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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第698页 > BCV29
BCV29 ， BCV49
NPN硅达林顿晶体管
对于一般自动对焦的应用
高集电极电流
高电流增益
互补类型： BCV28 ， BCV48 （ PNP ）
无铅（符合RoHS标准）封装
1)
合格的依据AEC Q101
3
1
2
2
TYPE
BCV29
BCV49
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
BCV29
BCV49
集电极 - 基极电压
BCV29
BCV49
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功率dissipation-
T
S
≤
130 °C
结温
储存温度
1
含有铅，
记号
EF
EG
1=B
1=B
引脚配置
2=C
2=C
3=E
3=E
包
SOT89
SOT89
符号
V
首席执行官
价值
30
60
单位
V
V
CBO
40
80
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
10
500
800
100
200
1
150
-65 ... 150
W
°C
mA
包可能是可根据特殊要求
1
2007-03-29
BCV29 ， BCV49
热阻
参数
结 - 焊接点
1)
1
为
符号
R
thjs
价值
≤
20
单位
K / W
计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
2
2007-03-29
BCV29 ， BCV49
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
符号
值
单位
参数
分钟。
典型值。马克斯。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
V
（ BR ） CEO
V
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0， BCV29
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0， BCV49
30
60
V
（ BR ） CBO
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
A
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100 A,
I
E
= 0， BCV29
I
C
= 100 A,
I
E
= 0， BCV49
40
80
V
（ BR ） EBO
I
CBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10 A,
I
C
= 0
10
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0， BCV29
V
CB
= 60 V,
I
E
= 0， BCV49
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150℃， BCV29
V
CB
= 60 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150℃， BCV49
-
-
-
-
I
EBO
h
FE
-
-
-
-
-
0.1
0.1
10
10
100
nA
-
发射基截止电流
V
EB
= 4 V,
I
C
= 0
-
直流电流增益
1)
I
C
= 100 A,
V
CE
= 1 V ， BCV29
I
C
= 100 A,
V
CE
= 1 V ， BCV49
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V ， BCV29
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V ， BCV49
I
C
= 100毫安，
V
CE
= 5 V ， BCV29
I
C
= 100毫安，
V
CE
= 5 V ， BCV49
I
C
= 0.5 A,
V
CE
= 5 V ， BCV29
I
C
= 0.5 A,
V
CE
= 5 V ， BCV49
4000
2000
10000
4000
20000
10000
4000
2000
V
CESAT
V
BESAT
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
1.5
V
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 100毫安，
I
B
- 0.1毫安
基极发射极饱和电压
1)
I
C
= 100毫安，
I
B
- 0.1毫安
1
脉冲
-
-
测试：吨< 300μS ; < 2 ％
3
2007-03-29
BCV29 ， BCV49
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
AC特性
跃迁频率
I
C
= 50毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
C
cb
-
3
-
pF
f
T
-
150
-
兆赫
符号
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
4
2007-03-29
BCV29 ， BCV49
直流电流增益
h
FE
=
(I
C
)
V
CE
= 5 V
10
6
h
FE
5
BCV 29/49
EHP00325
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
(V
CESAT
),
h
FE
= 1000
10
3
BCV 29/49
EHP00322
Ι
C
125 C
25 C
mA
150 C
25 C
-50 C
10
5
5
10
2
5
-55 C
10
4
5
10
1
5
10
3
10
-1
10
0
10
1
10
2
10毫安
3
10
0
0
0.5
1.0
V
V
CESAT
1.5
Ι
C
基射极饱和电压
I
C
=
(V
BESAT
),
h
FE
= 1000
10
3
BCV 29/49
EHP00323
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
=
(T
A
)
V
CB
=
V
CEmax
10
4
nA
BCV 29/49
EHP00318
Ι
C
mA
150 C
25 C
-50 C
Ι
CBO
10
3
最大
10
2
5
10
2
典型值
10
1
10
1
5
10
0
0
1.0
2.0
V
V
BESAT
3.0
10
0
0
50
100
C
T
A
150
5
2007-03-29
分立半导体
数据表
dbook ， halfpage
M3D109
BCV29 ; BCV49
NPN达林顿晶体管
产品数据表
取代1999年的数据4月8日
2004年12月06
恩智浦半导体
产品数据表
NPN达林顿晶体管
特点
大电流（最大500 mA）的
低电压（最大60伏）
高直流电流增益（最小20 000） 。
应用
前置放大器输入的应用。
钉扎
针
1
2
3
辐射源
集热器
BASE
BCV29 ; BCV49
描述
3
2
描述
NPN小信号达林顿在表面贴装晶体管
SOT89塑料包装。 PNP补充： BCV28和
BCV48.
