BD243B ， BD243C * （ NPN ）
BD244B ， BD244C * （ PNP ）
BD243C和BD244C的首选设备
其他芯片
塑料功率晶体管
这些器件设计用于通用放大器使用，
开关应用。
特点
http://onsemi.com
集电极 - 发射极饱和电压 -
V
CE （ SAT ）
= 1.5伏（最大） @我
C
= 6.0 ADC
集电极发射极耐受电压 -
V
CEO （ SUS ）
= 80伏直流（最小值） - BD243B ， BD244B
= 100伏直流（最小值） - BD243C ， BD244C
高电流增益带宽积
f
T
= 3.0兆赫（最小值） @我
C
= 500 MADC
无铅包可用*
6安培
功率晶体管
其他芯片
80-100伏
65 WATTS
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
BD243B ， BD244B
BD243C ， BD244C
集电极 - 基极电压
BD243B ， BD244B
BD243C ， BD244C
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
- 连续
- 山顶
V
EB
I
C
I
B
P
D
T
J
, T
英镑
符号
V
首席执行官
80
100
V
CB
80
100
5.0
6
10
2.0
65
0.52
-65到+150
VDC
ADC
ADC
W
W / ℃，
°C
VDC
价值
单位
VDC
1
2
TO-220AB
CASE 221A -09
风格1
3
标记图
BD24xyG
AY WW
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
QJC
最大
1.92
单位
° C / W
BD24xy =
器件代码
X = 3或4的
Y = B或C
大会地点
YEAR
工作周
无铅封装
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
A
Y
WW
G
=
=
=
=
订购信息
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
1
2007年11月 - 12牧师
出版订单号：
BD243B/D
1.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2.0%.
2. f
T
= h
fe
f
TEST
动态特性
基本特征
（注1 ）
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
小信号电流增益
(I
C
= 0.5 ADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫）
电流增益 - 带宽积（注2 ）
(I
C
= 500 MADC ，V
CE
= 10 VDC ，女
TEST
= 1.0兆赫）
基射极电压上
(I
C
= 6.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 6.0 ADC ，我
B
= 1.0 ADC）
直流电流增益
(I
C
= 0.3 ADC ，V
CE
= 4.0伏）
(I
C
= 3.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏）
发射Cuto FF电流
(V
BE
= 5.0伏，我
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 80伏，V
EB
= 0)
(V
CE
= 100伏，V
EB
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 60 VDC ，我
B
= 0)
集电极 - 发射极耐受电压（注1 ）
(I
C
= 30 MADC ，我
B
= 0)
BD243B ， BD243C * （ NPN ） BD244B ， BD244C * （ PNP ）
特征
PD ，功耗（瓦）
20
40
60
80
0
0
20
BD243B ， BD243C ， BD244B ， BD244C
40
图1.功率降额
http://onsemi.com
60
80
100
120
T
C
，外壳温度（ ° C）
BD243B ， BD244B
BD243C ， BD244C
BD243B ， BD244B
BD243C ， BD244C
140
V
CEO （ SUS ）
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
I
首席执行官
I
EBO
I
CES
h
FE
h
fe
f
T
160
民
80
100
3.0
20
30
15
-
-
-
-
-
-
最大
400
400
2.0
1.5
1.0
0.7
-
-
-
-
-
-
MADC
MADC
MADC
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
-
-
2
BD243B ， BD243C * （ NPN ） BD244B ， BD244C * （ PNP ）
V
CC
- 30 V
25
ms
+ 11 V
0
- 9.0 V
t
r
, t
f
v
10纳秒
占空比= 1.0 ％
51
-4V
D
1
必须快速恢复型如。
1N5825上面使用我
B
[
百毫安
MSD6100下使用我
B
[
百毫安
R
B
D
1
R
C
T， TIME （
μ
s)
范围
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.06
T
J
= 25°C
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
t
r
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 5.0 V
R
B
和R
C
变化，以获得所需的电流水平
0.1
0.2
0.4 0.6
1.0
2.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
4.0
6.0
图2.开关时间测试电路
图3.开启时间
R（T ）有效的瞬变
热电阻（标准化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
t
1
0.01
单脉冲
t
2
单身
脉冲
P
（ PK）
R
QJC （最大）
= 1.92 ° C / W
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
- T
C
= P
（ PK）
R
QJC （T ）
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
占空比D = T
1
/t
2
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
10
吨，时间或脉冲宽度（毫秒）
20
30
50
100
200 300
500
1000
图4.热响应
10
5.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
3.0
1.0
ms
T
J
= 150°C
二次击穿有限公司
键合丝有限公司
