SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BD241/A/B/C
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BD241/A/B/C
固电
IN
导½
半
ES
昂
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
BD241/A/B/C
BD241/A/B/C
中功率线性和开关
应用
补到BD242 / A / B / C分别为
TO-220
2.Collector
3.Emitter
1
1.Base
NPN外延硅晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
参数
集电极 - 发射极电压
： BD241
： BD241A
： BD241B
： BD241C
集电极 - 发射极电压
： BD241
： BD241A
： BD241B
： BD241C
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
*集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散（T
C
=25°C)
结温
储存温度
价值
45
60
80
100
55
70
90
115
5
3
5
1
40
150
- 65 ~ 150
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
V
CER
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
T
J
T
英镑
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
（ SUS）的
参数
*集电极发射极耐受电压
： BD241
： BD241A
： BD241B
： BD241C
集电极截止电流
集电极截止电流
： BD241 / A
： BD241B / C
： BD241
： BD241A
： BD241B
： BD241C
测试条件
I
C
= - 30mA时我
B
= 0
分钟。
45
60
80
100
0.3
0.3
0.2
0.2
0.2
0.2
1
25
10
1.2
1.8
V
V
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
I
首席执行官
I
CES
V
CE
= 30V ，我
B
= 0
V
CE
= 60V ，我
B
= 0
V
CE
= 45V, V
BE
= 0
V
CE
= 60V, V
BE
= 0
V
CE
= 80V, V
BE
= 0
V
CE
= 100V, V
BE
= 0
V
EB
= 5V ，我
C
= 0
V
CE
= 4V ，我
C
= 1A
V
CE
= 4V ，我
C
= 3A
I
C
= 3A ，我
B
= 0.6A
V
CE
= 4V ，我
C
= 3A
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（上）
发射极截止电流
*直流电流增益
*集电极 - 发射极饱和电压
*基射极电压ON
*脉冲测试： PW = 350μS ，占空比= 2 ％脉冲
2000仙童半导体国际
版本A ， 2000年2月
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
放弃
HiSeC
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QFET
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
UHC
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
国际。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统，其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2000仙童半导体国际
英文内容
BD241 ， BD241A ， BD241B ， BD241C
NPN硅功率晶体管
版权所有 1997年，创新动力有限公司， UK
1973年6月 - 修订1997年3月
q
专为配套使用的
BD242系列
在25 ° C的温度， 40瓦
3连续集电极电流
5 A峰值集电极电流
提供客户指定的选择
B
C
E
q
q
q
q
的TO-220封装
（ TOP VIEW ）
1
2
3
销2与安装底座的电接触。
MDTRACA
绝对最大额定值
在25℃的情况下的温度（除非另有说明）
等级
BD241
集电极 - 发射极电压（R
BE
= 100
)
BD241A
BD241B
BD241C
BD241
集电极 - 发射极电压（I
C
= 30 mA）的
BD241A
BD241B
BD241C
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流（见注1 ）
连续基极电流
连续器件耗散（或低于） 25 ℃的外壳温度（见注2 ）
在（或低于） 25℃自由空气温度连续设备损耗（见注3 ）
非钳位电感负载的能量（见注4 ）
工作结温范围
存储温度范围
从案例铅温度3.2毫米10秒
注：1 。
2.
3.
4.
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
P
合计
½LI
C
T
j
T
英镑
T
L
2
符号
价值
55
70
90
115
45
60
80
100
5
3
5
1
40
2
32
-65到+150
-65到+150
250
单位
V
CER
V
V
首席执行官
V
V
A
A
A
W
W
mJ
°C
°C
°C
该值适用于吨
p
≤
0.3毫秒，占空比
≤
10%.
降额直线到150℃的情况下的温度以0.32的比率W / ℃。
线性降额至150℃自由空气温度为16毫瓦/ ℃的速率。
此评价是基于晶体管的能力在一个电路安全地操作：L = 20毫亨，我
B（上）
= 0.4 A，R
BE
= 100
,
V
BE （OFF）的
= 0, R
S
= 0.1
,
V
CC
= 20 V.
