【BL银河电子NPN通用放大器特点对于一般AF appilications 。高电流增益。低集电极 -】,IC型号BCW65,BCW65 PDF资料,BCW65经销商,ic,电子元器件-51电子网

BL

银河电子

NPN通用放大器

特点

对于一般AF appilications 。

高电流增益。

低集电极 - 发射极饱和电压。

互补类型： BCW67 ， BCW68 （ PNP ）

产品规格

BCW65/66

Pb

LEAD -FREE

应用

通用中等功率放大器。

开关appilication 。

SOT-23

订购信息

型号

BCW65A/B/C

BCW66F/G/H

记号

EA / EB / EC

封装代码

SOT-23

最大额定值

除非另有规定@ TA = 25 ℃

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

P

C

T

j,

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流 - 连续

集电极耗散

结温和存储温度

BCW65

32

60

5

800

330

-65to+150

BCW66

45

75

5

单位

V

mA

mW

℃

文件编号： BL / SSSTC106

Rev.A的

www.galaxycn.com

1

BL

银河电子

NPN通用放大器

产品规格

BCW65/66

电气特性

除非另有规定@ TA = 25 ℃

参数

集电极 - 基极击穿电压

BCW65

BCW66

集电极 - 发射极击穿电压

BCW65

BCW66

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

A / F

B / G

C / H

BCW65

BCW66

符号

测试条件

民

最大

单位

V

（ BR ） CBO

I

C

= 10μA我

E

=0

60

75

32

45

5

20

100

160

250

400

630

0.3

0.7

1.25

2

170

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

I

EBO

h

FE

I

C

= 10毫安我

B

=0

B

V

nA

I

E

= 10μA我

C

=0

V

CB

= 32V我

E

=0

V

CB

= 45V我

E

=0

V

EB

= 4V我

C

=0

V

CE

= 5V I

C

=2mA

I

C

= 100毫安我

B

=10mA

I

C

= 500毫安我

B

=50mA

B

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

跃迁频率

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

f

T

V

兆赫

I

C

= 100毫安我

B

=10mA

I

C

= 500毫安我

B

=50mA

B

V

CE

=5V

f=20MHz

I

C

=50mA

典型特征

除非另有规定@ TA = 25 ℃

文件编号： BL / SSSTC106

Rev.A的

www.galaxycn.com

2

BL

银河电子

NPN通用放大器

产品规格

BCW65/66

文件编号： BL / SSSTC106

Rev.A的

www.galaxycn.com

3

BL

银河电子

NPN通用放大器

包装外形

塑料表面贴装封装

A

E

产品规格

BCW65/66

SOT-23

暗淡

A

B

C

D

民

2.85

1.25

0.37

0.35

1.85

0.02

2.35

最大

2.95

1.35

0.43

0.48

1.95

0.1

2.45

K

B

1.0Typical

D

G

J

E

G

H

C

J

K

0.1Typical

尺寸：mm

焊接足迹

单位：mm

包

设备

BCW65/66

信息

包

SOT-23

航运

3000/Tape&Reel

文件编号： BL / SSSTC106

Rev.A的

www.galaxycn.com

4

BCW 65 BCW 66

NPN

通用晶体管

NPN

表面贴装硅外延PlanarTransistors

硅外延PlanarTransistoren献给死去Oberflchenmontage

功耗 - Verlustleistung

2.9

±0.1

0.4

3

250毫瓦

SOT-23

(TO-236)

0.01 g

1.1

塑料外壳

Kunststoffgehuse

1.3

±0.1

TYPE

CODE

1

2

2.5

最大

重量约。 - Gewicht约

塑料材料具有UL分类94V- 0

Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert

标准包装卷带封装

标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔

1.9

尺寸/集体单位为毫米

1=B

2=E

3=C

最大额定值（T

A

= 25

/

C)

