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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第338页 > BD132
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
BD132
描述
.Complement
输入BD131
·带
TO- 126封装
高
电流（最大： - 3A ）
ULOW
电压（最大： -45V ）
应用
For
通用电源应用
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
t
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极基极电压连续
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
基极电流峰值
总功耗
结温
储存温度
T
mb
≤60℃
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
-45
-45
-4
-3
-6
-0.5
15
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
℃
℃
热特性
符号
R
日J-一
R
日J- MB
参数
从结点到环境的热阻
从结热阻安装基座
价值
100
6
单位
K / W
K / W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
典型值。
BD132
最大
单位
V
CEsat-1
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -0.5A ;我
B
=-50mA
-0.3
V
V
CEsat-2
V
BEsat-1
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -2A ;我
B
=-0.2A
I
C
= -0.5A ;我
B
=-50mA
-0.7
V
基射极饱和电压
-1.2
V
V
BEsat-2
基射极饱和电压
I
C
= -2A ;我
B
=-0.2A
-1.5
V
V
CB
= -50V ;我
E
=0
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= -50V ;我
E
=0 T
j
=150℃
-50
nA
μA
-10
I
EBO
发射极截止电流
V
EB
= -5V ;我
C
=0
-50
nA
h
FE-1
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-12V
I
C
= -2A ; V
CE
=-1V
40
直流电流增益
20
f
T
跃迁频率
I
C
= -0.25A ; V
CE
= -5V ; F = 100MHz的
60
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
BD132
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
BD132
描述
·补充输入BD131
·采用TO- 126封装
·高电流（最大： - 3A ）
·低电压（最大： -45V ）
应用
·对于通用电源应用
钉扎
针
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
t
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极基极电压连续
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
基极电流峰值
总功耗
结温
储存温度
T
mb
560
发射极开路
开基
集电极开路
条件
价值
-45
-45
-4
-3
-6
-0.5
15
150
-65~150
单位
V
V
V
A
A
A
W
热特性
符号
R
日J-一
R
日J- MB
参数
从结点到环境的热阻
从结热阻安装基座
价值
100
6
单位
K / W
K / W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极饱和电压
条件
I
C
= -0.5A ;我
B
=-50mA
I
C
= -2A ;我
B
=-0.2A
I
C
= -0.5A ;我
B
=-50mA
I
C
= -2A ;我
B
=-0.2A
V
CB
= -50V ;我
E
=0
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= -50V ;我
E
=0 T
j
=150
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -0.5A ; V
CE
=-12V
I
C
= -2A ; V
CE
=-1V
I
C
= -0.25A ; V
CE
= -5V ; F = 100MHz的
40
20
60
民
典型值。
BD132
符号
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BEsat-1
V
BEsat-2
最大
-0.3
-0.7
-1.2
-1.5
-50
-10
-50
单位
V
V
V
V
nA
A
nA
兆赫
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
BD132
图2外形尺寸
3
PNP BD132
NPN BD131
硅平面外延电源
晶体管
安装在JEDEC的TO -126塑料封装的BD132are PNN晶体管。
中等功率应用。
NPN互补是BD131 。
绝对最大额定值
符号
-V
首席执行官
-V
CBO
-V
EBO
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
评级
价值
45
45
4
单位
V
V
V
符号
I
C
I
B
P
T
T
J
T
英镑
集电极电流
评级
-I
C
-I
CM
-I
BM
+I
BM
@ T
mb
= 60°C
价值
3
6
0.5
0.5
单位
A
A
瓦
°C
°C
基极电流（峰值）
逆基极电流（峰值）
总功耗
15
150
-65到+150
结温
储存温度
热特性
符号
R
THJ - MB
评级
热阻，结到mouting基地
价值
6
单位
K / W
半导体COMSET
1
PNP BD132
NPN BD131
电气特性
TC = 25° C除非另有说明
符号
-I
CBO
-I
EBO
-V
CE （ SAT ）
-V
BE （ SAT ）
h
FE
评级
集电极截止电流
发射极截止offcurrent
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极饱和
电压
直流电流增益
测试条件（S ）
I
E
=0 , -
V
CB
=40 V
I
E
=0 , -
V
CB
= 40 V ，T
j
= 150°C
I
C
=0, -V
EB
=3 V
-I
C
= 0.5 A ， -I
B
-50毫安
-I
C
= 2.0 A ， -I
B
± 200毫安
-I
C
