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BCX 54 /五十六分之五十五
在SOT89 NPN硅平面中功率晶体管
特点
I
c
= 1A的连续集电极电流
低饱和电压V
CE （ SAT ）
<为500mV @ 0.5A
增益组10和16
外延平面片建设
互补PNP类型： BCX51 ， 52和53
无铅，符合RoHS （注1 ）
卤素和无锑。 “绿色”设备（注2 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
案例： SOT89
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑
化合物（注2 ）
防火等级94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
终端：雾锡完成
重量： 0.072克（近似值）
应用
中功率开关或放大应用
自动对焦驱动级和输出级
SOT89
C
E
B
C
C
B
E
顶视图
设备符号
顶视图
引脚输出
订购信息
（注3）
产品
BCX54TA
BCX5410TA
BCX5416TA
BCX55TA
BCX5510TA
BCX5516TA
BCX56TA
BCX5610TA
BCX5616TA
BCX5316TC
注意事项：
记号
BA
BC
BD
BE
BG
BM
BH
BK
BL
BL
卷尺寸（英寸）
7
7
7
7
7
7
7
7
7
13
胶带宽度（mm）
12
12
12
12
12
12
12
12
12
12
QUANTITY每卷
1,000
1,000
1,000
1,000
1,000
1,000
1,000
1,000
1,000
4,000
1.没有故意添加铅。
2.二极管公司的“绿色”政策可以在我们的网站上找到http://www.diodes.com
3.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com
标识信息
XX =产品型号标识代码，如下所示：
xx
BCX54 - BA
BCX5410 = BC
BCX5416 = BD
BCX55 - BE
BCX5510 = BG
BCX5516 = BM
BCX56 - BH
BCX5610 = BK
BCX5616 = BL
BCX 54 /五十六分之五十五
数据表编号： DS35369修订版2 - 2
1 7
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2011年6月
Diodes公司
BCX 54 /五十六分之五十五
最大额定值
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值脉冲集电极电流
连续基极电流
峰值脉冲电流基地
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
BCX54
45
45
BCX55
60
60
5
1
1.5
100
200
BCX56
100
80
单位
V
V
V
A
mA
热特性
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
功率耗散（注4 ）
热阻，结到环境（注4 ）
热阻，结到信息（注5 ）
工作和存储温度范围
注意事项：
符号
P
D
R
θJA
R
θJL
T
J,
T
英镑
价值
1
124
10.0
-65到+150
单位
W
° C / W
° C / W
°C
4，对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面的1盎司铜皮，在静止空气条件;该装置测得的
在稳态条件下运行时。
5.从结点到焊点点（上裸露收集垫）热敏电阻。
BCX 54 /五十六分之五十五
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热特性
热阻（ ° C / W）
最大功耗（ W）
120
100
80
25毫米x 25mm的1盎司铜
T
AMB
=
25°C
100
25毫米x 25mm的1盎司铜
T
AMB
=
25°C
单脉冲
D=0.5
60
40
20
0
100
1m
10m 100m
1
D=0.2
单脉冲
D=0.05
D=0.1
10
10
100
1k
1
100
1m
10m 100m
1
10
100
1k
脉冲宽度（S ）
脉冲宽度（S ）
瞬态热阻抗
最大功耗（ W）
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
25毫米x 25mm的1盎司铜
脉冲功率耗散
0
20
40
60
80
100 120 140 160
温度（℃）
降额曲线
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电气特性
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压（注6 ）
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
所有版本
h
FE
BCX54
BCX55
BCX56
BCX54
BCX55
BCX56
符号
BV
CBO
民
45
60
100
45
60
80
5
-
-
25
40
25
63
100
-
-
150
-
典型值
-
最大
-
单位
V
测试条件
I
C
= 100A
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.1
20
20
-
250
-
160
250
0.5
1.0
-
25
V
V
A
I
C
= 10毫安
I
E
= 10A
V
CB
= 30V
V
CB
= 30V ，T
A
= 150°C
V
EB
= 4V
I
C
= 5毫安，V
CE
= 2V
I
C
= 150毫安，V
CE
= 2V
I
C
= 500毫安，V
CE
= 2V
I
C
= 150毫安，V
CE
= 2V
I
C
= 150毫安，V
CE
= 2V
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安
I
C
= 500毫安，V
CE
= 2V
I
C
= 50mA时V
CE
= 10V
F = 100MHz的
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
nA
静态正向电流传输
比（注6 ）
10增益GRP
16增益GRP
集电极 - 发射极饱和电压（注6 ）
基射极导通电压（注6 ）
跃迁频率
输出电容
注意事项：
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
f
T
C
敖包
-
-
-
-
-
-
V
V
兆赫
pF
脉冲条件下测得6 。脉冲宽度
≤
300μS 。占空比
≤
2%.
0.8
250
I
C
，集电极电流（ A）
200
h
FE
，直流电流增益
0.6
150
0.4
100
0.2
50
0
0
1
2
3
4
5
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
图。 1典型集电极电流
与集电极 - 发射极电压
0
0.001
1
10
0.01
0.1
I
C
，集电极电流（ A）
图。 2典型的DC电流增益与集电极电流
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V
BE（上）
，基极发射极导通电压（V ）
1.2
0.4
V
CE （ SAT ）
，集电极 - 发射极
饱和电压（ V）
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
，集电极电流（ A）
图。 3典型的基射极导通电压
与集电极电流
1.0
0.3
0.8
0.6
0.2
0.4
0.1
0.2
0
0.0001
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
，集电极电流（ A）
图。 4典型的集电极 - 发射极饱和电压
与集电极电流
V
BE （ SAT ）
，基射极饱和电压（ V）
1.2
140
1.0
120
电容（pF）
100
80
60
40
20
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
I
C
，集电极电流（ A）
图。 5典型的基射极饱和电压
与集电极电流
0
0.1
1
10
100
V
R
，反向电压（V）的
图。 6典型的电容特性
300
f
T
，增益带宽积（兆赫）
250
200
150
100
V
CE
= 5V
F = 100MHz的
50
0
0
20
40
60
80
100
I
C
，集电极电流（毫安）
图。 7典型增益带宽积
与集电极电流
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数据表编号： DS35369修订版2 - 2
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