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江苏长电科技股份有限公司
TO- 126塑封装晶体管
BD034
晶体管（ PNP ）
TO-126
特点
功耗
1.发射器
P
厘米：
1.25
W（环境温度Tamb = 25℃）
2.收集
3. BASE
集电极电流
I
厘米：
-2.5
A
集电极 - 基极电压
V
（ BR ） CBO
:
-110
V
工作和存储结温范围
T
J
, T
英镑
： -55 ℃+ 150 ℃
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
直流电流增益
h
FE(2)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
V
CE （ SAT ）
V
BE
123
除非
TEST
否则
条件
特定网络版）
民
典型值
最大
单位
IC 。
-100
μA ，我
E
=0
IC 。
-10
妈，我
B
=0
I
E
=
-100
μA ，我
C
=0
V
CB
=
-100
V，I
E
=0
V
EB
=
-5
V，I
C
=0
V
CE
=
-2
V，I
C
=
-100
mA
V
CE
=
-2
V，I
C
=
-1.5
A
I
C
=
-2
A，I
B
=
-200
mA
V
CE
=
-5
V，I
C
=
-500
mA
V
CE
=
-1
V，I
C
=
-250
毫安， F = 1MHz的
-110
-80
-7
-1
-1
100
40
-0.5
-1
3
560
V
V
V
A
A
V
V
兆赫
f
T
分类
秩
范围
h
FE(1)
R
100-200
S
140-280
T
200-400
U
280-560
TypicalCharacteristics
BD034
江苏长电科技股份有限公司
TO- 126塑封装晶体管
BD034
晶体管（ PNP ）
TO-126
特点
功耗
1.发射器
P
厘米：
1.25
W（环境温度Tamb = 25℃）
2.收集
3. BASE
集电极电流
I
厘米：
-2.5
A
集电极 - 基极电压
V
（ BR ） CBO
:
-110
V
工作和存储结温范围
T
J
, T
英镑
： -55 ℃+ 150 ℃
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
直流电流增益
h
FE(2)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
V
CE （ SAT ）
V
BE
123
除非
TEST
否则
条件
特定网络版）
民
典型值
最大
单位
IC 。
-100
μA ，我
E
=0
IC 。
-10
妈，我
B
=0
I
E
=
-100
μA ，我
C
=0
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CB
=
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V，I
E
=0
V
EB
=
-5
V，I
C
=0
V
CE
=
-2
V，I
C
=
-100
mA
V
CE
=
-2
V，I
C
=
-1.5
A
I
C
=
-2
A，I
B
=
-200
mA
V
CE
=
-5
V，I
C
=
-500
mA
V
CE
=
-1
V，I
C
=
-250
毫安， F = 1MHz的
-110
-80
-7
-1
-1
100
40
-0.5
-1
3
560
V
V
V
A
A
V
V
兆赫
f
T
分类
秩
范围
h
FE(1)
R
100-200
S
140-280
T
200-400
U
280-560
TypicalCharacteristics
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晶体管（ PNP ）
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特点
功耗
1.发射器
P
厘米：
1.25
W（环境温度Tamb = 25℃）
2.收集
3. BASE
集电极电流
I
厘米：
-2.5
A
集电极 - 基极电压
V
（ BR ） CBO
:
-110
V
工作和存储结温范围
T
J
, T
英镑
： -55 ℃+ 150 ℃
电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
直流电流增益
h
FE(2)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
V
CE （ SAT ）
V
BE
123
除非
TEST
否则
条件
特定网络版）
民
典型值
最大
单位
IC 。
-100
μA ，我
E
=0
IC 。
-10
妈，我
B
=0
I
E
=
-100
μA ，我
C
=0
V
CB
=
-100
V，I
E
=0
V
EB
=
-5
V，I
C
=0
V
CE
=
-2
V，I
C
=
-100
mA
V
CE
=
-2
V，I
C
=
-1.5
A
I
C
=
-2
A，I
B
=
-200
mA
V
CE
=
-5
V，I
C
=
-500
mA
V
CE
=
-1
V，I
C
=
-250
毫安， F = 1MHz的
-110
-80
-7
-1
-1
100
40
-0.5
-1
3
560
V
V
V
A
A
V
V
兆赫
f
T
分类
秩
范围
h
FE(1)
R
100-200
S
140-280
T
200-400
U
280-560
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