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BCX42
PNP硅自动对焦和开关晶体管
对于一般自动对焦的应用
高的击穿电压
低集电极 - 发射极饱和电压
互补型： BCX41 （ NPN ）
无铅（符合RoHS标准）封装
合格的依据AEC Q101
3
1
2
TYPE
BCX42
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
记号
DKS
引脚配置
1=B
2=E
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
符号
R
thjs
3=C
包
SOT23
单位
V
价值
125
125
5
800
1
100
200
330
150
-65 ... 150
价值
≤
215
mA
A
mA
mW
°C
峰值集电极电流，
t
p
≤
10毫秒
基极电流
峰值电流基地
总功耗
T
S
≤
79 °C
结温
储存温度
热阻
参数
结 - 焊接点
1)
单位
K / W
1
对于计算
R
thJA请参考应用笔记AN077 （热阻计算）
1
2011-10-04
BCX42
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
值
分钟。
典型值。马克斯。
DC特性
-
-
集电极 - 发射极击穿电压
V
（ BR ） CEO
125
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0
单位
V
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100 A,
I
E
= 0
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
125
5
-
-
-
-
A
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10 A,
I
C
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 100 V,
I
E
= 0
V
CB
= 100 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
-
-
I
首席执行官
-
-
-
-
-
0.1
20
10
75
100
nA
-
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 100 V,
T
A
= 85 °C
V
CE
= 100 V,
T
A
= 125 °C
-
-
I
EBO
h
FE
发射基截止电流
V
EB
= 4 V,
I
C
= 0
-
直流电流增益
1)
I
C
= 100 A,
V
CE
= 1 V
I
C
= 100毫安，
V
CE
= 1 V
I
C
= 200毫安，
V
CE
= 1 V
25
63
40
V
CESAT
V
BESAT
-
-
-
-
-
-
-
-
0.9
1.4
V
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 300毫安，
I
B
= 30毫安
-
-
基极发射极饱和电压
1)
I
C
= 300毫安，
I
B
= 30毫安
AC特性
跃迁频率
I
C
= 20毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 20 MHz的
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
1
脉冲
f
T
C
cb
-
-
150
12
-
-
兆赫
pF
测试：吨< 300μS ; < 2 ％
2
2011-10-04
BCX42
直流电流增益
h
FE
=
(I
C
)
V
CE
= 1 V
10
3
BCX 42 / BSS 63
EHP00435
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
(V
CESAT
),
h
FE
= 10
3 BCX 42 / BSS 63
EHP00433
10
mA
h
FE
5
Ι
C
10
2
150 C
25 C
-50 C
150 C
25 C
-50 C
10
2
5
10
5
1
5
10
5
0
10
1
10
-1
5 10
0
5 10
1
5 10
2
10毫安
3
10
-1
0
200
400
600 mV的800
V
CE坐
Ι
C
基射极饱和电压
I
C
=
(V
BESAT
),
h
FE
= 10
10
3
mA
BCX 42 / BSS 63
EHP00432
集电极电流
I
C
=
(V
BE
)
V
CE
= 1V
10
3
mA
BCX 42 / BSS 63
EHP00429
Ι
C
10
2
5
150 C
25 C
-50 C
Ι
C
10
2
5
T
A
= 150 C
25 C
-50 C
10
1
5
10
1
5
10
5
0
10
5
0
10
-1
0
1
2
V
V
BE坐
3
10
-1
0
1
2
V
V
BE
3
3
2011-10-04
BCX42
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
=
(T
A
)
V
CBO
= 100 V
10
4
nA
BCX 42 / BSS 63
EHP00434
跃迁频率
f
T
=
(I
C
)
V
CE
= V中的参数，
f
= 2 GHz的
10
3
兆赫
BCX 42 / BSS 63
EHP00431
Ι
CB0
10
5
3
最大
f
T
5
10
2
5
10
1
5
10
5
10
-1
10
1
10
0
0
10
2
典型值
5
0
50
100
C
T
A
150
5 10
1
5
10
2
mA
10
3
Ι
C
集电极 - 基极电容
C
cb
=
(V
CB
)
发射极 - 基极电容
C
eb
=
(V
EB
)
90
pF
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
400
mW
C
CB
(C
EB ）
70
300
P
合计
CEB
建行
60
50
250
200
40
150
30
20
10
0
0
100
50
4
8
12
16
V
22
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
V
CB
(V
EB
T
S
°C
150
4
2011-10-04
BCX42
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
10
3
P
TOT最大
5
P
TOT DC
BCX 42 / BSS 63
EHP00430
t
p
D
=
T
t
p
T
10
2
5
10
1
5
D
=
0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
0
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
t
p
10
0
5
2011-10-04
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