【NPN BCY58 - BCY59硅平面外延晶体管该BCY58和BCY59是NPN晶体管安装在TO-】,IC型号BCY59,BCY59 PDF资料,BCY59经销商,ic,电子元器件-51电子网

NPN BCY58 - BCY59

硅平面外延晶体管

该BCY58和BCY59是NPN晶体管安装在TO-18金属封装，集电极

连接到所述壳体。

它们设计用于在音频驱动器和低噪声输入级使用。

符合RoHS指令。

绝对最大额定值

符号

V

首席执行官

V

CES

V

EBO

I

C

I

B

P

D

P

D

T

J

T

英镑

评级

集电极 - 发射极电压

(1)

集电极 - 发射极电压（

V

BE

=0)

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

总功耗

结温

存储温度范围

@ T

AMB

= 45°

@ T

例

= 45°

BCY59

BCY58

BCY59

BCY58

BCY59

BCY58

BCY59

BCY58

BCY59

BCY58

BCY59

BCY58

BCY59

BCY58

BCY59

BCY58

BCY59

BCY58

价值

45

32

45

32

7

200

50

0.39

1

200

-65到+150

单位

V

mA

mW

瓦

°C

（ 1 ）适用至我

C

= 500毫安

热特性

符号

R

THJ -A

R

THJ -C

评级

热阻，结到安装

BASE

热阻，结到环境中

自由的空气

BCY59

BCY58

BCY59

BCY58

价值

450

150

单位

° C / W

半导体COMSET

1/4

NPN BCY58 - BCY59

电气特性

TJ = 25 ° C除非另有说明

符号

I

CES

I

CES

I

EBO

V

首席执行官

V

EBO

V

CE （ SAT ）

评级

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

测试条件（S ）

V

CB

=45 V, V

BE

=0V

V

CB

=32 V, V

B

=0V

V

CB

=45 V

V

BE

=0V,T

AMB

=150°C

V

CB

=32 V

V

BE

=0V,T

AMB

=150°C

V

BE

= 5.0 V，I

C

=0

最小值典型值

-

0.12

04

0.7

0.85

0.5

-

0.7

0.76

BCY59IX

BCY58IX

>40

Typ.190

>250

<460

>160

<630

>60

>250

<500

Mx

10

-

0.25

08

单位

nA

A

nA

V

BCY59

BCY58

BCY59

BCY58

BCY59

BCY58

BCY59

BCY58

BCY59

BCY58

BCY59

BCY58

BCY59

BCY58

BCY59

BCY58

BCY59

BCY58

BCY59

BCY58

BCY59

BCY58

BCY59

BCY58

BCY59

BCY58

BCY59

BCY58

-

45

32

7

-

0.6

0.7

-

0.2

0.55

-

集电极发射极击穿

I

C

= 2毫安，我

B

=0

电压

发射极基极击穿

I

E

= 1μA ，我

C

=0

电压

集电极 - 发射极饱和

电压

I

C

= 10 mA时，我

B

= 0.25毫安

I

C

= 100毫安，我

B

= 2.5毫安

I

C

= 10 mA时，我

B

= 0.25毫安

I

C

= 100毫安，我

B

= 2.5毫安

I

C

= 10 μA ，V

CE

=5 V

I

C

= 20 μA ，V

CE

=V

CE MAX

T

j

=100°C

V

0.85

1.2

-

0.7

-

BCY59X

BCY58X

>60

Typ.300

>380

<630

>240

<1000

>60

>350

<700

V

BE （ SAT ）

基射极饱和

电压

V

BE

基射极电压

I

C

= 2毫安， V

CE

=5 V

I

C

= 10 mA时， V

CE

=1 V

I

C

= 100毫安， V

CE

=1 V

I

C

= 10 μA ，V

CE

=5 V

h

FE

直流电流增益

I

C

= 10 μA ，V

CE

=5 V

I

C

= 10 mA时， V

CE

=1 V

h

fe

小信号

电流增益

I

C

= 100毫安， V

CE

=1 V

I

C

= 2毫安， V

CE

=5 V,

F = 1kHz时

BCY59VII

BCY58VII

-

Typ.20

>120

<220

>80

-

>40

>125

<250

BCY59VIII

BCY58VIII

>20

Typ.95

>180

<310

>120

<400

>45

>175

<350

半导体COMSET

2/4

NPN BCY58 - BCY59

符号

f

T

F

t

d

t

r

t

on

t

s

t

f

t

关闭

t

d

t

r

t

on

t

s

t

f

t

关闭

C

E

评级

跃迁频率

噪声系数， RS = 2kΩ的

延迟时间

上升时间

启动时间

贮存时间

下降时间

关闭时间

延迟时间

