INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BD241/A/B/C
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过BD241C / D
互补硅塑料
功率晶体管
。 。 。设计用于在通用放大器和开关应用中使用。
集电极 - 发射极饱和电压 -
VCE = 1.2伏（最大） @ IC = 3.0 ADC
集电极 - 发射极耐受电压 -
VCEO （SUS ）= 80伏（最小） BD242B
VCEO （ SUS）
= 100伏直流（最小值） BD241C ， BD242C
高电流增益 - 带宽积
FT = 3.0兆赫（最小值） @ IC = 500 MADC
紧凑的TO-220 AB包
BD241C*
PNP
BD242B
BD242C*
*摩托罗拉的首选设备
NPN
最大额定值
3安培
功率晶体管
补充
硅
80 ， 100伏
40瓦
PD ，功耗（瓦）
等级
符号
VCEO
VCES
VEB
IC
IB
BD242B
80
90
BD241C
BD242C
100
115
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
5.0
3.0
5.0
1.0
连续集电极电流 -
PEAK
基极电流
器件总功耗@ TC = 25
_
C
减免上述25
_
C
工作和存储结
温度范围
PD
40
0.32
瓦
W/
_
C
TJ ， TSTG
- 65至+ 150
_
C
CASE 221A -09
TO–220AB
热特性
特征
符号
R
θJA
最大
单位
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
62.5
_
C / W
_
C / W
R
θJC
3.125
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
TC ，外壳温度（ ° C）
图1.功率降额
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
摩托罗拉公司1998年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
1
BD241C BD242B BD242C
1脉冲测试：脉冲宽度
2英尺= | HFE |
FTEST 。
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
动态特性
ON特性1
开关特性
小信号电流增益
（ IC = 0.5 ADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1千赫）
电流增益 - 带宽产品2
（ IC = 500 MADC ， VCE = 10 VDC ， FTEST = 1兆赫）
基射极电压ON
（ IC = 3.0 ADC ， VCE = 4.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 3.0 ADC ， IB = 600 ADC ）
直流电流增益
（ IC = 1.0 ADC ， VCE = 4.0 V直流）
（ IC = 3.0 ADC ， VCE = 4.0 V直流）
发射Cuto FF电流
（ VBE = 5.0伏， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 80伏直流电， VEB = 0 ）
（ VCE = 100伏， VEB = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 60 VDC ， IB = 0 ）
集电极 - 发射极电压1可持续
（ IC = 30 MADC ， IB = 0 ）
约
+ 11 V
VIN 0
开通脉冲
v
300
s,
占空比
v
2.0%.
特征
VCC
VIN
克雅氏病
%
CEB
RK
RL
范围
T， TIME （
s)
VEB （关闭）
2
约
+ 11 V
图2.开关时间等效电路
VIN
t2
关断脉冲
t1
t3
占空比2.0 ％
APPROX - 9.0 V
T1 7.0纳秒
100 t2 500
s
T3 15纳秒
v
t t
t
[
– 4.0 V
BD241C ， BD242B ， BD242C
BD242B
BD241C ， BD242C
BD242B
BD241C ， BD242C
0.03
0.02
0.03
0.07
0.05
0.1
0.3
0.7
0.5
1.0
2.0
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
0.05 0.07 0.1
0.3
0.5 0.7 1.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
TR @ VCC = 10 V
VCE （ SAT ）
VBE （ON）的
符号
VCEO
ICEO
IEBO
冰
的hFE
的hFE
fT
TR @ VCC = 30 V
分钟。
80
100
3.0
20
25
10
TD @ VBE （关闭） = 2.0 V
马克斯。
200
200
1.8
1.2
1.0
0.3
IC / IB = 10
TJ = 25°C
图3.开启时间
MADC
MADC
μAdc
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
3.0
BD241C BD242B BD242C
R（T ） ，瞬态热阻
（归一化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
0.01
0.02
单脉冲
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
0.05
0.02
P（ PK）
Z
θJC
（吨）= R（T ）R
θJC
R
θJC
= 3.125 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
