BD241A/B/C
BD242A/B/C
互补硅功率晶体管
s
s
意法半导体的优选
SALESTYPES
互补PNP - NPN器件
描述
该BD241A ， BD241B和BD241C是硅
安装在JEDEC的外延基NPN晶体管
TO- 220塑料封装。
他们inteded于中等功率的线性应用
和切换应用程序。
互补PNP类型BD242A ，
BD242B和BD242C分别。
3
1
2
TO-220
内部原理图
绝对最大额定值
符号
参数
NPN
PNP
V
CER
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
P
合计
T
英镑
集电极 - 基极电压（R
BE
= 100
)
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
发射极 - 基极电压（I
C
= 0)
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗在T
c
≤
25 C
总功耗在T
AMB
≤
25 C
储存温度
o
o
价值
BD241A
BD242A
70
60
BD241B
BD242B
90
80
5
3
5
1
40
2
-65到150
BD241C
BD242C
115
100
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
o
C
2000年12月
1/4
BD241A/B/C/BD242A/B/C
提供的资料被认为是准确和可靠。然而，意法半导体承担的后果不承担任何责任
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如有更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。意法半导体的产品
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4/4
BD242 ， BD242A ， BD242B ， BD242C
PNP硅功率晶体管
●
●
●
●
●
专为配套使用的
BD241系列
在25 ° C的温度， 40瓦
3连续集电极电流
5 A峰值集电极电流
提供客户指定的选择
B
C
E
的TO-220封装
（ TOP VIEW ）
1
2
3
销2与安装底座的电接触。
MDTRACA
在25 ℃的情况下绝对最大额定值（除非另有说明）
等级
BD242
集电极 - 发射极电压（R
BE
= 100
)
BD242A
BD242B
BD242C
BD242
集电极 - 发射极电压（I
C
= -30毫安）
BD242A
BD242B
BD242C
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流（见注1 ）
连续基极电流
连续器件耗散（或低于） 25 ℃的外壳温度（见注2 ）
在（或低于） 25℃自由空气温度连续设备损耗（见注3 ）
非钳位电感负载的能量（见注4 ）
工作结温范围
存储温度范围
从案例铅温度3.2毫米10秒
注：1 。
2.
3.
4.
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
P
合计
½LI
C
2
T
j
T
英镑
T
L
V
首席执行官
V
CER
符号
价值
-55
-70
-90
-115
-45
-60
-80
-100
-5
-3
-5
-1
40
2
32
-65到+150
-65到+150
250
V
A
A
A
W
W
mJ
°C
°C
°C
V
V
单位
该值适用于吨
p
≤
0.3毫秒，占空比
≤
10%.
降额直线到150℃的情况下的温度以0.32的比率W / ℃。
线性降额至150℃自由空气温度为16毫瓦/ ℃的速率。
此评价是基于晶体管的能力在一个电路安全地操作：L = 20毫亨，我
B（上）
= -0.4 A，R
BE
= 100
,
V
BE （OFF）的
= 0, R
S
= 0.1
,
V
CC
= -20 V.
1973年6月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
1
BD242 ， BD242A ， BD242B ， BD242C
PNP硅功率晶体管
在25℃的情况下温度的电特性
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
测试条件
BD242
V
（ BR ） CEO
I
C
= -30毫安
（见注5 ）
V
CE
= -55 V
I
CES
集电极 - 发射极
截止电流
集电极截止
当前
发射极截止
当前
正向电流
传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
电压
小信号转发
电流传输比
小信号转发
电流传输比
V
CE
= -70 V
V
CE
= -90 V
V
CE
= -115 V
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE
h
fe
V
CE
= -30 V
V
CE
= -60 V
V
EB
=
V
CE
=
V
CE
=
I
B
=
V
CE
=
-5 V
-4 V
-4 V
-0.6 A
-4 V
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
C
= 0
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
C
=
-1 A
-3 A
-3 A
-3 A
（见注5和6）
（见注5和6）
（见注5和6）
F = 1千赫
F = 1 MHz的
20
3
25
10
-1.2
-1.8
V
V
I
B
= 0
BD242A
BD242B
BD242C
BD242
BD242A
BD242B
BD242C
BD242/242A
BD242B/242C
民
-45
-60
-80
-100
-0.2
-0.2
-0.2
-0.2
-0.3
-0.3
-1
mA
mA
mA
V
典型值
最大
单位
V
CE
= -10 V
V
CE
= -10 V
I
C
= -0.5 A
I
C
= -0.5 A
|
h
fe
|
注： 5。这些参数必须使用脉冲技术进行测量，T
p
= 300微秒，占空比
≤
2%.
