【BCV26 ， BCV46PNP达林顿晶体管PNP表面贴装硅外延PlanarTransistors硅】,IC型号BCV46,BCV46 PDF资料,BCV46经销商,ic,电子元器件-51电子网

BCV26 ， BCV46

PNP

达林顿晶体管

PNP

表面贴装硅外延PlanarTransistors

硅外延PlanarTransistoren献给死去Oberflchenmontage

版本2004-01-20

功耗 - Verlustleistung

2.9

±0.1

0.4

3

250毫瓦

SOT-23

(TO-236)

0.01 g

1.1

塑料外壳

Kunststoffgehuse

1.3

±0.1

TYPE

CODE

1

2

2.5

最大

重量约。 - Gewicht约

塑料材料具有UL分类94V- 0

Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert

标准包装卷带封装

标准Lieferform gegurtet奥夫罗尔

1.9

尺寸/集体单位为毫米

1 = B 2 = E2 3 = C

最大额定值（T

A

= 25

/

C)

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基电压

功耗 - Verlustleistung

集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）

峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom

基极电流 - Basisstrom （ DC ）

结温 - Sperrschichttemperatur

储存温度 - Lagerungstemperatur

V

BE

= 0

ê开放

c打开

- V

CES

- V

CB0

- V

EB0

P

合计

- I

C

- I

CM

- I

B

T

j

T

S

Grenzwerte （T

A

= 25

/

C)

BCV26

30 V

40 V

10 V

250毫瓦

1

)

500毫安

800毫安

百毫安

150

/

C

- 65…+ 150

/

C

BCV46

60 V

80 V

特性（T

j

= 25

/

C)

分钟。

集电极 - 基极截止电流 - Kollektorreststrom

I

E

= 0, - V

CB

= 30 V

I

E

= 0, - V

CB

= 60 V

I

C

= 0, - V

EB

= 10 V

- I

C

= 100毫安， - 我

B

- 0.1毫安

BCV26

BCV46

- I

CB0

- I

CB0

- I

EB0

- V

CESAT

–

Kennwerte （T

j

= 25

/

C)

典型值。

–

马克斯。

100 nA的

1V

发射基截止电流 - Emitterreststrom

集电极饱和电压。 - Kollektor - Sttigungsspg 。

2

)

1

）安装在交媾主板为3 mm

2

铜垫在每个终端

蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米

2

Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞

2

）测试与脉冲吨

p

= 300

:

S，占空比

#

2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨

p

= 300

:

S， Schaltverhltnis

#

2%

6

达林顿晶体管

BCV26 ， BCV46

特性（T

j

= 25

/

C)

分钟。

基本饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung

1

)

- I

C

= 100毫安， - 我

B

- 0.1毫安

BCV26

BCV46

BCV26

BCV46

BCV26

BCV46

V

BESAT

h

FE

h

FE

h

FE

h

FE

h

FE

h

FE

- V

BEON

f

T

–

4000

2000

10000

4000

20000

10000

–

R

THA

Kennwerte （T

j

= 25

/

C)

典型值。

–

220兆赫

马克斯。

1.5 V

–

1.4 V

–

420 K / W

2

)

BCV27 ， BCV47

直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis

1

)

- V

CE

= 5 V ， - 我

C

= 1毫安

- V

CE

= 5 V ， - 我

C

= 10毫安

- V

CE

= 5 V ， - 我

C

= 100毫安

基射极电压 - 基射极Spannung

1

)

- V

CE

= 5 V ， - 我

C

= 10毫安

增益带宽积 - Transitfrequenz

- V

CE

= 5 V ， - 我

C

= 10 mA时， F = 100 MHz的

热阻结到环境空气

Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特

推荐互补NPN晶体管

Empfohlene komplementre NPN - Transistoren

标记 - Stempelung

穿针 - Anschlubelegung

BCV26 = FD

3

BCV46 = FE

3

T1

T2

1

2

1

2

1

2

）测试与脉冲吨

p

= 300

:

S，占空比

#

2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨

p

= 300

:

S， Schaltverhltnis

#

2%

）安装在交媾主板为3 mm

2

铜垫在每个终端

蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院3毫米

2

Kupferbelag （ Ltpad ）的jedem并吞

7

BCV26 ， BCV46

PNP硅达林顿晶体管

对于一般自动对焦的应用

高集电极电流

高电流增益

互补类型： BCV27 ， BCV47 （NPN）

3

TYPE

BCV26

BCV46

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

DC集电极电流

峰值集电极电流

基极电流

峰值电流基地

总功耗，

T

S

= 74 °C

结温

储存温度

热阻

结 - 焊接点

1)

R

thjs

2

1

VPS05161

记号

FDS

FES

1=B

引脚配置

2=E

3=C

包

SOT23

符号

V

首席执行官

V

CBO

V

EBO

BCV26

30

40

10

BCV46

60

80

10

单位

V

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

合计

T

j

T

英镑

500

800

100

200

360

150

-65 ... 150

mA

mW

°C

210

K / W

1对于计算

R

thJA

请参考应用笔记热阻

1

Jul-13-2001

BCV26 ， BCV46

电气特性

at

T

A

= 25 ° C，除非另有规定ED 。

参数

符号

值

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 10毫安，

I

B

= 0

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 100 A,

I

B

= 0

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 10 A,

I

C

= 0

收藏家Cuto FF电流

V

CB

= 30 V,

I

E

= 0

V

CB

= 60 V,

I

E

= 0

收藏家Cuto FF电流

V

CB

= 30 V,

I

E

= 0 ,

T

A

= 150 °C

V

CB

= 60 V,

I

E

= 0 ,

T

A

= 150 °C

发射Cuto FF电流

V

EB

= 4 V,

I

C

= 0

直流电流增益1 ）

I

C

= 100 A,

V

CE

= 1 V

直流电流增益1 ）

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 5 V

直流电流增益1 ）

I

C

= 100毫安，

V

CE

= 5 V

直流电流增益1 ）

I

C

= 0.5 A,

V

CE

= 5 V

BCV26

BCV46

BCV26

BCV46

h

FE

4000

2000

-

BCV26

BCV46

h

FE

20000

10000

-

BCV26

BCV46

h

FE

10000

4000

-

h

FE

4000

2000

-

BCV26

BCV46

I

EBO

BCV26

BCV46

I

CBO

-

10

100

I

CBO

-

100

BCV26

BCV46

V

（ BR ） EBO

BCV26

BCV46

V

（ BR ） CBO

40

80

10

-

V

（ BR ） CEO

30

60

-

典型值。

马克斯。

单位

V

nA

A

nA

-

1 ）脉冲测试：吨

≤

300

S，D = 2 ％

2

Jul-13-2001

BCV26 ， BCV46

电气特性

at

T

A

= 25 ° C，除非另有规定ED 。

符号

值

参数

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极饱和电压1 ）

I

C

= 100毫安，

I

B

- 0.1毫安

基极 - 发射极饱和电压1）

I

C

= 100毫安，

I

B

- 0.1毫安

AC特性

跃迁频率

I

C

= 50毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 100兆赫

集电极 - 基极电容

V

CB

= 10 V,

f

= 1兆赫

C

cb

-

4.5

-

f

T

-

200

-

V

BESAT

-

1.5

V

CESAT

-

1

典型值。

马克斯。

单位

V

兆赫

pF

1 ）脉冲测试：吨

≤

300

S，D = 2 ％

3

Jul-13-2001

BCV26 ， BCV46

总功耗

P

合计

=

f

(

T

S

)

集电极 - 基极电容

C

CB

=

f

(

V

CBO

)

发射极 - 基极电容

C

EB

=

f

(

V

EBO

)

BCV 46分之26

EHP00291

400

10

C

EB0

(

C

CB0

)

mW

pF

300

P

合计

250

C

CB0

200

5

C

EB0

150

100

50

0

15

30

45

60

75

90 105 120

°C

150

T

S

0

10

-1

10

0

V

10

1

V

EB0

(

V

CB0

)

