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BCW66
NPN硅晶体管自动对焦
对于一般自动对焦的应用
高电流增益
低集电极 - 发射极饱和电压
互补型： BCW68 （ PNP ）
无铅（符合RoHS标准）封装
1)
合格的依据AEC Q101
3
1
2
TYPE
BCW66F
BCW66KF*
BCW66G
BCW66KG*
BCW66H
BCW66KH*
*收缩的芯片版本
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功率dissipation-
T
S
≤
79 ° C， BCW66
T
S
≤
115 ° C， BCW66K
结温
储存温度
1
含有铅，
记号
EFS
EFS
EGS
EGS
EHS
EHS
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
引脚配置
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
包
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
价值
45
75
5
800
1
100
200
单位
V
mA
A
mA
mW
330
500
T
j
T
英镑
150
-65 ... 150
°C
包可能是可根据特殊要求
1
2007-04-20
BCW66
热阻
参数
结 - 焊接点
1)
BCW66
BCW66K
符号
R
thjs
价值
≤
215
≤ 70
单位
K / W
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
符号
值
单位
参数
分钟。
典型值。马克斯。
DC特性
-
-
集电极 - 发射极击穿电压
V
（ BR ） CEO
45
V
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10 A,
I
E
= 0
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
75
5
-
-
-
-
A
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10 A,
I
C
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 45 V,
I
E
= 0
V
CB
= 45 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
-
-
I
EBO
h
FE
-
-
-
0.02
20
20
nA
-
发射基截止电流
V
EB
= 5 V,
I
C
= 0
-
直流电流增益
2)
I
C
= 100 μA - 10毫安，
V
CE
= 1 V ， HFE- grp.F
I
C
= 100 μA - 10毫安，
V
CE
= 1 V ， HFE- grp.G
I
C
= 100 μA - 10毫安，
V
CE
= 1 V ， HFE- grp.H
I
C
= 100毫安，
V
CE
= 1 V ， HFE- grp.F
I
C
= 100毫安，
V
CE
= 1 V ， HFE- grp.G
I
C
= 100毫安，
V
CE
= 1 V ， HFE- grp.H
I
C
= 500毫安，
V
CE
= 1 V ， HFE- grp.F ， G，H
75
110
180
100
160
250
40
V
CESAT
-
-
-
160
250
350
-
-
-
-
250
400
630
-
V
集电极 - 发射极饱和电压
2)
I
C
= 100毫安，
I
B
= 10毫安
I
C
= 500毫安，
I
B
= 50毫安
-
-
V
BESAT
-
-
-
-
0.3
0.45
1.25
1.25
基极发射极饱和电压
2)
I
C
= 100毫安，
I
B
= 10毫安
I
C
= 500毫安，
I
B
= 50毫安
1
为
2
脉冲
-
-
计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
测试：吨< 300μS ; < 2 ％
2
2007-04-20
BCW66
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
值
分钟。
AC特性
跃迁频率
I
C
= 50毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 20 MHz的
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫， BCW66
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫， BCW66K
发射极 - 基极电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫， BCW66
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫， BCW66K
C
eb
-
-
60
40
-
-
C
cb
-
-
6
3
-
-
pF
f
T
-
170
-
兆赫
典型值。
马克斯。
单位
3
2007-04-20
BCW66
直流电流增益
h
FE
=
(
I
C
)
V
CE
= 1 V
10
3
5
BCW 65/66
EHP00396
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
(
V
CESAT
),
h
FE
= 10
10
3
mA
BCW 65/66
EHP00395
100 C
h
FE
25 C
10
2
5
-50 C
Ι
C
10
2
5
150 C
25 C
-50 C
10
1
5
10
1
5
10
0
5
10
0
10
-1
5 10
0
5 10
1
5 10
2
10毫安
3
10
-1
0
200
400
600 mV的800
V
CE坐
Ι
C
基射极饱和电压
I
C
=
(
V
BESAT
),
h
FE
= 10
10
3
mA
BCW 65/66
EHP00394
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
=
(
T
A
)
V
CB
=
V
CEmax
10
5
nA
BCW 65/66
EHP00393
Ι
C
10
2
5
150 C
25 C
-50 C
Ι
CB0
10
4
5
10
3
10
5
1
5
10
2
5
最大
10
5
0
典型值
10
5
1
10
-1
0
1
2
3
V
V
BE坐
4
10
0
0
50
100
C
T
A
150
4
2007-04-20
BCW66
跃迁频率
f
T
=
(
I
C
)
V
CE
= 5 V
10
3
兆赫
f
T
5
60
BCW 65/66
EHP00391
集电极 - 基极电容
C
cb
=
(
V
CB
)
发射极 - 基极电容
C
eb
=
(
V
EB
)
BCW66 ： - - - ， BCW66K ： ____
75
pF
V
CB
/V
EB
55
50
45
40
35
30
CEB ： BCW66
CEB ： BCW66K
建行： BCW66
建行： BCW66K
10
2
5
25
20
15
10
5
10
1
10
0
10
1
10
2
mA
10
3
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
20
Ι
C
C
CB
/C
EB
总功耗
P
合计
=
(
T
S
)
BCW66 ： - - - ， BCW66K ： ____
允许的脉冲负载
P
totmax
/
P
totDC
=
(
t
p
)
10
3
P
TOT最大
5
P
TOT DC
BCW 65/66
EHP00392
550
mW
450
400
t
p
D
=
T
t
p
T
BCW66K
BCW66
P
合计
350
300
250
200
150
100
50
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
10
2
5
10
1
5
D
=
0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
°C
150
T
S
10
0
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
t
p
10
0
5
2007-04-20
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BS-AD23RD
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BKME100ESS101MF11D
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BLM21BB750SN1
BUK454-500B
B72510T80L62
B82442H1223K000
BS18-1.725X150
BZX84C9V1W
B37550K5103J072
BQ24707
BS616LV1613FCG70
BAT63-02V
B37831R0100J021
BL-B21V1F
BC487L
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型号
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数量
封装
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    BCW66KG
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