t1
读取时间在T1
t2
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）z
θJC （T ）
占空比D = T1 / T2
2.0
5.0
吨，时间（ ms）的
10
20
50
100
200
500 1.0 k
D = 0.5
0.2
图4.热响应
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
10
5.0
5.0毫秒
2.0
1.0
0.5
第二击穿
限于@ TJ 150℃
散热的限制， @ TC = 25°C
键合丝有限公司
1.0毫秒
100
s
v
0.2
0.1
5.0
曲线适用BELOW
额定VCEO
BD242B
BD241C ， BD242C
100
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二突破性
下来。安全工作区曲线表明IC - VCE的限制
必须可靠运行被观察的晶体管，
即，晶体管不能承受较大的耗散
灰比的曲线表示。
图5的数据是基于TJ （峰） = 150
_
℃; TC是
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比为10％的规定TJ （ PK）
150
_
C， TJ （ pk）的可从图 - 的数据计算
URE 4.在高温度的情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
v
10
20
50
IC ，集电极电流（ AMP ）
图5.活动区的安全工作区
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.03
TS
TF @ VCC = 30 V
IB1 = IB2
IC / IB = 10
TS = TS - 1/8 TF
TJ = 25°C
电容（pF）
300
TJ = + 25°C
200
T， TIME （
s)
100
CEB
70
50
建行
TF @ VCC = 10 V
0.05 0.07 0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
2.0 3.0
30
0.1
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
10
VR ，反向电压（伏）
20 30 40
图6.开启，关闭时间
图7.电容
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
BD241C BD242B BD242C
500
300
的hFE ， DC电流增益
TJ = 150℃
25°C
– 55°C
VCE = 2.0 V
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
2.0
TJ = 25°C
1.6
100
70
50
30
1.2
IC = 0.3 A
1.0 A
3.0 A
0.8
10
7.0
5.0
0.03
0.4
0.05 0.07 0.1
0.3
0.5 0.7 1.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
3.0
0
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100 200
IB ，基极电流（毫安）
500
1000
图8.直流电流增益
图9.集电极饱和区
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
1.4
1.2
V，电压（V ）
1.0
0.8
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
0.6
VBE @ VCE = 2.0 V
0.4
0.2
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
0.1
0.2 0.3 0.5
1.0
2.0 3.0
TJ = 25°C
+ 2.5
+ 2.0
+ 1.5
+ 1.0
+ 0.5
0
– 0.5
– 1.0
– 1.5
– 2.0
– 2.5
0.003 0.005 0.01 0.02
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
θ
VB的VBE
* θVC FOR VCE （SAT）
*适用于IC / IB
≤
5.0
TJ = - 65 °C至+ 150°C
0
0.003 0.005 0.01 0.020.03 0.05
IC ，集电极电流（ AMPS ）
IC ，集电极电流（ AMP ）
图10. “开”电压
图11.温度系数
103
IC ，集电极电流（
A)
102
101
100
10–1
反向
10– 2
25°C
冰
0
+ 0.1 + 0.2 + 0.3
+ 0.4 + 0.5
+ 0.6
前锋
VCE = 30 V
TJ = 150℃
100°C
RBE ，外部基极发射极电阻（欧姆）
107
IC = 10× ICES
106
105
104
103
102
VCE = 30 V
IC
≈
冰
IC = 2× ICES
（典型ICES VALUES
购自图12）
20
40
60
80
100
120
140
160
10– 3
– 0.4 – 0.3 – 0.2 – 0.1
VBE ，基极发射极电压（伏）
TJ ，结温（ ° C）
图12.集电极截止区
图13.影响基射极电阻
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
BD241/A/B/C
BD241/A/B/C
中功率线性和开关
应用
补到BD242 / A / B / C分别为
TO-220
2.Collector
3.Emitter
1
1.Base
NPN外延硅晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
参数
集电极 - 发射极电压
