BCV26
BCV26
C
E
SOT-23
马克： FD
B
PNP达林顿晶体管
该器件是专为需要极高的应用
电流增益电流为800毫安。从工艺61采购。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
30
40
10
1.2
-55到+150
单位
V
V
V
A
°C
3
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
3)
所有的电压（V）和电流（A）中是负的极性为PNP晶体管。
热特性
符号
P
D
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到环境
最大
*BCV26
350
2.8
357
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
*
设备安装在FR-4电路板40毫米×40毫米×1.5毫米。
1997
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
BCV26
PNP达林顿晶体管
（续）
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
民
典型值
最大单位
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
I
C
= 10 mA时，我
B
= 0
I
C
= 10
A,
I
E
= 0
I
E
= 100 nA的，我
C
= 0
V
CB
= 30 V，I
E
= 0
V
EB
= 10 V，I
C
= 0
30
40
10
0.1
0.1
V
V
V
A
A
基本特征
h
FE
直流电流增益
I
C
= 1.0毫安， V
CE
= 5.0 V
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V
I
C
= 100毫安， V
CE
= 5.0 V
I
C
= 100毫安，我
B
- 0.1毫安
I
C
= 100毫安，我
B
- 0.1毫安
4,000
10,000
20,000
1.0
1.5
V
V
V
CE（
SAT
)
V
BE （
SAT
)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
小信号特性
f
T
C
C
电流增益 - 带宽积
集电极电容
I
C
= 30 mA时， V
CE
= 5.0 V,
F = 100 MHz的
V
CB
= 30 V，I
E
= 0中，f = 1.0兆赫
220
3.5
兆赫
pF
注意：
所有的电压（V）和电流（A）中是负的极性为PNP晶体管。
典型特征
典型的脉冲电流增益
VS集电极电流
50
V
CE
= 5V
40
30
20
10
0
0.01
125 °C
V
CESAT
- 集电极EMITTE 电压（ V）
h
FE
- 典型的脉冲电流增益（ K）
集电极 - 发射极饱和
电压Vs集电极电流
1.6
β
= 1000
1.2
- 40 °C
0.8
25 °C
125 °C
25 °C
- 40 °C
0.4
0.1
I
C
- 集电极电流（ A）
1
0
0.001
0.01
0.1
I
C
- 集电极电流（ A）
1
BCV26
PNP达林顿晶体管
（续）
典型特征
（续）
2
1.6
1.2
0.8
0.4
V
BE （ON）的
- 基极发射极电压（ V）
V
BESAT
- 基本EMITTE 电压（ V）
基射极饱和
电压Vs集电极电流
β
= 1000
- 40 °C
基极发射极电压ON VS
集电极电流
2
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0.001
V
CE
= 5V
- 40 °C
25 °C
125 °C
25 °C
125 °C
0
0.001
0.01
0.1
I
C
- 集电极电流（ A）
1
0.01
0.1
I
C
- 集电极电流（ A）
1
集电极截止电流
VS环境温度
I
CBO
- COLLE CTOR电流（ NA）
100
16
输入和输出电容
VS反向偏置电压
F = 1.0 MHz的
电容（pF）
12
V
CB
= 15V
10
1
8
C
ib
4
C
ob
3
0.1
0.01
25
50
75
100
T
A
- AMBIE NT TEMP ERATURE （
°
C)
125
0
0.1
1
10
反向电压（ V）
100
功耗与
环境温度
350
P
D
- 功耗（MW ）
300
250
200
150
100
50
0
0
25
50
75
100
温度（
o
C)
125
150
SOT-23
SOT- 23磁带和卷轴数据
SOT- 23封装
CON组fi guration ：
图1 。
0
定制香格里拉
BEL
包装说明：
SOT- 23零件运胶带。载带是
从耗散取得（碳填写）聚碳酸酯
树脂。盖带是一米
ultilayer膜（热激活
胶粘剂在NA
TURE ）主要由聚酯薄膜，
粘合剂层， sealan和一个
t,
TI静电喷涂剂。
在斯坦RD选项，这些跌跌撞撞PA是shippe与
RTS
da
d
3000个单位7"或177厘米卷筒直径。卷轴是
深蓝色的颜色是由聚苯乙烯塑料（抗
d
静电涂层行吟选项来10000个单位13"
).