上升时间

启动时间

贮存时间

下降时间

关闭时间

集电极电容

发射极电容

测试条件（S ）

I

C

= 10 mA时， V

CE

=5 V

F = 100MHz的

I

C

= 200 μA ，V

CE

=5 V

F = 1kHz时， B = 200Hz的

民

150

-

典型的Mx

-

2

35

50

85

400

80

480

5

50

55

250

200

450

-

6

-

150

单位

兆赫

db

I

C

= 10 mA时，我

B

= 1毫安

-I

BM

= 1毫安， V

BB

=3.6 V

R1= R2 =

5k

R

L

= 990

I

C

= 100毫安，我

B

= 10毫安

-I

BM

= 10 mA时， V

BB

=5 V

R1 =

500

,

R1 =

700

R

L

= 990

I

E

= I

e

= 0 ,V

CB

=10 V

F = 1MHz的

I

C

= I

c

= 0 ,V

EB

=0.5 V

F = 1MHz的

BCY59

BCY58

BCY59

BCY58

BCY59

BCY58

BCY59

BCY58

BCY59

BCY58

BCY59

BCY58

BCY59

BCY58

BCY59

BCY58

BCY59

BCY58

BCY59

BCY58

BCY59

BCY58

BCY59

BCY58

BCY59

BCY58

BCY59

BCY58

BCY59

BCY58

BCY59

BCY58

ns

-

800

-

150

ns

-

800

5

15

pF

半导体COMSET

3/4

NPN BCY58 - BCY59

机械数据案例TO- 18

尺寸

mm

A

B

D

E

F

G

H

I

L

引脚1 ：

引脚2 ：

3脚：

12,7

0,49

5,3

4,9

5,8

2,54

1,2

1,16

45°

英寸

0,5

0,019

0,208

0,193

0,228

0,1

0,047

0,045

45°

辐射源

BASE

集热器

提供的资料被认为是准确和可靠。然而， CS不承担任何责任

使用该等信息造成的后果，也没有对可能出现的错误。

资料如有变更，恕不另行通知。

半导体COMSET

4/4

BCY59

尺寸以毫米（英寸）。

5.84 (0.230)

5.31 (0.209)

4.95 (0.195)

4.52 (0.178)

在一个双极NPN器件

密封TO18

金属包装。

双极NPN装置。

V

首席执行官

= 45V

0.48 (0.019)

0.41 (0.016)

DIA 。

I

C

= 0.2A

所有Semelab密封产品

可根据被处理

BS ， CECC和JAN的要求，

JANTX ， JANTXV和JANS规格

3

2

1

2.54 (0.100)

喃。

TO18 （ TO206AA ）

引脚配置

1 - 发射极

2 - 基

3 - 集电极

参数

V

首席执行官

*

I

C（ CONT ）

h

FE

f

t

P

D

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

45

0.2

单位

V

A

-

Hz

@ 5 / 2M （V

CE

/ I

C

)

120

125M

630

0.36

W

*最大工作电压

这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表，请联系

sales@semelab.co.uk 。

Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信

是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。

Semelab PLC 。

电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。

电子信箱：

sales@semelab.co.uk

网址：

http://www.semelab.co.uk

产生

2-Aug-02

BCY59

小信号NPN晶体管

描述

该BCY59是硅平面外延NPN

晶体管JEDEC的TO -18金属外壳。这是

在音频输入级intented使用时，驾驶员

级和低噪声输入级。

该PNP互补型是BCY79 。

TO-18

内部原理图

绝对最大额定值

符号

V

CES

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

B

P

合计

T

英镑

T

j

参数

集电极 - 发射极电压（V

BE

= 0)

集电极 - 发射极电压（I

B

= 0)

发射极 - 基极电压（I

C

= 0)

集电极电流

基极电流

总功耗在T

AMB

≤

25 C

在T

C

≤

25

o

C

储存温度

马克斯。工作结温

o

价值

45

7

200

50

0.39

1

-55至175

175

单位

V

mA

W

o

C

1/6

2002年9月

BCY59

热数据

R

THJ情况

R

THJ - AMB

热阻结案件

热阻结到环境

最大

150

384.6

o

C / W

电气特性

(T

例

= 25

o

C除非另有说明）

符号

I

CES

I

CEX

I

EBO

参数

集电极截止

电流（V

BE

= 0)