6.这些参数必须使用电压感测接触，分开的载流触点来测量。
热特性
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
民
典型值
最大
3.125
62.5
单位
° C / W
° C / W
在25℃的情况下温度的电阻负载开关特性
参数
t
on
t
关闭
测试条件
I
C
= -1 A
V
BE （OFF）的
= 3.7 V
I
B（上）
= -0.1 A
R
L
= 20
民
I
B（关闭）
= 0.1 A
t
p
= 20微秒，直流
≤
2%
典型值
0.2
0.3
最大
单位
s
s
开启时间
打开-O FF时间
显示电压和电流值是名义;精确值与晶体管的参数略有不同。
2
1973年6月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
BD242 ， BD242A ， BD242B ， BD242C
PNP硅功率晶体管
典型特征
典型的直流电流增益
vs
集电极电流
1000
V
CE
= -4 V
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
TCS632AH
集电极 - 发射极饱和电压
vs
基极电流
V
CE （ SAT ）
- 集电极 - 发射极饱和电压 - V
-10
TCS632AB
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
h
FE
- 直流电流增益
-1·0
100
-0·1
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
C
=
-100毫安
-300毫安
-1 A
-3 A
-1·0
-10
-100
-1000
10
-0·01
-0·1
-1·0
-10
-0·01
-0·1
I
C
- 集电极电流 - 一个
I
B
- 基本电流 - 毫安
图1 。
图2中。
基射极电压
vs
集电极电流
-1
V
CE
= -4 V
T
C
= 25°C
V
BE
- 基射极电压 - V
-0·9
TCS632AC
-0·8
-0·7
-0·6
-0·5
-0·01
-0·1
-1
-10
I
C
- 集电极电流 - 一个
网络连接gure 3 。
1973年6月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
3
BD242 ， BD242A ， BD242B ， BD242C
PNP硅功率晶体管
最大安全工作区
最大正向偏置
安全工作区
-100
SAS632AD
I
C
- 集电极电流 - 一个
-10
t
p
= 300微秒峰，d = 0.1 = 10％
t
p
= 1毫秒， D = 0.1 = 10 ％
t
p
= 10毫秒峰，d = 0.1 = 10％
直流操作
-1·0
-0·1
BD242
BD242A
BD242B
BD242C
-10
-100
-1000
-0·01
-1·0
V
CE
- 集电极 - 发射极电压 - V
图4中。
热信息
最大功率耗散
vs
外壳温度
50
P
合计
- 最大功耗 - W
TIS631AA
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度 - C
图5中。
4
1973年6月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
BD242 ， BD242A ， BD242B ， BD242C
PNP硅功率晶体管
机械数据
TO-220
3 - pin塑料法兰安装型封装
此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的
化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形，并且电路的性能
当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的
在钎焊组件中使用时，清洗或处理。
TO220
4,70
4,20
3,96
3,71
10,4
10,0
2,95
2,54
6,6
6,0
15,90
14,55
1,32
1,23
见注释B
另请注意：C
6,1
3,5
0,97
0,61
1
2
3
1,70
1,07
14,1
12,7
2,74
2,34
5,28
4,88
2,90
2,40
0,64
0,41
第1版
第2版
以毫米为单位所有长度
注：A。该中心引脚与安装标签的电接触。
B.根据包的版本安装标签角落的个人资料。
据包版本C.典型固定孔中心站开高。
第1版18.0毫米。版本2 17.6毫米。
MDXXBE
1973年6月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
5
BD241C （ NPN ）
BD242B （ PNP ） ，
BD242C （ PNP ）
BD241C和BD242C的首选设备
其他芯片
塑料功率晶体管
专为通用放大器和开关的使用
应用程序。
特点
http://onsemi.com
集电极 - 发射极饱和电压 -
V
CE
= 1.2伏（最大） @我
C
= 3.0 ADC
集电极 - 发射极耐受电压 -
V
CEO （ SUS ）
= 100伏直流（最小值） BD241C ， BD242C
高电流增益 - 带宽积
f
T
= 3.0兆赫（最小值） @我
C
= 500 MADC
紧凑的TO-220 AB包
环氧是否符合UL94 V-0 @ 0.125在
ESD额定值：人体模型， 3B
u
8000 V
机器型号，C
u
400 V
无铅包可用*
功率晶体管
补充
硅
3 AMP
80-100伏
40瓦
记号
图
最大额定值
等级
