SOT89 PNP硅平面
中功率晶体管
第3期 - 1996年2月
互补式 -
7
BCX51 - BCX54
BCX52 - BCX55
BCX53 - BCX56
BCX53
AH
BCX53-10 - AK
BCX53-16 - AL
BCX51
BCX52
BCX53
C
PARTMARKING细节？
BCX51
– AA
BCX51-10 - 交
BCX51-16 - AD
BCX52
=阂
BCX52-10 - AG
BCX52-16 - AM
E
C
B
SOT89
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
BCX51
-45
-45
BCX52
-60
-60
-5
-1.5
-1
1
-65到+150
BCX53
-100
-80
单位
V
V
V
A
A
W
°C
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基
击穿
电压
BCX53
BCX52
BCX51
符号
V
（ BR ） CBO
分钟。
-100
-60
-45
-80
-60
-45
-5
-0.1
-20
-20
-0.5
-1.0
25
40
25
63
100
150
25
典型值。
MAX 。单位条件。
V
V
V
V
I
C
=-100A
I
C
=-100A
I
C
=-100A
I
C
=-10mA*
I
C
=-10mA*
I
C
=-10mA*
I
E
=-10A
V
CB
=-30V
V
CB
= -30V ，T
AMB
=150°C
V
EB
=-4V
I
C
= -500mA ，我
B
=-50mA*
I
C
= -500mA ，V
CE
=-2V*
I
C
I
C
I
C
I
C
I
C
兆赫
pF
= -5mA ，V
CE
=-2V*
= -150mA ，V
CE
=-2V*
= -500mA ，V
CE
=-2V*
= -150mA ，V
CE
=-2V*
= -150mA ，V
CE
=-2V*
集电极 - 发射极BCX53
击穿
BCX52
电压
BCX51
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
导通电压
静态正向电流
传输比
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
-10
-16
V
A
A
nA
V
V
250
160
250
跃迁频率
输出电容
f
T
C
敖包
I
C
= -50mA ，V
CE
=-10V,
f=100MHz
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤2%
3 - 34
BCX51
BCX52
BCX53
表面贴装
PNP硅晶体管
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中央半导体BCX51 ， BCX52 ，
和BCX53类型PNP硅晶体管
通过外延平面工艺，环氧树脂制
在一个表面贴装模压封装，专为高
目前通用放大器应用。
标记验证码：看标识代码表
下页
SOT- 89 CASE
最大额定值：
(TA=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流
连续基极电流
峰值电流基地
功耗
工作和存储结温
热阻
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
BCX51
45
45
BCX52
60
60
5.0
1.0
1.5
100
200
1.3
-65到+150
96
BCX53
100
80
单位
V
V
V
A
A
mA
mA
W
°C
° C / W
电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
ICBO
VCB=30V
ICBO
VCB = 30V ， TA = 125°C
IEBO
VEB=5.0V
BVCBO
IC = 100μA （ BCX51 ）
45
BVCBO
IC = 100μA （ BCX52 ）
60
BVCBO
IC = 100μA （ BCX53 ）
100
BVCEO
IC = 10毫安（ BCX51 ）
45
BVCEO
IC = 10毫安（ BCX52 ）
60
BVCEO
IC = 10毫安（ BCX53 ）
80
VCE （ SAT ）
IC = 500毫安， IB = 50毫安
VBE （ON）的
VCE = 2.0V ， IC = 500毫安
的hFE
VCE = 2.0V ， IC = 5.0毫安
40
的hFE
VCE = 2.0V ， IC = 150毫安
63
的hFE
VCE = 2.0V ， IC = 150毫安
（ BCX51-10 ， BCX52-10 ， BCX53-10 ）
63
的hFE
VCE = 2.0V ， IC = 150毫安
（ BCX51-16 ， BCX52-16 ， BCX53-16 ）
100
的hFE
VCE = 2.0V ， IC = 500毫安
25
fT
VCE = 5.0V ， IC = 10毫安中，f = 100MHz的
典型值
最大
100
10
100
0.5
1.0
250
160
250
50
单位
nA
A
nA
V
V
V
V
V
V
V
V
兆赫
R5 （ 2009年20月）
BCX51
BCX52
BCX53
表面贴装
PNP硅晶体管
SOT- 89案例 - 机械外形
前导码：
1 ）发射
2 ）集电极
3 ）基
设备
BCX51
BCX51-10
BCX51-16
BCX52
BCX52-10
BCX52-16
BCX53
BCX53-10
BCX53-16
标识代码
AA
AC
AD
AE
AG
AM
AH
AK
AL
（底视图）
R5 （ 2009年20月）
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
BCX51,BCX52,BCX53
晶体管（ PNP ）
特点
NPN补充手段BCX54 ， BCX55 ， BCX56
低电压
HIGH CURRENT
应用
中功率一般用途
音频放大器的驱动级