允许的脉冲负载

P

totmax

/

P

totDC

=

f

(

t

p

)

10

3

P

TOT最大

5

P

TOT DC

BCV 46分之26

EHP00292

跃迁频率

f

T

=

f

(

I

C

)

V

CE

= 5V

10

3

f

T

BCV 46分之26

EHP00294

t

p

D

=

T

t

p

兆赫

10

2

5

10

1

5

D

=

0

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

10

2

5

10

0

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

t

p

10

0

10

1

10

0

10

1

10

2

mA

10

3

Ι

C

4

Jul-13-2001

BCV26 ， BCV46

基射极饱和电压

I

C

=

f

(

V

BESAT

),

h

FE

= 1000

10

3

BCV 46分之26

EHP00295

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

=

f

(

V

CESAT

),

h

FE

= 1000

10

3

BCV 46分之26

EHP00296

Ι

C

mA

150 C

25 C

-50 C

Ι

C

mA

150 C

25 C

-50 C

10

2

5

10

2

5

10

1

5

10

1

5

10

0

1.0

2.0

V

BESAT

3.0

10

0

0.5

1.0

V

CESAT

1.5

收藏家Cuto FF电流

I

CBO

=

f

(

T

A

)

V

CB

=

V

CEmax

10

4

nA

BCV 46分之26

EHP00297

直流电流增益

h

FE

=

f

(

I

C

)