TO-220AB
CASE 221A -09
风格1
1
2
符号
V
首席执行官
V
CES
V
EB
I
C
BD242B
80
90
BD241C
BD242C
100
115
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
连续
PEAK
基极电流
5.0
3.0
5.0
1.0
40
I
B
ADC
W
器件总功耗@
T
C
= 25°C
减免上述25℃
P
D
0.32
W / ℃，
°C
工作和存储
结温范围
T
J
, T
英镑
- 65至+ 150
AYWW
BD24xxG
3
BD24xx =器件代码
XX为1C ，2B或2C
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
订购信息
设备
BD241C
BD241CG
包
TO-220AB
TO-220AB
（无铅）
TO-220AB
TO-220AB
（无铅）
TO-220AB
TO-220AB
（无铅）
航运
50单位/铁
50单位/铁
热特性
特征
符号
R
qJA
最大
62.5
单位
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
° C / W
° C / W
BD242B
BD242BG
50单位/铁
50单位/铁
R
QJC
3.125
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
BD242C
BD242CG
50单位/铁
50单位/铁
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
1
2007年11月 - 修订版7
出版订单号：
BD241C/D
PD ，功耗（瓦）
1.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2.0%.
2. f
T
= |h
fe
|
f
TEST
.
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
动态特性
基本特征
（注1 ）
开关特性
小信号电流增益
(I
C
= 0.5 ADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 1.0千赫）
电流增益 - 带宽积（注2 ）
(I
C
= 500 MADC ，V
CE
= 10 VDC ，女
TEST
= 1.0兆赫）
基射极电压上
(I
C
= 3.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏）
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 3.0 ADC ，我
B
= 0.6 ADC）
直流电流增益
(I
C
= 1.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏）
(I
C
= 3.0 ADC ，V
CE
= 4.0伏）
发射Cuto FF电流
(V
BE
= 5.0伏，我
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 80伏，V
EB
= 0)
(V
CE
= 100伏，V
EB
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 50伏直流，我
B
= 0)
(V
CE
= 60 VDC ，我
B
= 0)
集电极 - 发射极耐受电压（注1 ）
(I
C
= 30 MADC ，我
B
= 0)
BD241C （ NPN ） ， BD242B （ PNP ） ， BD242C （ PNP ）
特征
10
20
30
40
0
0
20
40
图1.功率降额
http://onsemi.com
T
C
，外壳温度（ ° C）
60
80
BD242B
BD241C ， BD242C
BD242B
BD241C ， BD242C
BD242B
BD241C ， BD242C
100
120
140
符号
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
V
首席执行官
I
首席执行官
I
EBO
I
CES
h
FE
h
fe
160
f
T
民
80
100
3.0
20
25
10
最大
200
1.8
1.2
1.0
0.3
MADC
MADC
MADC
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
2
BD241C （ NPN ） ， BD242B （ PNP ） ， BD242C （ PNP ）
2.0
开通脉冲
约
+ 11 V
V
in
0
V
EB （O FF ）
约
+ 11 V
V
in
t
2
关断脉冲
占空比
[
2.0%
APPROX - 9.0 V
t
1
t
3
V
CC
V
in
R
L
R
K
范围
T， TIME （
μ
s)
1.0
0.7
0.5
0.3
t
r
@ V
CC
= 30 V
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
C
jd
%
C
eb
- 4.0 V
t
1
v
7.0纳秒
100
t
t
2
t
500
ms
t
3
t
15纳秒
t
r
@ V
CC
= 10 V
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.03
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 2.0 V
0.05 0.07 0.1
0.3