： BD241
： BD241A
： BD241B
： BD241C
集电极 - 发射极电压
： BD241
： BD241A
： BD241B
： BD241C
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
*集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散（T
C
=25°C)
结温
储存温度
价值
45
60
80
100
55
70
90
115
5
3
5
1
40
150
- 65 ~ 150
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
V
CER
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
J
T
英镑
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
（ SUS）的
参数
*集电极发射极耐受电压
： BD241
： BD241A
： BD241B
： BD241C
集电极截止电流
集电极截止电流
： BD241 / A
： BD241B / C
： BD241
： BD241A
： BD241B
： BD241C
测试条件
I
C
= - 30mA时我
B
= 0
分钟。
45
60
80
100
0.3
0.3
0.2
0.2
0.2
0.2
1
25
10
1.2
1.8
V
V
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
I
首席执行官
I
CES
V
CE
= 30V ，我
B
= 0
V
CE
= 60V ，我
B
= 0
V
CE
= 45V, V
BE
= 0
V
CE
= 60V, V
BE
= 0
V
CE
= 80V, V
BE
= 0
V
CE
= 100V, V
BE
= 0
V
EB
= 5V ，我
C
= 0
V
CE
= 4V ，我
C
= 1A
V
CE
= 4V ，我
C
= 3A
I
C
= 3A ，我
B
= 0.6A
V
CE
= 4V ，我
C
= 3A
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（上）
发射极截止电流
*直流电流增益
*集电极 - 发射极饱和电压
*基射极电压ON
*脉冲测试： PW = 350μS ，占空比= 2 ％脉冲
2000仙童半导体国际
版本A ， 2000年2月
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
放弃
HiSeC
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QFET
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
UHC
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
国际。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统，其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2000仙童半导体国际
英文内容
BD241A/B/C
BD242A/B/C
互补硅功率晶体管
s
s
SGS - THOMSON最佳SALESTYPES
互补PNP - NPN器件
描述
该BD241A ， BD241B和BD241C是硅
安装在JEDEC的外延基NPN晶体管
TO- 220塑料封装。
他们inteded于中等功率的线性应用
和切换应用程序。
互补PNP类型BD242A ，
BD242B和BD242C分别。
TO-220
3
1
2
内部原理图
绝对最大额定值
符号
参数
NPN
PNP
V
CER
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
P
合计
T
英镑
T
j
集电极 - 基极电压（R
BE
= 100
)
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
发射极 - 基极电压（I
C
= 0)
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗在T
c
≤
25 C
总功耗在T
AMB
≤
25 C
o
o
价值
BD241A
BD242A
70
60
BD241B
BD242B
90
80
5
3
5
1
40
2
-65到150
150
BD241C
BD242C
115
100
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
o
o
储存温度
马克斯。工作结温
C
C
为PNP型的电压和电流值是负的。
1997年6月
1/4
BD241A/B/C/BD242A/B/C
提供的资料被认为是准确和可靠。不过， SGS - THOMSON微电子承担的任何责任
对此类信息的使用，也不对任何侵犯第三方专利或可借鉴其使用效果等权利的后果。没有
获发牌照以暗示或其他方式SGS - THOMSON微电子公司的任何专利或专利权。规格提到
本出版物中如有更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
SGS - THOMSON微电子产品不授权不明确的生命支持设备或系统中的关键组件
SGS - THOMSON Microelectonics的书面批准。
1997 SGS - THOMSON微电子 - 印刷意大利 - 版权所有
公司SGS - THOMSON微电子集团
澳大利亚 - 巴西 - 加拿大 - 中国 - 法国 - 德国 - 香港 - 意大利 - 日本 - 韩国 - 马来西亚 - 马耳他 - 摩洛哥 - 荷兰 -
新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 台湾 - 泰国 - 英国 - 美国
...
