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SOT23 NPN硅平面
中功率晶体管
第4期 - 2001年3月
PARTMARKING细节？
BCW66F -
EF
BCW66G -
EG
BCW66H -
EH
BCW66FR ？
BCW66GR ？
BCW66HR ？
7P
5T
7M
BCW66
E
C
B
互补式 - BCW68
SOT23
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
集电极电流峰值（ 10毫秒）
基极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
75
45
5
800
1000
100
330
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
TBA
BCW66
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极
截止电流
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极饱和电压
STATIC
前锋
当前
转让
符号最小值。
V
（ BR ） CEO
45
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） EBO
I
CES
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
75
100
35
110
160
60
180
250
100
100
8
12
80
2
10
75
5
20
20
20
典型值。
马克斯。
单位
条件。
V
V
V
nA
A
nA
I
首席执行官
=10mA
IC=10
A
I
EBO
=10
A
V
CES
= 45V
V
CES
= 45V ，T
AMB
=150°C
V
EBO
=4V
I
C
= 100mA时我
B
= 10毫安
I
C
= 500毫安，我
B
= 50毫安*
I
C
= 500毫安，我
B
=50mA*
I
C
= 10毫安，V
CE
= 1V
I
C
= 100mA时V
CE
= 1V*
I
C
= 500毫安，V
CE
= 2V*
I
C
= 10毫安，V
CE
= 1V
I
C
= 100mA时V
CE
= 1V*
I
C
= 500毫安，V
CE
= 2V*
I
C
= 10毫安，V
CE
= 1V
I
C
= 100mA时V
CE
= 1V*
I
C
= 500毫安，V
CE
= 2V*
兆赫我
C
= 20mA时， V
CE
=10V
F = 100MHz的
pF
pF
dB
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
V
EB
= 0.5V ， F = 1MHz的
I
C
= 0.2毫安，V
CE
= 5V
R
G
=1k
I
C
=150mA
I
B1
=- I
B2
=15mA
R
L
=150
0.3 V
0.7 V
2
V
BCW66F
FE
160
250
BCW66G
FE
250
400
BCW66H
FE
350
630
跃迁频率
输出电容
输入电容
噪声系数
f
T
C
敖包
C
IBO
N
开关时间：
开启时间
打开-O FF时间
t
on
t
关闭
100
400
ns
ns
辣妹参数数据可应要求提供此设备
*脉冲条件下进行测定。
TBA
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B3W-1100
B41231B7688M000
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BCW66GR
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市金嘉锐电子有限公司
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原厂封装
原装现货可含税BFS20
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电话：0755-23140719/23915992
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