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基电压

功耗 - Verlustleistung

集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）

峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom

基极电流 - 基础 - Spitzenstrom

峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom

结温 - Sperrschichttemperatur

储存温度 - Lagerungstemperatur

B开

ê开放

c打开

V

CE0

V

CB0

V

EB0

P

合计

I

C

I

CM

I

B

I

BM

T

j

T

S

Grenzwerte （T

A

= 25

/

C)

BCW 65

32 V

60 V

5V

250毫瓦

1

)

800毫安

千毫安

百毫安

200毫安

150

/

C

- 65…+ 150

/

C

BCW 66

45 V

75 V

特性（T

j

= 25

/

C)

分钟。

集电极 - 基极截止电流 - Kollektorreststrom

I

E

= 0, V

CB

= 32 V

I

E

= 0, V

CB

= 32 V ，T

j

= 150

/

C

I

E

= 0, V

CB

= 45 V

I

E

= 0, V

CB

= 45 V ，T

j

= 150

/

C

I

C

= 0, V

EB

= 4 V

BCW 65

BCW 66

I

CB0

I

CB0

I

CB0

I

CB0

I

EB0

–

Kennwerte （T

j

= 25

/

C)

典型值。

–

马克斯。

20 nA的

20

:

A

20 nA的

20

:

A

20 nA的

发射基截止电流 - Emitterreststrom

1

）安装在交媾主板为3 mm

2

铜垫在每个终端

蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米

2

Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞

01.11.2003

42

通用晶体管

特性（T

j

= 25

/

C)

分钟。

集电极饱和电压。 - Kollektor - Sttigungsspg 。

1

)

I

C

= 100毫安，我

B

= 10毫安

I

C

= 500毫安，我

B

= 50毫安

I

C

= 100毫安，我

B

= 10毫安

I

C

= 500毫安，我

B

= 50毫安

BCW 65A / 66F

V

CE

= 10 V，I

C

= 100

:

A

BCW 65B / 66G

BCW 65C / 66H

BCW 65A / 66F

V

CE

= 1 V，I

C

= 10毫安

BCW 65B / 66G

BCW 65C / 66H

BCW 65A / 66F

V

CE

= 1 V，I

C

= 100毫安

BCW 65B / 66G

BCW 65C / 66H

BCW 65A / 66F

V

CE

= 2 V，I

C

= 500毫安

BCW 65B / 66G

BCW 65C / 66H

增益带宽积 - Transitfrequenz

V

CE

= 5 V，I

C

= 50 mA时， F = 100 MHz的

V

CB

= 10 V，I

E

= i

e

= 0中，f = 1 MHz的

V

EB

= 0.5 V，I

C

= i

c

= 0中，f = 1 MHz的

热阻结到环境空气

Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特

推荐互补PNP晶体管

Empfohlene komplementre PNP - Transistoren

标记 - Stempelung

BCW 65A = EA

BCW 66F = EF

f

T

C

CB0

C

EB0

–

R

THA

V

CESAT

V

CESAT

V

BESAT

V

BESAT

h

FE

h

FE

h

FE

h

FE

h

FE

h

FE

h

FE

h

FE

h

FE

h

FE

h

FE

h

FE

–

35

50

80

75

110

180

100

160

250

–

BCW 65 BCW 66

Kennwerte （T

j

= 25

/

C)

典型值。

–

160

250

350

35

60

100

170兆赫

6 pF的

60 pF的

马克斯。

300毫伏

700毫伏

1.25 V

2V

–

250

400

630

–

420 K / W

2

)

BCW 67 BCW 68

BCW 65B = EB

BCW 66G = EG

BCW 65C = EC

BCW 66H = EH

基本饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung

1

)

直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis

1

)

集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt

发射极 - 基极电容 - 发射极 - 基 - Kapazitt

）测试与脉冲吨

p

= 300

:

S，占空比

#

2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨

p

= 300

:

S， Schaltverhltnis

#

2%

）安装在交媾主板为3 mm

2

铜垫在每个终端

蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米

2

Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞

01.11.2003

1

2

43

BCW65 ， BCW66

NPN硅晶体管自动对焦

对于一般自动对焦的应用

高电流增益

低集电极 - 发射极饱和电压

互补类型： BCW67 ， BCW68 （ PNP ）

3

2

1

VPS05161

TYPE

BCW65A

BCW65B

BCW65C

BCW66F

BCW66G

BCW66H

最大额定值

参数

记号

EAS

EBS

ECS

EFS

EGS

EHS

1=B

引脚配置

2=E

3=C

包

SOT23

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

BCW65

32

60

5

800

1

100

200

330

150

BCW66

45

75

5

单位

V

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

DC集电极电流

峰值集电极电流

基极电流

峰值电流基地

总功耗

,

T

S

= 79 °C

结温

储存温度

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

合计

T

j

T

英镑

mA

A

mA

mW

°C

-65 ... 150

热阻

结 - 焊接点

1)

R

thjs

215

K / W

1对于计算

R

thJA

请参考应用笔记热阻

1

Jul-10-2001

BCW65 ， BCW66

电气特性

at

T

A

= 25 ° C，除非另有规定ED 。

参数

符号

值

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 10毫安，

I

B

= 0

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 10 A,

I

B

= 0

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 10 A,

I

C

= 0

收藏家Cuto FF电流

V

CB

= 32 V,

I

E

= 0

V

CB

= 45 V,

I

E

= 0

收藏家Cuto FF电流

V

CB

= 32 V,

I

E

= 0 ,

T

A

= 150 °C

V

CB

= 45 V,

I

E

= 0 ,

T

A

= 150 °C

发射Cuto FF电流

V

EB

= 4 V,

I

C

= 0

直流电流增益1 ）

I

C

= 100 A,

V

CE

= 10 V

h

FE

-grp.A /女

h

FE

-grp.B / G

h

FE

-grp.C / H

直流电流增益1 ）

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 1 V

h

FE

-grp.A /女

h

FE

-grp.B / G

h

FE

-grp.C / H

直流电流增益1 ）

I

C

= 100毫安，

V

CE

= 1 V

h

FE

-grp.A /女

h

FE

-grp.B / G

h

FE

-grp.C / H

1 ）脉冲测试：吨

≤

300

S，D = 2 ％

单位

马克斯。

V

典型值。

V

（ BR ） CEO

BCW65

BCW66

V

（ BR ） CBO

BCW65

BCW66

V

（ BR ） EBO

I

CBO

BCW65

BCW66

I

CBO

BCW65

BCW66

I

EBO

h

FE

35

50

80

h

FE

75

110

180

h

FE

100

160

250

160

250

350

250

400

630

-

20

-

20

60

75

5

-

32

45

-

nA

A

nA

-

2

Jul-10-2001

BCW65 ， BCW66

电气特性

at

T

A

= 25 ° C，除非另有规定ED 。

参数

DC特性

直流电流增益1 ）

I

C

= 500毫安，

V

CE

= 2 V

h

FE

-grp.A /女

h

FE

-grp.B / G

h

FE

-grp.C / H

集电极 - 发射极饱和电压1 ）

I

C

= 100毫安，

I

B

= 10毫安

I

C

= 500毫安，

I

B

= 50毫安

基极 - 发射极饱和电压1）

I

C

= 100毫安，

I

B

= 10毫安

I

C

= 500毫安，

I

B

= 50毫安

AC特性

跃迁频率

I

C

= 50毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 20 MHz的

集电极 - 基极电容

V

CB

= 10 V,

f

= 1兆赫

发射极 - 基极电容

V

EB

= 0.5 V,

f

= 1兆赫

C

eb

-

60

-

C

cb

-

6

-

pF

f

T

-

170

-

兆赫

V

BESAT

-

1.25

2

V

CESAT

-

0.3

0.7

h

FE

-

35

60

100

-

V

-

符号

分钟。

值

典型值。

马克斯。

单位

3

Jul-10-2001

BCW65 ， BCW66

总功耗

P

合计

=

f

(

T

S

)