记号
类型编号
BCV29
BCV49
订购信息
包
类型编号
名字
BCV29
BCV49
SC-62
描述
塑料表面贴装封装;收集垫好热
转让; 3引线
VERSION
SOT89
标识代码
EF
EG
Fig.1
简体外形（ SOT89 ）和符号。
TR1
TR2
3
2
1
1
sym087
2004年12月06
2
恩智浦半导体
产品数据表
NPN达林顿晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
BCV29
BCV49
V
CES
集电极 - 发射极电压
BCV29
BCV49
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
环境温度
集电极开路
V
BE
= 0 V
T
AMB
≤
25
°C;
注1
65
65
参数
集电极 - 基极电压
条件
发射极开路
BCV29 ; BCV49
分钟。
马克斯。
40
80
30
60
10
500
1
200
1.3
+150
150
+150
V
V
V
V
V
单位
mA
A
mA
W
°C
°C
°C
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘1厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“散热考虑SOT89在总则部分相关的手册” 。
热特性
符号
R
号（j -a）的
R
日（ J- S）
记
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘1厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“散热考虑SOT89在总则部分相关的手册” 。
参数
从结点到环境的热阻
热阻结到焊接点
条件
注1
价值
96
16
单位
K / W
K / W
2004年12月06
3
恩智浦半导体
产品数据表
NPN达林顿晶体管
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
BCV29
BCV49
I
EBO
h
FE
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
BCV29
参数
集电极 - 基极截止电流
I
E
= 0 ; V
CB
= 30 V
I
E
= 0 ; V
CB
= 60 V
I
C
= 0 ; V
EB
= 10 V
V
CE
= 5 V ;见图2
I
C
= 1毫安
I
C
= 10毫安
I
C
= 100毫安
I
C
= 500毫安
直流电流增益
BCV49
V
CE
= 5 V ;见图2
I
C
= 1毫安
I
C
= 10毫安
I
C
= 100毫安
I
C
= 500毫安
V
CESAT
V
BESAT
V
BEON
f
T
集电极 - 发射极饱和电压I
C
= 100毫安;我
B
- 0.1毫安
基射极饱和电压
基极 - 发射极导通电压
跃迁频率
I
C
= 100毫安;我
B
- 0.1毫安
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V
条件
BCV29 ; BCV49
分钟。
典型值。
220
MAX 。 UNIT
100
100
100
1
1.5
1.4
V
V
V
兆赫
nA
nA
nA
4 000
10 000
20 000
4 000
2 000
4 000
10 000
2 000
I
C
= 30毫安; V
CE
= 5 V ; F = 100 MHz的
2004年12月06
4
恩智浦半导体
产品数据表
NPN达林顿晶体管
BCV29 ; BCV49
手册，全页宽
80000
的hFE
MGD837
60000
40000
20000
0
10
1
1
10
10
2
IC （MA ）
10
3
V
CE
= 2 V.