V

CE

= 5V

10

6

h

FE

5

BCV 46分之26

EHP00298

Ι

CBO

10

3

最大

10

5

10

2

典型值

10

1

125 C

25 C

-55 C

10

4

5

10

0

50

100

C

T

A

150

10

3

10

-1

10

0

10

1

10

2

10毫安

3

Ι

C

5

Jul-13-2001

SOT23封装PNP硅平面

达林顿晶体管

第3期？ 1995年9月

特点

*低饱和电压

互补式 -

PARTMARKING细节？

BCV26 - BCV27

BCV46 - BCV47

BCV26 - ZFD

BCV46 - ZFE

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

CM

I

C

I

B

P

合计

T

j

:T

英镑

BCV46

分钟。马克斯。

-80

-60

-10

-100

-10

I

EBO

V

CE （ SAT ）

V

BE （ SAT ）

-100

-1.0

-1.5

4K

10K

20K

4K

200的典型

4.5典型

-100

-10

-100

-1.0

-1.5

2K

4K

10K

2K

200的典型

4.5典型

BCV26

-40

-30

-10

-800

-500

-100

330

-55到+150

单位

V

nA

A

nA

V

C

BCV26

BCV46

E

B

绝对最大额定值。

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

峰值脉冲电流

连续集电极电流

基极电流

在T功耗

AMB

=25°C

工作和存储温度范围

参数

符号

BCV46

-80

-60

单位

V

mA

mW

°C

电气特性（在T

AMB

= 25 ° C除非另有说明）。

集电极 - 基

击穿电压

集电极 - 发射极

击穿电压

发射极 - 基

击穿电压

集电极截止

当前

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

V

（ BR ） EBO

I

CBO

BCV26

分钟。马克斯。

-40

-30

-10

条件。

I

C

=100

A

I

C

= 10毫安*

I

E

=10

A

V

CB

= -30V

V

CB

= -60V

V

CB

=-30V,T

AMB

=150

o

C

V

CB

=-60V,T

AMB

=150

o

C

V

EB

=-4V

I

C

=-100mA,I

B

=-0.1mA*

I

C

=-100mA,I

B

=-0.1mA*

I

C

=-100

Α,

V

CE

=-1V

I

C

= -10mA ，V

CE

=-5V*

I

C

= -100mA ，V

CE

=-5V*

I

C

= -500mA ，V

CE

=-5V*

I

C

= -50mA ，V

CE

=-5V

F = 20MHz的

V

CB

= -10V ， F = 1MHz的

发射基地

截止电流

集电极 - 发射极

饱和电压

基射

饱和电压

静态正向电流

FE

传输比

跃迁频率

输出电容

f

T

C

敖包

兆赫

pF

*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300

秒。占空比

≤

2%

辣妹参数数据可应要求提供这些设备的

??定期抽样测试而已。

3 - 21

PNP硅达林顿晶体管

BCV 26

BCV 46

q

对于一般自动对焦的应用

q

高集电极电流

q

高电流增益

q

互补类型： BCV 27 BCV 47 （ NPN ）

TYPE

BCV 26

BCV 46

记号

FDS

FES

订购代码

（磁带和卷轴）

Q62702-C1493

Q62702-C1475

引脚配置

1

2

3

B

E

C

包

1)

SOT-23

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

峰值集电极电流

基极电流

峰值电流基地

总功耗，

T

S

= 74 C

结温

存储温度范围

热阻

结 - 环境

2)

结 - 焊接点

R

日JA

R

日JS

≤

280

≤

210

符号

V

CE0

V

CB0

V

EB0

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

合计

T

j

T

英镑

值

BCV 26

30

40

10

单位

BCV 46

60

80

10

500

800

100

200

360

150

– 65 … + 150

mW

C

mA

V

K / W

1)

2)

有关详细信息，请参阅本章包装纲要。

安装在环氧树脂PCB 40毫米套餐

×

40 mm

×

1.5毫米/ 6厘米

2

铜。

半导体集团

1

5.91

BCV 26

BCV 46

电气特性

at

T

A

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 10毫安

BCV 26

BCV 46

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 100

A

BCV 26

BCV 46

发射极 - 基极击穿电压，

I

E

= 10

A

收藏家Cuto FF电流

V

CB

= 30 V

V

CB

= 60 V

V

CB

= 30 V,

T

A

= 150 C

V

CB

= 60 V,

T

A

= 150 C

发射极截止电流，

V

EB

= 4 V

直流电流增益

1)

I

C

= 100

A,

V

CE

= 1 V

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 5 V

I

C

= 100毫安，

V

CE

= 5 V

I

C

= 0.5 A,

V

CE

= 5 V

BCV 26

BCV 46

BCV 26

BCV 46

BCV 26

BCV 46

BCV 26

BCV 46

V

CESAT

V

BESAT

BCV 26

BCV 46

BCV 26

BCV 46

I

EB0

h

FE

4000

2000

10000

4000

20000

10000

4000

2000

–

1

1.5

V

(BR)CE0

30

60

V

(BR)CB0

40

80

V

(BR)EB0

I

CB0

–

100

10

100

nA

A

nA

–

10

–

V

值

典型值。

马克斯。

单位

集电极 - 发射极饱和电压

1)

I

C

= 100毫安，

I

B

- 0.1毫安

基射极饱和电压

1)

I

C

= 100毫安，

I

B

- 0.1毫安

AC特性

跃迁频率

I

C

= 50毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 20 MHz的

输出电容

V

CB

= 10 V,

f

= 1兆赫

1)

f

T

C

敖包

–

200

4.5

–

兆赫

pF

脉冲测试：

t

≤

300

s,

D

= 2 %.

半导体集团

2

BCV 26

BCV 46

总功耗

P

合计

=

f

(T

A

*;

T

S

)

*包装安装在环氧

集电极 - 基极电容

C

CB0

=

f

(V

CB0

)

发射极 - 基极电容

C

EB0

=

f

(V

EB0

)

允许的脉冲负载

P

TOT最大

/P

TOT DC

=

f

(t

p

)

跃迁频率

f

T

=

f

(I

C

)

V

CE

= 5 V

半导体集团

3

BCV 26

BCV 46

基射极饱和电压

I

C

=

f

(V

BESAT

)

h

FE

= 1000

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

=

f

(V

CESAT

)

h

FE

= 1000

收藏家Cuto FF电流

I

CB0

=

f

(T

A

)

V

CB

=

V

CE MAX

直流电流增益

h

FE

=

f

(I

C

)

