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SOT23 NPN硅平面
小信号晶体管
第2期? 1995年8月
PARTMARKING详情
BCW60A = AA
BCW60B = AB
BCW60C = AC
BCW60D = AD
互补式
BCW61
BCW60AR ?
BCW60BR ?
BCW60CR ?
BCW60DR ?
CR
DR
AR
BR
BCW60
E
C
B
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
基极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
TJ : TSTG
价值
32
32
5
200
50
330
-55到+150
SOT23
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
四端网络数据(I
c
= 2毫安,V
CE
= 5V , F = 1kHz时)
h
FE
A组
分钟。
h
11e
h
12e
h
21e
h
22e
1.6
典型值。
2.7
1.5
200
18
30
马克斯。
4.5
h
FE
B组
分钟。
2.5
典型值。
3.6
2
260
24
50
马克斯。
6.0
h
FE
C组
分钟。
3.2
典型值。
4.5
2
330
30
60
马克斯。
8.5
h
FE
D组
分钟。
4.5
典型值。
7.5
3
520
50
100
S
马克斯。
12
k
10
-4
开关电路
-V
BB
V
CC
(+10V)
R
2
R
L
1
美国证券交易委员会
+10V
t
r
< 5nsec
马克/空间比例< 0.01
Z
s
=50
50
R
1
t
r
< 5nsec
Z
in
100k
示波器
PAGE NO
BCW60
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明) 。
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极
截止电流
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
基射
饱和电压
基地 - 发射极电压
符号
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CES
I
EBO
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
V
BE
0.60
0.70
0.55
0.12
0.20
0.70
0.83
0.52
0.65
0.78
78
170
145
250
220
350
300
500
250
8
4.5
2
6
分钟。
32
5
20
20
20
0.35
0.55
0.85
1.05
0.75
典型值。
马克斯。
单位
V
V
nA
nA
V
V
V
V
V
V
V
条件。
I
C
=2mA
I
EBO
=1
A
V
CES
=32V
V
CES
= 32V ,T
AMB
=150
o
C
V
EBO
=4V
I
C
= 10毫安,我
B
= 0.25毫安
I
C
= 50mA时我
B
=1.25mA
I
C
= 10毫安,我
B
=0.25mA
I
C
= 50mA时我
B
=1.25mA
I
C
=10
A,V
CE
=5V
I
C
= 2毫安,V
CE
=5V
I
C
= 50mA时V
CE
=1V
I
C
=10
A,V
CE
=5V
I
C
= 2毫安,V
CE
=5V
I
C
= 50mA时V
CE
=1V
I
C
=10
A,V
CE
=5V
I
C
= 2毫安,V
CE
=5V
I
C
= 50mA时V
CE
=1V
I
C
=10
A,V
CE
=5V
I
C
= 2毫安,V
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I
C
= 50mA时V
CE
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I
C
=10
A,V
CE
=5V
I
C
= 2毫安,V
CE
=5V
I
C
= 50mA时V
CE
=1V
兆赫
pF
pF
dB
I
C
= 10毫安,V
CE
=5V
F = 100MHz的
V
EBO
= 0.5V , F = 1MHz的
V
CBO
= 10V , F = 1MHz的
I
C
= 0.2毫安,V
CE
= 5V
R
G
=2K
,
f=1KH
f=200Hz
A
静态BCW60A
前锋
当前
转让BCW60B
BCW60C
BCW60D
h
FE
120
50
20
180
70
40
250
90
100
380
100
220
310
460
630
跃迁频率
发射极 - 基极电容
集电极 - 基极电容
噪声系数
f
T
C
EBO
C
CBO
N
125
开关时间:
延迟时间
上升时间
开启时间
贮存时间
下降时间
打开-O FF时间
t
d
t
r
t
on
t
s
t
f
t
关闭
35
50
85
400
80
480
150
800
ns
ns
ns
ns
ns
ns
I
C
:I
B1
:- I
B2
= 10 :1: 1毫安
R
1
=5K
,
R
2
=5K
V
BB
= 3.6V ,R
L
=990
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
辣妹参数数据可应要求提供此设备
SOT23 NPN硅平面
小信号晶体管
第2期? 1995年8月
PARTMARKING详情
BCW60A = AA
BCW60B = AB
BCW60C = AC
BCW60D = AD
互补式
BCW61
BCW60AR ?