跃迁频率

f

T

=

f

(

I

C

)

V

CE

= 5V

10

3

兆赫

f

T

5

BCW 65/66

EHP00391

360

mW

300

270

P

合计

240

210

180

150

120

90

60

30

0

15

30

45

60

75

90 105 120

10

2

5

°C

150

T

S

10

1

10

0

10

1

10

2

mA

10

3

Ι

C

允许的脉冲负载

P

totmax

/

P

totDC

=

f

(

t

p

)

10

3

P

TOT最大

5

P

TOT DC

BCW 65/66

EHP00392

收藏家Cuto FF电流

I

CBO

=

f

(

T

A

)

V

CB

=

V

CEmax

10

5

nA

BCW 65/66

EHP00393

t

p

D

=

T

t

p

T

Ι

CB0

10

4

5

10

2

5

10

1

5

D

=

0

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

10

3

5

10

2

5

最大

典型值

10

5

1

10

0

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

t

p

10

0

10

0

50

100

C

T

A

150

4

Jul-10-2001

BCW65 ， BCW66

基射极饱和电压

I

C

=

f

(

V

BESAT

),

h

FE

= 10

10

3

mA

BCW 65/66

EHP00394

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

=

f

(

V

CESAT

),

h

FE

= 10

10

3

mA

BCW 65/66

EHP00395

Ι

C

10

2

5

150 C

25 C

-50 C

Ι

C

10

2

5

150 C

25 C

-50 C

10

1

5

10

1

5

10

5

0

10

0

5

10

-1

0

1

2

3

V

BE坐

4

10

-1

0

200

400

600 mV的800

V

CE坐

直流电流增益

h

FE

=

f

(

I

C

)

V

CE

= 1V

10

3

5

BCW 65/66

EHP00396

100 C

25 C

h

FE

10

2

5

-50 C

10

1

5

10

0

10

-1

5 10

0

5 10

1

5 10

2

10毫安

3

Ι

C

5

Jul-10-2001

NPN硅晶体管自动对焦

BCW 65

BCW 66

q

对于一般自动对焦的应用

q

高电流增益

q

低集电极 - 发射极饱和电压

q

互补类型： BCW 67 BCW 68 （ PNP ）

TYPE

BCW 65一

BCW 65 B

BCW 65℃

BCW 66架F

BCW 66克

BCW 66小时

记号

EAS

EBS

ECS

EFS

EGS

EHS

订购代码

（磁带和卷轴）

Q62702-C1516

Q62702-C1612

Q62702-C1479

Q62702-C1892

Q62702-C1526

Q62702-C1632

引脚配置

1

2

3

B

E

C

包

1)

SOT-23

1)

有关详细信息，请参阅本章包装纲要。

半导体集团

1

5.91

BCW 65

BCW 66

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

峰值集电极电流

基极电流

峰值电流基地

总功耗，

T

S

= 79 C

结温

存储温度范围

热阻

结 - 环境

1)

结 - 焊接点

R

日JA

R

日JS

≤

285

≤

215

符号

BCW 65

V

CE0

V

CB0

V

EB0

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

合计

T

j

T

英镑

32

60

5

值

BCW 66

45

75

5

800

1

100

200

330

150

– 65 … + 150

单位

V

mA

A

mA

mW

C

K / W

1)

安装在环氧树脂PCB 40毫米套餐

×

40 mm

×

1.5毫米/ 6厘米

2

铜。

半导体集团

2

BCW 65

BCW 66

电气特性

at

T

A

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 10毫安

BCW 65

BCW 66

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 10

A

BCW 65

BCW 66

发射极 - 基极击穿电压，

I

E

= 10

A

收藏家Cuto FF电流

V

CB

= 32 V

V

CB

= 45 V

V

CB

= 32 V,

T

A

= 150 C

V

CB

= 45 V,

T

A

= 150 C

BCW 65

BCW 66

BCW 65

BCW 66

I

EB0

h

FE

35

50

80

75

110

180

100

160

250

35

60

100

–

160

250

350

–

250

400

630

–

V

(BR)CE0

32

45

V

(BR)CB0

60

75

V

(BR)EB0

I

CB0

–

20

nA

A

nA

–

5

–

V

值

典型值。

马克斯。

单位

发射极 - 基极截止电流，

V

EB

= 4 V

直流电流增益

1)