集电极截止

电流（V

BE

= -0.2 V)

发射极截止电流

(I

C

= 0)

测试条件

V

CE

= 45 V

V

CE

= 45 V

V

CE

= 45 V

V

EB

= 5 V

I

C

= 2毫安

45

T

C

= 150 C

T

C

= 100

o

C

o

分钟。

典型值。

0.1

马克斯。

10

20

10

单位

nA

A

nA

V

（ BR ） CEO

集电极 - 发射极

击穿电压

(I

B

= 0)

V

（ BR ） EBO

发射极 - 基

击穿电压

(I

C

= 0)

集电极 - 发射极

饱和电压

基射

饱和电压

基极 - 发射极（上）

电压

直流电流增益

I

E

= 10

A

7

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

V

BE（上）

h

FE

I

C

= 10毫安

I

C

= 100毫安

I

C

= 10毫安

I

C

= 100毫安

I

C

= 2毫安

I

C

= 100毫安

I

C

= 10

A

克。第八

克。 IX

克。 X

I

C

= 2毫安

克。第八

克。 IX

克。 X

I

C

= 10毫安

克。第八

克。 IX

克。 X

I

C

= 100毫安

克。第八

克。 IX

克。 X

I

C

= 2毫安

克。第八

克。 IX

克。 X

I

C

= 10毫安

I

B

= 0.25毫安

I

B

= 2.5毫安

I

B

= 0.25毫安

I

B

= 2.5毫安

V

CE

= 5 V

V

CE

= 1 V

V

CE

= 5 V

20

40

100

V

CE

= 5 V

180

250

380

V

CE

= 1 V

120

160

240

V

CE

= 1 V

45

60

V

CE

= 5 V F = 1千赫

175

250

350

V

CE

= 5 V F = 100 MHz的

0.6

0.75

0.55

0.12

0.4

0.7

0.9

0.65

0.75

140

195

280

250

350

500

260

365

520

0.35

0.7

0.85

1.2

0.7

V

310

460

630

h

fe

小信号电流

收益

350

500

700

200

兆赫

f

T

跃迁频率

脉冲：脉冲宽度= 300

s,

占空比

≤

1 %

2/6

BCY59

电气特性

(T

例

= 25

o

C除非另有说明）

符号

C

CBO

C

EBO

NF

t

on

参数

集电极 - 基

电容

发射极 - 基

电容

噪声系数

开启时间

I

E

= 0

I

C

= 0

测试条件

V

CB

= 10 V

V

EB

= 0.5 V

F = 1MHz的

分钟。

典型值。

3.5

11

2

马克斯。

6

15

6

单位

pF

dB

I

C

= 0.2毫安V

CE

= 5 V

F = 1kHz时

R

g

= 2K

f

= 200Hz的

I

C

= 10毫安V

CC

= 10 V

I

B1

= 1毫安

I

C

= 100毫安V

CC

= 10 V

I

B1

= 10毫安

I

C

= 10毫安V

CC

= 10 V

I

B1

= - I

B2

= 1毫安

I

C

= 100毫安V

CC

= 10 V

I

B1

= - I

B2

= 10毫安

85

55

480

150

800

ns

t

关闭

打开-O FF时间

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

3/6

BCY59

过渡Frequeny

集电极 - 基极电容

噪声系数（ F = 100赫兹）

噪声系数（ F = 1千赫）

噪声系数（ F = 10千赫）

噪声系数与频率的关系

4/6

BCY59

的TO- 18机械数据

mm

DIM 。

分钟。

A

B

D

E

F

G

H

I

L

45

o

2.54

1.2

1.16

45

o

典型值。

12.7

0.49

5.3

4.9

5.8

0.100

0.047

0.045

马克斯。

分钟。

典型值。

0.500

0.019

0.208

0.193

0.228

马克斯。

寸

G

I

H

E

F

D

A

L

C

B

0016043

5/6

BCY59

尺寸以毫米（英寸）。

5.84 (0.230)

5.31 (0.209)

4.95 (0.195)

4.52 (0.178)

在一个双极NPN器件

密封TO18

金属包装。

双极NPN装置。

V

首席执行官

= 45V

0.48 (0.019)

0.41 (0.016)

DIA 。

I

C

= 0.2A

所有Semelab密封产品

可根据被处理

BS ， CECC和JAN的要求，

JANTX ， JANTXV和JANS规格

3

2

1

2.54 (0.100)

