SOT89 PNP硅平面
中功率晶体管
第3期 - 1996年2月
互补式 -
7
BCX51 - BCX54
BCX52 - BCX55
BCX53 - BCX56
BCX53
AH
BCX53-10 - AK
BCX53-16 - AL
BCX51
BCX52
BCX53
C
PARTMARKING细节？
BCX51
– AA
BCX51-10 - 交
BCX51-16 - AD
BCX52
=阂
BCX52-10 - AG
BCX52-16 - AM
E
C
B
SOT89
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
BCX51
-45
-45
BCX52
-60
-60
-5
-1.5
-1
1
-65到+150
BCX53
-100
-80
单位
V
V
V
A
A
W
°C
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基
击穿
电压
BCX53
BCX52
BCX51
符号
V
（ BR ） CBO
分钟。
-100
-60
-45
-80
-60
-45
-5
-0.1
-20
-20
-0.5
-1.0
25
40
25
63
100
150
25
典型值。
MAX 。单位条件。
V
V
V
V
I
C
=-100A
I
C
=-100A
I
C
=-100A
I
C
=-10mA*
I
C
=-10mA*
I
C
=-10mA*
I
E
=-10A
V
CB
=-30V
V
CB
= -30V ，T
AMB
=150°C
V
EB
=-4V
I
C
= -500mA ，我
B
=-50mA*
I
C
= -500mA ，V
CE
=-2V*
I
C
I
C
I
C
I
C
I
C
兆赫
pF
= -5mA ，V
CE
=-2V*
= -150mA ，V
CE
=-2V*
= -500mA ，V
CE
=-2V*
= -150mA ，V
CE
=-2V*
= -150mA ，V
CE
=-2V*
集电极 - 发射极BCX53
击穿
BCX52
电压
BCX51
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
导通电压
静态正向电流
传输比
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
-10
-16
V
A
A
nA
V
V
250
160
250
跃迁频率
输出电容
f
T
C
敖包
I
C
= -50mA ，V
CE
=-10V,
f=100MHz
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤2%
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SOT89 PNP硅平面
中功率晶体管
第3期 - 1996年2月
互补式 -
7
BCX51 - BCX54
BCX52 - BCX55
BCX53 - BCX56
BCX53
AH
BCX53-10 - AK
BCX53-16 - AL
BCX51
BCX52
BCX53
C
PARTMARKING细节？
BCX51
– AA
BCX51-10 - 交
BCX51-16 - AD
BCX52
=阂
BCX52-10 - AG
BCX52-16 - AM
E
C
B
SOT89
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
BCX51
-45
-45
BCX52
-60
-60
-5
-1.5
-1
1
-65到+150
BCX53
-100
-80
单位
V
V
V
A
A
W
°C
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基
击穿
电压
BCX53
BCX52
BCX51
符号
V
（ BR ） CBO
分钟。
-100
-60
-45
-80
-60
-45
-5
-0.1
-20
-20
-0.5
-1.0
25
40
25
63
100
150
25
典型值。
MAX 。单位条件。
V
V
V
V
I
C
=-100A
I
C
=-100A
I
C
=-100A
I
C
=-10mA*
I
C
=-10mA*
I
C
=-10mA*
I
E
=-10A
V
CB
=-30V
V
CB
= -30V ，T
AMB
=150°C
V
EB
=-4V
I
C
= -500mA ，我
B
=-50mA*
I
C
= -500mA ，V
CE
=-2V*
I
C
I
C
I
C
I
C
I
C
兆赫
pF
= -5mA ，V
CE
=-2V*
= -150mA ，V
CE
=-2V*
= -500mA ，V
CE
=-2V*
= -150mA ，V
CE
=-2V*
= -150mA ，V
CE
=-2V*
集电极 - 发射极BCX53
击穿
BCX52
电压
BCX51
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
导通电压
静态正向电流
传输比
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
-10
-16
V
A
A
nA
V
V
250
160
250
跃迁频率
输出电容
f
T
C
敖包
I
C
= -50mA ，V
CE
=-10V,
f=100MHz
V
CB
= -10V ， F = 1MHz的
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤2%
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