BCW60BR ?
BCW60CR ?
BCW60DR ?
CR
DR
AR
BR
BCW60
E
C
B
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
基极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
TJ : TSTG
价值
32
32
5
200
50
330
-55到+150
SOT23
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
四端网络数据(I
c
= 2毫安,V
CE
= 5V , F = 1kHz时)
h
FE
A组
分钟。
h
11e
h
12e
h
21e
h
22e
1.6
典型值。
2.7
1.5
200
18
30
马克斯。
4.5
h
FE
B组
分钟。
2.5
典型值。
3.6
2
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24
50
马克斯。
6.0
h
FE
C组
分钟。
3.2
典型值。
4.5
2
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30
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马克斯。
8.5
h
FE
D组
分钟。
4.5
典型值。
7.5
3
520
50
100
S
马克斯。
12
k
10
-4
开关电路
-V
BB
V
CC
(+10V)
R
2
R
L
1
美国证券交易委员会
+10V
t
r
< 5nsec
马克/空间比例< 0.01
Z
s
=50
50
R
1
t
r
< 5nsec
Z
in
100k
示波器
PAGE NO
BCW60
电气特性(在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明) 。
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基极击穿
电压
集电极 - 发射极
截止电流
发射极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极饱和
电压
基射
饱和电压
基地 - 发射极电压
符号
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CES
I
EBO
V
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V
BE ( SAT )
V
BE
0.60
0.70
0.55
0.12
0.20
0.70
0.83
0.52
0.65
0.78
78
170
145
250
220
350
300
500
250
8
4.5
2
6
分钟。
32
5
20
20
20
0.35
0.55
0.85
1.05
0.75
典型值。
马克斯。
单位
V
V
nA
nA
V
V
V
V
V
V
V
条件。
I
C
=2mA
I
EBO
=1
A
V
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=32V
V
CES
= 32V ,T
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=150
o
C
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=4V
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C
= 10毫安,我
B
= 0.25毫安
I
C
= 50mA时我
B
=1.25mA
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C
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C
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B
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C
=10
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CE
=5V
I
C
= 2毫安,V
CE
=5V
I
C
= 50mA时V
CE
=1V
I
C
=10
A,V
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=5V
I
C
= 2毫安,V
CE
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C
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C
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CE
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I
C
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A,V
CE
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I
C
= 2毫安,V
CE
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I
C
= 50mA时V
CE
=1V
兆赫
pF
pF
dB
I
C
= 10毫安,V
CE
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F = 100MHz的
V
EBO
= 0.5V , F = 1MHz的
V
CBO
= 10V , F = 1MHz的
I
C
= 0.2毫安,V
CE
= 5V
R
G
=2K
,
f=1KH
f=200Hz
A
静态BCW60A
前锋
当前
转让BCW60B
BCW60C
BCW60D
h
FE
120
50
20
180
70
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100
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630
跃迁频率
发射极 - 基极电容
集电极 - 基极电容
噪声系数
f
T
C
EBO
C
CBO
N
125
开关时间:
延迟时间
上升时间
开启时间
贮存时间
下降时间
打开-O FF时间
t
d
t
r
t
on
t
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t
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t
关闭
35
50
85
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ns
ns
ns
ns
ns
I
C
:I
B1
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B2
= 10 :1: 1毫安
R
1
=5K
,
R
2
=5K
V
BB
= 3.6V ,R
L
=990
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300
秒。占空比
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BCW60D-AD
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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