图2直流电流增益;典型值。
2004年12月06
5
BCV29 ， BCV49
NPN硅达林顿晶体管
对于一般自动对焦的应用
高集电极电流
高电流增益
互补类型： BCV28 ， BCV48 （ PNP ）
1
2
3
TYPE
BCV29
BCV49
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
DC集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗，
T
S
= 130 °C
结温
储存温度
热阻
1对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
1





2
VPS05162
记号
EF
EG
1=B
1=B
引脚配置
2=C
2=C
3=E
3=E
4=C
4=C
包
SOT89
SOT89
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
BCV29
30
40
10
BCV49
60
80
10
单位
V
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
500
800
100
200
1
150
-65 ... 150
mA
W
°C
结 - 焊接点
1)
R
thjs
20
K / W
Jul-12-2001
BCV29 ， BCV49
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
参数
符号
值
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100 A,
I
B
= 0
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10 A,
I
C
= 0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0
V
CB
= 60 V,
I
E
= 0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 30 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
V
CB
= 60 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
发射Cuto FF电流
V
EB
= 4 V,
I
C
= 0
直流电流增益1 ）
I
C
= 100 A,
V
CE
= 1 V
直流电流增益1 ）
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V
直流电流增益1 ）
I
C
= 100毫安，
V
CE
= 5 V
直流电流增益1 ）
I
C
= 0.5 A,
V
CE
= 5 V
BCV29
BCV49
1 ）脉冲测试：吨
≤
300
S，D = 2 ％
单位
马克斯。
V
典型值。
V
（ BR ） CEO
BCV29
BCV49
V
（ BR ） CBO
BCV29
BCV49
V
（ BR ） EBO
I
CBO
BCV29
BCV49
I
CBO
BCV29
BCV49
I
EBO
h
FE
BCV29
BCV49
h
FE
BCV29
BCV49
h
FE
BCV29
BCV49
h
FE
4000
2000
-
-
-
-
20000
10000
-
-
-
-
10000
4000
-
-
-
-
4000
2000
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
10
100
-
-
-
-
100
100
40
80
10
-
-
-
-
-
-
30
60
-
-
-
-
nA
A
nA
-
2
Jul-12-2001
BCV29 ， BCV49
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
参数
符号
值
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极饱和电压1 ）
I
C
= 100毫安，
I
B
- 0.1毫安
基极 - 发射极饱和电压1）
I
C
= 100毫安，
I
B
- 0.1毫安
AC特性
跃迁频率
I
C
= 50毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
C
cb
-
3.5
-
f
T
-
150
-
V
BESAT
-
-
1.5
V
CESAT
-
-
1
典型值。
马克斯。
单位
V
兆赫
pF
1 ）脉冲测试：吨
≤
300
S，D = 2 ％
3
Jul-12-2001
BCV29 ， BCV49
总功耗
P
合计
=
F（T
S
)
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
=
f
(T
A
)
V
CB
=
V
CEmax
10
4
nA
BCV 29/49
EHP00318
1200
mW
Ι
CBO
10
3
最大
P
合计
800
600
10
2
典型值
400
10
1
200
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
T
S
10
0
0
50
100
C
T
A
150
允许的脉冲负载
P
totmax
/
P
totDC
=
f
(t
p
)
BCV 29/49
EHP00319
跃迁频率
f
T
=
f
(I
C
)
V
CE
= 5V
10
3
兆赫
f
T
T
BCV 29/49
EHP00321
5
P
TOT最大
P
TOT DC
10
2
5
D
=
t
p
T
t
p
10
1
5
D
=