喃。

TO18 （ TO206AA ）

引脚配置

1 - 发射极

2 - 基

3 - 集电极

参数

V

首席执行官

*

I

C（ CONT ）

h

FE

f

t

P

D

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

45

0.2

单位

V

A

-

Hz

@ 5 / 2M （V

CE

/ I

C

)

120

125M

630

0.36

W

*最大工作电压

这是一个简易模式数据表。对于一个完整的数据表，请联系

sales@semelab.co.uk 。

Semelab Plc的保留改变试验条件，参数限制和封装尺寸，恕不另行通知。提供的信息Semelab信

是既准确又可靠，在即将出版的时间。然而Semelab承担发现其使用的任何错误或遗漏承担责任。

Semelab PLC 。

电话：+44（ 0 ） 1455 556565.传真：+44（ 0 ） 1455 552612 。

电子信箱：

sales@semelab.co.uk

网址：

http://www.semelab.co.uk

产生

2-Aug-02

BCY58

BCY59

低噪声音频放大器

描述

该BCY58和BCY59是硅平面外延

NPN晶体管JEDEC的TO -18金属外壳。

它们被设计用于音频输入级使用，

驱动级和低噪声输入级。该公

互补PNP类型分别是BCY78

和BCY79 。

TO-18

内部原理图

绝对最大额定值

价值

符号

V

CES

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

B

P

吨吨

T

S T摹

, T

j

1989年1月

参数

集电极 - 发射极电压（V

BE

= 0)

集电极 - 发射极电压（I

B

= 0)

发射极 - 基极电压（I

C

= 0)

集电极电流

基极电流

在T总功率耗散

AMB

≤

25

°C

在T

为E

≤

45

°C

储存和结温

BCY58

32

7

200

50

0.39

1

- 65 200

BCY59

45

单位

V

mA

mW

W

°C

1/6

BCY58-BCY59

热数据

R

吨 J- CAS ê

R

吨 J- AMB

热阻结案件

热阻结到环境

最大

150

450

° C / W

电气特性

(T

AMB

= 25

°C

除非另有规定编）

符号

I

CE S

参数

收藏家Cuto FF电流

(V

BE

= 0)

测试条件

为

BCY58

V

CE

= 32 V

V

CE

= 32 V

为

BCY59

V

CE

= 45 V

V

CE

= 45 V

为

BCY58

V

CE

= 32 V

为

BCY59

V

CE

= 45 V

V

EB

= 5 V

I

C

= 2毫安

I

E

= 10

A

I

C

= 10毫安

I

C

= 100毫安

I

C

= 2毫安

I

C

= 100毫安

I

C

= 10毫安

I

C

= 100毫安

I

C

=10

A

I

B

= 0.25毫安

I

B

= 2.5毫安

V

CE

= 5 V

V

CE

= 1 V

I

B

= 0.25毫安

I

B

= 2.5毫安

V

CE

= 5 V

Gr.VII

Gr.VIII

Gr.IX

Gr.X

V

CE

= 5 V

Gr.VII

Gr.VIII

Gr.IX

Gr.X

V

CE

= 1 V

Gr.VII

Gr.VIII

Gr.IX

Gr.X

V

CE

=1 V

Gr.VII

Gr.VIII

Gr.IX

Gr.X

0.55

0.6

0.75

为

BCY58

为

BCY59

32

45

7

0.12

0.4

0.65

0.75

0.7

0.9

195

100

140

195

280

350

170

250

350

500

365

175

260

365

520

0.35

0.7

0.85

1.2

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

T

AMB

= 150

°C

T

AMB

= 150

°C

0.1

10

nA

A

nA

A

I

CE X

收藏家Cuto FF电流

(V

BE

= – 0.2 V)

T

AMB

= 100

°C

T

AMB

= 100

°C

20

10

A

nA

V

I

ê BO

V

（ BR ） CE

*

（ BR ） EBO

*

发射Cuto FF电流

(I

C

= 0)

集电极 - 发射极击穿

电压（I

B

= 0)

发射极 - 基极击穿电压

(I

C

= 0)