I

C

= 100

A,

V

CE

= 10 V

BCW 65 A， BCW 66架F

BCW 65 B， BCW 66克

BCW 65℃ ， BCW 66小时

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 1 V

BCW 65 A， BCW 66架F

BCW 65 B， BCW 66克

BCW 65℃ ， BCW 66小时

I

C

= 100毫安，

V

CE

= 1 V

BCW 65 A， BCW 66架F

BCW 65 B， BCW 66克

BCW 65℃ ， BCW 66小时

I

C

= 500毫安，

V

CE

= 2 V

BCW 65 A， BCW 66架F

BCW 65 B， BCW 66克

BCW 65℃ ， BCW 66小时

1)

脉冲测试：

t

≤

300

s,

D

= 2 %.

半导体集团

3

BCW 65

BCW 66

电气特性

at

T

A

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极饱和电压

1)

I

C

= 100毫安，

I

B

= 10毫安

I

C

= 500毫安，

I

B

= 50毫安

基射极饱和电压

1)

I

C

= 100毫安，

I

B

= 10毫安

I

C

= 500毫安，

I

B

= 50毫安

AC特性

跃迁频率

I

C

= 50毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 20 MHz的

输出电容

V

CB

= 10 V,

f

= 1兆赫

输入电容

V

EB

= 0.5 V,

f

= 1兆赫

f

T

C

敖包

C

IBO

–

170

6

60

–

兆赫

pF

V

CESAT

–

V

BESAT

–

1.25

2

–

0.3

0.7

V

值

典型值。

马克斯。

单位

1)

脉冲测试：

t

≤

300

s,

D

= 2 %.

半导体集团

4

BCW 65

BCW 66

总功耗

P

合计

=

f

(T

A

*;

T

S

)

*包装安装在环氧

跃迁频率

f

T

=

f

(I

C

)

V

CE

= 5 V

允许的脉冲负载

P

TOT最大

/P

TOT DC

=

f

(t

p

)

收藏家Cuto FF电流

I

CB0

=

f

(T

A

)