产品
信息
信息为出版日期。产品符合根据规格
随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
1
BD241 ， BD241A ， BD241B ， BD241C
NPN硅功率晶体管
1973年6月 - 修订1997年3月
在25℃的情况下温度的电特性
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
测试条件
BD241
V
（ BR ） CEO
I
C
= 30毫安
（见注5 ）
V
CE
= 55 V
I
CES
集电极 - 发射极
截止电流
集电极截止
当前
发射极截止
当前
正向电流
传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
电压
小信号转发
电流传输比
小信号转发
电流传输比
V
CE
= 70 V
V
CE
= 90 V
V
CE
= 115 V
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE
h
fe
V
CE
= 30 V
V
CE
= 60 V
V
EB
=
V
CE
=
V
CE
=
I
B
=
V
CE
=
5V
4V
4V
0.6 A
4V
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
C
= 0
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
C
=
1A
3A
3A
3A
（见注5和6）
（见注5和6）
（见注5和6）
F = 1千赫
F = 1 MHz的
20
3
25
10
1.2
1.8
V
V
I
B
= 0
BD241A
BD241B
BD241C
BD241
BD241A
BD241B
BD241C
BD241/241A
BD241B/241C
民
45
60
80
100
0.2
0.2
0.2
0.2
0.3
0.3
1
mA
mA
mA
V
典型值
最大
单位
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V
I
C
= 0.5 A
I
C
= 0.5 A
|
h
fe
|
注： 5。这些参数必须使用脉冲技术进行测量，T
p
= 300微秒，占空比
≤
2%.
6.这些参数必须使用电压感测接触，分开的载流触点来测量。
热特性
参数
R
θ
JC
R
θ
JA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
民
典型值
最大
3.125
62.5
单位
° C / W
° C / W
在25℃的情况下温度的电阻负载开关特性
参数
t
on
t
关闭
测试条件
I
C
= 1 A
V
BE （OFF）的
= -3.7 V
I
B（上）
= 0.1 A
R
L
= 20
民
I
B（关闭）
= -0.1 A
t
p
= 20微秒，直流
≤
2%
典型值
0.3
1
最大
单位
s
s
开启时间
打开-O FF时间
显示电压和电流值是名义;精确值与晶体管的参数略有不同。
产品
信息
2
BD241 ， BD241A ， BD241B ， BD241C
NPN硅功率晶体管
1973年6月 - 修订1997年3月
典型特征
典型的直流电流增益
vs
集电极电流
1000
V
CE
= 4 V
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
TCS631AH
集电极 - 发射极饱和电压
vs
基极电流
V
CE （ SAT ）
- 集电极 - 发射极饱和电压 - V
10
TCS631AB
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
h
FE
- 直流电流增益
1·0
100
0·1
I
C
= 100毫安
I
C
= 300毫安
I
C
= 1 A
I
C
= 3 A
0·01
0·1
1·0
10
100
1000
10
0·01
0·1
1·0
10
I
C
- 集电极电流 - 一个
I
B
- 基本电流 - 毫安
图1 。
图2中。
基射极电压
vs
集电极电流
1·0
V
CE
= 4 V
T
C
= 25°C
V
BE
- 基射极电压 - V
0·9
TCS631AC
0·8
0·7
0·6
0·5
0·01
0·1
1·0
10
I
C
- 集电极电流 - 一个
网络连接gure 3 。
产品
信息
3
BD241 ， BD241A ， BD241B ， BD241C
NPN硅功率晶体管
1973年6月 - 修订1997年3月
最大安全工作区
最大正向偏置
安全工作区
100
SAS631AG
I
C
- 集电极电流 - 一个
10
t
p
= 300微秒峰，d = 0.1 = 10％
t
p
= 1毫秒， D = 0.1 = 10 ％
t
p
= 10毫秒峰，d = 0.1 = 10％
直流操作
1·0
0·1
BD241
BD241A
BD241B
BD241C
10
100
1000
0·01
1·0
V
CE
- 集电极 - 发射极电压 - V
图4中。
热信息
最大功率耗散
vs
外壳温度
50
P
合计
- 最大功耗 - W
TIS631AA
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度 - C
图5中。
产品
信息
4
BD241 ， BD241A ， BD241B ， BD241C
NPN硅功率晶体管
1973年6月 - 修订1997年3月
机械数据
TO-220
3 - pin塑料法兰安装型封装