散热的限制， @ T
C
= 25°C
曲线适用于低于额定V
首席执行官
BD243B ， BD244B
BD243C ， BD244C
40
80
10
20
60
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
100
5.0毫秒
2.0
0.5毫秒
1.0
0.5
0.3
0.2
0.1
5.0
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
- V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作，也就是，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图5的数据是基于T
J（下PK）
= 150_C ：T已
C
is
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
v
150°C ，T
J（下PK）
可以从在数据计算
图4.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
图5.活动区的安全工作区
http://onsemi.com
3
BD243B ， BD243C * （ NPN ） BD244B ， BD244C * （ PNP ）
5.0
3.0
2.0
1.0
T， TIME （
μ
s)
0.7
0.5
0.3
0.2
t
f
0.1
0.07
0.05
0.06
t
s
T
J
= 25°C
V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
300
T
J
= 25°C
200
电容（pF）
C
ib
100
70
C
ob
50
0.1
1.0
0.2
0.4 0.6
2.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
4.0 6.0
30
0.5
1.0
2.0 3.0
5.0
10
V
R
，反向电压（伏）
20
30
50
图6.开启，关闭时间
图7.电容
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
500
300
200
的hFE ， DC电流增益
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
0.06
V
CE
= 2.0 V
T
J
= 150°C
2.0
T
J
= 25°C
1.6
I
C
= 1.0 A
1.2
2.5 A
5.0 A
25°C
0.8
- 55°C
0.4
0.1
0.2 0.3 0.4 0.6
1.0
2.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
4.0
6.0
0
10
20
30
50
100
200 300
I
B
，基极电流（毫安）
500
1000
图8.直流电流增益
图9.集电极饱和区
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
2.0
T
J
= 25°C
1.6
V，电压（V ）
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
+ 2.5
+ 2.0
+ 1.5
+ 1.0
+ 25 ° C至+ 150°C
+ 0.5
0
- 0.5
- 1.0
- 1.5
- 2.0
- 2.5
0.06
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
q
VB
对于V
BE
+ 25 ° C至+ 150°C
- 55 ° C至+ 25°C
2.0 3.0 0.4
0.6
*q
VC
对于V
CE （ SAT ）
- 55 ° C至+ 25°C
*适用于我
C
/I
B
≤
5.0
1.2
0.8
V
BE
@ V
CE
= 4.0 V
0.4
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.06
0.1
0.2
0.3 0.4 0.6
1.0
2.0 3.0 4.0
6.0
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
I
C
，集电极电流（ AMP ）
图10. “开”电压
图11.温度系数
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4
BD243B ， BD243C * （ NPN ） BD244B ， BD244C * （ PNP ）
10
3
V
CE
= 30 V
IC ，集电极电流（
μ
A)
10
2
T
J
= 150°C
10
1
10
0
10
-1
10
- 2
I
C
= I
CES
反向
前锋
100°C
25°C
RBE ，外部基极 - 发射极电阻（ OHM
10
M
V
CE
= 30 V
1.0
M
100
k
10
k
1.0
k
0.1
k
20
40
60
80
100
120
140
160
T
J
，结温（ ° C）
I
C
≈
I
CES
I
C
= 10 ×1
CES
I
C
= 2×我
CES
（典型I
CES
值
购自图12）
10
- 3
- 0.3 - 0.2 - 0.1
0
+ 0.1 + 0.2 + 0.3
+ 0.4 + 0.5 + 0.6 + 0.7
V
BE
，基极发射极电压（伏）
图12.集电极截止区
图13.影响基射极电阻
订购信息
设备
BD243B
BD243BG
BD243C
BD243CG
BD244B
BD244BG
BD244C
BD244CG
包
TO-220
TO-220
（无铅）
TO-220
TO-220
（无铅）
TO-220
TO-220
（无铅）
TO-220
TO-220
（无铅）
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
50单位/铁
航运
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
5
BD244 ， BD244A ， BD244B ， BD244C
PNP硅功率晶体管
版权所有 1997年，创新动力有限公司， UK
1973年6月 - 修订1997年3月
q
专为配套使用的
BD243系列
65瓦，在25 ° C的温度
6的连续集电极电流
10 A集电极电流峰值
提供客户指定的选择
B
C
E
q
q
q
q
的TO-220封装
（ TOP VIEW ）
1
2
3
销2与安装底座的电接触。
MDTRACA
绝对最大额定值
在25℃的情况下的温度（除非另有说明）
等级
BD244
集电极 - 发射极电压（R
BE
= 100
)
BD244A
BD244B
BD244C
BD244
集电极 - 发射极电压（I
C
= -30毫安）
BD244A
BD244B
BD244C
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流（见注1 ）
连续基极电流
连续器件耗散（或低于） 25 ℃的外壳温度（见注2 ）
在（或低于） 25℃自由空气温度连续设备损耗（见注3 ）
非钳位电感负载的能量（见注4 ）
工作结温范围
存储温度范围
从案例铅温度3.2毫米10秒
注：1 。
2.
3.
4.