V

CB

=

V

CEmax

半导体集团

5

SMD型

NPN通用晶体管

BCW65,BCW66

SOT-23

晶体管

IC

单位：mm

特点

对于一般自动对焦的应用。

+0.1

2.4

-0.1

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

1

+0.1

0.95

-0.1

+0.1

1.9

-0.1

2

0.55

低集电极 - 发射极饱和电压。

+0.1

1.3

-0.1

高电流增益。

0.4

3

+0.05

0.1

-0.01

0.97

+0.1

0.38

-0.1

+0.1

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

峰值集电极电流

基极电流

峰值电流基地

总功耗，T

S

= 79

结温

储存温度

结 - 焊接点

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

合计

T

j

T

英镑

R

thjs

BCW65

60

32

5

800

1

100

200

330

150

-65到+150

215

K / W

BCW66

75

45

5

单位

V

mA

A

mA

mW

0-0.1

www.kexin.com.cn

1

SMD型

BCW65,BCW66

电气特性TA = 25

参数

集电极 - 发射极击穿电压

BCW65

BCW66

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

BCW65

收藏家Cuto FF电流

BCW66

BCW65

BCW66

发射Cuto FF电流

A / F

直流电流增益*

HFE- GRP 。 B / G

C / H

A / F

直流电流增益*

HFE- GRP 。 B / G

C / H

A / F

直流电流增益*

HFE- GRP 。

B / G

C / H

集电极 - 发射极饱和电压*

V

CE （ SAT ）

I

C

= 100毫安，我

B

= 10毫安

I

C

= 500毫安，我

B

= 50毫安

基射极饱和电压

跃迁频率

集电极 - 基极电容

发射极 - 基极电容

*脉冲测试：吨

300ìs ，D = 2％。

*

V

BE （ SAT ）

f

T

建行

CEB

I

C

= 100毫安，我

B

= 10毫安

I

C

= 500毫安，我

B

= 50毫安

I

C

= 50 mA时， V

CE

= 5 V ， F = 100 MHz的

V

CB

= 10 V ， F = 1兆赫

V

EB

= 0.5 V ， F = 1兆赫

h

FE

I

C

= 100毫安， V

CE

= 1 V

h

FE

I

C

= 10 mA时， V

CE

= 1 V

h

FE

I

C

= 100 μA ，V

CE

= 10 V

I

EBO

I

CBO

BCW65

BCW66

V

（ BR ） EBO

I

E

= 10 μA ，我

C

= 0

I

CBO

V

CB

= 32 V，I

E

= 0

V

CB

= 45 V，I

E

= 0

V

CB

= 32 V，I

E

= 0 , T

A

= 150

V

CB

= 45 V，I

E

= 0 , T

A

= 150

V

EB

= 4 V，I

C

= 0

35

50

80

75

110

180

100

160

250

V

（ BR ） CBO

I

C

= 10 μA ，我

E

= 0

符号

Testconditons

民

32

45

60

75

5

晶体管

IC

典型值

最大

单位

V

（ BR ） CEO

I

C

= 10 mA时，我

B

= 0

V

20

nA

ìA

nA

160

250

350

250

400

630

0.3

0.7

1.25

2

V

170

6

60

兆赫

pF

h

FE

分类

TYPE

秩

记号

A

EAS

BCW65

B

EBS

C

ECS

TYPE

秩

记号

F

EFS

BCW66

G

EGS

H

EHS

2

www.kexin.com.cn

BCW65系列

BCW66系列

表面贴装

NPN硅晶体管

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

描述：

中央半导体BCW65和

BCW66系列类型NPN硅晶体管

通过外延平面工艺，环氧树脂制

在一个表面贴装模压封装，专为

通用开关和放大器应用。

标记验证码：看标识代码表

下页

SOT- 23 CASE

最大额定值：

(TA=25°C)