4/4
集电极 - 发射极饱和电压 -
VCE = 1.2伏（最大） @ IC = 3.0 ADC
集电极 - 发射极耐受电压 -
VCEO （SUS ）= 80伏直流（最小值） BD241B ， BD242B
VCEO （ SUS）
= 100伏直流（最小值） BD241C ， BD242C
高电流增益 - 带宽积
FT = 3.0兆赫（最小值） @ IC = 500 MADC
紧凑的TO-220 AB包
。 。 。设计用于在通用放大器和开关应用中使用。
热特性
最大额定值
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
工作和存储结
温度范围
器件总功耗@ TC = 25
_
C
减免上述25
_
C
基极电流
连续集电极电流 -
PEAK
发射极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
特征
等级
40
符号
TJ ， TSTG
VCEO
VCES
VEB
PD
IC
IB
符号
R
θJC
R
θJA
BD241B
BD242B
90
80
- 65至+ 150
40
0.32
1.0
3.0
5.0
5.0
3.125
62.5
最大
BD241C
BD242C
100
115
瓦
W/
_
C
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
互补硅塑料
功率晶体管
半导体技术资料
摩托罗拉
第七版
PD ，功耗（瓦）
10
20
30
0
0
20
40
图1.功率降额
TC ，外壳温度（ ° C）
60
80
100
120
_
C / W
_
C / W
单位
ADC
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
单位
_
C
140
160
3安培
功率晶体管
补充
硅
80 ， 100伏
40瓦
BD241B
BD241C*
PNP
BD242B
BD242C*
*摩托罗拉的首选设备
CASE 221A -06
TO–220AB
订购此文件
通过BD241B / D
NPN
1
BD241B BD241C BD242B BD242C
1脉冲测试：脉冲宽度
2英尺= | HFE |
FTEST 。
电气特性
（ TC = 25
_
C除非另有说明）
动态特性
ON特性1
开关特性
小信号电流增益
（ IC = 0.5 ADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1千赫）
电流增益 - 带宽产品2
（ IC = 500 MADC ， VCE = 10 VDC ， FTEST = 1兆赫）
基射极电压ON
（ IC = 3.0 ADC ， VCE = 4.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 3.0 ADC ， IB = 600 ADC ）
直流电流增益
（ IC = 1.0 ADC ， VCE = 4.0 V直流）
（ IC = 3.0 ADC ， VCE = 4.0 V直流）
发射Cuto FF电流
（ VBE = 5.0伏， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 80伏直流电， VEB = 0 ）
（ VCE = 100伏， VEB = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 60 VDC ， IB = 0 ）
集电极 - 发射极电压1可持续
（ IC = 30 MADC ， IB = 0 ）
约
+ 11 V
VIN 0
开通脉冲
v
300
s,
占空比
v
2.0%.
特征
VCC
VIN
克雅氏病
%
CEB
RK
RL
BD241B ， BD241C ， BD242B ， BD242C
范围
T， TIME （
s)
VEB （关闭）
2
约
+ 11 V
图2.开关时间等效电路
VIN
t2
关断脉冲
t1
t3
占空比2.0 ％
APPROX - 9.0 V
T1 7.0纳秒
100 t2 500
s
T3 15纳秒
v
t t
t
[
– 4.0 V
BD241B ， BD242B
BD241C ， BD242C
BD241B ， BD242B
BD241C ， BD242C
0.03
0.02
0.03
0.07
0.05
0.1
0.3
0.7
0.5
1.0
2.0
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
0.05 0.07 0.1
0.3
0.5 0.7 1.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
TR @ VCC = 10 V
VCE （ SAT ）
VBE （ON）的
符号
VCEO
ICEO
IEBO
冰
的hFE
的hFE
fT
TR @ VCC = 30 V
分钟。
80
100
3.0
20
25
10
TD @ VBE （关闭） = 2.0 V
马克斯。
200
200
1.8
1.2
1.0
0.3
IC / IB = 10
TJ = 25°C
图3.开启时间
MADC
MADC
μAdc
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
3.0
BD241B BD241C BD242B BD242C
R（T ） ，瞬态热阻
（归一化）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
0.01
0.02
单脉冲
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
0.05
0.02
P（ PK）
Z
θJC
（吨）= R（T ）R
θJC
R
θJC
= 3.125 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
