BCW61C
公司Bauelemente
-0.1A ， -32V
PNP塑料封装晶体管
符合RoHS产品
的“-C”后缀指定卤素&无铅
特点
低电流
低电压
A
L
3
SOT-23
3
标记：
BC
包装信息
包
SOT-23
MPQ
3K
负责人尺寸
7寸
1
BASE
1
顶视图
2
C B
1
2
K
E
D
集热器
3
F
REF 。
A
B
C
D
E
F
G
毫米
分钟。
马克斯。
2.80
3.04
2.10
2.55
1.20
1.40
0.89
1.15
1.78
2.04
0.30
0.50
H
REF 。
G
H
J
K
L
J
毫米
分钟。
马克斯。
0.09
0.18
0.45
0.60
0.08
0.177
0.6 REF 。
0.89
1.02
2
辐射源
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
连续集电极电流 -
集电极耗散功率
交界处，贮存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
, T
英镑
评级
-32
-32
-5
-100
0.25
150, -55~150
单位
V
V
V
mA
W
°
C
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
集电极基极击穿电压
集电极到发射极击穿电压
发射极基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE （1）
h
FE （2）
h
FE （3）
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
分钟。
-32
-32
-5
-
-
40
250
100
-0.06
-0.12
-0.6
-0.68
-
-0.6
-
100
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-0.55
-
-0.72
-
4.5
11
马克斯。
-
-
-
-0.02
-0.02
-
460
-
-0.25
-0.55
-0.85
-1.05
-
-0.75
-
-
-
-
单位
V
V
V
A
A
测试条件
I
C
= -10μA ，我
E
=0
I
C
= -1mA ，我
B
=0
I
E
= -10μA ，我
C
=0
V
CB
= -32V ，我
E
=0
V
EB
= -4V ，我
C
=0
V
CE
= -5V ，我
C
= -10A
V
CE
= -5V ，我
C
= -2mA
V
CE
= -1V ，我
C
= -50mA
I
C
= -10mA ，我
B
= -0.25mA
I
C
= -50mA ，我
B
= -1.25mA
I
C
= -10mA ，我
B
= -0.25mA
I
C
= -50mA ，我
B
= -1.25mA
V
CE
= -5V ，我
C
= -10
A
V
CE
= -5V ，我
C
= -2mA
V
CE
= -1V ，我
C
= -50mA
V
CE
= -5V ，我
C
= -10mA ， F = 100MH
Z
V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MH
Z
V
EB
= -0.5V ，我
c
= 0中，f = 1MH
Z
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
基地发射极电压
跃迁频率
集电极电容
发射极电容
http://www.SeCoSGmbH.com/
V
BE
f
T
C
c
C
e
V
V
V
V
V
V
V
兆赫
pF
pF
规范的任何更改将不个别通知。
15月- 2011版本A
第1页2
BCW61C
公司Bauelemente
-0.1A ， -32V
PNP塑料封装晶体管
特性曲线
http://www.SeCoSGmbH.com/
规范的任何更改将不个别通知。
15月- 2011版本A
第2页2
BCW61 ... ， BCX71 ...