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流

峰值集电极电流

连续基极电流

峰值电流基地

功耗

工作和存储结温

热阻

符号

VCBO

VCEO

VEBO

IC

ICM

IB

IBM

PD

TJ ， TSTG

Θ

JA

BCW65

60

32

5.0

800

1.0

100

200

350

-65到+150

357

最大

20

BCW66

75

45

单位

V

mA

A

mA

mW

°C

° C / W

单位

nA

A

nA

V

兆赫

pF

BCW65C

BCW66H

最小最大

80

180

250

630

100

电气特性：

（ TA = 25℃ ，除非

符号

测试条件

ICBO

VCB =额定VCEO

ICBO

VCB =额定VCEO ， TA = 150℃

IEBO

VEB=4.0V

BVCBO

IC = 10μA （ BCW65 ）

BVCBO

IC = 10μA （ BCW66 ）

BVCEO

IC = 10毫安（ BCW65 ）

BVCEO

IC = 10毫安（ BCW66 ）

BVEBO

IE=10A

VCE （ SAT ）

IC = 100mA时IB = 10毫安

VCE （ SAT ）

IC = 500毫安， IB = 50毫安

VBE （ SAT ）

IC = 100mA时IB = 10毫安

VBE （ SAT ）

IC = 500毫安， IB = 50毫安

fT

VCE = 5.0V ， IC = 50mA时F = 20MHz的

Cc

VCB = 10V ， IE = 0 ， F = 1.0MHz的

Ce

VEB = 0.5V ， IC = 0 ， F = 1.0MHz的

另有说明）

民

典型值

60

75

32

45

5.0

0.3

0.7

1.25

2.0

170

6.0

60

BCW65B

BCW66G

民

最大

50

110

160

400

60

的hFE

VCE = 10V ， IC = 100μA

VCE = 1.0V ， IC = 10毫安

VCE = 1.0V ， IC =百毫安

VCE = 2.0V ， IC = 500毫安

BCW65A

BCW66F

民

最大

35

75

100

250

35

R2 （ 2009年20月）

BCW65系列

BCW66系列

表面贴装

NPN硅晶体管

SOT- 23案例 - 机械外形

前导码：

1）基础

2 ）辐射源

3 ）集电极

设备

BCW65A

BCW65B

BCW65C

BCW66F

BCW66G

BCW66H

标识代码

EA

EB

EC

EF

EG

EH

R2 （ 2009年20月）

W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米

SMD型

晶体管

IC

产品speci fi cation

BCW65,BCW66

SOT-23

单位：mm

特点

对于一般自动对焦的应用。

+0.1

2.4

-0.1

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

0.4

-0.1

1

+0.1

0.95

-0.1

+0.1

1.9

-0.1

2

0.55

低集电极 - 发射极饱和电压。

+0.1

1.3

-0.1

高电流增益。

0.4

3

+0.05

0.1

-0.01

0.97

+0.1

0.38

-0.1

+0.1

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

绝对最大额定值大= 25

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

峰值集电极电流

基极电流

峰值电流基地

总功耗，T

S

= 79

结温

储存温度

结 - 焊接点

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

合计

T

j

T

英镑

R

thjs

BCW65

60

32

5

800

1

100

200

330

150

-65到+150

215

K / W

BCW66

75

45

5

单位

V

mA

A

mA

mW

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

0-0.1

1 2

SMD型

晶体管

IC

产品speci fi cation

BCW65,BCW66

电气特性TA = 25

参数

集电极 - 发射极击穿电压

BCW65

BCW66

集电极 - 基极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

BCW65

收藏家Cuto FF电流

BCW66

BCW65

BCW66

发射Cuto FF电流

A / F

直流电流增益*

HFE- GRP 。 B / G

C / H

A / F

直流电流增益*

HFE- GRP 。 B / G

C / H

A / F

直流电流增益*

HFE- GRP 。

B / G

C / H

集电极 - 发射极饱和电压*

V

CE （ SAT ）

I

C

= 100毫安，我

B

= 10毫安

I

C

= 500毫安，我

B

= 50毫安

基射极饱和电压

跃迁频率

集电极 - 基极电容

发射极 - 基极电容

*脉冲测试：吨

300ìs ，D = 2％。

*

V

BE （ SAT ）

f

T

建行

CEB

I

C

= 100毫安，我

B

= 10毫安

I

C

= 500毫安，我

B

= 50毫安

I

C

= 50 mA时， V

CE

= 5 V ， F = 100 MHz的

V

CB

= 10 V ， F = 1兆赫

V

EB

= 0.5 V ， F = 1兆赫

170

6

60

h

FE

I

C

= 100毫安， V

CE

= 1 V

h

FE

I

C

= 10 mA时， V

CE

= 1 V

h

FE

I

C

= 100 μA ，V

CE

= 10 V

I

EBO

I