t1
读取时间在T1
t2
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）z
θJC （T ）
占空比D = T1 / T2
2.0
5.0
吨，时间（ ms）的
10
20
50
100
200
500 1.0 k
D = 0.5
0.2
图4.热响应
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
10
5.0
5.0毫秒
2.0
1.0
0.5
第二击穿
限于@ TJ 150℃
散热的限制， @ TC = 25°C
键合丝有限公司
1.0毫秒
100
s
v
0.2
0.1
5.0
曲线适用BELOW
额定VCEO
BD241B ， BD242B
BD241C ， BD242C
100
有对的功率处理能力两方面的局限性
晶体管：平均结温及第二突破性
下来。安全工作区曲线表明IC - VCE的限制
必须可靠运行被观察的晶体管，
即，晶体管不能承受较大的耗散
灰比的曲线表示。
图5的数据是基于TJ （峰） = 150
_
℃; TC是
可变根据条件。其次，脉细数
限制是有效的占空比为10％的规定TJ （ PK）
150
_
C， TJ （ pk）的可从图 - 的数据计算
URE 4.在高温度的情况下，热限制将
减少可处理到的值小于所述的功率
通过限制二次击穿的罚款。
v
10
20
50
IC ，集电极电流（ AMP ）
图5.活动区的安全工作区
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.03
TS
TF @ VCC = 30 V
IB1 = IB2
IC / IB = 10
TS = TS - 1/8 TF
TJ = 25°C
电容（pF）
300
TJ = + 25°C
200
T， TIME （
s)
100
CEB
70
50
建行
TF @ VCC = 10 V
0.05 0.07 0.1
0.2 0.3
0.5 0.7 1.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
2.0 3.0
30
0.1
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
10
VR ，反向电压（伏）
20 30 40
图6.开启，关闭时间
图7.电容
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
BD241B BD241C BD242B BD242C
500
300
的hFE ， DC电流增益
TJ = 150℃
25°C
– 55°C
VCE = 2.0 V
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
2.0
TJ = 25°C
1.6
100
70
50
30
1.2
IC = 0.3 A
1.0 A
3.0 A
0.8
10
7.0
5.0
0.03
0.4
0.05 0.07 0.1
0.3
0.5 0.7 1.0
IC ，集电极电流（ AMP ）
3.0
0
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100 200
IB ，基极电流（毫安）
500
1000
图8.直流电流增益
图9.集电极饱和区
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
1.4
1.2
V，电压（V ）
1.0
0.8
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
0.6
VBE @ VCE = 2.0 V
0.4
0.2
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
0.1
0.2 0.3 0.5
1.0
2.0 3.0
TJ = 25°C
+ 2.5
+ 2.0
+ 1.5
+ 1.0
+ 0.5
0
– 0.5
– 1.0
– 1.5
– 2.0
– 2.5
0.003 0.005 0.01 0.02
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
1.0
2.0 3.0
θ
VB的VBE
* θVC FOR VCE （SAT）
*适用于IC / IB
≤
5.0
TJ = - 65 °C至+ 150°C
0
0.003 0.005 0.01 0.020.03 0.05
IC ，集电极电流（ AMPS ）
IC ，集电极电流（ AMP ）
图10. “开”电压
图11.温度系数
103
IC ，集电极电流（
A)
102
101
100
10–1
反向
10– 2
25°C
冰
0
+ 0.1 + 0.2 + 0.3
+ 0.4 + 0.5
+ 0.6
前锋
VCE = 30 V
TJ = 150℃
100°C
RBE ，外部基极发射极电阻（欧姆）
107
IC = 10× ICES
106
105
104
103
102
VCE = 30 V
IC
≈
冰
IC = 2× ICES
（典型ICES VALUES
购自图12）
20
40
60
80
100
120
140
160
10– 3
– 0.4 – 0.3 – 0.2 – 0.1
VBE ，基极发射极电压（伏）
TJ ，结温（ ° C）
图12.集电极截止区
图13.影响基射极电阻
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
BD241B BD241C BD242B BD242C
包装尺寸
–T–
B
4
座位
飞机
F
T
S
C
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.尺寸Z定义了一个区域，在那里所有
身体和铅的凹凸
