大陆设备印度有限公司
一个IS / ISO 9002和IECQ认证的制造商
IS / ISO 9002
里克＃ QSC / L- 000019.2
IS / IECQC 700000
IS / IECQC 750100
PNP互补硅平面外延晶体管
BCY77 ， BCY78
BCY79
TO-18
互补BCY58 / 59
绝对最大额定值
描述
符号
BCY77
BCY78
BCY79
单位
V
V
V
mA
mA
mW
W
摄氏度
VCEO
60
32
45
集电极发射极电压
VCES
60
32
45
集电极发射极电压
VEBO
5.0
5.0
5.0
发射极基极电压连续
IC
100
200
200
连续集电极电流
IB
50
50
50
基极电流连续
PD
600
功率耗散@ TA = 25摄氏度
1.0
@ TC = 45摄氏度
TJ ， TSTG
-65到+200
工作和存储结
温度范围
热阻
Rth的第（j-一）
450
结到环境中的自由空气
RTH （J -C ）
150
结到外壳
电气特性（Ta = 25℃除非另有说明）
描述
符号测试条件
BCY77 BCY78
VCEO
IC=2mA,IB=0
>60
>32
集电极发射极电压
VCES
IC = 10uA的， VBE = 0
>60
>32
集电极发射极电压
VEBO
IE = 1uA的， IC = 0
>5.0
>5.0
发射极 - 基极电压
冰
VCE = VCE最大， VBE = 0
<100
<100
集电极切断电流
VCE = 50V ， VBE = 0
<20
-
VCE = 25V ， VBE = 0
-
<20
VCE = 35V ， VBE = 0
-
-
TA = 150℃
VCE = 60V ， VBE = 0
VCE = 25V ， VBE = 0
VCE = 35V ， VBE = 0
ICEX
VCE = VCE ，最大
VBE = 0.2V ，TA = 100℃
IEBO
VEB = 4V ， IC = 0
VBE （上） IC = 10uA的， VCE = 5V
IC = 2毫安， VCE = 5V
IC=10mA,VCE=1V
IC = 50mA时VCE = 1V （ 2 ）
IC = 100mA时VCE = 1V （ 1 ）
K / W
K / W
BCY79单位
>45
V
>45
V
>5.0
V
<100
nA
.-
nA
-
nA
<20
nA
<10
-
-
<20
<20
-
<10
-
<20
<20
TYP 0.55
0.6 0.75
TYP 0.68
TYP 0.72
TYP 0.75
.-
-
<10
<20
<20
uA
uA
uA
uA
nA
V
V
V
V
V
发射器切断电流
基极发射极电压
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数据表
第1页4
电气特性（Ta = 25℃除非另有说明）
描述
符号测试条件
集电极 - 发射极饱和电压
VCE （星期六） IC = 10毫安， IB = 0.25毫安
IC = 50mA时IB = 1.25毫安（ 2 ）
IC = 100mA时IB = 2.5毫安（ 1 ）
VBE （星期六） IC = 10毫安， IB = 0.25毫安
IC = 50mA时IB = 1.25毫安（ 2 ）
IC = 100mA时IB = 2.5毫安（ 1 ）
的hFE
IC = 10uA的， VCE = 5V
BCY77-79
价值
<0.25
<0.80
<0.80
0.60-0.85
0.70-1.2
0.70-1.2
TYP140
>30
>40
>100
120-220
180-310
250-460
380-630
>80
120-400
160-630
240-1000
>40
>45
>60
>60
>40
>45
>60
125-250
175-350
250-500
350-700
1.6-4.5
2.5-6.0
3.2-8.5
TYP 7.5
TYP1.5
TYP2.0
TYP2.0
TYP 3.0
<30
<50
<60
<100
单位
V
V
V
V
V
V
基极发射极饱和电压
直流电流
只有BCY78 / 79
IC = 2毫安， VCE = 5V
只有BCY78 / 79
IC = 10毫安， VCE = 1V
只有BCY78 / 79
IC = 100mA时VCE = 1V （ 1 ）
只有BCY78 / 79