CBO

BCW65

BCW66

V

（ BR ） EBO

I

E

= 10 μA ，我

C

= 0

I

CBO

V

CB

= 32 V，I

E

= 0

V

CB

= 45 V，I

E

= 0

V

CB

= 32 V，I

E

= 0 , T

A

= 150

V

CB

= 45 V，I

E

= 0 , T

A

= 150

V

EB

= 4 V，I

C

= 0

35

50

80

75

110

180

100

160

250

160

250

350

250

400

630

0.3

0.7

1.25

2

兆赫

pF

V

（ BR ） CBO

I

C

= 10 μA ，我

E

= 0

符号

Testconditons

民

32

45

60

75

5

20

nA

ìA

V

nA

V

典型值

最大

单位

V

（ BR ） CEO

I

C

= 10 mA时，我

B

= 0

h

FE

分类

TYPE

秩

记号

A

EAS

BCW65

B

EBS

C

ECS

TYPE

秩

记号

F

EFS

BCW66

G

EGS

H

EHS

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

4008-318-123

2 2

SOT23 NPN硅平面

中功率晶体管

第3期 - 1995年8月

PARTMARKING细节？

BCW65A ？ EA

BCW65B ？ EB

BCW65C ？ EC

BCW66F ？ EF

BCW66G ？ EG

BCW66H ？ EH

互补类型？

BCW65 ？ BCW67

BCW66 ？ BCW68

BCW65AR ？

BCW65BR ？

BCW65CR ？

BCW66FR ？

BCW66GR ？

BCW66HR ？

4V

5V

6V

7P

5T

7M

BCW65

BCW66

C

B

E

SOT23

绝对最大额定值。

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

连续集电极电流

集电极电流峰值（ 10毫秒）

基极电流

在T功耗

AMB

=25°C

工作和存储温度范围

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

合计

T

j

:T

英镑

BCW65

60

32

5

800

1000

100

330

-55到+150

BCW66

75

45

单位

V

mA

mW

°C

3 - 27

BCW65

BCW66

电气特性（在T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）。

参数

集电极 - 发射极

击穿电压

BCW65

BCW66

BCW65

BCW66

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极

截止电流

BCW65

BCW66

发射极 - 基极截止电流

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

STATIC

前锋

当前

转让

I

EBO

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

35

75

100

35

50

110

160

60

80

180

250

100

8

12

80

2

10

符号最小值。

V

（ BR ） CEO

32

45

V

（ BR ） CES

60

75

V

（ BR ） EBO

I

CES

5

20

典型值。

马克斯。

单位

条件。

V

A

I

首席执行官

=10mA

I

首席执行官

=10mA

I

C

=10

A

I

C

=10

A

I

EBO

=10

A

V

CES

= 32V

V

CES

= 32V ，T

AMB

=150

o

C

V

CES

= 45V

V

CES

= 45V ，T

AMB

=150

o

C

V

EBO

=4V

I

C

= 100mA时我

B

=10mA

I

C

= 500毫安，我

B

=50mA*

I

C

= 500毫安，我

B

=50mA*

I

C

=100

A,

I

C

= 10毫安，

I

C

=100mA,

I

C

=500mA,

I

C

=100

A,

I

C

= 10毫安，

I

C

=100mA,

I

C

=500mA,

I

C

=100

A,

I

C

= 10毫安，

I

C

=100mA,

I

C

=500mA,

V

CE

=10V

V

CE

= 1V

V

CE

= 1V*

V

CE

= 2V*

V

CE

=10V

V

CE

= 1V

V

CE

= 1V*

V

CE

= 2V*

V

CE

=10V

V

CE

= 1V

V

CE

= 1V*

V

CE

= 2V*

nA

0.3 V

0.7 V

2

V

BCW65A

FE

BCW66F

160

250

BCW65B

FE

BCW66G

250

400

BCW65C

FE

BCW66H

350

630

跃迁频率

集电极 - 基极电容

发射极 - 基极电容

噪声系数

开关时间：

开启时间

打开-O FF时间

f

T

C

CBO

C

EBO

N

兆赫我

C

= 20mA时， V

CE

=10V

F = 100MHz的

pF

dB

V

CBO

= 10V ， F = 1MHz的

V

EBO

= 0.5V ， F = 1MHz的

I

C

= 0.2毫安，V

CE

= 5V

R

G

=1k

I

C

=150mA

I

B1

=- I

B2

=15mA

R

L

=150

t

on

t

关闭

100

400

ns

辣妹参数数据可应要求提供此设备

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300

秒。占空比

≤

2%

3 - 28