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
P
合计
½LI
C
T
j
T
英镑
T
L
2
符号
价值
-55
-70
-90
-115
-45
-60
-80
-100
-5
-6
-10
-3
65
2
62.5
-65到+150
-65到+150
250
单位
V
CER
V
V
首席执行官
V
V
A
A
A
W
W
mJ
°C
°C
°C
该值适用于吨
p
≤
0.3毫秒，占空比
≤
10%.
降额直线到150℃情况下，温度保持在0.52的比率W / ℃。
线性降额至150℃自由空气温度为16毫瓦/ ℃的速率。
此评价是基于晶体管的能力在一个电路安全地操作：L = 20毫亨，我
B（上）
= -0.4 A，R
BE
= 100
,
V
BE （OFF）的
= 0, R
S
= 0.1
,
V
CC
= -20 V.
产品
信息
信息为出版日期。产品符合根据规格
随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
1
BD244 ， BD244A ， BD244B ， BD244C
PNP硅功率晶体管
1973年6月 - 修订1997年3月
在25℃的情况下温度的电特性
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
测试条件
BD244
V
（ BR ） CEO
I
C
= -30毫安
（见注5 ）
V
CE
= -55 V
I
CES
集电极 - 发射极
截止电流
集电极截止
当前
发射极截止
当前
正向电流
传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
电压
小信号转发
电流传输比
小信号转发
电流传输比
V
CE
= -70 V
V
CE
= -90 V
V
CE
= -115 V
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE
h
fe
V
CE
= -30 V
V
CE
= -60 V
V
EB
=
V
CE
=
V
CE
=
I
B
=
V
CE
=
-5 V
-4 V
-4 V
-1 A
-4 V
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
C
= 0
I
C
= -0.3 A
I
C
=
I
C
=
I
C
=
-3 A
-6 A
-6 A
（见注5和6）
（见注5和6）
（见注5和6）
F = 1千赫
F = 1 MHz的
20
3
30
15
-1.5
-2
V
V
I
B
= 0
BD244A
BD244B
BD244C
BD244
BD244A
BD244B
BD244C
BD244/244A
BD244B/244C
民
-45
-60
-80
-100
-0.4
-0.4
-0.4
-0.4
-0.7
-0.7
-1
mA
mA
mA
V
典型值
最大
单位
V
CE
= -10 V
V
CE
= -10 V
I
C
= -0.5 A
I
C
= -0.5 A
|
h
fe
|
注： 5。这些参数必须使用脉冲技术进行测量，T
p
= 300微秒，占空比
≤
2%.
6.这些参数必须使用电压感测接触，分开的载流触点来测量。
热特性
参数
R
θ
JC
R
θ
JA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
民
典型值
最大
1.92
62.5
单位
° C / W
° C / W
在25℃的情况下温度的电阻负载开关特性
参数
t
on
t
关闭
测试条件
I
C
= -1 A
V
BE （OFF）的
= 3.7 V
I
B（上）
= -0.1 A
R
L
= 20
民
I
B（关闭）
= 0.1 A
t
p
= 20微秒，直流
≤
2%
典型值
0.3
1
最大
单位
s
s
开启时间
打开-O FF时间
显示电压和电流值是名义;精确值与晶体管的参数略有不同。
产品
信息
2
BD244 ， BD244A ， BD244B ， BD244C
PNP硅功率晶体管
1973年6月 - 修订1997年3月
典型特征
典型的直流电流增益
vs
集电极电流
V
CE
= -4 V
T
C
= 25°C
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
V
CE （ SAT ）
- 集电极 - 发射极饱和电压 - V
1000
TCS634AH
集电极 - 发射极饱和电压
vs
基极电流
-10
TCS634AE
I
C
= -300毫安
I
C
= -1 A
I
C
= -3 A
I
C
= -6 A
-1·0
h
FE
- 直流电流增益
100
10
-0·1
1·0
-0·1
-1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
-10
-0·01
-0·001
-0·01
-0·1
I
B
- 基极电流 - 一个
-1·0
-10
图1 。
图2中。
基射极电压
vs
集电极电流
-1·2
V
CE
= -4 V
T
C
= 25°C
V
BE
- 基射极电压 - V
-1·1
TCS634AF
-1·0
-0·9
-0·8
-0·7
-0·6
-0·1
-1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
-10
网络连接gure 3 。
产品
信息
3
BD244 ， BD244A ， BD244B ， BD244C
PNP硅功率晶体管
1973年6月 - 修订1997年3月
最大安全工作区
最大正向偏置
安全工作区
-100
SAS634AD
I
C
- 集电极电流 - 一个
-10
t
p
= 300微秒峰，d = 0.1 = 10％
