【BCW61系列新产品威世半导体原通用半导体小信号晶体管（ PNP ）TO- 236AB （ SOT 】,IC型号BCW61D/E9,BCW61D/E9 PDF资料,BCW61D/E9经销商,ic,电子元器件-51电子网

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BCW61系列

新产品

威世半导体

原通用半导体

小信号晶体管（ PNP ）

TO- 236AB （ SOT -23 ）

.122 (3.1)

.110 (2.8)

.016 (0.4)

3

顶视图

贴装焊盘布局

.056 (1.43

)

.052 (1.33

)

引脚配置

1.

BASE

2.

辐射源

3.

集热器

0.031 (0.8)

1

2

0.035 (0.9)

0.079 (2.0)

.007 (0.175)

.005 (0.125)

.037(0.95) .037(0.95)

最大。 0.004 （0.1）

.045 (1.15)

.037 (0.95)

0.037 (0.95)

0.037 (0.95)

.016 (0.4)

.016 (0.4)

.102 (2.6)

.094 (2.4)

尺寸以英寸（毫米）

机械数据

案例：

SOT- 23塑料包装

重量：

约。 0.008克

记号

BCW61A = BA

代码：

BCW61B = BB

BCW61C = BC

BCW61D = BD

包装代码/选项：

13元“卷（ 8mm带）， 30K /盒E8 / 10K

每7 “卷轴（8毫米磁带）， 30K /盒E9 / 3K

在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。

特点

PNP硅外延平面晶体管

适用于低水平，低噪音，低

高频应用在混合动力cicuits 。

低电流，低电压。

互补类型， BCW60系列NPN

晶体管建议。

最大额定值&热特性

参数

集电极 - 发射极电压（V

BE

= 0)

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

峰值集电极电流

基极电流（DC）的

功耗

最高结温

存储温度范围

热阻，结到环境空气

注意：

（ 1 ）安装在FR- 4印刷电路板ciruit 。

符号

–V

CES

–V

首席执行官

–V

EBO

–I

C

–I

CM

–I

B

P

合计

T

j

T

英镑

R

θJA

价值

32

32

5.0

100

200

50

250

150

-65到+150

500

(1)

单位

V

V

V

mA

mA

mA

mW

°C

°C

° C / W

文档编号88171

09-May-02

www.vishay.com

1

BCW61系列

威世半导体

原通用半导体

电气特性

直流电流增益

在-V

CE

= 5 V ， -I

C

=

在-V

CE

= 5 V ， -I

C

=

在-V

CE

= 5 V ， -I

C

=

在-V

CE

= 5 V ， -I

C

=

at

at

at

at

at

at

at

at

–V

CE

=

–V

CE

=

–V

CE

=

–V

CE

=

–V

CE

=

–V

CE

=

–V

CE

=

–V

CE

=

5 V,

5 V,

5 V,

5 V,

1 V,

1 V,

1 V,

1 V,

–I

C

=

–I

C

=

–I

C

=

–I

C

=

–I

C

=

–I

C

=

–I

C

=

–I

C

=

10

10

10

10

2

2

2

2

A

A

A

A

在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。

符号

BCW61A

BCW61B

BCW61C

BCW61D

BCW61A

BCW61B

BCW61C

BCW61D

BCW61A

BCW61B

BCW61C

BCW61D

h

FE

h

FE

h

FE

h

FE

h

FE

h

FE

h

FE

h

FE

h

FE

h

FE

h

FE

h

FE

–V

CESAT

–V

CESAT

–V

BESAT

–V

BESAT

–V

BE

–V

BE

–V

BE

–I

CES

分钟。

–

30

40

100

120

180

250

380

60

80

100

110

60

120

600

680

600

–

–

–

–

–

100

–

–

–

–

–

–

–

–

–

典型值。

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

650

550

720

–

–

–

–

4.5

11

2

200

260

330

520

85

480

马克斯。

–

–

–

–

220

310

460

630

–

–

–

–

250

550

850

1050

750

–

–

20

20

20

–

–

–

6

单位

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

mV

mV

mV

mV

mV

mV

mV

nA

A

nA

兆赫

pF

pF

dB

mA

mA

mA

mA

mA

mA

mA

mA

50

50

50

50

集电极 - 发射极饱和电压

在-I

C

= 10毫安， -I

B

= 0.25毫安

在-I

C

= 50毫安， -I

B

= 1.25毫安

基射极饱和电压

在-I

C

= 10毫安， -I

B

= 0.25毫安

在-I

C

= 50毫安， -I

B

= 1.25毫安

基射极电压

在-V

CE

= 5 V ， -I

C

= 2毫安

在-V

CE

= 5 V ， -I

C

= 10

A

在-V

CE

= 1 V ， -I

C

= 50毫安

集电极Emiter截止电流

在-V

CE

= 32 V, V

EB

=0

在-V

CE

= 32 V, V

EB

=0, T

A

= 150°C

发射极 - 基极截止电流

在-V

EB

= 4 V，I

C

=0

增益带宽积

在-V

CE

= 5 V ， -I

C

= 10 mA时， F = 100 MHz的

集电极 - 基极电容

在-V

CB

= 10 V ， F = 1 MH

Z,

I

E

=0

发射极 - 基极电容

在-V

EB

= 0.5 V ， F = 1 MH

Z,

I

C

=0

噪声系数

在-V

CE

= 5 V ， -I

C

= 200

A,

R

S

= 2 kΩ的， F = 100的kH

Z

， B = 200Hz的

小信号电流增益

在-V

CE

= 5V ， -I

C

= 2毫安， F = 1.0的kH

Z

BCW60A

BCW60B

BCW60C

BCW60D

–I

EBO

f

T

C

CBO

C

EBO

F

h

fe

开启时间为R

L

= 990Ω （参见图1）

– V

CC

= 10V ， -Ic = 10毫安， -I

B（上）

= I

B（关闭）

= 1毫安

关断时间为R

L

= 990Ω （参见图1）

– V

CC

= 10V ， -Ic = 10毫安， -I

B（上）

= I

B（关闭）

= 1毫安

t

on

t

关闭

150

800

ns

ns

www.vishay.com

2

文档编号88171

09-May-02

BCW61系列

威世半导体

原通用半导体

图。 1 - 开关波形

10%

输入

90%

t

on

t

关闭

10%

产量

90%

10%

t

d

t

r

t

s

t

f

90%

文档编号88171

09-May-02

www.vishay.com

3

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BCW61D/E9

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电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

BCW61D/E9

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电话：13910052844（微信同步）

联系人：刘先生

地址：海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室

BCW61D/E9

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