0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
2
5
10
0
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
t
p
s
10
0
10
1
10
0
10
1
10
2
mA
10
3
Ι
C
4
Jul-12-2001
BCV29 ， BCV49
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
f
(V
CESAT
),
h
FE
= 1000
10
3
BCV 29/49
EHP00322
基射极饱和电压
I
C
=
f
(V
BESAT
),
h
FE
= 1000
10
3
BCV 29/49
EHP00323
Ι
C
mA
150 C
25 C
-50 C
Ι
C
mA
150 C
25 C
-50 C
10
2
5
10
2
5
10
1
5
10
1
5
10
0
0
0.5
1.0
V
V
CESAT
1.5
10
0
0
1.0
2.0
V
V
BESAT
3.0
集电极 - 基极电容
C
CB
=
f
(V
CBO
)
发射极 - 基极电容
C
EB
=
f
(V
EBO
)
BCV 29/49
EHP00324
直流电流增益
h
FE
=
f
(I
C
)
V
CE
= 5V
10
6
h
FE
5
BCV 29/49
EHP00325
10
C
EB0
(
C
CB0
)
pF
10
5
C
CB0
5
C
EB0
125 C
25 C
5
-55 C
10
4
5
0
10
-1
10
0
10
V
EB0
(
V
CB0
)
V
1
10
3
10
-1
10
0
10
1
10
2
10毫安
3
Ι
C
5
Jul-12-2001
NPN硅达林顿晶体管
BCV 29
BCV 49
q
对于一般自动对焦的应用
q
高集电极电流
q
高电流增益
q
互补类型： BCV 28 BCV 48 （ PNP ）
TYPE
BCV 29
BCV 49
记号
EF
EG
订购代码
（磁带和卷轴）
Q62702-C1853
Q62702-C1832
引脚配置
1
2
3
4
B
C
E
C
包
1)
SOT-89
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗，
T
S
= 130 C
结温
存储温度范围
热阻
结 - 环境
2)
结 - 焊接点
R
日JA
R
日JS
≤
75
≤
20
符号
BCV 29
V
CE0
V
CB0
V
EB0
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P1
合计
T
j
T
英镑
30
40
10
值
BCV 49
60
80
10
500
800
100
200
1
150
– 65 … + 150
单位
V
mA
W
C
K / W
1)
2)
有关详细信息，请参阅本章包装纲要。
安装在环氧树脂PCB 40毫米套餐
×
40 mm
×
1.5毫米/ 6厘米
2
铜。
半导体集团
1
5.91
BCV 29
BCV 49
电气特性
at
T
A
= 25℃，除非另有规定。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安
BCV 29
BCV 49
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100
A
BCV 29
BCV 49
发射极 - 基极击穿电压，
I
E
= 10
A
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 30 V
V
CB
= 60 V
V
CB
= 30 V,
T
A
= 150 C
V
CB
= 60 V,
T
A
= 150 C
发射极截止电流，
V
EB
= 4 V
直流电流增益
1)
I
C
= 100
A,
V
CE
= 1 V
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V
I
C
= 100毫安，
V
CE
= 5 V
I
C
= 0.5 A,
V
CE
= 5 V
BCV 29
BCV 49
BCV 29
BCV 49
BCV 29
BCV 49
BCV 29
BCV 49
V
CESAT
V
BESAT
BCV 29
BCV 49
BCV 29
BCV 49
I
EB0
h
FE
4000
2000
10000
4000
20000
10000
4000
2000
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
1
1.5
V
V
(BR)CE0
30
60
V
(BR)CB0
40
80
V
(BR)EB0
I
CB0
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
100
100
10
10
100
nA
nA
A
A
nA
–
10
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
V
值
典型值。
马克斯。
单位
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 100毫安，
I
B
- 0.1毫安
基射极饱和电压
1)
I
C
= 100毫安;
I
B
- 0.1毫安
AC特性
跃迁频率
I
C
= 50毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 20 MHz的
输出电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
1)
f
T
C
敖包
–
–
150
3.5
–
–
兆赫
pF
脉冲测试：
t
≤
300
s,
D
= 2 %.
