【BCX 51 /五十三分之五十二在SOT89 PNP硅平面中功率晶体管特点IC= -1A连续集电极电】,IC型号BCX53TA,BCX53TA PDF资料,BCX53TA经销商,ic,电子元器件-51电子网

BCX 51 /五十三分之五十二

在SOT89 PNP硅平面中功率晶体管

特点

= -1A连续集电极电流

低饱和电压V

CE （ SAT ）

< -500mV @ -0.5A

增益组10和16

外延平面片建设

互补NPN型： BCX54 ，55，和56

无铅，符合RoHS （注1 ）

卤素和无锑。 “绿色”设备（注2 ）

符合AEC -Q101标准的高可靠性

机械数据

案例： SOT89

外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑

化合物（注2 ）

防火等级94V- 0

湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级

终端：雾锡完成

重量： 0.072克（近似值）

应用

中功率开关或放大应用

自动对焦驱动级和输出级

SOT89

顶视图

设备符号

顶视图

引脚输出

订购信息

（注3）

产品

BCX51TA

BCX5110TA

BCX5116TA

BCX52TA

BCX5210TA

BCX5216TA

BCX53TA

BCX5310TA

BCX5316TA

BCX5316TC

BCX5316-13R

注意事项：

记号

卷尺寸（英寸）

胶带宽度（mm）

QUANTITY每卷

1,000

4,000

1.没有故意添加铅。

2.二极管公司的“绿色”政策可以在我们的网站上找到http://www.diodes.com

3.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com

标识信息

XX =产品型号标识代码，如下所示：

BCX51 = AA

BCX5110 = AC

BCX5116 = AD

BCX52 = AE

BCX5210 = AG

BCX5316 = AM

BCX53 AH =

BCX5310 = AK

BCX5316 = AL

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最大额定值

@ T

= 25 ° C除非另有说明

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流

峰值脉冲集电极电流

连续基极电流

峰值脉冲电流基地

符号

CBO

首席执行官

EBO

BCX51

-45

BCX52

-60

-5

-1

-1.5

-100

-200

BCX53

-100

-80

单位

热特性

@ T

= 25 ° C除非另有说明

特征

功率耗散（注4 ）

热阻，结到环境（注4 ）

热阻，结到信息（注5 ）

工作和存储温度范围

注意事项：

符号

θJA

θJL

英镑

价值

124

10.0

-65到+150

单位

° C / W

°C

4，对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面的1盎司铜皮，在静止空气条件;该装置测得的

在稳态条件下运行时。

5.从结点到焊点点（上裸露收集垫）热敏电阻。

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热特性

热阻（ ° C / W）

最大功耗（ W）

120

100

25毫米x 25mm的1盎司铜

AMB

25°C

100

25毫米x 25mm的1盎司铜

AMB

25°C

单脉冲

D=0.5

100

10m 100m

D=0.2

单脉冲

D=0.05

D=0.1

100

10m 100m

100

脉冲宽度（S ）

瞬态热阻抗

最大功耗（ W）

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

25毫米x 25mm的1盎司铜

脉冲功率耗散

100 120 140 160

温度（℃）

降额曲线

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电气特性

@ T

= 25 ° C除非另有说明

特征

集电极 - 基

击穿电压

集电极 - 发射极

击穿电压（注6 ）

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

所有版本

静态正向电流传输比（注6 ）

10增益GRP

16增益GRP

集电极 - 发射极饱和电压（注6 ）

基射极导通电压（注6 ）

跃迁频率

输出电容

注意事项：

符号

BCX51

BCX52

BCX53

BCX51

BCX52

BCX53

CBO

首席执行官

EBO

CBO

EBO

民

-45

-60

-100

-45

-60

-80

-5

100

150

典型值

最大

单位

测试条件

= -100A

-0.1

-20

250

160

250

-0.5

-1.0

= -10mA

= -10A

= -30V

= -30V ，T

= 150°C

= -4V

= -5mA ，V

= -2V

= -150mA ，V

= -2V

= -500mA ，V

= -2V

= -150mA ，V

= -2V

= -150mA ，V

= -2V

= -500mA ，我

= -50mA

= -500mA ，V

= -2V

= -50mA ，V

= -10V

F = 100MHz的

= -10V ， F = 1MHz的

CE （ SAT ）

BE（上）

敖包

兆赫

脉冲条件下测得6 。脉冲宽度

≤

300μS 。占空比

≤

2%.

1.0

= 10毫安

500

= -5V

，集电极电流（ A）

0.8

= 8毫安

400

，直流电流增益

= 6毫安

= 150°C

0.6

= 4毫安

300

= 85°C

0.4

= 2毫安

200

= 25°C

0.2

100

= -55°C

-V

，集电极 - 发射极电压（ V）

图。 1典型集电极电流

与集电极 - 发射极电压

0.001

0.01

0.1

-I

，集电极电流（ A）

图。 2典型的DC电流增益与集电极电流

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-V

BE（上）

，基极发射极导通电压（V ）

0.5

1.0

-V

CE （ SAT ）

，集电极 - 发射极

饱和电压（ V）

0.4

0.8

= -55°C

0.3

= 150°C

0.6

= 25°C

= 85°C

0.4

0.2

= 85°C

= 150°C

0.2

= -2V

0.1

= 25°C

= -55°C

0.001

0.01

0.1

-I

，集电极电流（ A）

图3典型的基射极导通电压

与集电极电流

0.001

0.01

0.1

-I

，集电极电流（ A）

图。 4典型的集电极 - 发射极饱和电压

与集电极电流

-V

BE （ SAT ）

，基射极饱和电压（ V）

1.2

300

，增益带宽积（兆赫）

250

1.0

0.8

= -55°C

200

0.6

= 25°C

= 85°C

150

0.4

= 150°C

100

= -5V

F = 100MHz的

0.2

/ I

= 10

0.001

0.01

0.1

-I

，集电极电流（ A）

图。 5典型的基射极饱和电压

与集电极电流

100

-I

，集电极电流（毫安）

图。 6典型增益带宽积与集电极电流

160

140

120

电容（pF）

100

IBO

F = 1MHz的

敖包

，反向电压（V）的

图。 7典型的电容特性

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