此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的
化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形，并且电路的性能
当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的
在钎焊组件中使用时，清洗或处理。
TO220
4,70
4,20
3,96
3,71
10,4
10,0
2,95
2,54
6,6
6,0
15,90
14,55
1,32
1,23
见注释B
另请注意：C
6,1
3,5
0,97
0,61
1
2
3
1,70
1,07
14,1
12,7
2,74
2,34
5,28
4,88
2,90
2,40
0,64
0,41
第1版
第2版
以毫米为单位所有长度
注：A。该中心引脚与安装标签的电接触。
B.根据包的版本安装标签角落的个人资料。
据包版本C.典型固定孔中心站开高。
第1版18.0毫米。版本2 17.6毫米。
MDXXBE
产品
信息
5
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BD241/A/B/C
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
BD241 ， BD241A ， BD241B ， BD241C
NPN硅功率晶体管
●
●
●
●
●
专为配套使用的
BD242系列
在25 ° C的温度， 40瓦
3连续集电极电流
5 A峰值集电极电流
提供客户指定的选择
B
C
E
的TO-220封装
（ TOP VIEW ）
1
2
3
销2与安装底座的电接触。
MDTRACA
在25 ℃的情况下绝对最大额定值（除非另有说明）
等级
BD241
集电极 - 发射极电压（R
BE
= 100
)
BD241A
BD241B
BD241C
BD241
集电极 - 发射极电压（I
C
= 30 mA）的
BD241A
BD241B
BD241C
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流（见注1 ）
连续基极电流
连续器件耗散（或低于） 25 ℃的外壳温度（见注2 ）
在（或低于） 25℃自由空气温度连续设备损耗（见注3 ）
非钳位电感负载的能量（见注4 ）
工作结温范围
存储温度范围
从案例铅温度3.2毫米10秒
注：1 。
2.
3.
4.
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
P
合计
½LI
C
2
T
j
T
英镑
T
L
V
首席执行官
V
CER
符号
价值
55
70
90
115
45
60
80
100
5
3
5
1
40
2
32
-65到+150
-65到+150
250
V
A
A
A
W
W
mJ
°C
°C
°C
V
V
单位
该值适用于吨
p
≤
0.3毫秒，占空比
≤
10%.
降额直线到150℃的情况下的温度以0.32的比率W / ℃。
线性降额至150℃自由空气温度为16毫瓦/ ℃的速率。
此评价是基于晶体管的能力在一个电路安全地操作：L = 20毫亨，我
B（上）
= 0.4 A，R
BE
= 100
,
V
BE （OFF）的
= 0, R
S
= 0.1
,
V
CC
= 20 V.
1973年6月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
1
BD241 ， BD241A ， BD241B ， BD241C
NPN硅功率晶体管
在25℃的情况下温度的电特性
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
测试条件
BD241
V
（ BR ） CEO
I
C
= 30毫安
（见注5 ）
V
CE
= 55 V
I
CES
集电极 - 发射极
截止电流
集电极截止
当前
发射极截止
当前
正向电流
传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
电压
小信号转发
电流传输比
小信号转发
电流传输比
V
CE
= 70 V
V
CE
= 90 V
V
CE
= 115 V
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE
h
fe
V
CE
= 30 V
V
CE
= 60 V
V
EB
=
V
CE
=
V
CE
=
I
B
=
V
CE
=
5V
4V
4V
0.6 A
4V
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
C
= 0
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
C
=
1A
3A
3A
3A
（见注5和6）
（见注5和6）
（见注5和6）
F = 1千赫
F = 1 MHz的
20
3
25
10
1.2
1.8
V
V
I
B
= 0
BD241A
BD241B
BD241C
BD241
BD241A
BD241B
BD241C
BD241/241A
BD241B/241C
民
45
60
80
100
0.2
0.2
0.2
0.2
0.3
0.3
1
mA
mA
mA
V
典型值
最大
单位
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V
I
C
= 0.5 A
I
C
= 0.5 A
|
h
fe
|
注： 5。这些参数必须使用脉冲技术进行测量，T
p
= 300微秒，占空比
≤
2%.