允许的。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
英寸
民
最大
0.570
0.620
0.380
0.405
0.160
0.190
0.025
0.035
0.142
0.147
0.095
0.105
0.110
0.155
0.018
0.025
0.500
0.562
0.045
0.060
0.190
0.210
0.100
0.120
0.080
0.110
0.045
0.055
0.235
0.255
0.000
0.050
0.045
–––
–––
0.080
BASE
集热器
辐射源
集热器
MILLIMETERS
民
最大
14.48
15.75
9.66
10.28
4.07
4.82
0.64
0.88
3.61
3.73
2.42
2.66
2.80
3.93
0.46
0.64
12.70
14.27
1.15
1.52
4.83
5.33
2.54
3.04
2.04
2.79
1.15
1.39
5.97
6.47
0.00
1.27
1.15
–––
–––
2.04
Q
1 2 3
A
U
K
H
Z
L
V
G
D
N
R
J
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
CASE 221A -06
TO–220AB
ISSUE
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
5
BD241 ， BD241A ， BD241B ， BD241C
NPN硅功率晶体管
版权所有 1997年，创新动力有限公司， UK
1973年6月 - 修订1997年3月
q
专为配套使用的
BD242系列
在25 ° C的温度， 40瓦
3连续集电极电流
5 A峰值集电极电流
提供客户指定的选择
B
C
E
q
q
q
q
的TO-220封装
（ TOP VIEW ）
1
2
3
销2与安装底座的电接触。
MDTRACA
绝对最大额定值
在25℃的情况下的温度（除非另有说明）
等级
BD241
集电极 - 发射极电压（R
BE
= 100
)
BD241A
BD241B
BD241C
BD241
集电极 - 发射极电压（I
C
= 30 mA）的
BD241A
BD241B
BD241C
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流（见注1 ）
连续基极电流
连续器件耗散（或低于） 25 ℃的外壳温度（见注2 ）
在（或低于） 25℃自由空气温度连续设备损耗（见注3 ）
非钳位电感负载的能量（见注4 ）
工作结温范围
存储温度范围
从案例铅温度3.2毫米10秒
注：1 。
2.
3.
4.
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
P
合计
½LI
C
T
j
T
英镑
T
L
2
符号
价值
55
70
90
115
45
60
80
100
5
3
5
1
40
2
32
-65到+150
-65到+150
250
单位
V
CER
V
V
首席执行官
V
V
A
A
A
W
W
mJ
°C
°C
°C
该值适用于吨
p
≤
0.3毫秒，占空比
≤
10%.
降额直线到150℃的情况下的温度以0.32的比率W / ℃。
线性降额至150℃自由空气温度为16毫瓦/ ℃的速率。
此评价是基于晶体管的能力在一个电路安全地操作：L = 20毫亨，我
B（上）
= 0.4 A，R
BE
= 100
,
V
BE （OFF）的
= 0, R
S
= 0.1
,
V
CC
= 20 V.
产品
信息
信息为出版日期。产品符合根据规格
随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
1
BD241 ， BD241A ， BD241B ， BD241C
NPN硅功率晶体管
1973年6月 - 修订1997年3月
在25℃的情况下温度的电特性
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
测试条件
BD241
V
（ BR ） CEO
I
C
= 30毫安
（见注5 ）
V
CE
= 55 V
I
CES
集电极 - 发射极
截止电流
集电极截止
当前
发射极截止
当前
正向电流
传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
电压
小信号转发
电流传输比
小信号转发
电流传输比
V
CE
= 70 V
V
CE
= 90 V
V
CE
= 115 V
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE
h
fe
V
CE
= 30 V
V
CE
= 60 V
V
EB
=
V
CE
=
V
CE
=
I
B
=
V
CE
=
5V
4V
4V
0.6 A
4V
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
C
= 0
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
C
=
1A
3A
3A
3A
（见注5和6）
（见注5和6）
（见注5和6）
F = 1千赫
F = 1 MHz的
20
3
25
10
1.2
1.8
V
V
I
B
= 0
BD241A
BD241B
BD241C
BD241
BD241A
BD241B
BD241C
BD241/241A
BD241B/241C
民
45
60
80
100
0.2
0.2
0.2
0.2
0.3
0.3
1
mA
mA
mA
V
典型值
最大
单位
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V
I
C
= 0.5 A
I
C
= 0.5 A
|
h
fe
|
注： 5。这些参数必须使用脉冲技术进行测量，T
p
= 300微秒，占空比
≤
2%.