半导体集团
2
BCV 29
BCV 49
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
*;
T
S
)
*包装安装在环氧
收藏家Cuto FF电流
I
CB0
=
f
(T
A
)
允许的脉冲负载
P
TOT最大
/P
TOT DC
=
f
(t
p
)
跃迁频率
f
T
=
f
(I
C
)
V
CE
= 5 V
半导体集团
3
BCV 29
BCV 49
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
f
(V
CESAT
)
h
FE
= 1000
基射极饱和电压
I
C
=
f
(V
BESAT
)
h
FE
= 1000
集电极 - 基极电容
C
CB0
=
f
(V
CB0
)
发射极 - 基极电容
C
EB0
=
f
(V
EB0
)
直流电流增益
h
FE
=
f
(I
C
)
V
CE
= 5 V
半导体集团
4
SOT89 NPN硅平面
达林顿晶体管
第4期？ 1996年1月
互补式 -
PARTMARKING详细信息 -
BCV28
EF
BCV29
C
E
C
B
SOT89
绝对最大额定值。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25°C
工作和存储温度
范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
价值
40
30
10
800
500
1
-65到+150
单位
V
V
V
mA
mA
W
°C
电气特性（在T
AMB
= 25 ° C除非另有说明） 。
参数
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
发射极 - 基
击穿电压
集电极截止
当前
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
分钟。
40
30
10
100
10
100
1
1.5
4000
10000
20000
4000
150
3.5
兆赫
pF
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
nA
A
nA
V
V
条件。
I
C
=100A
I
C
=10mA*
I
E
=10A
V
CB
=30V
V
CB
= 30V ，T
AMB
=150°C
V
EB
=4V
I
C
= 100mA时我
B
-0.1mA*
I
C
= 100mA时我
B
=0.1mA*
I
C
= 100μA ，V
CE
=1V
I
C
= 10毫安，V
CE
=5V*
I
C
= 100mA时V
CE
=5V*
I
C
= 500毫安，V
CE
=5V*
I
C
= 50mA时V
CE
=5V
F = 20MHz的
V
CB
= 10V ， F = 1MHz的
发射极截止电流I
EBO
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
静态正向电流
FE
传输比
跃迁频率
输出电容
f
T
C
敖包
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300μS 。占空比
≤2%
对于典型的图表看FMMT38A数据表
??定期抽样测试而已。
辣妹参数数据可应要求提供此设备
3 - 24
分立半导体
数据表
书， halfpage
M3D109
BCV29 ; BCV49
NPN达林顿晶体管
产品speci fi cation
取代1997年的数据04月21日
1999年4月08
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN达林顿晶体管
特点
大电流（最大500 mA）的
低电压（最大60伏）
高直流电流增益（最小值20000） 。
应用
前置放大器输入的应用。
描述
NPN小信号达林顿在表面贴装晶体管
SOT89塑料包装。 PNP补充： BCV28和
BCV48.
1
2
3
手册， halfpage
BCV29 ; BCV49
钉扎
针
1
2
3
辐射源
集热器
BASE
描述
3
2
TR1
TR2
1
MAM300
记号
底部视图
类型编号
BCV29
BCV49
标识代码
EF
EG
Fig.1
简体外形（ SOT89 ）和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
BCV29
BCV49
V
CES
集电极 - 发射极电压
BCV29
BCV49
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘1厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“散热考虑SOT89在总则部分相关的手册” 。
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
集电极开路
V
BE
= 0
T
AMB
≤
25
°C;
注1
65
65
30
60
10
500
1
200
1.3
+150
150
+150
V
V
V
mA
A
mA
W
°C
°C
°C
参数
集电极 - 基极电压
条件
发射极开路
40
80
V
V
分钟。
马克斯。
单位
1999年4月08
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN达林顿晶体管
热特性
符号
R
日J-一
R
第j个-S
记
参数
从结点到环境的热阻
热阻结到焊接点
条件
注1
BCV29 ; BCV49
价值
96
16
单位
K / W
K / W
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘1厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“散热考虑SOT89在总则部分相关的手册” 。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
BCV29
BCV49
I
EBO
h
FE
发射极截止电流
直流电流增益
BCV29
参数
集电极截止电流
I
E
= 0; V
CB
= 30 V
I
E
= 0; V
CB
= 60 V
I
C
= 0; V
EB
= 10 V
V
CE
= 5 V ;见图2
I
C
= 1毫安
I
C
= 10毫安
I
C
= 100毫安
I
C
= 500毫安
直流电流增益
BCV49
V
CE
= 5 V ;见图2
I
C
= 1毫安
I
C
= 10毫安
I
C
= 100毫安
I
C
= 500毫安
V
CESAT
V
BESAT
V
BEON
f
T
集电极 - 发射极饱和电压I
C
= 100毫安;我
B
- 0.1毫安
基射极饱和电压
基极 - 发射极导通电压
跃迁频率
I
C
= 100毫安;我
B
- 0.1毫安
I
C
= 10毫安; V
CE
