1.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2.0%.
2. f
T
= h
fe
f
TEST
动态特性
基本特征
（注1 ）
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
小信号电流增益
(I
C
= 0.5 ADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫）
电流增益
带宽积（注2 ）
(I
C
= 500 MADC ，V
CE
= 10 VDC ，女
TEST
= 1.0兆赫）
基射极电压ON
(I
C
= 6.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 6.0 ADC ，我
B
= 1.0 ADC）
直流电流增益
(I
C
= 0.3 ADC ，V
CE
= 4.0伏）
(I
C
= 3.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏）
发射Cuto FF电流
(V
BE
= 5.0伏，我
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 80伏，V
EB
= 0)
(V
CE
= 100伏，V
EB
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 60 VDC ，我
B
= 0)
集电极 - 发射极耐受电压（注1 ）
(I
C
= 30 MADC ，我
B
= 0)
BD243B ， BD243C （ NPN ） BD244B ， BD244C （ PNP ）
特征
PD ，功耗（瓦）
20
40
60
80
0
0
20
BD243B ， BD243C ， BD244B ， BD244C
40
图1.功率降额
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60
80
100
120
T
C
，外壳温度（ ° C）
BD243B ， BD244B
BD243C ， BD244C
BD243B ， BD244B
BD243C ， BD244C
140
V
CEO （ SUS ）
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
I
首席执行官
I
EBO
I
CES
h
FE
h
fe
f
T
160
民
80
100
3.0
20
30
15
最大
400
400
2.0
1.5
1.0
0.7
MADC
MADC
MADC
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
2
BD243B ， BD243C （ NPN ） BD244B ， BD244C （ PNP ）
V
CC
- 30 V
25
ms
+ 11 V
0
- 9.0 V
t
r
, t
f
v
10纳秒
占空比= 1.0 ％
51
-4V
D
1
必须快速恢复型如。
1N5825上面使用我
B
[
百毫安
MSD6100下使用我
B
[
百毫安
R
B
D
1
R
C
T， TIME （
μ
s)
范围
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.06
T
J
= 25°C
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
t
r
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 5.0 V
R
B
和R
C
变化，以获得所需的电流水平
0.1
1.0
0.2
0.4 0.6
2.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
4.0
6.0
图2.开关时间测试电路
图3.开启时间
R（T ）有效的瞬变
热电阻（标准化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
D = 0.5
0.2
0.1
P
（ PK）
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
0.05
0.02
R
QJC （最大）
= 1.92 ° C / W
t
1
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
- T
C
= P
（ PK）
R
QJC （T ）
0.01
单脉冲
t
2
单身
脉冲
占空比D = T
1
/t
2
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
10
吨，时间或脉冲宽度（毫秒）
20
30
50
100
200 300
500
1000
图4.热响应
10
5.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
3.0
2.0
T
J
= 150°C
二次击穿有限公司
键合丝有限公司
散热的限制， @ T
C
= 25°C
曲线适用于低于额定V
首席执行官
BD243B ， BD244B
BD243C ， BD244C
40
80
10
20
60
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
100
1.0
ms
5.0毫秒
0.5毫秒
1.0
0.5
0.3
0.2
0.1
5.0
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作，也就是，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图5的数据是基于T
J（下PK）
= 150_C ：T已
C
is
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
v
150°C ，T
J（下PK）
可以从在数据计算
图4.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
图5.活动区的安全工作区
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3
BD243B ， BD243C （ NPN ） BD244B ， BD244C （ PNP ）
5.0
3.0
2.0
1.0
T， TIME （
μ
s)
0.7
0.5
0.3
0.2
t
f
0.1
0.07
0.05
0.06
t
s
T
J
= 25°C
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
300
T
J
= 25°C
200
电容（pF）
C
ib
100
70
C
ob
50
0.1
1.0
0.2
0.4 0.6
2.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
4.0 6.0
30
0.5
1.0
2.0 3.0
5.0
10
20
V
R
，反向电压（伏）
30
50
图6.开启，关闭时间
图7.电容
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
500
300
200
的hFE ， DC电流增益
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
0.06
V
CE
= 2.0 V
T
J
= 150°C
2.0
T
J
= 25°C
1.6
I
C
= 1.0 A
1.2
2.5 A
5.0 A
25°C
0.8
- 55°C
0.4
0.1
0.2 0.3 0.4 0.6
1.0
2.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
4.0
6.0
0
10
20
30
50
100
200 300
I
B
，基极电流（毫安）
500
1000
图8.直流电流增益
图9.集电极饱和区
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
2.0
T
J
= 25°C
1.6
V，电压（V ）
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
+ 2.5
+ 2.0
+ 1.5
+ 1.0
+ 25 ° C至+ 150°C
+ 0.5
0
- 0.5
- 1.0
- 1.5
- 2.0
- 2.5
0.06
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
q
VB
对于V
BE
+ 25 ° C至+ 150°C
- 55 ° C至+ 25°C
2.0 3.0 0.4
0.6
*q
VC
对于V
CE （ SAT ）
- 55 ° C至+ 25°C
*适用于我
C
/I
B
≤
5.0
1.2
0.8
V
BE
@ V
CE
= 4.0 V
0.4
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.06
0.1
0.2
0.3 0.4 0.6
1.0
2.0 3.0 4.0
6.0
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
I
C
，集电极电流（ AMP ）
图10. “开”电压
图11.温度系数
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4
BD243B ， BD243C （ NPN ） BD244B ， BD244C （ PNP ）
10
3
V
CE
= 30 V
IC ，集电极电流（
μ
A)
10
2
T
J
= 150°C
10
1
10
0
10
-1
10
- 2
I
C
= I
CES
反向
前锋
100°C
25°C
RBE ，外部基极 - 发射极电阻（ OHM
10
M
V
CE
= 30 V
1.0
M
100
k
I
C
≈
I
CES
I
C
= 10 ×1
CES
I
C
= 2×我
CES
10
k
1.0
k
0.1
k
20
40
60
（典型I
CES
值
购自图12）
80
100
120
140
160
10
- 3
- 0.3 - 0.2 - 0.1
0
+ 0.1 + 0.2 + 0.3
+ 0.4 + 0.5 + 0.6 + 0.7
V
BE
，基极发射极电压（伏）
T
J
，结温（ ° C）
图12.集电极截止区
图13.影响基射极电阻
订购信息
设备
BD243B
BD243BG
BD243C
BD243CG
BD244B
BD244BG
BD244C
BD244CG
包
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
TO220
TO220
（无铅）
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
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5
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