40

20

0

10

2

3

100

IC ，集电极电流（ AMP ）

1

5

图2.电流增益

2.0

TJ = 25°C

IC ，集电极电流（ AMP ）

1.6

电压（伏）

10

4.0

TJ = 150℃

1.0

0.5

dc

二次击穿

热极限TC = 25°C

焊线LIMIT

5毫秒

1.2

0.8

VBE （星期六） @ IC / IB = 10

VBE @ VCE = 2.0 V

曲线适用于低于额定VCEO

BD438

BD440

BD442

1.0

2.0

5.0

10

20

50

100

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

0.4

VCE （SAT） @ IC / IB = 10

0

0.005 0.01 0.02 0.03 0.05

0.1

0.2 0.3 0.5

1.0

2.0 3.0 4.0

0.1

IC ，集电极电流（ AMP ）

图3. “开”电压

图4.活动区安全工作区

摩托罗拉双极功率晶体管器件数据

3

BD438 BD440 BD442

包装尺寸

–B–

U

Q

F

M

C

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

暗淡

A

B

C

D

F

G

H

J

K

M

Q

R

S

U

V

英寸

民

最大

0.425

0.435

0.295

0.305

0.095

0.105

0.020

0.026

0.115

0.130

0.094 BSC

0.050

0.095

0.015

0.025

0.575

0.655

5

_

典型值

0.148

0.158

0.045

0.055

0.025

0.035

0.145

0.155

0.040

–––

MILLIMETERS

民

最大

10.80

11.04

7.50

7.74

2.42

2.66

0.51

0.66

2.93

3.30

2.39 BSC

1.27

2.41

0.39

0.63

14.61

16.63

5

_

典型值

3.76

4.01

1.15

1.39

0.64

0.88

3.69

3.93

1.02

–––

–A–

1 2 3

H

K

V

G

S

D

2 PL

0.25 (0.010)

M

J

R

0.25 (0.010)

A

M

A

M

B

M

B

M

风格1 ：

PIN 1.辐射源

2.收集

3. BASE

CASE 77-08

TO- 225AA型

ISSUE V

摩托罗拉保留更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保，声明或保证

其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，

并明确拒绝承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。 “典型”参数，并会根据不同的

应用程序。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并

不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作组件

旨在系统通过外科手术移植到体内，或其他应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的故障

摩托罗拉的产品可能会造成这样一种情况人身伤害或死亡可能会发生。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何此类

意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有摩托罗拉和其职员，雇员，子公司，联营公司及分销商无害

对所有索赔，费用，损失，费用，以及直接或间接引起的，合理的律师费，人身伤害或死亡的任何索赔

与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称，摩托罗拉对零件的设计或制造疏忽造成的。

摩托罗拉

注册摩托罗拉公司，摩托罗拉公司的商标是一个平等机会/ AF连接rmative行动雇主。

如何找到我们：

美国/欧洲：

摩托罗拉文学分布;

P.O. 20912盒;亚利桑那州凤凰城85036. 1-800-441-2447

M传真：

RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键（ 602 ） 244-6609

互联网：

http://Design-NET.com

日本：

日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ，利胜乙木，

6F西武Butsuryu中心， 3-14-2巽江东区，东京135 ，日本。 03-3521-8315

香港：

摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园，

51汀角路，大埔，新界，香港。 852-26629298

4

摩托罗拉双极功率晶体管器件数据

*BD438/D*

BD438/D

热特性

最大额定值

热阻，结到外壳

工作和存储结温范围

器件总功耗@ TC = 25

_

C

减免上述25

_

C

基极电流

集电极电流

发射极 - 基极电压

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

特征

等级

BD438

BD440

BD442

BD438

BD440

BD442

符号

TJ ， TSTG

VCBO

VCEO

VEBO

θ

JC

PD

IC

IB

- 55至+ 150

价值

最大

36

288

3.5

1.0

4.0

5.0

45

60

80

45

60

80

CASE 77-08

TO- 225AA型

瓦

W/

_

C

摩托罗拉公司1995年

摩托罗拉双极功率晶体管器件数据

。。。为放大器和开关应用。互补的类型是BD437和

BD441.

