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分立半导体

数据表

OK ， halfpage

M3D088

BCW31 ; BCW32 ; BCW33

NPN通用晶体管

产品speci fi cation

取代1994年9月数据

在分离式半导体文件， SC04

1997年01月29日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN通用晶体管

特点

低电流（ 100 mA时）

低电压（32V ）。

应用

通用的开关和放大。

描述

NPN晶体管在一个塑料SOT23封装。

PNP补充： BCW29和BCW30 。

记号

手册， halfpage

BCW31 ; BCW32 ; BCW33

钉扎

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

描述

3

3

1

2

1

2

MAM255

类型编号

BCW31

BCW32

BCW33

标识代码

D1p

D2p

D3p

顶视图

Fig.1简化外形（ SOT23 ）和符号。

快速参考数据

符号

V

CBO

V

首席执行官

I

CM

P

合计

h

FE

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

峰值集电极电流

总功耗

直流电流增益

BCW31

BCW32

BCW33

f

T

跃迁频率

I

C

= 10毫安; V

CE

= 5 V ; F = 100 MHz的

T

AMB

≤

25

°C

I

C

= 2毫安; V

CE

= 5 V

110

200

420

100

220

450

800

兆赫

发射极开路

开基

条件

分钟。

马克斯。

32

32

200

250

V

V

mA

mW

单位

1997年01月29日

2

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN通用晶体管

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

BM

P

合计

T

英镑

T

j

T

AMB

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

峰值集电极电流

峰值电流基地

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

T

AMB

≤

25

°C

条件

发射极开路

开基;我

C

= 2毫安

集电极开路

BCW31 ; BCW32 ; BCW33

分钟。

65

65

马克斯。

32

32

5

100

200

200

250

+150

150

+150

V

V

V

单位

mA

mA

mA

mW

°C

°C

°C

热特性

符号

R

日J-一

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路。

参数

从结点到环境的热阻

条件

注1

价值

500

单位

K / W

1997年01月29日

3

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN通用晶体管

特征

T

j

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

I

CBO

I

EBO

h

FE

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

BCW31

BCW32

BCW33

h

FE

直流电流增益

BCW31

BCW32

BCW33

V

CESAT

V

BESAT

V

BE

C

c

f

T

F

集电极 - 发射极饱和

电压

基射极饱和电压

基射极电压

集电极电容

跃迁频率

噪音科幻gure

I

C

= 10毫安;我

B

- 0.5毫安

I

C

= 50毫安;我

B

= 2.5毫安

I

C

= 10毫安;我

B

- 0.5毫安

I

C

= 50毫安;我

B

= 2.5毫安

I

C

= 2毫安; V

CE

= 5 V

I

C

= 2毫安; V

CE

= 5 V

条件

I

E

= 0; V

CB

= 32 V

I

E

= 0; V

CB

= 32 V ;牛逼

j

= 100

°C

I

C

= 0; V

EB

= 5 V

I

C

= 10

A;

V

CE

= 5 V

BCW31 ; BCW32 ; BCW33

分钟。

110

200

420

550

100

典型值。

90

150

270

120

210

750

850

2.5

马克斯。

100

10

100

220

450

800

250

700

10

单位

nA

A

nA

mV

mV

mV

mV

mV

pF

兆赫

dB

I

E

= I

e

= 0; V

CB

= 10 V ; F = 1 MHz的

I

C

= 10毫安; V

CE

= 5 V ; F = 100 MHz的

I

C

= 200

A;

V

CE

= 5 V ;

S

= 2 k;

F = 1千赫B = 200赫兹

1997年01月29日

4

飞利浦半导体

产品speci fi cation

NPN通用晶体管

包装外形

包装说明

BCW31 ; BCW32 ; BCW33

SOT23

D

B

E

A

X

HE

v

M

A

3

Q

A

A1

1

e1

e

bp

2

w

M

B

细节X

Lp

c

0

1

规模

2 mm

外形尺寸（mm是原始尺寸）

单位

mm

A

1.1

0.9

A

1

马克斯。

0.1

b

p

0.48

0.38

c

0.15

0.09

D

3.0

2.8

E

1.4

1.2

e

1.9

e

1

0.95

H

E

2.5

2.1

L

p

0.45

0.15

Q

0.55

0.45

v

0.2

w

0.1

概要

VERSION

SOT23

参考文献：

IEC

JEDEC

EIAJ

欧洲

投影

发行日期

1997年01月29日

5

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