t
p
= 1毫秒， D = 0.1 = 10 ％
t
p
= 10毫秒峰，d = 0.1 = 10％
直流操作
-1·0
-0·1
BD244
BD244A
BD244B
BD244C
-10
-100
-1000
-0·01
-1·0
V
CE
- 集电极 - 发射极电压 - V
图4中。
热信息
最大功率耗散
vs
外壳温度
80
P
合计
- 最大功耗 - W
70
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度 - C
TIS633AB
图5中。
产品
信息
4
BD244 ， BD244A ， BD244B ， BD244C
PNP硅功率晶体管
1973年6月 - 修订1997年3月
机械数据
TO-220
3 - pin塑料法兰安装型封装
此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的
化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形，并且电路的性能
当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的
在钎焊组件中使用时，清洗或处理。
TO220
4,70
4,20
3,96
3,71
10,4
10,0
2,95
2,54
6,6
6,0
15,90
14,55
1,32
1,23
见注释B
另请注意：C
6,1
3,5
0,97
0,61
1
2
3
1,70
1,07
14,1
12,7
2,74
2,34
5,28
4,88
2,90
2,40
0,64
0,41
第1版
第2版
以毫米为单位所有长度
注：A。该中心引脚与安装标签的电接触。
B.根据包的版本安装标签角落的个人资料。
据包版本C.典型固定孔中心站开高。
第1版18.0毫米。版本2 17.6毫米。
MDXXBE
产品
信息
5
集电极 - 发射极饱和电压 -
VCE （SAT） = 1.5伏（最大） @ IC = 6.0 ADC
集电极发射极耐受电压 -
VCEO （SUS ）= 80伏直流（最小值） - BD243B ， BD244B
VCEO （ SUS）
= 100伏直流（最小值） - BD243C ， BD244C
高电流增益带宽积
FT = 3.0兆赫（最小值） @ IC = 500 MADC
紧凑的TO-220 AB包
。 。 。设计用于在通用放大器和开关应用中使用。
热特性
最大额定值
热阻，结到外壳
工作和存储结
温度范围
器件总功耗
@ T = 25
_
C
减免上述25
_
C
基极电流
连续集电极电流 -
PEAK
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
特征
等级
80
符号
TJ ， TSTG
VCEO
VCB
VEB
PD
IC
IB
符号
R
θJC
BD243B
BD244B
80
80
- 65至+ 150
65
0.52
2.0
5.0
6
10
1.92
最大
BD243C
BD244C
100
100
瓦
W/
_
C
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
互补硅塑料
功率晶体管
半导体技术资料
摩托罗拉
第七版
PD ，功耗（瓦）
20
40
60
0
0
20
40
图1.功率降额
60
80
100
120
TC ，外壳温度（ ° C）
_
C / W
单位
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
单位
_
C
140
160
6安培
功率晶体管
补充
硅
80 - 100伏
65 WATTS
BD243B
BD243C*
PNP
BD244B
BD244C*
*摩托罗拉的首选设备
CASE 221A -06
TO–220AB
订购此文件
通过BD243B / D
NPN
1
BD243B BD243C BD244B BD244C
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
（2）的fT = HFE
FTEST
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
动态特性
基本特征（ 1 ）
小信号电流增益
（ IC = 0.5 ADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
电流增益 - 带宽积（ 2 ）
（ IC = 500 MADC ， VCE = 10 VDC ， FTEST = 1.0兆赫）
基射极电压ON
（ IC = 6.0 ADC ， VCE = 4.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 6.0 ADC ， IB = 1.0 ADC ）
直流电流增益
（ IC = 0.3 ADC ， VCE = 4.0 V直流）
（ IC = 3.0 ADC ， VCE = 4.0 V直流）
发射Cuto FF电流
（ VBE = 5.0伏， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 80伏直流电， VEB = 0 ）
（ VCE = 100伏， VEB = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 60 VDC ， IB = 0 ）
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）
（ IC = 30 MADC ， IB = 0 ）
2
+ 11 V
TR ， TF 10纳秒
占空比= 1.0 ％
25
s
v
300
s,
占空比
v
2.0%.