6.这些参数必须使用电压感测接触，分开的载流触点来测量。
热特性
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
民
典型值
最大
3.125
62.5
单位
° C / W
° C / W
在25℃的情况下温度的电阻负载开关特性
参数
t
on
t
关闭
测试条件
I
C
= 1 A
V
BE （OFF）的
= -3.7 V
I
B（上）
= 0.1 A
R
L
= 20
民
I
B（关闭）
= -0.1 A
t
p
= 20微秒，直流
≤
2%
典型值
0.3
1
最大
单位
s
s
开启时间
打开-O FF时间
显示电压和电流值是名义;精确值与晶体管的参数略有不同。
2
1973年6月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
BD241 ， BD241A ， BD241B ， BD241C
NPN硅功率晶体管
典型特征
典型的直流电流增益
vs
集电极电流
1000
V
CE
= 4 V
t
p
= 300微秒，占空比< 2 ％
TCS631AH
集电极 - 发射极饱和电压
vs
基极电流
V
CE （ SAT ）
- 集电极 - 发射极饱和电压 - V
10
TCS631AB
T
C
= 25°C
T
C
= 80°C
h
FE
- 直流电流增益
1·0
100
0·1
I
C
=
I
C
=
I
C
=
I
C
=
0·01
0·1
百毫安
300毫安
1A
3A
1·0
10
100
1000
10
0·01
0·1
1·0
10
I
C
- 集电极电流 - 一个
I
B
- 基本电流 - 毫安
图1 。
图2中。
基射极电压
vs
集电极电流
1·0
V
CE
= 4 V
T
C
= 25°C
V
BE
- 基射极电压 - V
0·9
TCS631AC
0·8
0·7
0·6
0·5
0·01
0·1
1·0
10
I
C
- 集电极电流 - 一个
网络连接gure 3 。
1973年6月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
3
BD241 ， BD241A ， BD241B ， BD241C
NPN硅功率晶体管
最大安全工作区
最大正向偏置
安全工作区
100
SAS631AG
I
C
- 集电极电流 - 一个
10
t
p
= 300微秒峰，d = 0.1 = 10％
t
p
= 1毫秒， D = 0.1 = 10 ％
t
p
= 10毫秒峰，d = 0.1 = 10％
直流操作
1·0
0·1
BD241
BD241A
BD241B
BD241C
10
100
1000
0·01
1·0
V
CE
- 集电极 - 发射极电压 - V
图4中。
热信息
最大功率耗散
vs
外壳温度
50
P
合计
- 最大功耗 - W
TIS631AA
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度 - C
图5中。
4
1973年6月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
BD241 ， BD241A ， BD241B ， BD241C
NPN硅功率晶体管
机械数据
TO-220
3 - pin塑料法兰安装型封装
此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的
化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形，并且电路的性能
当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的
在钎焊组件中使用时，清洗或处理。
TO220
4,70
4,20
3,96
3,71
10,4
10,0
2,95
2,54
6,6
6,0
15,90
14,55
1,32
1,23
见注释B
另请注意：C
6,1
3,5
0,97
0,61
1
2
3
1,70
1,07
14,1
12,7
2,74
2,34
5,28
4,88
2,90
2,40
0,64
0,41
第1版
第2版
以毫米为单位所有长度
注：A。该中心引脚与安装标签的电接触。
B.根据包的版本安装标签角落的个人资料。
据包版本C.典型固定孔中心站开高。
第1版18.0毫米。版本2 17.6毫米。
MDXXBE
1973年6月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
5
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