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分立半导体
数据表
M3D126
BCY87 ; BCY88 ; BCY89
NPN通用晶体管
产品speci fi cation
取代1994年9月数据
在分离式半导体文件, SC04
1997年6月20日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN通用晶体管
特点
低电流(最大30 mA)的
低电压(最大45 V ) 。
应用
在一般工业差分放大器的应用
例如服务仪表和控制
该BCY87和BCY88旨在用于在使用中
差分放大器,其中低失调,低前期阶段
漂移和低噪音是最重要
该BCY89是用于在第二阶段,使用
差分放大器,长尾对,更普遍
应用程序。
描述
在匹配的双NPN晶体管采用TO- 71 ; SOT31金属
封装。产品按分为3种类型
其匹配精度。
6
5
4
BCY87 ; BCY88 ; BCY89
钉扎
(1)
1
2
3
4
5
6
1.从绝缘的情况下,所有的线索。
描述
发射TR1
发射TR2
收藏家TR2
基础TR2
依据TR1
收藏家TR1
手册, halfpage
6
1
2
3
4
2
TR2
TR1
MAM351
1
5
3
Fig.1
简化外形( TO- 71 ; SOT31 )
和符号。
快速参考数据
符号
每个晶体管
V
CBO
V
首席执行官
P
合计
h
FE
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
总功耗
直流电流增益
BCY87
BCY88
BCY89
h
FE
f
T
直流电流增益
跃迁频率
发射极开路
开基
T
AMB
25
°C
V
CE
= 10 V
I
C
= 5
A
I
C
= 500
A
I
C
= 10毫安
I
C
= 50
A;
V
CE
= 10 V
I
C
=
50 A;
V
CE
= 10 V ; F = 100 MHz的
I
C
=
500 A;
V
CE
= 10 V ; F = 100 MHz的
80
120
100
100
10
50
600
600
450
兆赫
兆赫
45
40
150
V
V
mW
参数
条件
分钟。
马克斯。
单位
1997年6月20日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN通用晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
总功耗
储存温度
结温
T
AMB
25
°C
条件
发射极开路
开基
集电极开路
BCY87 ; BCY88 ; BCY89
分钟。
65
马克斯。
45
40
5
30
150
+150
175
V
V
V
单位
mA
mW
°C
°C
热特性
符号
R
日J-一
参数
从结点到环境的热阻
条件
在自由空气
价值
1
单位
K /毫瓦
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
每个晶体管
I
CBO
集电极截止电流
BCY87
BCY88
I
CBO
h
FE
集电极截止电流
BCY89
直流电流增益
BCY87
BCY88
BCY89
h
FE
C
c
f
T
直流电流增益
集电极电容
跃迁频率
V
CE
= 10 V
I
C
= 5
A
I
C
= 500
A
I
C
= 10毫安
I
C
= 50
A;
V
CE
= 10 V
I
E
=
50 A;
V
CE
= 10 V;
F = 100 MHz的
I
E
=
500 A;
V
CE
= 10 V;
F = 100 MHz的
F
F
噪音科幻gure
噪音科幻gure
BCY87
BCY88 ; BCY89
I
C
= 200
A;
V
CE
= 5 V;
R
S
= 2 kΩ的; F = 10 Hz至15.7千赫
80
120
100
100
10
50
600
600
450
3.5
4
pF
兆赫
兆赫
dB
I
E
= 0; V
CB
= 20 V
10
nA
I
E
= 0; V
CB
= 20V;牛逼
AMB
= 90
°C
5
20
nA
nA
参数
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 200
A;
V
CE
= 5 V;
R
S
= 2 kΩ的; F = 1千赫B = 200赫兹
4
5
dB
dB
1997年6月20日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN通用晶体管
BCY87 ; BCY88 ; BCY89
符号
完整的设备;记
1
I
1C
------
-
I
2C
参数
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
集电极电流的比率
BCY87
BCY88
BCY89
V
1B
1E
= V
2B
2E
0.9
0.8
0.67
I
1C
= I
2C
V
1B
1E
= V
2B
2E
I
1C
= I
2C
0.9
0.8
1
2
4
1.11
1.25
3
6
10
0.5
2
10
μV / K
μV / K
μV / K
的Na / K
的Na / K
的Na / K
25
80
300
nA
nA
nA
3
6
10
mV
mV
mV
1.11
1.25
1.5
V
1B
1E
V
2B
2E
区别
基极 - 发射极电压
BCY87
BCY88
BCY89
I
1B
I
2B
基础之间的差异
电流
BCY87
BCY88
BCY89
h
1FE
-----------
h
2FE
V
-------
-
T
直流电流增益比
BCY87
BCY88
相当于差分电压牛逼
AMB
=
20 °C
到+90
°C
BCY87
BCY88
BCY89
I
-------
T
等效差分电流T
AMB
=
20 °C
到+90
°C
BCY87
BCY88
BCY89
1.这些特征都是有效的在下列条件下:
A)集电极基两个晶体管不超过10伏的电压; (V
1C
1B
= V
2C
2B
10 V).
b)由10100萨姆的发射极电流的
μA ; - (我
1E
+ I
2E
) = 10100
A.
1997年6月20日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN通用晶体管
包装外形
金属圆柱可以单端封装; 6引线
BCY87 ; BCY88 ; BCY89
SOT31
j
B
α
飞机座位
w
M
A
M
B
M
1
k
2
3
D
1
b
6
5
4
a
A
D
A
L
0
5
规模
10 mm
尺寸(毫米尺寸从原始英寸的尺寸得到)
单位
mm
A
马克斯。
5.3
a
2.54
b
马克斯。
0.51
D
马克斯。
5.8
D1
马克斯。
4.8
j
马克斯。
1.16
k
马克斯。
1.17
L
分钟。
12.7
w
0.35
α
45°
概要
VERSION
SOT31
参考文献:
IEC
JEDEC
TO-71
EIAJ
欧洲
投影
发行日期
97-06-18
1997年6月20日
5
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