特征
VCC
– 30 V
RC
BD243B ， BD243C ， BD244B ， BD244C
范围
T， TIME （
s)
0
– 9.0 V
Rb和Rc变化，以获得期望的电流电平
D1必须是快恢复如。
1N5825上面使用IB百毫安
MSD6100下使用IB 100毫安
图2.开关时间测试电路
v
51
RB
–4V
D1
[
[
BD243B ， BD244B
BD243C ， BD244C
BD243B ， BD244B
BD243C ， BD244C
0.03
0.02
0.06
0.1
0.07
0.05
0.3
0.2
0.7
0.5
1.0
2.0
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
0.1
VCEO （ SUS）
tr
VCE （ SAT ）
VBE （ON）的
符号
1.0
0.2
0.4 0.6
2.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
ICEO
IEBO
冰
的hFE
的hFE
fT
民
80
100
3.0
20
30
15
—
—
—
—
—
—
TJ = 25°C
VCC = 30 V
IC / IB = 10
最大
400
400
2.0
1.5
1.0
0.7
—
—
—
—
—
—
图3.开启时间
TD @ VBE （关闭） = 5.0 V
4.0
VDC
VDC
VDC
—
—
MADC
MADC
μAdc
兆赫
单位
6.0
BD243B BD243C BD244B BD244C
R（T ）有效的瞬变
热电阻（标准化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
0.01
0.05
0.02
t1
单脉冲
t2
单身
脉冲
P（ PK）
R
θJC （最大值）
= 1.92 ° C / W
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）R
θJC （T ）
D = 0.5
0.2
占空比D = T1 / T2
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
10
吨，时间或脉冲宽度（毫秒）
20
30
50
100
200 300
500
1000
图4.热响应
10
5.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
3.0
2.0
TJ = 150℃
1.0
0.5
0.3
0.2
0.1
5.0
二次击穿有限公司
键合丝有限公司
散热的限制， @ TC = 25°C
曲线适用于低于额定VCEO
BD243B ， BD244B
BD243C ， BD244C
10
20
60
40
80
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
100
1.0
ms
5.0毫秒
0.5毫秒
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二突破性
下来。安全工作区曲线表明IC - VCE的限制
必须可靠运行被观察的晶体管，
即，晶体管不能承受较大的耗散
灰比的曲线表示。
图5的数据是基于TJ （峰） = 150
_
C：是TC
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比为10％的规定TJ （ PK）
150
_
C， TJ （ pk）的可从图 - 的数据计算
URE 4.在高温度的情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
v
图5.活动区的安全工作区
5.0
3.0
2.0
1.0
T， TIME （
s)
0.7
0.5
0.3
0.2
tf
0.1
0.07
0.05
0.06
ts
TJ = 25°C
VCC = 30 V
IC / IB = 10
IB1 = IB2
300
TJ = 25°C
200
电容（pF）
兴业银行
100
70
COB
50
0.1
1.0
0.2
0.4 0.6
2.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
4.0 6.0
30
0.5
1.0
2.0 3.0
5.0
10
20
VR ，反向电压（伏）
30
50
图6.开启，关闭时间
图7.电容
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
BD243B BD243C BD244B BD244C
500
300
200
的hFE ， DC电流增益
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
0.06
VCE = 2.0 V
TJ = 150℃
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
2.0
TJ = 25°C
1.6
IC = 1.0
1.2
2.5 A
5.0 A
25°C
0.8
– 55°C
0.4
0.1
0.2 0.3 0.4 0.6
1.0
2.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
4.0
6.0
0
10
20
30
50
100
200 300
IB ，基极电流（毫安）
500
1000
图8.直流电流增益
图9.集电极饱和区
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
2.0
TJ = 25°C
1.6
V，电压（V ）
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
+ 2.5
+ 2.0
+ 1.5
+ 1.0
+ 25 ° C至+ 150°C
+ 0.5
0
– 0.5
– 1.0
– 1.5
– 2.0
– 2.5
0.06
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
θ
VB的VBE
+ 25 ° C至+ 150°C
- 55 °C至+ 25°C
2.0 3.0 0.4
0.6
* θVC FOR VCE （SAT）
- 55 °C至+ 25°C
*适用于IC / IB
≤
5.0
1.2
0.8
VBE @ VCE = 4.0 V
0.4
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
0
0.06
0.1
0.2
0.3 0.4 0.6
1.0
2.0 3.0 4.0
6.0
IC ，集电极电流（ AMPS ）
IC ，集电极电流（ AMP ）
图10. “开”电压
图11.温度系数
103
VCE = 30 V
IC ，集电极电流（
A)
102
TJ = 150℃
101
100
10–1
10– 2
IC = ICES
反向
前锋
100°C
25°C
RBE ，外部基极发射极电阻（欧姆）
10M
VCE = 30 V
1.0M
100k
10k
1.0k
0.1k
20
40
60
80
100
120
140
160
TJ ，结温（ ° C）
IC
≈
冰
IC = 10× ICES
IC = 2× ICES
（典型ICES VALUES
购自图12）
10– 3
– 0.3 – 0.2 – 0.1
0
+ 0.1 + 0.2 + 0.3
+ 0.4 + 0.5 + 0.6 + 0.7