0.5 0.7 1.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
3.0
图2.开关时间等效电路
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.02
图3.开启时间
R（T ） ，瞬态热阻
（归一化）
D = 0.5
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
单脉冲
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
P
（ PK）
Z
QJC
（吨）= R（T ）R
QJC
R
QJC
= 3.125 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
- T
C
= P
（ PK）
Z
QJC （T ）
2.0
5.0
吨，时间（ ms）的
10
20
50
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
100
200
500 1.0 k
图4.热响应
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
10
5.0
5.0毫秒
1.0毫秒
100
ms
2.0
第二击穿
有限公司@ T
J
v
150°C
散热的限制， @ T
C
= 25°C
键合丝有限公司
曲线适用BELOW
为V
首席执行官
BD241C ， BD242C
10
20
50
I
C
，集电极电流（ AMP ）
100
1.0
0.5
0.2
0.1
5.0
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二
击穿。安全工作区曲线表明我
C
- V
CE
晶体管必须可靠地观察到极限
操作，也就是，晶体管不能承受较大的
功耗比曲线表示。
图5的数据是基于T
J（下PK）
= 150_C ;牛逼
C
is
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
v
150°C ，T
J（下PK）
可以从在数据计算
图4.在高温情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
图5.活动区的安全工作区
http://onsemi.com
3
BD241C （ NPN ） ， BD242B （ PNP ） ， BD242C （ PNP ）
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.03
0.05 0.07 0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
2.0 3.0
I
B1
= I
B2
I
C
/I
B
= 10
t
s′
= t
s
- 1/8 t
f
T
J
= 25°C
电容（pF）
300
T
J
= + 25°C
200
t
s′
t
f
@ V
CC
= 30 V
T， TIME （
μ
s)
100
C
eb
70
50
C
cb
t
f
@ V
CC
= 10 V
30
0.1
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
10
V
R
，反向电压（伏）
20 30 40
图6.开启，关闭时间
500
300
的hFE ， DC电流增益
T
J
= 150°C
25°C
- 55°C
V
CE
= 2.0 V
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
2.0
图7.电容
T
J
= 25°C
1.6
100
70
50
30
1.2
I
C
= 0.3 A
1.0 A
3.0 A
0.8
10
7.0
5.0
0.03
0.4
0.05 0.07 0.1
0.3
0.5 0.7 1.0
I
C
，集电极电流（ AMP ）
3.0
0
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100 200
I
B
，基极电流（毫安）
500 1000
图8.直流电流增益
图9.集电极饱和区
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
1.4
1.2
V，电压（V ）
1.0
0.8
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.6
V
BE
@ V
CE
= 2.0 V
0.4
0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.1
0.2 0.3 0.5
1.0
2.0 3.0
T
J
= 25°C
+ 2.5
+ 2.0
+ 1.5
+ 1.0
+ 0.5
0
- 0.5
- 1.0
- 1.5
- 2.0
- 2.5
0.003 0.005 0.01 0.02
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1.0 2.0 3.0
q
VB
对于V
BE
*q
VC
对于V
CE （ SAT ）
*适用于我
C
/I
B
≤
5.0
T
J
= - 65 °C至+ 150°C
0
0.003 0.005 0.01 0.020.03 0.05
I
C
，集电极电流（ AMPS ）
I
C
，集电极电流（ AMP ）
图10. “开”电压
图11.温度系数
http://onsemi.com
4
BD241C （ NPN ） ， BD242B （ PNP ） ， BD242C （ PNP ）
10
3
IC ，集电极电流（
μ
A)
10
2
10
1
10
0