标记： BCX51 ： AA ， BCX51-10 ： AC ， BCX51-16 ： AD
BCX52 ： AE ， BCX52-10 ： AG ， BCX52-16 ： AM
BCX53 ： AH ， BCX53-10 ： AK ， BCX53-16 ： AL
SOT-89-3L
1.基地
2.收集
3.辐射源
最大额定值（T
a
= 25℃除非另有说明）
符号
V
CBO
参数
BCX51
集电极 - 基极电压
BCX52
BCX53
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BCX51
BCX52
BCX53
V
EBO
I
C
P
C
R
θJA
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
从结点到环境的热阻
结温
储存温度
价值
-45
-60
-100
-45
-60
-80
-5
-1
500
250
150
-55~+150
V
A
mW
℃/W
℃
℃
V
V
单位
１
金隅
半导体
www.htsemi.com
Ｄ½½½：２０１１／０５
BCX 51 /五十三分之五十二
在SOT89 PNP硅平面中功率晶体管
特点
I
C
= -1A连续集电极电流
低饱和电压V
CE （ SAT ）
< -500mV @ -0.5A
增益组10和16
外延平面片建设
互补NPN型： BCX54 ，55，和56
无铅，符合RoHS （注1 ）
卤素和无锑。 “绿色”设备（注2 ）
符合AEC -Q101标准的高可靠性
机械数据
案例： SOT89
外壳材料：模压塑料， “绿色”模塑
化合物（注2 ）
防火等级94V- 0
湿度灵敏性：每J- STD- 020 1级
终端：雾锡完成
重量： 0.072克（近似值）
应用
中功率开关或放大应用
自动对焦驱动级和输出级
SOT89
C
E
B
C
C
B
E
顶视图
设备符号
顶视图
引脚输出
订购信息
（注3）
产品
BCX51TA
BCX5110TA
BCX5116TA
BCX52TA
BCX5210TA
BCX5216TA
BCX53TA
BCX5310TA
BCX5316TA
BCX5316TC
BCX5316-13R
注意事项：
记号
AA
AC
AD
AE
AG
AM
AH
AK
AL
AL
AL
卷尺寸（英寸）
7
7
7
7
7
7
7
7
7
13
13
胶带宽度（mm）
12
12
12
12
12
12
12
12
12
12
12
QUANTITY每卷
1,000
1,000
1,000
1,000
1,000
1,000
1,000
1,000
1,000
4,000
4,000
1.没有故意添加铅。
2.二极管公司的“绿色”政策可以在我们的网站上找到http://www.diodes.com
3.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com
标识信息
XX =产品型号标识代码，如下所示：
xx
BCX51 = AA
BCX5110 = AC
BCX5116 = AD
BCX52 = AE
BCX5210 = AG
BCX5316 = AM
BCX53 AH =
BCX5310 = AK
BCX5316 = AL
BCX 51 /五十三分之五十二
数据表编号： DS35368修订版2 - 2
1 7
www.diodes.com
2011年6月
Diodes公司
BCX 51 /五十三分之五十二
最大额定值
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值脉冲集电极电流
连续基极电流
峰值脉冲电流基地
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
BCX51
-45
-45
BCX52
-60
-60
-5
-1
-1.5
-100
-200
BCX53
-100
-80
单位
V
V
V
A
mA
热特性
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
功率耗散（注4 ）
热阻，结到环境（注4 ）
热阻，结到信息（注5 ）
工作和存储温度范围
注意事项：
符号
P
D
R
θJA
R
θJL
T
J,
T
英镑
价值
1
124
10.0
-65到+150
单位
W
° C / W
° C / W
°C
4，对于设备的表面安装在25毫米x 25mm的FR4 PCB覆盖率高的单面的1盎司铜皮，在静止空气条件;该装置测得的
在稳态条件下运行时。
5.从结点到焊点点（上裸露收集垫）热敏电阻。
BCX 51 /五十三分之五十二
数据表编号： DS35368修订版2 - 2
2 7
www.diodes.com
2011年6月
Diodes公司
SOT89 PNP硅平面
中功率晶体管
第3期 - 1996年2月
互补式 -
7
BCX51 - BCX54
BCX52 - BCX55
BCX53 - BCX56
BCX53
AH
BCX53-10 - AK
BCX53-16 - AL
BCX51
BCX52
BCX53
C
PARTMARKING细节？
BCX51
– AA
BCX51-10 - 交
BCX51-16 - AD
BCX52
=阂
BCX52-10 - AG
BCX52-16 - AM
E
C
B
SOT89
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
BCX51
-45
-45
BCX52
-60
-60
-5
-1.5
-1
1
-65到+150
BCX53
-100
-80
单位
V
V
V
A
A
W
°C
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基
击穿
电压
BCX53
BCX52
BCX51
符号
V
（ BR ） CBO
分钟。
-100
-60
-45
-80
-60
-45
-5
-0.1
-20
-20
-0.5
-1.0
25
40
25
63
100
150
25
典型值。
MAX 。单位条件。
V
V
V
V
I
C
=-100A
I
C
=-100A
I
C
=-100A
I
C
=-10mA*
I
C