= 5 V
2000
4000
10000
2000
220
1
1.5
1.4
V
V
V
兆赫
4000
10000
20000
4000
100
100
100
nA
nA
nA
条件
分钟。
典型值。
MAX 。 UNIT
I
C
= 30毫安; V
CE
= 5 V ; F = 100 MHz的
1999年4月08
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN达林顿晶体管
BCV29 ; BCV49
手册，全页宽
80000
的hFE
MGD837
60000
40000
20000
0
10
1
1
10
10
2
IC （MA ）
10
3
V
CE
= 2 V.
图2直流电流增益;典型值。
1999年4月08
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN达林顿晶体管
包装外形
塑料表面贴装封装;收集垫为良好的传热; 3引线
BCV29 ; BCV49
SOT89
D
B
A
b3
E
HE
L
1
2
b2
3
c
w
M
b1
e
1
e
0
2
规模
4 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
1.6
1.4
b1
0.48
0.35
b2
0.53
0.40
b3
1.8
1.4
c
0.44
0.37
D
4.6
4.4
E
2.6
2.4
e
3.0
e1
1.5
HE
4.25
3.75
L
分钟。
0.8
w
0.13
概要
VERSION
SOT89
参考文献：
IEC
JEDEC
EIAJ
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
1999年4月08
5
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推荐型号
B43511
B25650-E2508
BD7562F-E2
B25H2S20DL
B82442T1153K050
BCM97320
B6CS23
BAT54/A/C/S
BZT16
B41252B8158M000
BAS16_
BUK427-600A
B5J2R4E
BSP170PE6327T
BD45435
BFY39-3
B37940J2100D570
BA277
BFC237015564
BSC150N03LDG
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BCV29
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市创芯联盈电子有限公司
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电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
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BCV29
Infineon Technologies
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74220
SOT-89
代理Infineon Technologies专营，原装现货优势
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联系人：李先生【原装正品,可开发票】
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BCV29
NXP
24+
300
SOT
原装正品现货，可开增值税专用发票
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电话：0755-83242658
联系人：廖先生
地址：广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
BCV29
NXP
24+
15000
SOT
100%原装正品，只做原装正品
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电话：0755-22929859
联系人：朱先生
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BCV29
Nexperia
2025+
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【原装优势★★★绝对有货】
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BCV29
PHILIPS/飞利浦
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9600
SOT89
原装现货！接受验货！支技实单！
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联系人：林小姐 胡先生 张先生
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BCV29
PHILIPS
24+
4000
SOT-89
授权分销 现货热卖
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BCV29
NEXPERIA/安世
2443+
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一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市诺洋电子科技有限公司
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电话：0755-83223003
联系人：朱
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BCV29
NEXPERIA/安世
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全新原装现货，原厂代理。
深圳市华斯顿电子科技有限公司
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联系人：朱咸华
地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
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电话：13711580601
联系人：郭
地址：深圳市福田区华强北华强广场B座
BCV29
NXP
22+/23+
1000
TSSOP
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