10
-1
反向
10
- 2
25°C
I
CES
0
+ 0.1 + 0.2 + 0.3
+ 0.4 + 0.5
+ 0.6
前锋
V
CE
= 30 V
T
J
= 150°C
100°C
RBE ，外部基极 - 发射极电阻（ OHM
10
7
I
C
= 10 ×1
CES
10
6
10
5
10
4
10
3
10
2
V
CE
= 30 V
I
C
≈
I
CES
I
C
= 2×我
CES
（典型I
CES
值
购自图12）
20
40
60
80
100
120
140
160
10
- 3
- 0.4 - 0.3 - 0.2 - 0.1
V
BE
，基极发射极电压（伏）
T
J
，结温（ ° C）
图12.集电极截止区
图13.影响基射极电阻
http://onsemi.com
5
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
BD242/A/B/C
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
BD242/A/B/C
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
BD242 ， BD242A ， BD242B ， BD242C
PNP硅功率晶体管
版权所有 1997年，创新动力有限公司， UK
1973年6月 - 修订1997年3月
q
专为配套使用的
BD241系列
在25 ° C的温度， 40瓦
3连续集电极电流
5 A峰值集电极电流
提供客户指定的选择
B
C
E
q
q
q
q
的TO-220封装
（ TOP VIEW ）
1
2
3
销2与安装底座的电接触。
MDTRACA
绝对最大额定值
在25℃的情况下的温度（除非另有说明）
等级
BD242
集电极 - 发射极电压（R
BE
= 100
)
BD242A
BD242B
BD242C
BD242
集电极 - 发射极电压（I
C
= -30毫安）
BD242A
BD242B
BD242C
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流（见注1 ）
连续基极电流
连续器件耗散（或低于） 25 ℃的外壳温度（见注2 ）
在（或低于） 25℃自由空气温度连续设备损耗（见注3 ）
非钳位电感负载的能量（见注4 ）
工作结温范围
存储温度范围
从案例铅温度3.2毫米10秒
注：1 。
2.
3.
4.
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
P
合计
½LI
C
T
j
T
英镑
T
L
2
符号
价值
-55
-70
-90
-115
-45
-60
-80
-100
-5
-3
-5
-1
40
2
32
-65到+150
-65到+150
250
单位
V
CER
V
V
首席执行官
V
V
A
A
A
W
W
mJ
°C
°C
°C
该值适用于吨
p
≤
0.3毫秒，占空比
≤
10%.
降额直线到150℃的情况下的温度以0.32的比率W / ℃。
线性降额至150℃自由空气温度为16毫瓦/ ℃的速率。
此评价是基于晶体管的能力在一个电路安全地操作：L = 20毫亨，我
B（上）
= -0.4 A，R
BE
= 100
,
V
BE （OFF）的
= 0, R
S
= 0.1
,
V
CC
= -20 V.
产品
信息
信息为出版日期。产品符合根据规格
随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
1
BD242 ， BD242A ， BD242B ， BD242C
PNP硅功率晶体管
1973年6月 - 修订1997年3月
在25℃的情况下温度的电特性
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
测试条件
BD242
V
（ BR ） CEO
I
C
= -30毫安
（见注5 ）
V
CE
= -55 V
I
CES
集电极 - 发射极
截止电流
集电极截止
当前
发射极截止
当前
正向电流
传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
电压
小信号转发
电流传输比
小信号转发
电流传输比
V
CE
= -70 V
V
CE
= -90 V
V
CE
= -115 V
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE
h
fe
V
CE
= -30 V
V
CE
= -60 V
V
EB
=
V
CE
=
V
CE
=
I
B
=
V
CE
=
-5 V
-4 V
-4 V
-0.6 A
-4 V
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
C
= 0
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
C
=
-1 A
-3 A
-3 A
-3 A
（见注5和6）
（见注5和6）
（见注5和6）
F = 1千赫
F = 1 MHz的
20
3
25
10
-1.2
-1.8
V
V
I
B
= 0
BD242A
BD242B
BD242C
BD242
BD242A
BD242B
BD242C
BD242/242A
BD242B/242C
民
-45
-60
-80
-100
-0.2
-0.2
-0.2
-0.2
-0.3
-0.3
-1
mA
mA
mA
V
典型值
最大
单位
V
CE
= -10 V
V
CE
= -10 V
I
C
= -0.5 A
I
C
= -0.5 A
|
h
fe
|
注： 5。这些参数必须使用脉冲技术进行测量，T
p
= 300微秒，占空比
≤
2%.