V

CE

= 5 V

半导体集团

4

分立半导体

数据表

书， halfpage

M3D088

BCV26 ; BCV46

PNP达林顿晶体管

产品speci fi cation

取代1997年的数据4月23日

1999年4月08

飞利浦半导体

产品speci fi cation

PNP达林顿晶体管

特点

大电流（最大500 mA）的

低电压（最大60伏）

非常高的DC电流增益（最小值10000）。

应用

凡很高的放大是必需的。

描述

PNP达林顿晶体管在SOT23塑料包装。

NPN补充： BCV27和BCV47 。

记号

1

2

BCV26 ; BCV46

钉扎

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

描述

手册， halfpage

3

1

3

TR1

TR2

2

MAM299

类型编号

BCV26

BCV46

记

1.

= P ：香港制造。

= T：在马来西亚。

记号

CODE

(1)

顶视图

FD

FE-

Fig.1简化外形（ SOT23 ）和符号。

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

V

CBO

BCV26

BCV46

V

CES

集电极 - 发射极电压

BCV26

BCV46

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

合计

T

英镑

T

j

T

AMB

记

1.

晶体管安装在一FR4印刷电路板。

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

峰值集电极电流

基极电流（DC）的

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

T

AMB

≤

25

°C;

注1

集电极开路

V

BE

= 0

65

30

60

10

500

800

100

250

+150

150

+150

V

mA

mW

°C

参数

集电极 - 基极电压

条件

发射极开路

40

80

V

分钟。

马克斯。

单位

1999年4月08

2

飞利浦半导体

产品speci fi cation

PNP达林顿晶体管

热特性

符号

R

日J-一

记

1.

晶体管安装在一FR4印刷电路板。

参数

从结点到环境的热阻

条件

注1

BCV26 ; BCV46

价值

500

单位

K / W

特征

T

AMB

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

I

CBO

BCV26

BCV46

I

EBO

h

FE

发射极截止电流

直流电流增益

BCV26

BCV46

直流电流增益

BCV26

BCV46

直流电流增益

BCV26

BCV46

V

CESAT

V

BESAT

V

BEON

f

T

集电极 - 发射极饱和电压I

C

=

100

毫安;我

B

=

0.1

mA

基射极饱和电压

基极 - 发射极导通电压

跃迁频率

I

C

=

100

毫安;我

B

=

0.1

mA

I

C

=

10

毫安; V

CE

=

5

V

I

C

=

100

毫安; V

CE

=

5

V ; （见图2）

20000

10000

220

1

1.5

1.4

V

兆赫

I

C

=

10

毫安; V

CE

=

5

V ; （见图2）

10000

4000

参数

集电极截止电流

I

E

= 0; V

CB

=

30

V

I

E

= 0; V

CB

=

60

V

I

C

= 0; V

EB

=

10

V

I

C

=

1

毫安; V

CE

=

5

V ; （见图2）

4000

2000

100

nA

条件

分钟。

典型值。

MAX 。 UNIT

I

C

=

30

毫安; V

CE

=

5

V ; F = 100 MHz的

1999年4月08

3

飞利浦半导体

产品speci fi cation

PNP达林顿晶体管

BCV26 ; BCV46

手册，全页宽

100000

的hFE

MGD836

80000

60000

40000

20000

0

1

10

2

IC （MA ）

10

3

V

CE

=

2

V.

