飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP功率晶体管
特点
大电流(最大1.5 A)
低电压(最大80 V) 。
应用
通用功率应用,如驱动阶段
在高保真放大器和电视电路。
描述
PNP功率晶体管采用TO -126 ; SOT32塑料
封装。 NPN补充: BD135 , BD137 BD139和。
3
钉扎
针
1
2
BD136 ; BD138 ; BD140
描述
辐射源
集电极,连接到的金属部分
安装面
BASE
手册, halfpage
2
3
1
1
2
3
顶视图
MAM272
Fig.1
简化外形( TO- 126 ; SOT32 )
和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
V
CBO
BD136
BD138
BD140
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BD136
BD138
BD140
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
mb
≤
70
°C
集电极开路
开基
65
65
45
60
80
5
1.5
2
1
8
+150
150
+150
V
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
°C
参数
集电极 - 基极电压
条件
发射极开路
45
60
100
V
V
V
分钟。
马克斯。
单位
1999年04月12
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP功率晶体管
热特性
符号
R
日J-一
R
日J- MB
记
1.参考TO- 126 ( SOT32 )标准安装条件。
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
E
= 0; V
CB
=
30
V
参数
从结点到环境的热阻
从结热阻安装基座
BD136 ; BD138 ; BD140
条件
注1
价值
100
10
单位
K / W
K / W
分钟。
40
63
25
63
100
典型值。
160
1.3
MAX 。 UNIT
100
10
100
250
160
250
0.5
1
1.6
V
V
兆赫
nA
A
nA
I
E
= 0; V
CB
=
30
V ;牛逼
j
= 125
°C
I
C
= 0; V
EB
=
5
V
V
CE
=
2
V ; (见图2)
I
C
=
5
mA
I
C
=
150
mA
I
C
=
500
mA
直流电流增益
I
C
=
150
毫安; V
CE
=
2
V;
BD136-10 ; BD138-10 ; BD140-10 (见图2)
BD136-16 ; BD138-16 ; BD140-16
V
CESAT
V
BE
f
T
h
FE1
-----------
h
FE2
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
的直流电流增益比
互补对
I
C
=
500
毫安;我
B
=
50
mA
I
C
=
500
毫安; V
CE
=
2
V
I
C
=
50
毫安; V
CE
=
5
V;
F = 100 MHz的
I
C
= 150毫安;
V
CE
= 2 V
1999年04月12
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP功率晶体管
包装外形
BD136 ; BD138 ; BD140
塑料单端含铅(通孔)包;安装到散热片,1个安装孔; 3引线SOT32
E
A
P1
P
D
L1
L
1
bp
2
w
M
3
c
Q
e
e1
0
2.5
规模
5 mm
外形尺寸(mm是原始尺寸)
单位
mm
A
2.7
2.3
b
p
0.88
0.65
c
0.60
0.45
D
11.1
10.5
E
7.8
7.2
e
4.58
e1
2.29
L
16.5
15.3
L1
(1)
最大
2.54
Q
1.5
0.9
P
3.2
3.0
P1
3.9
3.6
w
0.254
记
这个区域内的终端1.尺寸不受控制允许流胶和终端违规行为。
概要
VERSION
SOT32
参考文献:
IEC
JEDEC
TO-126
EIAJ
欧洲
投影
发行日期
97-03-04
1999年04月12
5