PNP硅晶体管自动对焦
对于AF输入级和驱动器应用
高电流增益
低集电极 - 发射极饱和电压
30 Hz至15 kHz的低噪音
互补类型： BCW60 ， BCX70 （NPN）
无铅（符合RoHS标准）封装
1)
合格的依据AEC Q101
3
1
2
TYPE
BCW61A
BCW61B
BCW61C
BCW61D
BCX71G
BCX71H
BCX71J
BCX71K
1
含有铅，
记号
BAS
BBS
BCS
BDS
BGS
BHS
BJS
BKS
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
引脚配置
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
包
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
包可能是可根据特殊要求
1
2007-10-18
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用的是
并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
CoolFET
CROSSVOLT
E
2
CMOS
TM
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
GTO
HiSeC
放弃
等平面
MICROWIRE
POP
的PowerTrench
QS
静音系列
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
TinyLogic
飞兆半导体公司保留随时修改而不进一步RIGHT
注意以下所有产品在提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD
不承担任何产品的应用或使用承担任何责任所产生的
或者电路本文描述;它也没有传达任何许可在其专利
权利，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或
2.关键部件是在生命的任何组件
支持设备或系统，其故障执行能
其中， （ a）打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体，或（b ）支持或维持生命，或（c ），其
支持设备或系统，或影响其安全性或
不履行时，按照正确使用
与标示中的使用说明，可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP通用晶体管
热特性
符号
R
日J-一
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
BCW61B
BCW61C
BCW61D
直流电流增益
BCW61B
BCW61C
BCW61D
直流电流增益
BCW61B
BCW61C
BCW61D
V
CESAT
V
BESAT
V
BE
集电极 - 发射极饱和电压I
C
=
10
毫安;我
B
=
0.25
mA
I
C
=
50
毫安;我
B
=
1.25
mA
基射极饱和电压
基射极电压
I
C
=
10
毫安;我
B
=
0.25
mA
I
C
=
50
毫安;我
B
=
1.25
mA
I
C
=
2
毫安; V
CE
=
5
V
I
C
=
10 A;
V
CE
=
5
V
I
C
=
50
毫安; V
CE
=
1
V
C
c
C
e
f
T
F
记
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
集电极电容
发射极电容
跃迁频率
噪音科幻gure
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10
V ; F = 1 MHz的
I
C
= i
c
= 0; V
EB
=
0.5
V ; F = 1 MHz的
I
C
=
10
毫安; V
CE
=
5
V;
F = 100 MHz的;注1
I
C
=
200 A;
V
CE
=
5
V;
R
S
= 2 kΩ的; F = 1千赫B = 200赫兹
I
C
=
50
毫安; V
CE
=
1
V
80
100
110
60
120
600
0.68
600
100
I
C
=
2
毫安; V
CE
=
5
V
180
250
380
条件
I
E
= 0; V
CB
=
32
V
I
E
= 0; V
CB
=
32
V ;牛逼
AMB
= 150
°C
I
C
= 0; V
EB
=
4
V
I
C
=
10 A;
V
CE
=
5
V
30
40
100
分钟。
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
BCW61系列
价值
500
单位
K / W
典型值。
650
550
720
4.5
11
2
马克斯。
20
20
20
310
460
630
250
550
850
1.05
750
6
单位
nA
A
nA
mV
mV
mV
V
mV
mV
mV
pF
pF
兆赫
dB
1999年04月12
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP通用晶体管
释义
数据表状态
客观的特定网络阳离子
初步speci fi cation
产品speci fi cation
极限值
BCW61系列
此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。
此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。
此数据表包含网络最终产品规范阳离子。