图2直流电流增益;典型值。

1999年4月08

4

飞利浦半导体

产品speci fi cation

PNP达林顿晶体管

包装外形

塑料表面贴装封装; 3引线

BCV26 ; BCV46

SOT23

D

B

E

A

X

HE

v

M

A

3

Q

A

A1

1

e1

e

bp

2

w

M

B

细节X

Lp

c

0

1

规模

2 mm

外形尺寸（mm是原始尺寸）

单位

mm

A

1.1

0.9

A

1

马克斯。

0.1

b

p

0.48

0.38

c

0.15

0.09

D

3.0

2.8

E

1.4

1.2

e

1.9

e

1

0.95

H

E

2.5

2.1

L

p

0.45

0.15

Q

0.55

0.45

v

0.2

w

0.1

概要

VERSION

SOT23

参考文献：

IEC

JEDEC

EIAJ

欧洲

投影

发行日期

97-02-28

1999年4月08

5

分立半导体

数据表

BCV26 ; BCV46

PNP达林顿晶体管

产品数据表

取代1999年的数据4月8日

2004年1月13日

恩智浦半导体

产品数据表

PNP达林顿晶体管

特点

大电流（最大500 mA）的

低电压（最大60伏）

非常高的DC电流增益（最小10 000）。

应用

凡很高的放大是必需的。

描述

PNP达林顿晶体管在SOT23塑料包装。

NPN补充： BCV27和BCV47 。

记号

类型编号

BCV26

BCV46

记

1. * = P ：香港制造。

* = T：在马来西亚。

* = W ：中国制造。

订购信息

TYPE

数

BCV26

BCV46

包

名字

描述

塑料表面贴装封装; 3引线

标识代码

(1)

FD *

FE *

1

顶视图

2

手册， halfpage

BCV26 ; BCV46

钉扎

针

1

2

3

BASE

辐射源

集热器

描述

3

1

3

TR1

TR2

2

MAM299

Fig.1简化外形（ SOT23 ）和符号。

VERSION

SOT23

2004年1月13日

2

恩智浦半导体

产品数据表

PNP达林顿晶体管

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。

符号

V

CBO

BCV26

BCV46

V

CES

集电极 - 发射极电压

BCV26

BCV46

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

P

合计

T

英镑

T

j

T

AMB

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

热特性

符号

R

号（j -a）的

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

参数

从结点到环境的热阻

条件

注1

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

峰值集电极电流

基极电流（DC）的

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

T

AMB

≤

25

°C;

注1

集电极开路

V

BE

= 0

65

参数

集电极 - 基极电压

条件

发射极开路

BCV26 ; BCV46

分钟。

马克斯。

40

80

30

60

10

500

800

100

250

+150

150

+150

V

单位

mA

mW

°C

价值

500

单位

K / W

2004年1月13日

3

恩智浦半导体

产品数据表

PNP达林顿晶体管

特征

T

AMB

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

I

CBO

参数

集电极截止电流

BCV26

BCV46

I

EBO

h

FE

发射极截止电流

直流电流增益

BCV26

BCV46

直流电流增益

BCV26

BCV46

直流电流增益

BCV26

BCV46

V

CESAT

V

BESAT

V

BEON

f

T

集电极 - 发射极饱和

电压

基射极饱和电压

基极 - 发射极导通电压

跃迁频率

I

C

=

100

毫安;我

B

=

0.1

mA

I

C

=

100

毫安;我

B

=

0.1

mA

I

C

=

10

毫安; V

CE

=

5

V

I

C

=

100

毫安; V

CE

=

5

V ; （见图2）

I

C

=

10

毫安; V

CE

=

5

V ; （见图2）

I

E

= 0; V

CB

=

30

V

I

E

= 0; V

CB

=

60

V

I

C

= 0; V

EB

=

10

V

I

C

=

1

毫安; V

CE

=

5

V ; （见图2）

条件

BCV26 ; BCV46

分钟。

典型值。马克斯。单位

100

1

1.5

1.4

V

兆赫

nA

4 000

2 000

10 000

4 000

20 000

10 000

220

I

C

=

30

毫安; V

CE

=

5

V ; F = 100 MHz的

手册，全页宽

100000

的hFE

80000

MGD836

60000

40000

20000

0

1

V

CE

=

2

V.