6.这些参数必须使用电压感测接触，分开的载流触点来测量。
热特性
参数
R
θ
JC
R
θ
JA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
民
典型值
最大
3.125
62.5
单位
° C / W
° C / W
在25℃的情况下温度的电阻负载开关特性
参数
t
on
t
关闭
测试条件
I
C
= -1 A
V
BE （OFF）的
= 3.7 V
I
B（上）
= -0.1 A
R
L
= 20
民
I
B（关闭）
= 0.1 A
t
p
= 20微秒，直流
≤
2%
典型值
0.2
0.3
最大
单位
s
s
开启时间
打开-O FF时间
显示电压和电流值是名义;精确值与晶体管的参数略有不同。
产品
信息
2
BD242 ， BD242A ， BD242B ， BD242C
PNP硅功率晶体管
1973年6月 - 修订1997年3月
典型特征
典型的直流电流增益
vs
集电极电流
1000
V
CE
= -4 V
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
TCS632AH
集电极 - 发射极饱和电压
vs
基极电流
V
CE （ SAT ）
- 集电极 - 发射极饱和电压 - V
-10
TCS632AB
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
h
FE
- 直流电流增益
-1·0
100
-0·1
I
C
= -100毫安
I
C
= -300毫安
I
C
= -1 A
I
C
= -3 A
-1·0
-10
-100
-1000
10
-0·01
-0·1
-1·0
-10
-0·01
-0·1
I
C
- 集电极电流 - 一个
I
B
- 基本电流 - 毫安
图1 。
图2中。
基射极电压
vs
集电极电流
-1
V
CE
= -4 V
T
C
= 25°C
V
BE
- 基射极电压 - V
-0·9
TCS632AC
-0·8
-0·7
-0·6
-0·5
-0·01
-0·1
-1
-10
I
C
- 集电极电流 - 一个
网络连接gure 3 。
产品
信息
3
BD242 ， BD242A ， BD242B ， BD242C
PNP硅功率晶体管
1973年6月 - 修订1997年3月
最大安全工作区
最大正向偏置
安全工作区
-100
SAS632AD
I
C
- 集电极电流 - 一个
-10
t
p
= 300微秒峰，d = 0.1 = 10％
t
p
= 1毫秒， D = 0.1 = 10 ％
t
p
= 10毫秒峰，d = 0.1 = 10％
直流操作
-1·0
-0·1
BD242
BD242A
BD242B
BD242C
-10
-100
-1000
-0·01
-1·0
V
CE
- 集电极 - 发射极电压 - V
图4中。
热信息
最大功率耗散
vs
外壳温度
50
P
合计
- 最大功耗 - W
TIS631AA
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度 - C
图5中。
产品
信息
4
BD242 ， BD242A ， BD242B ， BD242C
PNP硅功率晶体管
1973年6月 - 修订1997年3月
机械数据
TO-220
3 - pin塑料法兰安装型封装
此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的
化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形，并且电路的性能
当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的
在钎焊组件中使用时，清洗或处理。
TO220
4,70
4,20
3,96
3,71
10,4
10,0
2,95
2,54
6,6
6,0
15,90
14,55
1,32
1,23
见注释B
另请注意：C
6,1
3,5
0,97
0,61
1
2
3
1,70
1,07
14,1
12,7
2,74
2,34
5,28
4,88
2,90
2,40
0,64
0,41
第1版
第2版
以毫米为单位所有长度
注：A。该中心引脚与安装标签的电接触。
B.根据包的版本安装标签角落的个人资料。
据包版本C.典型固定孔中心站开高。
第1版18.0毫米。版本2 17.6毫米。
MDXXBE
产品
信息
5
QQ：2880707522 复制