IC = 50mA时VCE = 1V （ 2 ）
小信号电流增益
的hFE
IC = 2毫安， VCE = 5V ， F = 1kHz时
输入阻抗
缺氧缺血性脑病
只有BCY78 / 79
IC = 2毫安， VCE = 5V ， F = 1kHz时
电压反馈比例
HRE
只有BCY78 / 79
IC = 2毫安， VCE = 5V ， F = 1kHz时
输出导纳
HOE
只有BCY78 / 79
IC = 2毫安， VCE = 5V ， F = 1kHz时
只有BCY78 / 79
7
8
9
10
7
8
9
10
7
8
9
10
7
8
9
10
7
8
9
7
8
9
10
7
8
9
10
7
8
9
10
7
8
9
10
千欧
X10-4
umhos
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数据表
第2页4
电气特性（Ta = 25℃除非另有说明）
描述
符号测试条件
民
NF
VCE = 5V ， IC = 0.2毫安
噪声系数
RS = 2khoms中，f = 1kHz时，
B=200Hz
ft
VCE = 5V ， IC = 10毫安中，f = 100MHz的
跃迁频率
Ccbo
VCB = 10V ， IE = 0 ， F = 1MHz的
集电极电容基地
CEBO
VEB = 0.5V ， IC = 0 ， F = 1MHz的
发射基地电容
BCY77-79
典型值
<6.0
最大
单位
dB
TYP180
<7.0
<15
兆赫
pF
pF
开关特性
BCY77/78/79
延迟时间
上升时间
启动时间
贮存时间
下降时间
关闭时间
BCY78/79
延迟时间
上升时间
开启时间
贮存时间
下降时间
开启0FF时间
td
tr
吨
ts
tf
花花公子
IC = 10毫安， IB1 = IB2 = 1毫安
VBB = 3.6V ，R 1 = R 2 = 5kohms
RL = 990欧姆
-
-
-
-
-
-
35
50
-
400
80
-
-
-
150
-
-
800
ns
ns
ns
ns
ns
ns
td
tr
吨
ts
tf
花花公子
IC = 100mA时IB1 = 1B2 = 10毫安
R1 = 500欧姆，R 2 = 700欧姆
RL = 98欧姆， VBB = 5V
-
-
-
-
-
-
5.0
50
-
250
200
-
-
-
150
-
-
800
ns
ns
ns
ns
ns
ns
BCY77
td
延迟时间
tr
IC = 50mA时IB1 = 1B2 = 5毫安
上升时间
吨
R1=1kohms,R2=1.3kohms
开启时间
ts
RL = 195欧姆， VBB = 4.7V
贮存时间
tf
下降时间
花花公子
开启0FF时间
（1）仅BCY78 / 79
（2）仅BCY77
脉冲测试：脉冲宽度= 300US ，占空比= 2 ％
-
-
-
-
-
-
15
50
-
300
150
-
-
-
150
-
-
800
ns
ns
ns
ns
ns
ns
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数据表
第3页4
TO- 18金属罐包装
A
B
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
民
马X
5.24
5.84
4.52
4.97
4.31
5.33
0.40
0.53
—
0.76
—
1.27
—
2.97
0.91
1.17
0.71
1.21
12.70
—
45 DE摹
C
G
2
K
1
H
L
J
D
3
F
3
2
1
PIN CONFIGU RATION
1.发射器
2.基
3.收集
包装细节
包
TO-18
标准包装
详细
净重量/数量
1K/polybag
350克/ 1K个
内箱箱
SIZE
数量
3" X 7.5" X 7.5"
5.0K
外箱BOX
SIZE
数量
克重量
34公斤
17 ＆ QUOT ; ×15 ＆ QUOT ; X 13.5 ＆ QUOT ;
80.0K
放弃
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数据表
第4页4
在MM都diminsions 。
E
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