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对产品线
Diodes公司
BCX6825
20V NPN硅平面中功率晶体管SOT89
特点
BV
首席执行官
> 20V
高电流能力最大连续电流I
C
= 1A
低饱和电压V
CE （ SAT ）
<为500mV @ 1A
互补PNP类型： BCX69
无铅，符合RoHS （注1 ）
卤素和无锑， “绿色”设备（注2 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
案例： SOT89
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑料
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
防火等级94V- 0
终端：雾锡完成
重量： 0.052克（近似）
应用
功率MOSFET栅极驱动
低损耗功率开关
C
SOT89
E
B
C
C
B
顶视图
引脚输出
E
顶视图
设备符号
订购信息
（注3 & 4 ）
产品
BCX6825TA
BCX6825QTA
注意事项：
状态
广告
汽车
记号
CD
CD
卷尺寸（英寸）
7
7
胶带宽度（mm）
12
12
QUANTITY每卷
1000
1000
1.欧盟指令2002/ 95 / EC指令（RoHS ） & 2011/65 / EU指令（RoHS 2 ）兼容。没有故意添加铅。卤素和无锑。
2.二极管公司的“绿色”政策可以在我们的网站上找到http://www.diodes.com
3.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com
4.产品具有Q-后缀是汽车级。汽车产品是电和热的相同商业，除非特别指定。
标识信息
CD
CD =产品型号标识代码
BCX6825
Da
tasheet编号： DS33010修订版4 - 2
1 5
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2012年2月
Diodes公司
对产品线
Diodes公司
BCX6825
最大额定值
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值脉冲电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
价值
25
20
5
1
2
单位
V
V
V
A
A
热特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
集电极耗散功率
热阻，结到环境空气（注5 ）
热阻，结到信息（注6 ）
工作和存储温度范围
注意事项：
符号
P
D
R
θJA
R
θJL
T
J,
T
英镑
价值
1
125
10.01
-65到+150
单位
W
° C / W
° C / W
°C
5.对于设备安装在仅为15mm×仅为15mm× 1.6毫米FR4 PCB覆盖率高的单面盎司镀铜，在静止空气条件。
从结6.Thermal耐焊锡点（在暴露的集电极焊盘） 。
热特性
最大功耗（ W）
热阻（ ° C / W）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
120
100
80
D=0.5
60
40
20
0
100
1m
10m 100m
1
D=0.2
单脉冲
D=0.05
D=0.1
0
25
50
75
100
125
150
10
100
1k
温度（℃）
脉冲宽度（S ）
降额曲线
100
瞬态热阻抗
最大功耗（ W）
单脉冲。牛逼
AMB
=25°C
10
1
100
1m
10m 100m
1
10
100
1k
脉冲宽度（S ）
脉冲功率耗散
BCX6825
Da
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2 5
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2012年2月
Diodes公司
对产品线
Diodes公司
BCX6825
电气特性
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压（注7 ）
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流传输比静态（注7 ）
集电极 - 发射极饱和电压（注7 ）
基射极导通电压（注7 ）
过渡频率
输出电容
注意事项：
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
f
T
C
敖包
民
25
20
5
-
-
50
160
60
-
-
100
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
250
-
-
最大
-
-
-
100
10
10
-
400
-
0.5
1.0
-
25
单位
V
V
V
nA
A
A
-
V
V
兆赫
pF
-
-
-
测试条件
I
C
= 100A
I
C
= 10毫安
I
E
= 100A
V
CB
= 25V
V
CB
= 25V ，T
A
= 125°C
V
EB
= 5V
I
C
= 5毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 500毫安，V
CE
= 1V
I
C
= 1A ，V
CE
= 1V
I
C
= 1A ，我
B
= 100毫安
I
C
= 1A ，V
CE
= 1V
I
C
= 100mA时V
CE
= 5V
F = 100MHz的
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
脉冲条件下7.测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤2%.
典型特征
BCX6825
Da
tasheet编号： DS33010修订版4 - 2
3 5
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2012年2月
Diodes公司
对产品线
Diodes公司
BCX6825
包装外形尺寸
20
0
D1
.