塑料中功率硅

PNP晶体管

半导体技术资料

摩托罗拉

第七版

4.0安培

功率晶体管

PNP硅

BD438

BD440

BD442

订购此文件

通过BD438 / D

_

C / W

单位

ADC

VDC

_

C

1

BD438 BD440 BD442

电气特性

（ TC = 25

_

C除非另有说明）

电流增益 - 带宽积

（ VCE = 1.0 V， IC = 250 mA时， F = 1.0兆赫）

基射极电压ON

（ IC = 2.0 A ， VCE = 1.0 V）

集电极饱和电压

（ IC = 3.0 A， IB = 0.3 A）

直流电流增益

（ IC = 2.0 A ， VCE = 1.0 V）

直流电流增益

（ IC = 500 mA时， VCE = 1.0 V）

直流电流增益

（ IC = 10 mA时， VCE = 5.0 V）

发射Cuto FF电流

（ VEB = 5.0 V）

收藏家Cuto FF电流

（ VCB = 45 V， IE = 0 ）

（ VCB = 60 V ， IE = 0 ）

（ VCB = 80 V， IE = 0 ）

发射极 - 基极击穿电压

（IE = 100

A,

IC = 0）

集电极 - 基极击穿电压

（ IC = 100

A,

IB = 0）的

集电极 - 发射极击穿电压

（ IC = 100 mA时， IB = 0 ）

特征

BD438

BD440

BD442

BD438

BD440

BD442

BD438

BD440

BD442

BD438

BD440/442

BD438

BD440

BD442

BD438

BD440

BD442

BD438

BD440

BD442

BD438

BD440

BD442

V（ BR ） CBO

V（ BR ） CEO

V（ BR ） EBO

VBE （ON）的

VCE （ SAT ）

符号

ICBO

IEBO

的hFE

fT

民

3.0

5.0

40

25

15

85

40

30

20

15

45

60

80

45

60

80

—

典型值

—

最大

375

475

1.1

1.5

0.7

0.8

1.0

0.1

—

MADC

兆赫

单位

VDC

2

摩托罗拉双极功率晶体管器件数据

BD438 BD440 BD442

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

2.0

1.6

IC = 10毫安

百毫安

1.0 A

3.0 A

1.2

0.8

TJ = 25°C

0.4

0

0.05 0.07 0.1

0.2

0.3

0.5 0.7

1.0

2.0

3.0

5.0 7.0 10

IB ，基极电流（毫安）

20

30

50

70

100

200

300

500

图1.集电极饱和区

hFE参数，电流增益（标准化）

200

100

80

60

40

20

0

10

2

3

100

IC ，集电极电流（ AMP ）

1

5

图2.电流增益

2.0

TJ = 25°C

IC ，集电极电流（ AMP ）

1.6

电压（伏）

10

4.0

TJ = 150℃

1.0

0.5

dc

二次击穿

热极限TC = 25°C

焊线LIMIT

5毫秒

1.2

0.8

VBE （星期六） @ IC / IB = 10

VBE @ VCE = 2.0 V

曲线适用于低于额定VCEO

BD438

BD440

BD442

1.0

2.0

5.0

10

20

50

100

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

0.4

VCE （SAT） @ IC / IB = 10

0

0.005 0.01 0.02 0.03 0.05

0.1

0.2 0.3 0.5

1.0

2.0 3.0 4.0

0.1

IC ，集电极电流（ AMP ）

图3. “开”电压

图4.活动区安全工作区

摩托罗拉双极功率晶体管器件数据

3

BD438 BD440 BD442

包装尺寸

–B–

U

Q

F

M

C

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：英寸。

暗淡

A

B

C

D

F

G

H

J

K

M

Q

R

S

U

V

英寸

民

最大

0.425

0.435

0.295

0.305

0.095

0.105

0.020

0.026

0.115

0.130

0.094 BSC

0.050

0.095

0.015

0.025

0.575

0.655

5

_

典型值

0.148

0.158

0.045

0.055

0.025

0.035

0.145

0.155

0.040

–––

MILLIMETERS

民

最大

10.80

11.04

7.50

7.74

2.42

2.66

0.51

0.66

2.93

3.30

2.39 BSC

1.27

2.41

0.39

0.63

14.61

16.63

5

_

典型值

3.76

4.01

1.15

1.39

0.64

0.88

3.69

3.93

1.02

–––

–A–

1 2 3

H

K

V

G

S

D

2 PL

0.25 (0.010)

M

J

R

0.25 (0.010)

A

M

A

M

B

M

B

M

风格1 ：

PIN 1.辐射源

2.收集

3. BASE

CASE 77-08

TO- 225AA型

ISSUE V

摩托罗拉保留更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保，声明或保证

其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，

并明确拒绝承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。 “典型”参数，并会根据不同的

应用程序。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并

不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作组件

旨在系统通过外科手术移植到体内，或其他应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的故障

摩托罗拉的产品可能会造成这样一种情况人身伤害或死亡可能会发生。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何此类

意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有摩托罗拉和其职员，雇员，子公司，联营公司及分销商无害

对所有索赔，费用，损失，费用，以及直接或间接引起的，合理的律师费，人身伤害或死亡的任何索赔

与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称，摩托罗拉对零件的设计或制造疏忽造成的。

摩托罗拉

注册摩托罗拉公司，摩托罗拉公司的商标是一个平等机会/ AF连接rmative行动雇主。

如何找到我们：

美国/欧洲：

摩托罗拉文学分布;