集电极 - 发射极饱和

电压

基射极电压

基射极饱和电压

直流电流增益

V

CE （SAT）

*

V

BE

V

Bé

(

s的

)*

h

F ê

*

I

C

= 2毫安

I

C

= 10毫安

I

C

-100毫安

20

40

100

120

180

250

380

80

120

160

240

40

45

60

630

220

310

460

630

*

脉冲：脉冲宽度= 300

s,

占空比= 1 ％。

2/6

BCY58-BCY59

电气特性

（续）

符号

h

fe

参数

小信号电流增益

测试条件

I

C

= 2毫安

F = 1千赫

V

CE

= 5 V

Gr.VII

Gr.VIII

Gr.IX

Gr.X

f

T

C

EBO

C

CBO

NF

t

0：N

跃迁频率

发射极 - 基极电容

集电极 - 基极电容

噪声系数

开启时间

I

C

= 10毫安

F = 100 MHz的

I

C

= 0

F = 1 MHz的

I

E

= 0

F = 1 MHz的

I

C

- 0.2毫安

R

g

= 2 k

I

C

= 10毫安

I

B1

= 1毫安

I

C

= 100毫安

I

B1

= 10毫安

V

CE

= 5 V

200

V

E B

= 0.5 V

11

V

CB

= 10 V

3.5

V

CE

= 5 V

F = 1千赫

V

CC

= 10 V

85

V

CC

= 10 V

55

480

150

800

ns

150

ns

2

6

pF

dB

15

pF

兆赫

125

175

250

350

250

350

500

700

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

t

关闭

打开-O FF时间

I

C

= 10毫安

V

CC

= 10 V

I

B1

= – I

B2

= 1毫安

I

C

= 100毫安

V

CC

= 10 V

I

B1

= – I

B2

= 10毫安

*

脉冲：脉冲宽度= 300

s,

占空比= 1 ％。

直流电流增益。

集电极 - 发射极饱和电压。

3/6

BCY58-BCY59

跃迁频率。

集电极 - 基极电容。

噪声系数（ F = 100赫兹）。

噪声系数（ F = 1千赫）。

噪声系数（ F = 10千赫）。

噪声系数与频率的关系。

4/6

BCY58-BCY59

的TO- 18机械数据

mm

DIM 。

分钟。

A

B

D

E

F

G

H

I

L

45

o

2.54

1.2

1.16

45

o

典型值。

12.7

0.49

5.3

4.9

5.8

0.100

0.047

0.045

马克斯。

分钟。

典型值。

0.500

0.019

0.208

0.193

0.228

马克斯。

寸

D

G

I

H

E

F

A

L

C

B

0016043

5/6

分立半导体

数据表

M3D125

BCY58 ; BCY59

NPN开关晶体管

产品speci fi cation

取代1994年9月数据

在分离式半导体文件， SC04

1997年6月17日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN开关晶体管

特点

低电流（最大100 mA时）

低电压（最大45 V ）。

应用

开关和放大。

描述

NPN开关晶体管在TO -18金属封装。

PNP补充： BCY78和BCY79 。

3

BCY58 ; BCY59

钉扎

针

1

2

3

辐射源

BASE

集热器，连接到案件

描述

手册， halfpage

1

3

2

MAM264

2

1

Fig.1简化外形（ TO- 18 ）和符号。

快速参考数据

符号

V

CBO

参数

集电极 - 基极电压

BCY58

BCY59

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

BCY58

BCY59

I

C

P

合计

h

FE

集电极电流（ DC ）

总功耗

直流电流增益

BCY58 /七; BCY59 / VII

BCY58 /八; BCY59 /八

BCY58 / IX ; BCY59 / IX

BCY58 / X ; BCY59 / X

f

T

t

关闭

跃迁频率

打开-O FF时间

I

C

= 10毫安; V

CE

= 5 V ; F = 100 MHz的

I

CON

= 10毫安;我

BON

= 1毫安;我

B关

=

1

mA

T

AMB

≤

45

°C

T

例

≤

45

°C

I

C

= 2毫安; V

CE

= 5 V

120

180

250

380

150

170

250

350

500

480

450

220

310

460

630

800

兆赫

ns

开基

32

45

100

340

1

V

mA

mW

W

发射极开路

32

45

V

条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

I

CON

= 100毫安;我

BON

= 10毫安;我

B关

=

10

mA

1997年6月17日

2

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN开关晶体管

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

V

CBO

BCY58

BCY59

V

首席执行官

集电极 - 发射极电压

BCY58

BCY59

V

EBO

I

C

I

CM

I

BM

P

合计

T

英镑

T

j

T

AMB

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

峰值集电极电流

峰值电流基地

