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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
BD313
描述
优秀
安全工作区
ΔDC
电流增益-H
FE
= 25(Min.)@I
C
= 4A
-collector极 - 发射极
饱和电压 -
: V
CE（ SAT
） = 1.0 V（最大值） @我
C
= 5A
.Complement
到类型BD314
应用
·设计
对于高品质的放大器工作频率高达60瓦特
到4欧姆负载。
绝对最大额定值（T
a
=25℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流连续
集电极耗散功率@ T
C
=25℃
结温
储存温度
价值
80
80
5
10
20
4
115
200
-65~200
单位
V
V
V
A
A
A
W
℃
℃
P
C
T
J
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻，结到外壳
最大
1.52
单位
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
1
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
BD313
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 200毫安;我
B
=0
80
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
= 0.5A
B
1.0
V
V
BE
（SAT）
基射极饱和电压
I
C
= 5A ;我
B
= 0.5A
B
1.8
V
V
BE （
on
)
I
CBO
基射极电压上
I
C
= 4A ; V
CE
= 4V
1.5
V
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 80V ;我
B
=0
B
1.0
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
V
EB
= 7.0V ;我
C
=0
1.0
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 4A ; V
CE
= 4V
25
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 10A ; V
CE
= 4V
5
f
T
电流增益带宽积
I
C
= 0.5A ; V
CE
= 10V ; F = 1.0MHz的
4
兆赫
ISC的网站： www.iscsemi.cn
2
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供货商
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批号
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