P.O. 20912盒;亚利桑那州凤凰城85036. 1-800-441-2447

M传真：

RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键（ 602 ） 244-6609

互联网：

http://Design-NET.com

日本：

日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ，利胜乙木，

6F西武Butsuryu中心， 3-14-2巽江东区，东京135 ，日本。 03-3521-8315

香港：

摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园，

51汀角路，大埔，新界，香港。 852-26629298

4

摩托罗拉双极功率晶体管器件数据

*BD438/D*

BD438/D

BD439/BD440

BD441/BD442

互补硅功率晶体管

s

SGS - THOMSON最佳SALESTYPES

互补PNP - NPN器件

描述

的BD439和BD441是硅外延基

NPN功率晶体管在JEDEC的SOT- 32塑料

包装， intented在电力线的使用和

开关应用。

互补PNP类型是BD440 ，并

BD442分别。

SOT-32

3

2

1

内部原理图

绝对最大额定值

符号

参数

NPN

PNP

V

CBO

V

CES

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

合计

T

英镑

T

j

集电极 - 基极电压（I

E

= 0)

集电极 - 发射极电压（V

BE

= 0)

集电极 - 发射极电压（I

B

= 0)

发射极 - 基极电压（I

C

= 0)

集电极电流

集电极电流峰值（T

≤

10毫秒）

基极电流

总功耗在T

c

≤ 25

o

C

储存温度

马克斯。工作结温

BD439

BD440

60

5

4

7

1

36

-65到150

150

价值

BD441

BD442

80

V

A

W

o

单位

C

为PNP型的电压和电流值是负的。

1997年5月

1/4

BD439/BD440/BD441/BD442

热数据

R

THJ情况

R

THJ - AMB

热阻结案件

热阻结到环境

最大

3.5

100

o

C / W

电气特性

(T

例

= 25

o

C除非另有说明）

符号

I

CBO

I

CES

I

EBO

参数

集电极截止

电流（I

E

= 0)

集电极截止

电流（V

BE

= 0)

发射极截止电流

(I

C

= 0)

测试条件

为

BD439/440

为

BD441/442

为

BD439/440

为

BD441/442

V

EB

= 5 V

I

C

= 100毫安

为

DB439/440

为

BD441/442

I

B

= 0.2 A

V

CE

= 5 V

V

CE

= 1 V

V

CE

= 5 V

为

BD439/440

为

BD441/442

V

CE

= 1 V

为

BD439/440

为

BD441/442

V

CE

= 1 V

为

BD439/440

为

BD441/442

V

CE

= 1 V

V

CE

= 1 V

3

0.58

1.5

60

80

0.8

V

CB

= 60 V

V

CB

= 80 V

V

CB

= 60 V

V

CB

= 80 V

分钟。

典型值。

马克斯。

100

1

单位

A

mA

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极

维持电压

(I

B

= 0)

V

CE （ SAT ）

V

BE

集电极 - 发射极

饱和电压

基射极电压

I

C

= 2 A

I

C

= 10毫安

I

C

= 2 A

I

C

= 10毫安

h

FE

直流电流增益

20

15

40

25

15

130

140

I

C

= 500毫安

I

C

= 2 A

h

FE1

/h

FE2

一对匹配

f

T

跃迁频率

IC = 500毫安

I

C

= 250毫安

1.4

兆赫

脉冲：脉冲宽度= 300

s,

占空比1.5 ％

2/4

BD439/BD440/BD441/BD442

SOT- 32 （ TO- 126 ）机械数据

mm

分钟。

A

B

b

b1

C

c1

D

e

e3

F

G

H

H2

2.15

3

4.15

3.8

3.2

2.54

0.084

0.118

7.4

10.5

0.7

0.49

2.4

1.0

15.4

2.2

4.65

0.163

0.150

0.126

0.100

典型值。

马克斯。

7.8

10.8

0.9

0.75

2.7

1.3

16.0

分钟。

0.291

0.413

0.028

0.019

0.040

0.039

0.606

0.087

0.183

寸

典型值。

马克斯。

0.307

0.445

0.035

0.030

0.106

0.050

0.629

DIM 。

H2

0016114

3/4

BD439/BD440/BD441/BD442

提供的资料被认为是准确和可靠。不过， SGS - THOMSON微电子承担的任何责任

对此类信息的使用，也不对任何侵犯第三方专利或可借鉴其使用效果等权利的后果。没有

获发牌照以暗示或其他方式SGS - THOMSON微电子公司的任何专利或专利权。规格提到

本出版物中如有更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。

SGS - THOMSON微电子产品不授权不明确的生命支持设备或系统中的关键组件

SGS - THOMSON Microelectonics的书面批准。

公司SGS - THOMSON微电子集团

澳大利亚 - 巴西 - 加拿大 - 中国 - 法国 - 德国 - 香港 - 意大利 - 日本 - 韩国 - 马来西亚 - 马耳他 - 摩洛哥 - 荷兰 -

新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 台湾 - 泰国 - 英国 - 美国

...

4/4