r
或330厘米卷筒直径。这和s
青梅其他选项
在P描述
d
ackaging信息表。
这些满盘都是individua labele内部放置
LLY
d d
A S
坦达中间由可回收的瓦楞纸
rd
棕色PAP与Fairchil 标志打印。一个比萨盒
er
包含最多八个卷轴。与THES中间物
e
在Iate
箱子被放置在一个标有出货箱，
有不同的大小取决于T E NU
h
部分MBER
shippe
d.
防静电盖带
人类可读
LABEL
压花
载带
3P
SOT- 23封装信息
包装选项
包装类型
每卷/管材/袋数量
带尺寸
箱尺寸（mm ）
每箱数量最多
每单位重量（克）
每卷重量（kg ）
注/评论
标准
（无码流
)
TNR
3,000
7"迪亚
187x107x183
24,000
0.0082
0.1175
D87Z
TNR
10,000
13"
343x343x64
30,000
0.0082
0.4006
3P
3P
3P
SOT- 23单元方向
343毫米X 342毫米X 64毫米
对于L87Z选项框的中间
人类可读的标签
人类可读的标签样本
乌曼可读
LABEL
SOT- 23磁带片头和片尾
CON组fi guration ：
图2中。
0
187毫米X 107毫米X 183毫米
中间的框架选件
ARD
载带
盖带
组件
拖车带
300毫米最小或
75抢先 POC凯茨
引导带
500毫米最小或
125皆空
2000仙童半导体国际
1999年9月，版本C
SOT- 23磁带和卷轴数据，继续
SOT- 23压花载带
CON组fi guration ：
图3.0
P0
T
E1
P2
D0
D1
F
E2
B0
Wc
W
Tc
K0
P1
A0
饲料用户方向
尺寸均为毫米
PKG型
SOT-23
(8mm)
A0
3.15
+/-0.10
B0
2.77
+/-0.10
W
8.0
+/-0.3
D0
1.55
+/-0.05
D1
1.125
+/-0.125
E1
1.75
+/-0.10
E2
6.25
民
F
3.50
+/-0.05
P1
4.0
+/-0.1
P0
4.0
+/-0.1
K0
1.30
+/-0.10
T
0.228
+/-0.013
Wc
5.2
+/-0.3
Tc
0.06
+/-0.02
备注： A0，B0 ，和K0尺寸相对于所述的EIA / JEDEC的RS- 481测定
旋转和横向移动的要求（见草图A， B和C ） 。
最高20度
典型
部件
空穴
中线
0.5mm
最大
B0
20度的最大组成部分旋转
0.5mm
最大
素描A（侧面或正面剖视图）
体旋转
A0
素描B（顶视图）
典型
部件
中线
素描C（顶视图）
组件横向移动
SOT- 23卷配置：
图4.0
体旋转
W1测得中心
黯淡了
最大
黯淡了
最大
昏暗的
详细信息，请参阅AA
7"直径选项
B敏
尺寸C
详细信息，请参阅AA
W3
昏暗的
民
13"直径选项
W2最大的测量中心
DETAIL AA
尺寸为英寸和毫米
磁带尺寸
8mm
REEL
选项
7"迪亚
黯淡了
7.00
177.8
13.00
330
昏暗的B
0.059
1.5
0.059
1.5
尺寸C
512 +0.020/-0.008
13 +0.5/-0.2
512 +0.020/-0.008
13 +0.5/-0.2
昏暗的
0.795
20.2
0.795
20.2
昏暗的
2.165
55
4.00
100
昏暗W1
0.331 +0.059/-0.000
8.4 +1.5/0
0.331 +0.059/-0.000
8.4 +1.5/0
昏暗的W2
0.567
14.4
0.567
14.4
朦胧W3 （ LSL - USL ）
0.311 – 0.429
7.9 – 10.9
0.311 – 0.429
7.9 – 10.9
8mm
13"迪亚
1999年9月，版本C
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