VBE ，基极发射极电压（伏）
图12.集电极截止区
图13.影响基射极电阻
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
BD243B BD243C BD244B BD244C
包装尺寸
–T–
B
4
座位
飞机
F
T
S
C
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.尺寸Z定义了一个区域，在那里所有
身体和铅的凹凸
允许的。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
英寸
民
最大
0.570
0.620
0.380
0.405
0.160
0.190
0.025
0.035
0.142
0.147
0.095
0.105
0.110
0.155
0.018
0.025
0.500
0.562
0.045
0.060
0.190
0.210
0.100
0.120
0.080
0.110
0.045
0.055
0.235
0.255
0.000
0.050
0.045
–––
–––
0.080
BASE
集热器
辐射源
集热器
MILLIMETERS
民
最大
14.48
15.75
9.66
10.28
4.07
4.82
0.64
0.88
3.61
3.73
2.42
2.66
2.80
3.93
0.46
0.64
12.70
14.27
1.15
1.52
4.83
5.33
2.54
3.04
2.04
2.79
1.15
1.39
5.97
6.47
0.00
1.27
1.15
–––
–––
2.04
Q
1 2 3
A
U
K
H
Z
L
V
G
D
N
R
J
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
CASE 221A -06
TO–220AB
ISSUE
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
5
集电极 - 发射极饱和电压 -
VCE （SAT） = 1.5伏（最大） @ IC = 6.0 ADC
集电极发射极耐受电压 -
VCEO （SUS ）= 80伏直流（最小值） - BD243B ， BD244B
VCEO （ SUS）
= 100伏直流（最小值） - BD243C ， BD244C
高电流增益带宽积
FT = 3.0兆赫（最小值） @ IC = 500 MADC
紧凑的TO-220 AB包
。 。 。设计用于在通用放大器和开关应用中使用。
热特性
最大额定值
热阻，结到外壳
工作和存储结
温度范围
器件总功耗
@ T = 25
_
C
减免上述25
_
C
基极电流
连续集电极电流 -
PEAK
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
特征
等级
80
符号
TJ ， TSTG
VCEO
VCB
VEB
PD
IC
IB
符号
R
θJC
BD243B
BD244B
80
80
- 65至+ 150
65
0.52
2.0
5.0
6
10
1.92
最大
BD243C
BD244C
100
100
瓦
W/
_
C
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
互补硅塑料
功率晶体管
半导体技术资料
摩托罗拉
第七版
PD ，功耗（瓦）
20
40
60
0
0
20
40
图1.功率降额
60
80
100
120
TC ，外壳温度（ ° C）
_
C / W
单位
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
单位
_
C
140
160
6安培
功率晶体管
补充
硅
80 - 100伏
65 WATTS
BD243B
BD243C*
PNP
BD244B
BD244C*
*摩托罗拉的首选设备
CASE 221A -06
TO–220AB
订购此文件
通过BD243B / D
NPN
1
BD243B BD243C BD244B BD244C
（ 1 ）脉冲测试：脉冲宽度
（2）的fT = HFE
FTEST
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
动态特性
基本特征（ 1 ）
小信号电流增益
（ IC = 0.5 ADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
电流增益 - 带宽积（ 2 ）
（ IC = 500 MADC ， VCE = 10 VDC ， FTEST = 1.0兆赫）
基射极电压ON
（ IC = 6.0 ADC ， VCE = 4.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 6.0 ADC ， IB = 1.0 ADC ）
直流电流增益
（ IC = 0.3 ADC ， VCE = 4.0 V直流）
（ IC = 3.0 ADC ， VCE = 4.0 V直流）
发射Cuto FF电流
（ VBE = 5.0伏， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 80伏直流电， VEB = 0 ）
（ VCE = 100伏， VEB = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 60 VDC ， IB = 0 ）
集电极 - 发射极耐受电压（ 1 ）
（ IC = 30 MADC ， IB = 0 ）
2
+ 11 V
TR ， TF 10纳秒
占空比= 1.0 ％
25
s
v
300
s,
占空比
v
2.0%.
特征
VCC
– 30 V
RC
BD243B ， BD243C ， BD244B ， BD244C
范围
T， TIME （
s)
0
– 9.0 V
Rb和Rc变化，以获得期望的电流电平
D1必须是快恢复如。
1N5825上面使用IB百毫安
MSD6100下使用IB 100毫安
图2.开关时间测试电路
v
51
RB
–4V
D1
[
[
BD243B ， BD244B
BD243C ， BD244C
BD243B ， BD244B
BD243C ， BD244C
0.03
0.02
0.06
0.1
0.07
0.05
0.3
0.2
0.7
0.5
1.0
2.0
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
0.1
VCEO （ SUS）
tr
VCE （ SAT ）
VBE （ON）的
符号
1.0
0.2
0.4 0.6
2.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
ICEO
IEBO
冰
的hFE
的hFE
fT
民
80
100
3.0
20
30
15
—
—
—
—
—
—
TJ = 25°C
VCC = 30 V
IC / IB = 10
最大
400
400
2.0
1.5
1.0
0.7
—
—
—
—
—
—
图3.开启时间
TD @ VBE （关闭） = 5.0 V
4.0
VDC
VDC
VDC
—
—
MADC
MADC
μAdc
兆赫
单位
6.0
BD243B BD243C BD244B BD244C
R（T ）有效的瞬变
热电阻（标准化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
0.01
0.05