6.这些参数必须使用电压感测接触，分开的载流触点来测量。
热特性
参数
R
θ
JC
R
θ
JA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
民
典型值
最大
3.125
62.5
单位
° C / W
° C / W
在25℃的情况下温度的电阻负载开关特性
参数
t
on
t
关闭
测试条件
I
C
= 1 A
V
BE （OFF）的
= -3.7 V
I
B（上）
= 0.1 A
R
L
= 20
民
I
B（关闭）
= -0.1 A
t
p
= 20微秒，直流
≤
2%
典型值
0.3
1
最大
单位
s
s
开启时间
打开-O FF时间
显示电压和电流值是名义;精确值与晶体管的参数略有不同。
产品
信息
2
BD241 ， BD241A ， BD241B ， BD241C
NPN硅功率晶体管
1973年6月 - 修订1997年3月
典型特征
典型的直流电流增益
vs
集电极电流
1000
V
CE
= 4 V
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
TCS631AH
集电极 - 发射极饱和电压
vs
基极电流
V
CE （ SAT ）
- 集电极 - 发射极饱和电压 - V
10
TCS631AB
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
h
FE
- 直流电流增益
1·0
100
0·1
I
C
= 100毫安
I
C
= 300毫安
I
C
= 1 A
I
C
= 3 A
0·01
0·1
1·0
10
100
1000
10
0·01
0·1
1·0
10
I
C
- 集电极电流 - 一个
I
B
- 基本电流 - 毫安
图1 。
图2中。
基射极电压
vs
集电极电流
1·0
V
CE
= 4 V
T
C
= 25°C
V
BE
- 基射极电压 - V
0·9
TCS631AC
0·8
0·7
0·6
0·5
0·01
0·1
1·0
10
I
C
- 集电极电流 - 一个
网络连接gure 3 。
产品
信息
3
BD241 ， BD241A ， BD241B ， BD241C
NPN硅功率晶体管
1973年6月 - 修订1997年3月
最大安全工作区
最大正向偏置
安全工作区
100
SAS631AG
I
C
- 集电极电流 - 一个
10
t
p
= 300微秒峰，d = 0.1 = 10％
t
p
= 1毫秒， D = 0.1 = 10 ％
t
p
= 10毫秒峰，d = 0.1 = 10％
直流操作
1·0
0·1
BD241
BD241A
BD241B
BD241C
10
100
1000
0·01
1·0
V
CE
- 集电极 - 发射极电压 - V
图4中。
热信息
最大功率耗散
vs
外壳温度
50
P
合计
- 最大功耗 - W
TIS631AA
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度 - C
图5中。
产品
信息
4
BD241 ， BD241A ， BD241B ， BD241C
NPN硅功率晶体管
1973年6月 - 修订1997年3月
机械数据
TO-220
3 - pin塑料法兰安装型封装
此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的
化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形，并且电路的性能
当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的
在钎焊组件中使用时，清洗或处理。
TO220
4,70
4,20
3,96
3,71
10,4
10,0
2,95
2,54
6,6
6,0
15,90
14,55
1,32
1,23
见注释B
另请注意：C
6,1
3,5
0,97
0,61
1
2
3
1,70
1,07
14,1
12,7
2,74
2,34
5,28
4,88
2,90
2,40
0,64
0,41
第1版
第2版
以毫米为单位所有长度
注：A。该中心引脚与安装标签的电接触。
B.根据包的版本安装标签角落的个人资料。
据包版本C.典型固定孔中心站开高。
第1版18.0毫米。版本2 17.6毫米。
MDXXBE
产品
信息
5
QQ：2880707522 复制