给定的限值按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。强调以上一个或
更多的限制，可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只有经营
该设备在这些或高于任何其他条件的特定网络阳离子的特性部分给出的
是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。
应用信息
其中应用信息被给出，它是咨询，并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。
生命支持应用
这些产品并非设计用于生命支持设备，设备或系统中使用，其中这些故障
产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户
在这类应用中使用这样做在自己的风险，并同意完全赔偿飞利浦对此类造成的任何损坏
不当使用或销售。
1999年04月12
5
技术规格
半导体
SOT- 23双极晶体管
晶体管（ PNP ）
RECTRON
BCW61C
特点
*功耗
P
CM
:
0.25
W（环境温度Tamb = 25
O
C)
SOT-23
机械数据
*
*
*
*
*
集热器
3
案例：模压塑料
环氧树脂： UL94V-O率阻燃
导语： MIL -STD- 202E方法208C保证
安装位置：任意
重量： 0.008克
BASE
1
辐射源
2
0.055(1.40)
0.047(1.20)
0.006(0.15)
0.003(0.08)
0.020(0.50)
0.012(0.30)
0.043(1.10)
0.035(0.90)
0.004(0.10)
0.000(0.00)
0.020(0.50)
0.012(0.30)
0.100(2.55)
0.089(2.25)
最大额定值和电气特性
在25℃的环境温度额定值除非另有规定。
单相半波， 60H
Z
，电阻或电感性负载。
对于容性负载，减免电流20 ％ 。
O
0.019(2.00)
0.071(1.80)
1
3
2
0.118(3.00)
0.110(2.80)
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值
（ @ TA = 25
o
C除非另有说明）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
器件总功耗
结温和存储温度
特征
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= -10mA ，我
E
=0)
集电极 - 发射极击穿电压（I
C
= -1mA ，我
B
=0)
发射极 - 基极击穿电压（I
E
= -10mA ，我
C
=0)
集电极截止电流（V
CB
= -32V ，我
E
=0)
集电极截止电流（V
EB
= -4V ，我
E
=0)
直流电流增益（V
CE
= -5V ，我
C
= -10mA ）
直流电流增益（V
CE
= -5V ，我
C
= -2mA ）
直流电流增益（V
CE
= -1V ，我
C
= -50mA ）
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= -10mA ，我
B
= -0.25mA ）
集电极 - 发射极饱和电压（I
C
= -50mA ，我
B
= -1.25mA ）
基射极饱和电压（I
C
= -10mA ，我
B
= -0.25mA ）
基射极饱和电压（I
C
= -50mA ，我
B
= -1.25mA ）
基射极电压（V
CE
= -5V ，我
C
= -10mA ）
基射极电压（V
CE
= -5V ，我
C
= -2mA ）
基射极电压（V
CE
= -1V ，我
C
= -50mA ）
过渡频率（V
CE
= -5V ，我
C
= -10mA ， F = 100MH
Z
)
集电极电容（V
CB
= -10V ，我
E
= 0中，f = 1MH
Z
)
发射极电容（V
EB
= -0.5V ，我
C
= 0中，f = 1MH
Z
)
记号
注1 ： "Fully ROHS compliant" ， "100 ％锡电镀（无铅） " 。
f
T
Cc
Ce
V
BE（上）
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
,T
英镑
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
民
-32
-32
-5
-
-
40
250
100
-0.06
-0.12
-0.6
-0.68
-
-0.6
-
100
-
-
BC
2006-3
价值
-32
-32
-5
-0.1
0.25
-55 - 150
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-0.55
-
-0.72
-
4.5
11
最大
-
-
-
-0.02
-0.02
-
460
-
-0.25
-0.55
-0.85
-1.05
-
-0.75
-
-
-
-
单位
V
V
V
A
W
oC
单位
V
V
V
mA
mA
-
-
-
V
V
V
V
V
V
V
MH
Z
pF
pF
电气特性
（ @ TA = 25
o
C除非另有说明）
免责声明
RECTRON公司保留随时更改，恕不另行通知任何产品的权利
此规范，责令改正，修改，增强或其他
变化。 RECTRON公司或任何代其不承担任何责任或liabi-
lity的任何错误或不准确之处。数据表规格及其信息
包含的意在仅提供一个产品的描述。 "Typical" paramet-
这可能包括在RECTRON数据表和/或规格ERS钙
n和做不同的应用和实际性能可能会随TI-