0.02
t1
单脉冲
t2
单身
脉冲
P（ PK）
R
θJC （最大值）
= 1.92 ° C / W
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间在T1
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）R
θJC （T ）
D = 0.5
0.2
占空比D = T1 / T2
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
10
吨，时间或脉冲宽度（毫秒）
20
30
50
100
200 300
500
1000
图4.热响应
10
5.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
3.0
2.0
TJ = 150℃
1.0
0.5
0.3
0.2
0.1
5.0
二次击穿有限公司
键合丝有限公司
散热的限制， @ TC = 25°C
曲线适用于低于额定VCEO
BD243B ， BD244B
BD243C ， BD244C
10
20
60
40
80
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
100
1.0
ms
5.0毫秒
0.5毫秒
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二突破性
下来。安全工作区曲线表明IC - VCE的限制
必须可靠运行被观察的晶体管，
即，晶体管不能承受较大的耗散
灰比的曲线表示。
图5的数据是基于TJ （峰） = 150
_
C：是TC
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比为10％的规定TJ （ PK）
150
_
C， TJ （ pk）的可从图 - 的数据计算
URE 4.在高温度的情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
v
图5.活动区的安全工作区
5.0
3.0
2.0
1.0
T， TIME （
s)
0.7
0.5
0.3
0.2
tf
0.1
0.07
0.05
0.06
ts
TJ = 25°C
VCC = 30 V
IC / IB = 10
IB1 = IB2
300
TJ = 25°C
200
电容（pF）
兴业银行
100
70
COB
50
0.1
1.0
0.2
0.4 0.6
2.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
4.0 6.0
30
0.5
1.0
2.0 3.0
5.0
10
20
VR ，反向电压（伏）
30
50
图6.开启，关闭时间
图7.电容
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
BD243B BD243C BD244B BD244C
500
300
200
的hFE ， DC电流增益
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
0.06
VCE = 2.0 V
TJ = 150℃
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
2.0
TJ = 25°C
1.6
IC = 1.0
1.2
2.5 A
5.0 A
25°C
0.8
– 55°C
0.4
0.1
0.2 0.3 0.4 0.6
1.0
2.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
4.0
6.0
0
10
20
30
50
100
200 300
IB ，基极电流（毫安）
500
1000
图8.直流电流增益
图9.集电极饱和区
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
2.0
TJ = 25°C
1.6
V，电压（V ）
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
+ 2.5
+ 2.0
+ 1.5
+ 1.0
+ 25 ° C至+ 150°C
+ 0.5
0
– 0.5
– 1.0
– 1.5
– 2.0
– 2.5
0.06
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
θ
VB的VBE
+ 25 ° C至+ 150°C
- 55 °C至+ 25°C
2.0 3.0 0.4
0.6
* θVC FOR VCE （SAT）
- 55 °C至+ 25°C
*适用于IC / IB
≤
5.0
1.2
0.8
VBE @ VCE = 4.0 V
0.4
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
0
0.06
0.1
0.2
0.3 0.4 0.6
1.0
2.0 3.0 4.0
6.0
IC ，集电极电流（ AMPS ）
IC ，集电极电流（ AMP ）
图10. “开”电压
图11.温度系数
103
VCE = 30 V
IC ，集电极电流（
A)
102
TJ = 150℃
101
100
10–1
10– 2
IC = ICES
反向
前锋
100°C
25°C
RBE ，外部基极发射极电阻（欧姆）
10M
VCE = 30 V
1.0M
100k
10k
1.0k
0.1k
20
40
60
80
100
120
140
160
TJ ，结温（ ° C）
IC
≈
冰
IC = 10× ICES
IC = 2× ICES
（典型ICES VALUES
购自图12）
10– 3
– 0.3 – 0.2 – 0.1
0
+ 0.1 + 0.2 + 0.3
+ 0.4 + 0.5 + 0.6 + 0.7
VBE ，基极发射极电压（伏）
图12.集电极截止区
图13.影响基射极电阻
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
BD243B BD243C BD244B BD244C
包装尺寸
–T–
B
4
座位
飞机
F
T
S
C
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.尺寸Z定义了一个区域，在那里所有
身体和铅的凹凸
允许的。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
英寸
民
最大
0.570
0.620
0.380
0.405
0.160
0.190
0.025
0.035
0.142
0.147
0.095
0.105
0.110
0.155
0.018
0.025
0.500
0.562
0.045
0.060
0.190
0.210
0.100
0.120
0.080
0.110
0.045
0.055
0.235
0.255
0.000
0.050
0.045
–––
–––
0.080
BASE
集热器
辐射源
集热器
MILLIMETERS
民
最大
14.48
15.75
9.66
10.28
4.07
4.82
0.64
0.88
3.61
3.73
2.42
2.66
2.80
3.93
0.46
0.64
12.70
14.27
1.15
1.52
4.83
5.33
2.54
3.04
2.04
2.79
1.15
1.39
5.97
6.47
0.00
1.27
1.15
–––