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

T

AMB

≤

45

°C

T

例

≤

45

°C

集电极开路

开基

65

参数

集电极 - 基极电压

条件

发射极开路

BCY58 ; BCY59

分钟。

马克斯。

32

45

32

45

7

100

200

340

1

+150

200

+150

V

单位

mA

mW

W

°C

热特性

符号

R

日J-一

R

第j个-C

参数

从结热阻到外壳

条件

价值

450

150

单位

K / W

从结点到环境的热阻在自由空气

特征

T

j

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

I

CBO

BCY58

I

CBO

集电极截止电流

BCY59

I

EBO

h

FE

发射极截止电流

直流电流增益

BCY58 /七; BCY59 / VII

BCY58 /八; BCY59 /八

BCY58 / IX ; BCY59 / IX

BCY58 / X ; BCY59 / X

I

E

= 0; V

CB

= 45 V

I

E

= 0; V

CB

= 45 V ;牛逼

j

= 150

°C

I

C

= 0; V

EB

= 5 V

I

C

= 10

A;

V

CE

= 5 V

20

40

100

20

95

190

300

10

nA

A

nA

参数

集电极截止电流

I

E

= 0; V

CB

= 32 V

I

E

= 0; V

CB

= 32 V ;牛逼

j

= 150

°C

10

nA

A

条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

1997年6月17日

3

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN开关晶体管

BCY58 ; BCY59

符号

h

FE

参数

直流电流增益

BCY58 /七; BCY59 / VII

BCY58 /八; BCY59 /八

BCY58 / IX ; BCY59 / IX

BCY58 / X ; BCY59 / X

条件

I

C

= 2毫安; V

CE

= 5 V

分钟。

120

180

250

380

典型值。

170

250

350

500

250

300

390

550

100

250

700

875

马克斯。

220

310

460

630

400

630

1000

350

700

850

1200

5

15

10

单位

h

FE

直流电流增益

BCY58 /七; BCY59 / VII

BCY58 /八; BCY59 /八

BCY58 / IX ; BCY59 / IX

BCY58 / X ; BCY59 / X

I

C

= 10毫安; V

CE

= 1 V

80

120

160

240

I

C

= 100毫安; V

CE

= 1 V

40

45

60

50

150

600

750

150

I

C

= 100毫安;我

B

= 2.5毫安

h

FE

直流电流增益

BCY58 /七; BCY59 / VII

BCY58 /八; BCY59 /八

BCY58 / IX ; BCY59 / IX

BCY58 / X ; BCY59 / X

V

CESAT

V

BESAT

C

c

C

e

f

T

F

集电极 - 发射极饱和电压I

C

= 10毫安;我

B

= 0.25毫安

基射极饱和电压

集电极电容

发射极电容

跃迁频率

噪音科幻gure

I

C

= 10毫安;我

B

= 0.25毫安

I

C

= 100毫安;我

B

= 2.5毫安

I

E

= i

e

= 0; V

CB

= 10 V ; F = 1 MHz的

I

C

= 10毫安; V

CE

= 5 V ; F = 100 MHz的

I

C

= 200

A;

V

CE

= 5 V ;

S

= 2 k;

F = 1千赫B = 200赫兹

mV

pF

兆赫

dB

I

C

= i

c

= 0; V

EB

= 500 mV的; F = 1 MHz的

开关时间（10％和90％之间）

t

on

t

d

t

r

t

关闭

t

s

t

f

t

on

t

d

t

r

t

关闭

t

s

t

f

开启时间

延迟时间

上升时间

打开-O FF时间

贮存时间

下降时间

开启时间

延迟时间

上升时间

打开-O FF时间

贮存时间

下降时间

I

CON

= 100毫安;我

BON

= 10毫安;

I

B关

=

10

mA

I

CON

= 10毫安;我

BON

= 1毫安;

I

B关

=

1

mA

85

35

50

480

400

80

55

5

50

450

250

200

150

800

150

800

ns

1997年6月17日

4

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN开关晶体管

包装外形

金属圆柱可以单端封装; 3引线

BCY58 ; BCY59

SOT18/13

j

B

α

飞机座位

w

M

A

M

B

M

1

k

D

1

b

2

3

a

A

D

A

L

0

5

规模

10 mm

尺寸（毫米尺寸从原始英寸的尺寸得到）

单位

mm

A

5.31

4.74

a

2.54

b

0.47

0.41

D

5.45

5.30

D1

4.70

4.55

j

1.03

0.94

k

1.1

0.9

L

15.0

12.7

w

0.40

α

45°

概要

VERSION

SOT18/13

参考文献：

IEC

B11 / C7型3

JEDEC

TO-18

EIAJ

欧洲

投影

发行日期

97-04-18

1997年6月17日

5