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注意事项
对于使用
(1)
绝对最大范围
虽然这种产品的质量的严格控制，并且电路的操作的操作环境内保
温度范围内，该装置可以当施加电压或工作温度超过其最大绝对被破坏
投资评级。因为故障模式（例如短路模式或开路模式）不能在这种情况下被识别，则采取是重要
人身安全的措施，例如，如果超出绝对额定值限制一个特定的模式，被认为是实现融合。
地电位
确保为GND引脚的电位总是比所有其他引脚的电势保持较低的，无论操作的
模式，包括瞬态条件。
热设计
提供足够的裕量，在热设计考虑到了允许功耗（ PD）预计在实际使用中。
使用在强电磁场
使用强大的电磁场可能会造成故障。
ASO
请确保该IC的输出晶体管不超过绝对最大额定值或ASO值。
热关断电路
该IC具有内置热关断（ TSD ）电路。当芯片温度达到阈值温度
如下图所示，输出变为截止（断开）状态。注意，在TSD电路被设计用来关闭该IC中
不正常的散热条件。这并不意味着在极热时，保护IC本身或保证性能。
因此， TSD电路不应采用与继续使用或期望后续操作一次是TSD
操作。
TSD温度[ ℃ ]
175
(7)
（典型值）。
迟滞温度[ ℃ ]
15
（典型值）。
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
GND模式
当这两个小信号GND和高电流GND都存在，单点接地（在设定的基准点）是否
推荐，以分离的小信号和大电流模式，并以一定的电压变化而产生
布线电阻和高的电流不会导致在小信号GND任何电压变化。以同样的方式，护理绝
要注意避免在任何连接的外部组件GND布线图案的波动。
（ 8 ）输出电容（ C1 ）
安装了稳定的目的VREF和GND之间的输出电容。在VREF输出电容器是用于开环增益
相位补偿。如果电容值不够大，输出电压有可能发生振荡。陶瓷1.0 - 10uF的电容
以最小的易感性的温度，推荐。但是，这种稳定取决于温度的特性
并加载。请确认在各种温度和负载条件下的操作。
（ 9 ）输出电容（ C4 ）
安装了稳定的目的VTT和GND之间的输出电容。输出电容为开环增益相位
补偿和降低输出电压的负载调整率。如果电容值不足够大时，输出电压可
振荡。如果等效串联电阻（ESR ）过大时，在突然的负载输出电压的上升/下降的增加
改变。 A 47 - 聚合物的220uF电容建议。然而，稳定性取决于温度的特性
和负载条件。如果一个小的ESR电容器如陶瓷电容器被采用时，输出电压会发生振荡，因
缺乏相位裕度。在这种情况下，可以采取通过加入串联这个电容器的电阻的措施。请确认
在各种温度和负载条件下的操作。
（10）的输入电容（C2 ， C3）的
输入电容减小了电压源串联连接在VCC和VTT_IN的输出阻抗。如果输出
这种电源的增加阻抗，输入电压（VCC ， VTT_IN ）可能会变得不稳定。这可能导致输出
电压波动或降低纹波抑制。低ESR 1uF的电容VCC和10μF的电容VTT_IN最小
易感性的温度是优选的，但稳定性取决于电源特性和基板布线
图案（寄生电容和阻抗） 。请确认在各种温度和负载条件下的操作。
（ 11 ）输入
△ Vcc时，
VDDQ ， VTT_IN ， EN ）
在VCC ， VDDQ， VTT_IN和EN隔离。欠压锁定功能集成，以保护误动作，由于低电压
VCC的电平。 VTT输出电压开始上升，当VCC达到UVLO阈值水平和EN达到阈值电平
分别不论这些投入的启动顺序。也VREF输出电压开始上升时， VCC到达
UVLO门限电平。当VDDQ和VTT_IN具有相同的电压并且都应该相互连接， VDDQ销
电压可能因引起的VTT_IN输入电流变化的VTT_IN和VDDQ的公共布线的电压降。
这可能会导致VTT输出的电压变化。避免VDDQ和VTT_IN绘制布线图，以便它们不
有共同的接线。如果公共布线是不可避免由于有限的PCB面积，则建议CR滤波器被添加
之间VTT_IN和VDDQ 。
（ 12 ） VTTS
VTTS是提高VTT输出的负载调整率。为了获得精确的负载调节， VTTS是连接附近VTT避免
公共阻抗。
（例）
（ 13 ）请添加一个保护二极管，当一个大电感元件
输出引脚
连接到所述输出端和反向极性功率有可能在
启动时或在输出OFF状态。
版本B
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