BCW32LT1G
通用
晶体管
NPN硅
特点
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这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
集热器
3
1
BASE
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
价值
32
32
5.0
100
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
1
2
SOT- 23 （ TO- 236AB ）
CASE 318
类型6
3
2
辐射源
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
连续
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
热特性
特征
器件总功耗
FR- 5局
(1)
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
器件总功耗
氧化铝基板，
(2)
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度
符号
P
D
价值
225
1.8
R
qJA
P
D
556
300
2.4
R
qJA
T
J
, T
英镑
417
55
+150
毫瓦/°C的
° C / W
mW
毫瓦/°C的
° C / W
°C
单位
mW
标记图
D2 M
G
G
1
D2 =器件代码
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向和/或横线可能
这取决于制造地点而有所不同。
1， FR - 5 = 1.0
0.75
0.062英寸
2.氧化铝= 0.4
0.3
0.024英寸99.5 ％的氧化铝。
订购信息
设备
BCW32LT1G
包
SOT23
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2009年
2009年8月
第2版
1
出版订单号：
BCW32LT1/D
BCW32LT1G
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集热器
：辐射源
击穿电压
(I
C
= 2.0 MADC ，V
EB
= 0)
集热器
： BASE
击穿电压
(I
C
= 10
MADC ，
I
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 10
MADC ，
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 32 VDC ，我
E
= 0)
(V
CB
= 32 VDC ，我
E
= 0, T
A
= 100°C)
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
32
32
5.0
VDC
VDC
VDC
100
10
NADC
MADC
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 2.0 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
集热器
：辐射源
饱和电压
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 0.5 MADC ）
BASE
：辐射源
ON电压
(I
C
= 2.0 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
200
0.55
450
VDC
0.25
VDC
0.70
小信号特性
输出电容
(I
E
= 0, V
CB
= 10 VDC ， F = 1.0兆赫）
噪声系数
(I
C
= 0.2 MADC ，V
CE
= 5.0伏，R
S
= 2.0千瓦， F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）
C
敖包
NF
4.0
10
pF
dB
典型噪声特性
(V
CE
= 5.0伏，T
A
= 25°C)
20
I
C
= 1.0毫安
恩，噪声电压（NV ）
300
mA
带宽= 1.0赫兹
R
S
= 0
中，噪声电流（PA ）
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.2
2.0
10
20
50
100 200
500 1 k
男，频率（Hz ）
2k
5k
10 k
0.1
10
20
50
100 200
500 1 k
男，频率（Hz ）
2k
5k
10 k
30
mA
10
mA
I
C
= 1.0毫安
300
mA
100
mA
带宽= 1.0赫兹
R
S
≈ ∞
10
7.0
5.0
10
mA
3.0
100
mA
30
mA
图1.噪声电压
图2.噪声电流
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2
BCW32LT1G
典型静态特性
400
T
J
= 125°C
^ h FE ， DC电流增益
200
25°C
- 55°C
100
80
60
40
0.004 0.006 0.01
V
CE
= 1.0 V
V
CE
= 10 V
0.02 0.03
0.05 0.07 0.1
0.2
2.0
I
C
，集电极电流（毫安）
0.3
0.5 0.7
1.0
3.0
5.0 7.0 10
20
30
50
70 100
图6.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
1.0
T
J
= 25°C
IC ，集电极电流（毫安）
0.8
I
C
= 1.0毫安
10毫安
50毫安
百毫安
100
T
A
= 25°C
脉冲宽度= 300
ms
80占空比
≤
2.0%
I
B
= 500
mA
400
mA
300
mA
200
mA
0.6
60
0.4
40
100
mA
20
0.2
0
0.002 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0
I
B
，基极电流（毫安）
0
5.0 10
20
0
5.0
10
15
20
25
30
35
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
40
图7.集电极饱和区
图8.收藏家特点
T
J
= 25°C
1.2
V，电压（V ）
1.0
0.8
0.6
V
BE（上）
@ V
CE
= 1.0 V
0.4
0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
I
C
，集电极电流（毫安）
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
1.4
1.6
0.8
*适用于我
C
/I
B
≤
h
FE
/2
25 ° C至125°C
0
*q
VC
对于V
CE （ SAT ）
- 55 ° C至25°C时
- 0.8
25 ° C至125°C
- 1.6
q
VB
对于V
BE
- 2.4
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
- 55 ° C至25°C时
10
20
50
100
I
C
，集电极电流（毫安）
图9. “开”电压
图10.温度系数
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4
QQ：2881677436 复制
