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BCX56-10R1

首选设备

NPN硅

外延晶体管

这些NPN硅外延晶体管设计用于使用

音频放大器应用。该设备被容纳在SOT -89

包，它是专为中功率的表面贴装

应用程序。

高电流： 1.0安培

可在7英寸/ 1000单位磁带和卷轴

器件标识： BK

最大额定值

= 25 ° C除非另有说明）

等级

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

总功耗

@ T

= 25°C

减免上述25℃

符号

首席执行官

CBO

EBO

（注1 ）

（注2 ）

工作和存储

温度范围

, T

英镑

价值

100

1.56

0.67

5.0

-65到150

单位

VDC

ADC

瓦

毫瓦/°C的

瓦

毫瓦/°C的

°C

BASE

辐射源

器2

http://onsemi.com

中功率

NPN硅

HIGH CURRENT

晶体管

表面贴装

标记图

热特性

特征

热阻

结到环境

（表面贴装）

最高温度

焊接用途

在焊接洗澡时间

1， FR- 4 @ 1.0 X 1.0英寸垫

2. FR-4 @最低垫

符号

θJA

（注1 ）

（注2 ）

260

最大

190

°C

美国证券交易委员会

单位

° C / W

Y =年代码

M =月守则

BK =器件代码

SOT–89

CASE 1213

方式2

订购信息

设备

BCX56–10R1

包

SOT–89

航运

1000 /磁带和放大器;卷轴

首选

装置被推荐用于将来使用的选择

和最佳的整体价值。

半导体元件工业有限责任公司， 2001年

2001年6月 - 修订版0

出版订单号：

BCX56–10R1/D

BCX56–10R1

电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

集电极 - 基极击穿电压

= 100

μAdc ，

= 0)

集电极 - 发射极击穿电压

= 1.0 MADC ，我

= 0)

发射极 - 基极击穿电压

= 10

μAdc ，

= 0)

集电极 - 基极截止电流

= 30伏直流电，我

= 0)

发射基截止电流

= 5.0伏，我

= 0)

（ BR ） CBO

（ BR ） CEO

（ BR ） EBO

CBO

EBO

100

5.0

–

100

VDC

NADC

μAdc

基本特征

（注3 ）

直流电流增益

= 5.0毫安， V

= 2.0 V)

= 150毫安， V

= 2.0 V)

= 500毫安， V

= 2.0 V)

集电极 - 发射极饱和电压

= 500 MADC ，我

= 50 MADC ）

基射极电压上

= 500 MADC ，V

= 2.0伏）

CE （ SAT ）

BE（上）

–

160

–

0.5

1.0

VDC

–

动态特性

电流增益 - 带宽积

= 10 MADC ，V

= 5.0伏， F = 35兆赫）

3.脉冲测试：脉冲宽度

≤

300

占空比

≤

2.0%

–

130

–

兆赫

典型电气特性

1000

= 125°C

= 25°C

100

= -55°C

的hFE ， DC电流增益

，集电极电流（毫安）

100

1000

图1.直流电流增益

http://onsemi.com

BCX56–10R1

典型电气特性

带宽积（兆赫

1000

C，电容（pF ）

IBO

= 25°C

100

F T ，电流增益

8.0

6.0

敖包

0.2

0.5 1.0 2.0

5.0 10

，反向电压（伏）

100

1.0

100

，集电极电流（毫安）

1000

4.0

0.1

图2.电流增益 - 带宽积

图3.电容

1.0

0.8

V，电压（V ）

0.6

0.4

0.2

CE （ SAT ）

@ I

= 10

0.5

1.0

2.0

5.0

100

，集电极电流（毫安）

200

500

= 25°C

BE （ SAT ）

@ I

= 10

BE（上）

@ V

= 1.0 V

VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）

1.0

= 25°C

0.8

0.6

0.4

0.2

0.05

= 10毫安

百毫安

250毫安

500毫安

0.1

0.2

0.5

1.0 2.0

5.0

，集电极电流（毫安）

图4. “开”电压

第1步

预热

1区

？ RAMP ＆ QUOT ;

200°C

第2步

STEP 3

VENT

加热

？浸泡＆ QUOT ;开发区2及五

？ RAMP ＆ QUOT ;

所需的曲线用于高

MASS ASSEMBLIES

150°C

100°C

所需的曲线FOR LOW

MASS ASSEMBLIES

50°C

140°C

图5.集电极饱和区

步骤5

STEP 6 STEP 7

第4步

加热

VENT冷却

加热

开发区3及6个区域4和7

205 °

？ SPIKE ＆ QUOT ;

？浸泡＆ QUOT ;

219°C

170°C

高峰

SOLDER

160°C

联合

焊料液

40至80秒

（根据

装配质量）

时间（ 37分钟总）

最大

图6.典型焊接暖气简介

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BCX56–10R1

包装尺寸

SOT–89

(3–LEAD)

案例1213年至1202年

版本C

注意事项：

1.尺寸和公差符合ANSI

Y14.5M ， 1982年。

2.控制尺寸：毫米

3. 1213年至1201年已过时，新标准1213至1202年。

MILLIMETERS

民

最大

4.40

4.60

2.40

2.60

1.40

1.60

0.37

0.57

0.32

0.52

1.50

1.83

1.50 BSC

3.00 BSC

0.30

0.50

0.80

---

4.25

英寸

民

最大

0.173

0.181

0.094

0.102

0.055

0.063

0.015

0.022

0.013

0.020

0.059

0.072

0.059 BSC

0.118 BSC

0.012

0.020

0.031

---

0.167

–A–

–B–

0.10

2 PL

T B

–T–

座位

飞机

暗淡

0.10

方式2 ：

1. PIN BASE

2.收集

3.辐射源

安森美半导体

和

是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留修改的权利

恕不另行通知这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定的任何保证，声明或担保

目的，也不SCILLC承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并明确拒绝承担任何责任，

包括但不限于特殊，间接或附带损失。这可能SCILLC数据表提供“典型”参数和/或

规格可以做不同在不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”必须是

验证每个客户的客户应用的技术专家。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。

SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序

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