我。 RECTRON公司不承担因应用程序的任何责任或
使用任何产品或电路。
RECTRON产品不是设计，意或授权使用的医疗，
救命的植入物或用于生命维持或其他厘清的其他应用程序
泰德应用组件或电路的故障或失灵可能迪
rectly或间接导致伤害或威胁生命没有明确的书面appr-
对使用或销售RECTRON组件在使用RECTRON公司客户椭圆形
这样的应用程序这样做在自己的风险，并应同意完全赔偿Rect-
罗恩公司及其子公司的所有索赔，损失和expendit-无害
URES 。
RECTRON
恩智浦半导体
产品数据表
PNP通用晶体管
数据表状态
文件
状态
(1)
目标数据表
初步数据表
产品数据表
笔记
1.启动或完成设计之前，请咨询最新发布的文档。
产品
状态
(2)
发展
QUALI科幻阳离子
生产
德网络nition
BCW61系列
本文件包含的数据从客观规范的产品
发展。
本文件包含的初步规格数据。
本文件包含的产品规格。
2.本文档中描述的设备（S ）的产品的状态可能已经改变，因为这个文件发布
和可能不同的情况下，多个器件。最新产品状态信息可在互联网上
网址http://www.nxp.com 。
免责声明
一般
本文件中的信息被认为是
准确和可靠。然而，恩智浦半导体
不提供任何陈述或保证，
明示或暗示的内容的准确性或完整性
这样的信息，并有权对任何法律责任
使用这些信息的后果。
有权进行修改
恩智浦半导体
保留随时更改信息的权利
文件中公布的，包括但不限于
规格和产品说明，在任何时间，
恕不另行通知。本文件取代所有
之前，此次公布的信息。
适合使用
恩智浦半导体产品
没有设计，授权或担保适合
在医疗，军事，航空，航天和生活配套使用
设备，或者是在故障或失效
的恩智浦半导体的产品可以合理
预期会导致人身伤害，死亡或严重
属性或环境损害。恩智浦半导体
接受列入恩智浦和/或使用不承担任何责任
半导体产品在此类设备或
应用，因此这样的夹杂物和/或用途是在
客户自己的风险。
应用
在此描述为应用程序
任何这些产品仅用于说明性目的。
恩智浦半导体作任何陈述或
保修这样的应用将是适当的
没有进一步的测试或修改指定用途。
极限值
应力以上的一个或多个限制
值（如在绝对最大额定值定义
IEC 60134 ）的系统可能会造成永久性损坏
该设备。极限值值仅为
该器件在这些或任何其他条件操作
1999年04月12
5
超过上述的这种特性部分给出
文档是不是暗示。暴露限制值
长时间可能会影响器件的可靠性。
销售条款和条件
恩智浦半导体
产品的销售都遵循的一般条款和
商业销售截至公布的条件下，
http://www.nxp.com/profile/terms ，包括那些
关于保修，知识产权
侵权和赔偿责任限制，除非明确
恩智浦半导体另有书面同意。在
案件信息有任何不一致或冲突
本文与此类条款和条件，后者
将占上风。
没有任何要约出售或许可
本文档中的任何内容
也许能被解释为要约出售产品
这是开放的接受或批，运送或
任何许可下的任何版权，专利暗示或
其它工业或知识产权。
出口管制
本文档以及所述一条（或多条）
这里描述可能会受到出口管制
的规定。出口可能需要从一个事先授权
国家主管部门。
快速参考数据
快速参考的数据是
在限制值赋予了产品数据的提取物和
本文档的特征的部分，并且因此是
不完整的，详尽的或具有法律约束力。
BCW 61
PNP
通用晶体管
表面贴装硅外延PlanarTransistors
硅外延PlanarTransistoren献给死去Oberflchenmontage
功耗 - Verlustleistung
2.9
±0.1
1.1
PNP
250毫瓦
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
0.4
3
塑料外壳
Kunststoffgehuse
1.3
±0.1
TYPE
CODE
1
2
2.5
最大
重量约。 - Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装卷带封装
标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔
1.9
尺寸/集体单位为毫米
1=B
2=E
3=C
最大额定值（T
A
= 25
/
C)
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基电压
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom
峰值基极电流 - 基础 - Spitzenstrom
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
- V
CE0
- V
CB0
- V
EB0
P
合计
- I
C
- I
CM
- I
BM
T
j
T
S
Grenzwerte （T
A
= 25
/
C)
BCW 61
32 V
32 V
5V
250毫瓦
1
)
百毫安
200毫安
200毫安
150
/
C
- 65…+ 150
/
C
特性（T
j
= 25
/
C)
分钟。
集电极 - 基极截止电流 - Kollektorreststrom
I
E
= 0, - V
CB
= 32 V
I
E
= 0, - V
CB
= 32 V ，T
j
= 150
/
C
发射基截止电流 - Emitterreststrom
I
C
= 0, - V
EB
= 4 V
- I
C
= 10毫安， - 我
B
= 0.25毫安
- I
C
= 50毫安， - 我
B
= 1.25毫安
- I
EB0
- V
CESAT
- V
CESAT
–
60毫伏
120毫伏
- I
CB0
- I
CB0
–
–
Kennwerte （T
j
= 25
/
C)
典型值。
–
–
–
–
–
马克斯。
