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BD376/378/380
BD376/378/380
中功率线性和开关
应用
补分别为BD375 , BD377和BD379
PNP外延硅晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
参数
集电极 - 基极电压: BD376
: BD378
: BD380
集电极 - 发射极电压: BD376
: BD378
: BD380
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
*集电极电流(脉冲)
基极电流
集电极耗散(T
C
=25°C)
结温
储存温度
1
TO-126
2.Collector
3.Base
1.发射器
价值
- 50
- 75
- 100
- 45
- 60
- 80
-5
-2
-3
-1
25
150
- 55 ~ 150
单位
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
J
T
英镑
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
( SUS)的
参数
*集电极发射极耐受电压
: BD376
: BD378
: BD380
集电极 - 基
击穿电压
集电极截止电流
: BD376
: BD378
: BD380
: BD376
: BD378
: BD380
测试条件
I
C
= - 100mA时我
B
= 0
分钟。
- 45
- 60
- 80
- 50
- 75
- 100
-2
-2
-2
- 100
40
20
375
-1
- 1.5
50
500
V
V
ns
ns
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
BV
CBO
I
C
= - 100μA ,我
E
= 0
I
CBO
V
CB
= - 45V ,我
E
= 0
V
CB
= - 60V ,我
E
= 0
V
CB
= - 80V ,我
E
= 0
V
EB
= - 5V ,我
C
= 0
V
CE
= - 2V ,我
C
= - 0.15A
V
CE
= - 2V ,我
C
= - 1A
I
C
= - 1A ,我
B
= - 0.1A
V
CE
= - 2V ,我
C
= -1A
V
CC
= - 30V ,我
C
= - 0.5A
I
B1
= - I
B2
= - 0.05A
R
L
= 60
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE
(SAT)
V
BE
(上)
t
ON
t
关闭
发射极截止电流
*直流电流增益
*集电极 - 发射极饱和电压
*基射极电压上
启动时间
关闭时间
*脉冲测试: PW = 350μS ,占空比= 2 %脉冲
h
FE
Classificntion
分类
h
FE1
2000仙童半导体国际
6
40 ~ 100
10
63 ~ 160
16
100 ~ 250
25
150 ~ 375
版本A , 2000年2月
BD376/378/380
典型特征
100
-500
80
V
CE
(SAT) (MV ) ,饱和电压
V
CE
= -2V
-400
h
FE
,直流电流增益
I
C
= 20.I
B
60
-300
40
-200
20
-100
I
C
= 10.I
B
0
-10
-100
-1000
-0
-1E-3
-0.01
-0.1
-1
-10
I
C
[马] ,集电极电流
I
C
[A] ,集电极电流
图1.直流电流增益
图2.集电极 - 发射极饱和电压
-1.1
-10
V
BE
(V ) ,基极发射极电压
-1.0
-0.9
-0.8
-0.7
-0.6
-0.5
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
-1E-3
-0.01
-0.1
I
C
[A] ,集电极电流
t)
( SA
V
BE
10.I
B
=
Ic
I
C
MAX 。 (连续)
-1
S / B
V
BE
(上)
V
CE
= -5V
LIM
D
ITE
-0.1
-0.01
-0.1
-1
-10
-1
-10
I
C
[A] ,集电极电流
V
CE
[V] ,集电极 - 发射极电压
图3.基射极电压
图4.安全工作区
40
35
P
C
[W] ,功率耗散
30
25
20
15
10
5
0
0
25
50
o
75
100
125
150
175
200
锝[C] ,外壳温度
图5.功率降额
2000仙童半导体国际
BD376
BD378
BD380
V
首席执行官
马克斯。
-100
版本A , 2000年2月
BD376/378/380
包装Demensions
TO-126
±0.10
3.90
8.00
±0.30
3.25
±0.20
14.20MAX
3.20
±0.10
11.00
±0.20
(1.00)
0.75
±0.10
1.60
±0.10
0.75
±0.10
±0.30
(0.50)
1.75
±0.20
#1
2.28TYP
[2.28±0.20]
2.28TYP
[2.28±0.20]
13.06
16.10
±0.20
0.50
–0.05
+0.10
单位:毫米
2000仙童半导体国际
版本A , 2000年2月
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
FACT
FACT静音系列
FASTr
GTO
放弃
HiSeC
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QFET
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
UHC
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中,为了提高可靠性,功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照,也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统,而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
国际。
如本文所用:
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中, ( a)打算通过外科手术移植到体内,
或(b )支持或维持生命,或(c )其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签,可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统,其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统,或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据,和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候,恕不另行通知,以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知,以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2000仙童半导体国际