=-10mA*
I
C
=-10mA*
I
E
=-10A
V
CB
=-30V
V
CB
= -30V ，T
AMB
=150°C
V
EB
=-4V
I
C
= -500mA ，我
B
=-50mA*
I
C
= -500mA ，V
CE
=-2V*
I
C
I
C
I
C
I
C
I
C
兆赫
pF
= -5mA ，V
CE
=-2V*
= -150mA ，V
CE
=-2V*
= -500mA ，V
CE
=-2V*
= -150mA ，V
CE
=-2V*
= -150mA ，V
CE
=-2V*
集电极 - 发射极BCX53
击穿
BCX52
电压
BCX51
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
导通电压
静态正向电流
传输比
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
-10
-16
V
A
A
nA
V
V
250
160
250
跃迁频率
输出电容
f
T
C
敖包
I
C
= -50mA ，V
CE
=-10V,
f=100MHz
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤2%
3 - 34
BCX51...BCX53
PNP硅晶体管自动对焦
用于AF的驱动级和输出级
高集电极电流
低集电极 - 发射极饱和电压
互补类型： BCX54 ... BCX56 （NPN）
1
2
3
2
VPS05162
TYPE
BCX51
BCX51-10
BCX51-16
BCX52
BCX52-10
BCX52-16
BCX53
BCX53-10
BCX53-16
记号
AA
AC
AD
AE
AG
AM
AH
AK
AL
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
引脚配置
2=C
2=C
2=C
2=C
2=C
2=C
2=C
2=C
2=C
3=E
3=E
3=E
3=E
3=E
3=E
3=E
3=E
3=E
包
SOT89
SOT89
SOT89
SOT89
SOT89
SOT89
SOT89
SOT89
SOT89
1
Feb-10-2004
BCX51
BCX52
BCX53
表面贴装
PNP硅晶体管
中央
TM
半导体公司
描述：
中央半导体BCX51 ，
BCX52 ， BCX53和类型PNP硅
由外延平面制造的晶体管
过程中，环氧树脂模制在一个表面安装型
包，专为高电流一般
目的放大器应用。
SOT- 89 CASE
最大额定值
(TA=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
功耗
工作和存储
结温
热阻
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
BCX51
45
45
BCX52
60
60
5.0
1.0
1.5
100
200
1.2
-65到+150
104
BCX53
100
80
单位
V
V
V
A
A
mA
mA
W
°C
° C / W
电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
典型值
ICBO
VCB=30V
ICBO
VCB = 30V ， TA = 125°C
IEBO
VEB=5.0V
BVCBO
IC = 100μA （ BCX51 ）
45
BVCBO
IC = 100μA （ BCX52 ）
60
BVCBO
IC = 100μA （ BCX53 ）
100
BVCEO
IC = 10毫安（ BCX51 ）
45
BVCEO
IC = 10毫安（ BCX52 ）
60
BVCEO
IC = 10毫安（ BCX53 ）
80
VCE （ SAT ）
IC = 500毫安， IB = 50毫安
VBE （ON）的
VCE = 2.0V ， IB = 500毫安
的hFE
VCE = 2.0V ， IC = 5.0毫安
63
的hFE
VCE = 2.0V ， IC = 150毫安
63
的hFE
VCE = 2.0V ， IC = 150毫安
（ BCX51-10 ， BCX52-10 ， BCX53-10 ）
63
的hFE
VCE = 2.0V ， IC = 150毫安
（ BCX51-16 ， BCX52-16 ， BCX53-16 ）
100
的hFE
VCE = 2.0V ， IC = 500毫安
40
fT
VCE = 5.0V ， IC = 10毫安中，f = 100MHz的
50
最大
100
10
100
0.5
1.0
250
160
250
单位
nA
A
nA
V
V
V
V
V
V
V
V
兆赫
R1 （ 2001年18月）
PNP硅晶体管自动对焦
BCX 51 BCX ... 53
特点
q
用于AF的驱动级和输出级
q
高集电极电流
q
低集电极 - 发射极饱和电压
q
互补类型： BCX 54 BCX ... 56 （ NPN ）
TYPE
BCX 51
BCX 51-10
BCX 51-16
BCX 52
BCX 52-10
BCX 52-16
BCX 53
BCX 53-10
BCX 53-16
记号
AA
AC
AD
AE
AG
AM
AH
AK
AL
订购代码
（磁带和卷轴）
Q62702-C1847
Q62702-C1831
Q62702-C1857
Q62702-C1743
Q62702-C1744
Q62702-C1900
Q62702-C905
Q62702-C1753
Q62702-C1502
引脚配置
1
2
3
B
C
E
包
1)
SOT-89
1)
有关详细信息，请参阅本章包装纲要。
半导体集团
1
04.96
BCX 51 BCX ... 53
电气特性
at
T
A
= 25℃，除非另有规定。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安
BCX 51
BCX 52
BCX 53
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100
A
BCX 51
BCX 52
BCX 53