20 nA的
20
:
A
20 nA的
250毫伏
550毫伏
集电极饱和电压。 - Kollektor - Sttigungsspg 。
2
)
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
2
）测试与脉冲吨
p
= 300
:
S，占空比
#
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300
:
S， Schaltverhltnis
#
2%
01.11.2003
1
通用晶体管
特性（T
j
= 25
/
C)
分钟。
基本饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung
1
)
- I
C
= 10毫安， - 我
B
= 0.25毫安
- I
C
= 50毫安， - 我
B
= 1.25毫安
BCW 61B
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 10
:
A
BCW 61C
BCW 61D
BCW 61B
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 2毫安
BCW 61C
BCW 61D
BCW 61B
- V
CE
= 1 V ， - 我
C
= 50毫安
BCW 61C
BCW 61D
基射极电压 - 基射极Spannung
1
)
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 10
:
A
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 2毫安
- V
CE
= 1 V ， - 我
C
= 50毫安
增益带宽积 - Transitfrequenz
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 10 mA时， F = 100 MHz的
- V
CB
= 10 V，I
E
= i
e
= 0中，f = 1 MHz的
- V
EB
= 0.5 V，I
C
= i
c
= 0中，f = 1 MHz的
噪声系数 - Rauschzahl
- V
CE
= 5 V ， - 我
C
= 200
:
A，R
G
= 2 k
S
,
F = 1千赫
)
F = 200赫兹
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
推荐互补NPN晶体管
Empfohlene komplementre NPN - Transistoren
标记 - Stempelung
BCW 61B = BB
F
–
R
THA
2分贝
f
T
C
CB0
C
EB0
100兆赫
–
–
–
4.5 pF的
11 pF的
- V
BEON
- V
BEON
- V
BEON
–
600毫伏
–
550毫伏
650毫伏
720毫伏
- V
BESAT
- V
BESAT
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
600毫伏
700毫伏
30
40
100
180
250
380
80
90
100
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
BCW 61
Kennwerte （T
j
= 25
/
C)
典型值。
马克斯。
850毫伏
1050毫伏
–
–
–
310
460
630
–
–
–
–
750毫伏
–
–
–
–
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
3
)
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt
发射极 - 基极电容 - 发射极 - 基 - Kapazitt
6分贝
420 K / W
4
)
BCW 60系列
BCW 61C = BC
BCW 61D = BD
3
4
）测试与脉冲吨
p
= 300
:
S，占空比
#
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300
:
S， Schaltverhltnis
#
2%
）安装在交媾主板为3 mm
2
铜垫在每个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米
2
Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞
01.11.2003
BCW61 ， BCX71
PNP硅晶体管自动对焦
对于AF输入级和驱动器应用
高电流增益
低集电极 - 发射极饱和电压
30 Hz至15 kHz的低噪音
互补类型： BCW60 ， BCX70 （NPN）
3
2
1
VPS05161
TYPE
BCW 61A
BCW 61B
BCW 61C
BCW 61D
BCW 61FF
BCW 61FN
BCX 71G
BCX 71H
BCX 71J
BCX 71K
记号
BAS
BBS
BCS
BDS
BFS
BNS
BGS
BHS
BJS
BKS
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
引脚配置
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
包
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
SOT23
1
Jul-10-2001
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