= 0.5 A ， -I
B
-50毫安
-I
C
= 2.0 A ， -I
B
± 200毫安
-V
CE
= 12 V ， -I
C
= 5亿
-V
CE
= 1 V ， -I
C
=2 A
最小典型单位的Mx
-
-
-
-
-
-
-
40
20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
5
500
5
0.3
1.2
0.7
1,5
-
-
A
A
V
V
尺寸
mm
民
A
B
C
D
E
F
G
H
L
M
N
P
引脚1 ：
引脚2 ：
案例：
最大
民
7.4
7.8
10.5
10.8
2.4
2.7
0.7
0.9
2.2典型。
0.49
0.75
4.4典型。
2.54 TYP 。
15.7 TYP 。
1.2典型。
3.8典型。
3.0
3.2
辐射源
集热器
BASE
英寸
最大
0.295
0.307
0.413
0.425
0.094
0.106
0.027
0.035
0.087 （典型值） 。
0.019
0.029
0.173 （典型值） 。
0.100 TYP 。
0.618典型。
0.047 TYP 。
0.149 （典型值） 。
0.118
0.126
机械数据案例TO- 126
半导体COMSET
2
分立半导体
数据表
书， halfpage
M3D100
BD132
PNP功率晶体管
产品speci fi cation
取代1994年9月数据
在分离式半导体文件， SC04
1997年3月4日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP功率晶体管
特点
大电流（最大3 A）
低电压（最大45 V ） 。
应用
通用电源应用。
描述
PNP功率晶体管采用TO -126 ; SOT32塑料
封装。 NPN补充： BD131 。
手册， halfpage
BD132
钉扎
针
1
2
3
辐射源
集电极，连接到的金属部分
安装面
BASE
描述
2
3
1
1
2
3
顶视图
MAM272
Fig.1
简化外形（ TO- 126 ; SOT32 ）
和符号。
快速参考数据
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
CM
P
合计
h
FE
f
T
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
峰值集电极电流
总功耗
直流电流增益
跃迁频率
T
mb
≤
60
°C
I
C
=
0.5
A; V
CE
=
12
V
I
C
=
0.25
A; V
CE
=
5
V ; F = 100 MHz的
发射极开路
开基
条件
40
60
分钟。
马克斯。
45
45
6
15
兆赫
V
V
A
W
单位
1997年3月4日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP功率晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
mb
≤
60
°C
条件
发射极开路
开基
集电极开路
65
65
分钟。
马克斯。
45
45
4
3
6
0.5
15
+150
150
+150
BD132
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
°C
热特性
符号
R
日J-一
R
日J- MB
记
1.参考TO- 126 ; SOT32标准安装条件。
参数
从结点到环境的热阻
从结热阻安装基座
条件
注1
价值
100
6
单位
K / W
K / W
1997年3月4日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP功率晶体管
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
BESAT
f
T
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
条件
I
E
= 0; V
CB
=
40
V
I
E
= 0; V
CB
=
40
V ;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
=
3
V
I
C
=
0.5
A; V
CE
=
12
V
I
C
=
2
A; V
CE
=
1
V ;见图2
I
C
=
0.5
A;我
B
=
50
mA
I
C
=
2
A;我
B
=
200
mA
I
C
=
0.5
A;我
B
=
50
mA
I
C
=
2
A;我
B
=
200
mA
I
C
=
0.25
A; V
CE
=
5
V;
F = 100 MHz的;吨
AMB
= 25
°C
40
20
60
分钟。
BD132
马克斯。
50
10
50
300
700
1.2
1.5
单位
nA
A
nA
mV
mV
V
V
兆赫
MGD841
手册，全页宽
160
的hFE
120
80
40
0
10
1
1
10
10
2
10
3
IC （MA ）
10
4
V
CE
=
1
V.
图2直流电流增益;典型值。
1997年3月4日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP功率晶体管
包装外形
BD132
塑料单端含铅（通孔）包;安装到散热片，1个安装孔; 3引线SOT32
E
A
P1
P
D
L1
L
1
2
w
M
3
c
Q
e
e1
0
2.5
规模
5 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
2.7
2.3
b
p
0.88
0.65
c
0.60
0.45
D
11.1
10.5
E
7.8
7.2
e
4.58
e1
2.29
L
16.5
15.3
L1
(1)
最大
2.54
Q
1.5
0.9
P
3.2
3.0
P1
3.9
3.6
w
0.254
记
这个区域内的终端1.尺寸不受控制允许流胶和终端违规行为。
概要
VERSION
SOT32
参考文献：
IEC
JEDEC
TO-126
EIAJ
欧洲
投影
发行日期
97-03-04
1997年3月4日
5
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推荐型号
B41231C0398M000
B37954J5104M072
BD5233
BUK552-100A/B
BR258W
B72205S0250K211
B41888C7478M000
BQ24250RGER
B43508A2158M062
BT05VG
B43540E2108M002
BTB08-600BW3G
BT53W/3
BQ20Z90DBT-V110G4
BYG21K-E3TR
BUS-61570-500W
BH30NB1WHFV-TR
BS-A833RD
BZX84C3V9TS-7-F
BZT55B3V3
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    BD132
    -
    -
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ST
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