R0
C
E
H
B
B1
e1
8°
(4 X
)
L
e
A
SOT89
暗淡
民
最大
A
1.40
1.60
B
0.44
0.62
B1
0.35
0.54
C
0.35
0.43
D
4.40
4.60
D1
1.52
1.83
E
2.29
2.60
e
1.50 TYP
e1
3.00 （典型值）
H
3.94
4.25
L
0.89
1.20
尺寸：mm
D
拟议的焊盘布局
X1
X2 (2x)
Y1
Y3
Y
Y2
C
X (3x)
Y4
尺寸值（单位：mm）
X
0.900
X1
1.733
X2
0.416
Y
1.300
Y1
4.600
Y2
1.475
Y3
0.950
Y4
1.125
C
1.500
BCX6825
Da
tasheet编号： DS33010修订版4 - 2
4 5
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2012年2月
Diodes公司
对产品线
Diodes公司
BCX6825
重要通知
Diodes公司不做任何明示不作出任何保证或默示的，关于这一文件，
包括但不限于适销性和适用性的暗示担保适用于特定用途
（及其任何司法管辖范围内的法律等效） 。
Diodes公司及其附属公司保留权利作出修改，补充，改进，修正或其他变更的权利
恕不另行通知本文档以及此处所述的任何产品。 Diodes公司不承担因的任何法律责任
应用程序或使用本文件或本文所述的任何产品;同样没有Diodes公司在其专利的任何许可或
商标专用权，也没有他人的权利。本文档或产品在此类应用本文所述的任何客户或用户承担
这种使用的一切风险，并同意举行Diodes公司，其产品有代表Diodes公司所有公司
网站上，反对一切损害无害。
Diodes公司不担保或任何接受任何通过非授权渠道购买的任何产品的任何责任。
如果客户购买或使用Diodes公司的产品对任何意外或未经授权的应用程序，客户应保障
举行Diodes Incorporated及其代表的所有索赔，损失，费用和律师直接或引起的，收费无害
间接的，人身伤害或死亡索赔等意外或未经授权的应用程序相关联。
本文描述的产品可能受一个或多个美国，国际或外国专利正在申请中。产品名称和标识
注意到这里也可以覆盖一个或多个美国，国际或外国商标。
生命支持
Diodes公司的产品是专门未经授权未经生命支持设备或系统中的关键组件
Diodes公司的首席执行官的书面批准。如本文所用：
A.生命支持设备或系统的设备或系统，其中：
1.旨在植入到体内，或
2.支持或维持生命，其未履行正确的使用按照所提供的使用说明
标签可以合理预期造成显著伤害到用户。
B.关键部件是在生命支持设备或系统，其不履行可以合理预期造成的任何组件
生命支持设备或故障影响其安全性或有效性。
客户表示，他们有足够的能力在他们的生命支持设备或系统的安全性和可能产生的后果，并
承认并同意，他们全权负责所有的法律，法规和安全相关要求有关的产品和任何
使用Diodes公司产品在此类关键安全，生命支持设备或系统，即使有任何器件 - 或系统相关的
信息或可由Diodes公司来提供支持。此外，客户必须全额赔偿Diodes公司及其
代表因在此类关键安全，生命支持设备或系统使用Diodes公司产品的任何损失。
版权所有 2012年， Diodes公司
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BCX6825
Da
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5
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2012年2月
Diodes公司
SOT89 NPN硅平面
中功率晶体管
第2期 - 1995年2月
7
特点
*高增益，低饱和电压
互补式 -
PARTMARKING详细信息 -
BCX69
BCX68
= CE
BCX68-16 - CC
BCX68-25 - CD
BCX68
C
E
C
B
SOT89
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
25
20
5
2
1
1
-65到+150
单位
V
V
V
A
A
W
°C
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止
当前
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射极导通
电压
静态正向电流
传输比
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
50
85
60
BCX68-16 100
BCX68-25 160
f
T
C
敖包
100
25
h
FE
分钟。
25
20
5
0.1
10
10
0.5
1.0
典型值。
MAX 。 UNIT
V
V
V
A
A
A
V
V
条件。
I
C
=100A
I
C
=10mA
I
E
=100A
V
CB
=25V
V
CB
= 25V ，T
a
=150°C
V
EB
=5V
I
C
= 1A ，我
B
=100mA*
I
C
= 1A ，V
CE
=1V*
I
C
I
C
I
C
I
C
I
C
兆赫
pF
= 5毫安，V
CE
=10V
= 500毫安，V
CE
=1V
= 1A ，V
CE
=1V*
= 500毫安，V
CE
=1V*
= 500毫安，V
CE
=1V
375
250
250
400
跃迁频率
输出电容
I
C
= 100mA时V
CE
=5V,
f=100MHz
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤2%
对于典型特征图看FMMT449数据表。
3 - 36
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B43508C2128M087
BD46241G
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B41456B9478M
B41456-B9478-M
B72590T7050S160
BCX68-25
BL-R1115
B43305A9108M060
BCR70B24
B43601A5227M080
B43501A1477M000
BRB-8180T
B84142A0180R122
BSR
BR93L56RF
B82789C0223H001
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    联系人：杨小姐
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    BCX6825
    -
    -
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联系人：何
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