英文内容
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
BD376/378/380
描述
ΔDC
目前GAIN-
: h
FE
= 20 (分) @我
C
= -1A
.Complement
到类型BD375 / 379分之377
应用
·设计
中等功率线性和开关
应用
绝对最大额定值(T
a
=25
℃)
符号
参数
BD376
V
CBO
集电极 - 基极电压
BD378
BD380
BD376
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BD378
BD380
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
价值
-50
-75
-100
-45
-60
-80
-5
-2
-3
-1
25
150
-55~150
单位
V
V
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流连续
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
存储温度范围
V
A
A
A
W
P
C
T
J
T
英镑
ISC的网站: www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
BD376
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极
维持电压
BD378
BD380
BD376
V
CBO
集电极 - 基极电压
BD378
BD380
V
CE(
SAT
)
V
BE (
on
)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
BD376
I
CBO
收藏家Cuto FF电流
BD378
BD380
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
I
C
= -1A ;我
B
= -0.1A
B
BD376/378/380
条件
-45
典型值。
最大
单位
I
C
= -100mA ;我
B
= 0
-60
-80
-50
V
I
C
= -0.1mA ;我
E
= 0
-75
-100
-1.0
-1.5
-2
-2
-2
-0.1
40
20
375
V
V
V
I
C
= -1A ; V
CE
= -2V
V
CB
= -45V ;我
E
= 0
V
CB
= -60V ;我
E
= 0
V
CB
= -80V ;我
E
= 0
V
EB
= -5V ;我
C
= 0
I
C
= -0.15A ; V
CE
= -2V
I
C
= -1A ; V
CE
= -2V
μA
mA
开关时间
t
on
t
关闭
开启时间
打开-O FF时间
0.05
0.5
μs
μs
I
C
= -0.5A ;我
B1
= -I
B2
= -50mA ;
V
CC
= -30V
h
FE-1
分类
6
40-100
10
63-160
16
100-250
25
150-375
ISC的网站: www.iscsemi.cn
2
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厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BD376
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
BD376
NXP/恩智浦
24+
8640
TO-126
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ:414322027 复制
电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
BD376
NXP/恩智浦
2024
20000
TO-126
上海原装现货库存,欢迎咨询合作
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:892174007 复制 点击这里给我发消息 QQ:2300949663 复制 点击这里给我发消息 QQ:2719079875 复制

电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
BD376
NXP/恩智浦
2024
20000
TO-126
原装现货上海库存,欢迎咨询
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
BD376
NXP/恩智浦
21+
18500
TO-126
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1101329890 复制 点击这里给我发消息 QQ:1803862608 复制

电话:0755-82789296
联系人:朱先生/公司可以开13%的税
地址:深圳市福田区华强北振兴路华康大厦2栋211室。
BD376
PHI
1545+
12400
TO-126
一级代理原装现货热卖!
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电话:0755-15913992480
联系人:林
地址:深圳市福田区东方时代A2705
BD376
PHL
23+
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火爆销售.全新原装.深圳市场最低价!
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
BD376
NXP/恩智浦
21+
11362
TO-126
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881239445 复制

电话:0755-83264115
联系人:朱生
地址:深圳市福田区华强北赛格科技园4栋中12楼A座
BD376
PHL
12+
10000
TO-126
全新原装,绝对正品,公司现货供应
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2850388359 复制 点击这里给我发消息 QQ:2850388357 复制
电话:0755-83035161
联系人:肖先生
地址:福田区福华路29号京海花园16G(深圳市华美锐科技有限公司)
BD376
122
原装正品!价格优势!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
BD376
√ 欧美㊣品
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8043
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