10

2

IC （MA ）

10

3

图2直流电流增益;典型值。

2004年1月13日

4

恩智浦半导体

产品数据表

PNP达林顿晶体管

包装外形

塑料表面贴装封装; 3引线

BCV26 ; BCV46

SOT23

D

B

E

A

X

HE

v

M

A

3

Q

A

A1

1

e1

e

bp

2

w

M

B

细节X

Lp

c

0

1

规模

2 mm

外形尺寸（mm是原始尺寸）

单位

mm

A

1.1

0.9

A

1

马克斯。

0.1

b

p

0.48

0.38

c

0.15

0.09

D

3.0

2.8

E

1.4

1.2

e

1.9

e

1

0.95

H

E

2.5

2.1

L

p

0.45

0.15

Q

0.55

0.45

v

0.2

w

0.1

概要

VERSION

SOT23

参考文献：

IEC

JEDEC

TO-236AB

JEITA

欧洲

投影

发行日期

04-11-04

06-03-16

2004年1月13日

5

BCV26 / BCV46

PNP达林顿晶体管

对前置放大器的输入应用程序

SOT- 23塑料包装

绝对最大额定值（T

a

= 25

O

C)

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极电压

集电极电流

峰值集电极电流

基极电流

总功耗

结温

存储温度范围

BCV26

BCV46

BCV26

BCV46

符号

-V

CBO

-V

首席执行官

-V

EBO

-I

C

-I

CM

-I

B

P

合计

T

j

T

S

符号

BCV26

BCV46

BCV26

BCV46

BCV26

BCV46

BCV26

BCV46

h

FE

h

FE

h

FE

h

FE

h

FE

h

FE

-I

CBO

-I

EBO

BCV26

BCV46

BCV26

BCV46

-V

（ BR ） CBO

-V

（ BR ） CEO

-V

（ BR ） EBO

-V

CE （ SAT ）

-V

BE （ SAT ）

-V

BE（上）

f

T

分钟。

4000

2000

10000

4000

20000

10000

-

40

80

30

60

10

-

价值

40

80

30

60

10

500

800

100

200

150

- 65至+ 150

典型值。

-

220

马克斯。

-

100

-

1

1.5

1.4

-

单位

V

mA

mW

O

C

单位

-

nA

V

兆赫

O

特点在T

a

= 25

O

C

参数

直流电流增益

在-V

CE

= 5 V ， -I

C

= 1毫安

在-V

CE

= 5 V ， -I

C

= 10毫安

在-V

CE

= 5 V ， -I

C

= 100毫安

收藏家Cuto FF电流

在-V

CB

= 30 V

在-V

CB

= 60 V

发射Cuto FF电流

在-V

EB

= 10 V

集电极基极击穿电压

在-I

C

= 100 A

集电极发射极击穿电压

在-I

C

= 10毫安

发射极基极击穿电压

在-I

E

= 10 A

集电极 - 发射极饱和电压

在-I

C

= 100毫安， -I

B

- 0.1毫安

基极发射极饱和电压

在-I

C

= 100毫安， -I

B

- 0.1毫安

基极发射极导通电压

在-I

C

= 10毫安， -V

CE

= 5 V

跃迁频率

在-V

CE

= 5 V ， -I

C

= 30 mA时， F = 100 MHz的

SEMTECH ELECTRONICS LTD 。

（子公司

泰丰国际集团有限公司，公司

在香港联交所上市，股票代码： 724 ）

日期： 18/08/2007

BCV26 / BCV46

功耗与环境温度

300

功耗： P合计（MW ）

250

200

150

100

50

0

25

50

75

100

O

125

150

环境温度： TA（ C）

SEMTECH ELECTRONICS LTD 。

（子公司

泰丰国际集团有限公司，公司

在香港联交所上市，股票代码： 724 ）

日期： 18/08/2007

BCV26 ， BCV46

PNP硅达林顿晶体管

对于一般自动对焦的应用

高集电极电流

高电流增益

互补类型： BCV27 ， BCV47 （NPN）

无铅（符合RoHS标准）封装

1)

合格的依据AEC Q101

3

1

2

TYPE

BCV26

BCV46

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

BCV26

BCV46

集电极 - 基极电压

BCV26

BCV46

发射极 - 基极电压

集电极电流

峰值集电极电流

基极电流

峰值电流基地

总功率dissipation-

T

S

≤

74 °C

结温

储存温度

1

含有铅，

记号

FDS

FES

1=B

引脚配置

2=E

3=C

包

SOT23

符号

V

首席执行官

价值

30

60

单位

V

CBO

40

80

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

合计

T

j

T

英镑

10

500

800

100

200

360

150

-65 ... 150

mW

°C

mA

包可能是可根据特殊要求

1

2007-04-20

BCV26 ， BCV46

热阻

参数

结 - 焊接点

1)