–––
2.04
Q
1 2 3
A
U
K
H
Z
L
V
G
D
N
R
J
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
CASE 221A -06
TO–220AB
ISSUE
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
5
BD244/A/B/C
BD244/A/B/C
中功率线性和开关
应用
补分别为BD243 ， BD243A ， BD243B和BD243C
1
TO-220
2.Collector
3.Emitter
1.Base
PNP外延硅晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
集电极 - 基极电压
： BD244
： BD244A
： BD244B
： BD244C
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
： BD244
： BD244A
： BD244B
： BD244C
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
*集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散（T
C
=25°C)
结温
储存温度
- 45
- 60
- 80
- 100
- 45
- 60
- 80
- 100
-5
-6
- 10
-2
65
150
- 65 ~ 150
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
参数
价值
单位
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
J
T
英镑
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
（ SUS）的
参数
*集电极发射极耐受电压
： BD244
： BD244A
： BD244B
： BD244C
集电极截止电流
集电极截止电流
： BD244 / 244A
： BD244B / 244C
： BD244
： BD244A
： BD244B
： BD244C
测试条件
I
C
= - 30mA时我
B
= 0
分钟。
- 45
- 60
- 80
- 100
- 0.7
- 0.7
- 0.4
- 0.4
- 0.4
- 0.4
-1
30
15
- 1.5
-2
V
V
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
I
首席执行官
I
CES
V
CE
= - 30V ，我
B
= 0
V
CE
= - 60V ，我
B
= 0
V
CE
= - 45V, V
BE
= 0
V
CE
= - 60V, V
BE
= 0
V
CE
= - 80V, V
BE
= 0
V
CE
= - 100V, V
BE
= 0
V
EB
= - 5V ，我
C
= 0
V
CE
= - 4V ，我
C
= - 0.3A
V
CE
= - 4V ，我
C
= - 3A
I
C
= - 6A ，我
B
= - 1A
V
CE
= - 4V ，我
C
= - 6A
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（上）
发射极截止电流
*直流电流增益
*集电极 - 发射极饱和电压
*基射极电压ON
*脉冲测试： PW = 300μS ，占空比= 2 ％脉冲
2000仙童半导体国际
版本A ， 2000年2月
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
放弃
HiSeC
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QFET
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
UHC
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
国际。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统，其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2000仙童半导体国际
英文内容
BD243B / BD243C / BD244B / BD244C
热数据
R
吨HJ -CA SE
R
吨hj- AMB
热阻结案件
热阻结到环境
最大
最大
1.92
62.5
o
o
C / W
C / W
电气特性
(T
例
= 25
o
C除非另有说明）
SYMB OL
I
CES
I
首席执行官
I
EBO
参数
集电极截止
电流（V
BE
= 0)
集电极截止
电流（I
B
= 0)
发射极截止电流
(I
C
= 0)
测试电导率银行足球比赛s
V
CE
=额定V
首席执行官
V
CE
= 60 V
V
EB
= 5 V
I
C
= 30毫安
为
BD243B/BD244B
为
BD243C/BD244C
I
C
= 6 A
I
C
= 6 A
I
C
= 0.3 A
I
C
= 3 A
I
C
= 0.5 A
I
C
= 0.5 A
I
B
= 1 A
V
CE
= 4 V
V
CE
= 4 V
V
CE
= 4 V
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V
F = 1MHz的
F = 1kHz时
30
15
3
20
分钟。
典型值。
马克斯。
0.4
0.7
1
取消它
mA
mA
mA
V
CEO （ SUS）
集电极 - 发射极
维持电压
(I
B
= 0)
V
CE （SAT）
V
BE
h
F ê
h
fe
集电极 - 发射极
饱和电压
基Emitt器电压
直流电流增益
小信号电流
收益
80
100
1.5
2
V
V
V
V
脉冲：脉冲宽度= 300
s,
占空比
≤
2 %
为PNP型的电压和电流值是负的。
安全工作区
2/4
BD243B / BD243C / BD244B / BD244C
TO- 220机械数据
DIM 。
分钟。
A
C
D
D1
E
F
F1
F2
G
G1
H2
L2
L4
L5
L6
L7
L9
DIA 。
13.0
2.65
15.25
6.2
3.5
3.75
0.49
0.61
1.14
1.14
4.95
2.4
10.0
16.4
14.0
2.95
15.75
6.6
3.93
3.85
0.511
0.104
0.600
0.244
0.137
0.147
4.40
1.23
2.40
1.27
0.70
0.88
1.70
1.70
5.15
2.7
10.40
0.019
0.024
0.044
0.044
0.194
0.094
0.393
0.645
0.551
0.116
0.620
0.260
0.154
0.151
mm
典型值。
马克斯。
4.60
1.32
2.72
分钟。
0.173
0.048
0.094
0.050
0.027
0.034
0.067
0.067
0.203
0.106
0.409
寸
典型值。
马克斯。
0.181
0.051
0.107
P011C
3/4
BD243B / BD243C / BD244B / BD244C
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