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分立半导体
数据表
M3D125
BCY58 ; BCY59
NPN开关晶体管
产品speci fi cation
取代1994年9月数据
在分离式半导体文件， SC04
1997年6月17日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN开关晶体管
特点
低电流（最大100 mA时）
低电压（最大45 V ） 。
应用
开关和放大。
描述
NPN开关晶体管在TO -18金属封装。
PNP补充： BCY78和BCY79 。
3
BCY58 ; BCY59
钉扎
针
1
2
3
辐射源
BASE
集热器，连接到案件
描述
手册， halfpage
1
3
2
MAM264
2
1
Fig.1简化外形（ TO- 18 ）和符号。
快速参考数据
符号
V
CBO
参数
集电极 - 基极电压
BCY58
BCY59
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BCY58
BCY59
I
C
P
合计
h
FE
集电极电流（ DC ）
总功耗
直流电流增益
BCY58 /七; BCY59 / VII
BCY58 /八; BCY59 /八
BCY58 / IX ; BCY59 / IX
BCY58 / X ; BCY59 / X
f
T
t
关闭
跃迁频率
打开-O FF时间
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V ; F = 100 MHz的
I
CON
= 10毫安;我
BON
= 1毫安;我
B关
=
1
mA
T
AMB
≤
45
°C
T
例
≤
45
°C
I
C
= 2毫安; V
CE
= 5 V
120
180
250
380
150
170
250
350
500
480
450
220
310
460
630
800
800
兆赫
ns
ns
开基
32
45
100
340
1
V
V
mA
mW
W
发射极开路
32
45
V
V
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
I
CON
= 100毫安;我
BON
= 10毫安;我
B关
=
10
mA
1997年6月17日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN开关晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
BCY58
BCY59
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BCY58
BCY59
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
45
°C
T
例
≤
45
°C
集电极开路
开基
65
65
参数
集电极 - 基极电压
条件
发射极开路
BCY58 ; BCY59
分钟。
马克斯。
32
45
32
45
7
100
200
200
340
1
+150
200
+150
V
V
V
V
V
单位
mA
mA
mA
mW
W
°C
°C
°C
热特性
符号
R
日J-一
R
第j个-C
参数
从结热阻到外壳
条件
价值
450
150
单位
K / W
K / W
从结点到环境的热阻在自由空气
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
BCY58
I
CBO
集电极截止电流
BCY59
I
EBO
h
FE
发射极截止电流
直流电流增益
BCY58 /七; BCY59 / VII
BCY58 /八; BCY59 /八
BCY58 / IX ; BCY59 / IX
BCY58 / X ; BCY59 / X
I
E
= 0; V
CB
= 45 V
I
E
= 0; V
CB
= 45 V ;牛逼
j
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
= 5 V
I
C
= 10
A;
V
CE
= 5 V
20
40
100
20
95
190
300
10
10
10
nA
A
nA
参数
集电极截止电流
I
E
= 0; V
CB
= 32 V
I
E
= 0; V
CB
= 32 V ;牛逼
j
= 150
°C
10
10
nA
A
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
1997年6月17日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN开关晶体管
BCY58 ; BCY59
符号
h
FE
参数
直流电流增益
BCY58 /七; BCY59 / VII
BCY58 /八; BCY59 /八
BCY58 / IX ; BCY59 / IX
BCY58 / X ; BCY59 / X
条件
I
C
= 2毫安; V
CE
= 5 V
分钟。
120
180
250
380
典型值。
170
250
350
500
250
300
390
550
100
250
700
875
马克斯。
220
310
460
630
400
630
1000
350
700
850
1200
5
15
10
单位
h
FE
直流电流增益
BCY58 /七; BCY59 / VII
BCY58 /八; BCY59 /八
BCY58 / IX ; BCY59 / IX
BCY58 / X ; BCY59 / X
I
C
= 10毫安; V
CE
= 1 V
80
120
160
240
I
C
= 100毫安; V
CE
= 1 V
40
45
60
60
50
150
600
750
150
I
C
= 100毫安;我
B
= 2.5毫安
h
FE
直流电流增益
BCY58 /七; BCY59 / VII
BCY58 /八; BCY59 /八
BCY58 / IX ; BCY59 / IX
BCY58 / X ; BCY59 / X
V
CESAT
V
BESAT
C
c
C
e
f
T
F
集电极 - 发射极饱和电压I
C
= 10毫安;我
B
= 0.25毫安
基射极饱和电压
集电极电容
发射极电容
跃迁频率
噪音科幻gure
I
C
= 10毫安;我
B
= 0.25毫安
I
C
= 100毫安;我
B
= 2.5毫安
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 10 V ; F = 1 MHz的
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V ; F = 100 MHz的
I
C
= 200
A;
V
CE
= 5 V ;
S
= 2 k;
F = 1千赫B = 200赫兹
mV
mV
mV
mV
pF
pF
兆赫
dB
I
C
= i
c
= 0; V
EB
= 500 mV的; F = 1 MHz的
开关时间（10％和90％之间）
t
on
t
d
t
r
t
关闭
t
s
t
f
t
on
t
d
t
r
t
关闭
t
s
t
f
开启时间
延迟时间
上升时间
打开-O FF时间
贮存时间
下降时间
开启时间
延迟时间
上升时间
打开-O FF时间
贮存时间
下降时间
I
CON
= 100毫安;我
BON
= 10毫安;
I
B关
=
10
mA
I
CON
= 10毫安;我
BON
= 1毫安;
I
B关
=
1
mA
85
35
50
480
400
80
55
5
50
450
250
200
150
800
150
800
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1997年6月17日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN开关晶体管
包装外形
金属圆柱可以单端封装; 3引线
BCY58 ; BCY59
SOT18/13
j
B
α
飞机座位
w
M
A
M
B
M
1
k
D
1
b
2
3
a
A
D
A
L
0
5
规模
10 mm
尺寸（毫米尺寸从原始英寸的尺寸得到）
单位
mm
A
5.31
4.74
a
2.54
b
0.47
0.41
D
5.45
5.30
D1
4.70
4.55
j
1.03
0.94
k
1.1
0.9
L
15.0
12.7
w
0.40
α
45°
概要
VERSION
SOT18/13
参考文献：
IEC
B11 / C7型3
JEDEC
TO-18
EIAJ
欧洲
投影
发行日期
97-04-18
1997年6月17日
5
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BUK109-50GL
BAV20W-V-G
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