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10
A
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 30 V
V
CB
= 30 V,
T
A
= 150 C
发射Cuto FF电流
V
EB
= 4 V
直流电流增益
1)
I
C
= 5毫安，
V
CE
= 2 V
I
C
= 150毫安，
V
CE
= 2 V
BCX 51 BCX 52 BCX 53
BCX 51-10 ， BCX 52-10 ， BCX 53-10
BCX 51-16 ， BCX 52-16 ， BCX 53-16
I
C
= 500毫安，
V
CE
= 2 V
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 500毫安，
I
B
= 50毫安
基射极电压
1)
I
C
= 500毫安，
V
CE
= 2 V
AC特性
跃迁频率
I
C
= 50毫安，
V
CE
= 10 V,
f
= 20 MHz的
f
T
–
125
–
兆赫
V
(BR)CE0
45
60
80
V
(BR)CB0
45
60
100
V
(BR)EB0
I
CB0
–
–
I
EB0
h
FE
25
40
63
100
25
V
CESAT
V
BE
–
–
–
–
100
160
–
–
–
–
250
160
250
–
0.5
1
V
–
–
–
–
100
20
20
nA
A
nA
–
5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
V
值
典型值。
马克斯。
单位
1)
脉冲测试：
t
≤
300
s,
D
= 2 %.
半导体集团
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP中功率晶体管
特点
大电流（最大1 A）
低电压（最大80 V） 。
应用
中功率一般用途
音频放大器的驱动级。
描述
手册， halfpage
BCX51 ; BCX52 ; BCX53
钉扎
针
1
2
3
辐射源
集热器
BASE
描述
在SOT89塑料PNP中功率晶体管
封装。 NPN补充： BCX54 ， BCX55和BCX56 。
3
2
记号
TYPE
数
BCX51
BCX51-10
BCX51-16
BCX52
BCX52-10
记号
CODE
AA
AC
AD
AE
AG
TYPE
数
BCX52-16
BCX53
BCX53-10
BCX53-16
记号
CODE
AM
AH
AK
AL
1
底部视图
2
3
MAM297
1
Fig.1简化外形（ SOT89 ）和符号。
1999年4月19日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP中功率晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
BCX51
BCX52
BCX53
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BCX51
BCX52
BCX53
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
集电极开路
开基
参数
集电极 - 基极电压
条件
发射极开路
BCX51 ; BCX52 ; BCX53
分钟。
65
65
马克斯。
45
60
100
45
60
80
5
1
1.5
200
1.3
+150
150
+150
V
V
V
V
V
V
V
A
A
单位
mA
W
°C
°C
°C
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘6厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“散热考虑SOT89在总则部分相关的手册” 。
热特性
符号
R
日J-一
R
第j个-S
记
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘6厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“散热考虑SOT89在总则部分相关的手册” 。
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
价值
94
14
单位
K / W
K / W
从结热阻焊接点钞1
1999年4月19日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP中功率晶体管
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
E
= 0; V
CB
=
30
V
BCX51 ; BCX52 ; BCX53
分钟。
40
63
25
63
100
典型值。马克斯。单位
50
100
10
100
250
160
250
500
1
mV
V
兆赫
nA
A
nA
I
E
= 0; V
CB
=
30
V ;牛逼
j
= 125
°C
I
C
= 0; V
EB
=
5
V
V
CE
=
2
V ;见图2
I
C
=
5
mA
I
C
=
150
mA
I
C
=
500
mA
直流电流增益
BCX51-10 ; BCX52-10 ; BCX53-10
BCX51-16 ; BCX52-16 ; BCX53-16
V
CESAT
V
BE
f
T
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
I
C
=
500
毫安;我
B
=
50
mA
I
C
=
500
毫安; V
CE
=
2
V
I
C
=
150
毫安; V
CE
=
2
V ;见图2
I
C
=
10
毫安; V
CE
=
5
V ; F = 100 MHz的
手册，全页宽
160
MBH730
的hFE
120
VCE =
2
V
80
40
0
10
1
1
10
10
2
10
3
IC （MA ）
10
4
图2直流电流增益;典型值。
1999年4月19日
4
QQ：2880707522 复制