1

为

符号

R

thjs

价值

≤

210

单位

K / W

计算

R

thJA请参考应用笔记热阻

2

2007-04-20

BCV26 ， BCV46

电气特性

at

T

A

= 25℃ ，除非另有说明

符号

值

单位

参数

分钟。

典型值。马克斯。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

V

（ BR ） CEO

V

I

C

= 10毫安，

I

B

= 0， BCV26

I

C

= 10毫安，

I

B

= 0， BCV46

30

60

V

（ BR ） CBO

-

A

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 100 A,

I

E

= 0， BCV26

I

C

= 100 A,

I

E

= 0， BCV46

40

80

V

（ BR ） EBO

I

CBO

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 10 A,

I

C

= 0

10

集电极 - 基极截止电流

V

CB

= 30 ,

I

E

= 0， BCV26

V

CB

= 60 ,

I

E

= 0， BCV46

V

CB

= 30 ,

I

E

= 0 ,

T

A

= 150℃， BCV26

V

CB

= 60 ,

I

E

= 0 ,

T

A

= 150℃， BCV46

-

I

EBO

h

FE

-

0.1

10

100

nA

-

发射基截止电流

V

EB

= 4 V,

I

C

= 0

-

直流电流增益

1)

I

C

= 100 A,

V

CE

= 1 V ， BCV26

I

C

= 100 A,

V

CE

= 1 V ， BCV46

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 5 V ， BCV26

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 5 V ， BCV46

I

C

= 100毫安，

V

CE

= 5 V ， BCV26

I

C

= 100毫安，

V

CE

= 5 V ， BCV46

I

C

= 0.5 A,

V

CE

= 5 V ， BCV26

I

C

= 0.5 A,

V

CE

= 5 V ， BCV46

4000

2000

10000

4000

20000

10000

4000

2000

V

CESAT

V

BESAT

-

1

1.5

V

集电极 - 发射极饱和电压

1)

I

C

= 100毫安，

I

B

- 0.1毫安

基极发射极饱和电压

1)

I

C

= 100毫安，

I

B

- 0.1毫安

1

脉冲

-

测试：吨< 300μS ; < 2 ％

3

2007-04-20

BCV26 ， BCV46

电气特性

at

T

A

= 25℃ ，除非另有说明

参数

AC特性

跃迁频率

I

C

= 50毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 100兆赫

集电极 - 基极电容

V

CB

= 10 V,

f

= 1兆赫

C

cb

-

4.5

-

pF

f

T

-

200

-

兆赫

符号

分钟。

值

典型值。

马克斯。

单位

4

2007-04-20

BCV26 ， BCV46

直流电流增益

h

FE

=

(I

C

)

V

CE

= 5 V

10

6

h

FE

5

BCV 46分之26

EHP00298

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

=

(V

CESAT

),

h

FE

= 1000

10

3

BCV 46分之26

EHP00296

Ι

C

mA

150 C

25 C

-50 C

10

5

125 C

25 C

10

2

5

-55 C

10

4

5

10

1

5

10

3

10

-1

10

0

10

1

10

2

10毫安

3

10

0

0.5

1.0

V

CESAT

1.5

Ι

C

基射极饱和电压

I

C

=

(V

BESAT

),

h

FE

= 1000

10

3

BCV 46分之26

EHP00295

收藏家Cuto FF电流

I

CBO

=

(T

A

)

V

CB

=

V

CEmax

10

4

nA

BCV 46分之26

EHP00297

Ι

C

mA

150 C

25 C

-50 C

Ι

CBO

10

3

最大

10

2

5

10

2

典型值

10

1

10

1

5

10

0

1.0

2.0

V

BESAT

3.0

10

0

50

100

C

T

A

150

5

2007-04-20