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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第497页 > BCR553
BCR553
PNP硅晶体管数字
开关电路,逆变器,接口电路,
驱动电路
内置偏置电阻(R
1
=2.2k ,
R
2
=2.2k )


C
3
3
热阻
结 - 焊接点
1)
R
thjs


2
1
VPS05161
R
1
R
2
1
B
2
E
EHA07183
TYPE
BCR553
最大额定值
参数
记号
XBS
1=B
引脚配置
2=E
3=C
SOT23
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
V
我(上)
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
价值
50
50
10
12
500
330
150
-65 ... 150
单位
V
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
DC集电极电流
总功耗,
T
S
= 79 °C
结温
储存温度
mA
mW
°C

215
K / W
1对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
1
Dec-13-2001
BCR553
电气特性
at
T
A
= 25℃ ,除非另有说明
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 100 A,
I
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10 A,
I
E
= 0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 40 V,
I
E
= 0
发射Cuto FF电流
V
EB
= 10 V,
I
C
= 0
直流电流增益1 )
I
C
= 50毫安,
V
CE
= 5 V
集电极 - 发射极饱和电压1 )
I
C
= 50毫安,
I
B
= 2.5毫安
输入过电压
I
C
= 100 A,
V
CE
= 5 V
输入电压
I
C
= 10毫安,
V
CE
= 0.3 V
电阻率
R
1
/R
2
输入电阻
V
我(上)
R
1
V
我(关闭)
V
CESAT
h
FE
I
EBO
I
CBO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
典型值。
马克斯。
单位
50
50
-
-
40
-
0.6
1
1.5
0.9
-
-
-
-
-
-
-
-
2.2
1
-
-
100
3.5
-
0.3
1.5
1.8
2.9
1.1
V
nA
mA
-
V
-
AC特性
跃迁频率
I
C
= 50毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
f
T
-
150
-
兆赫
1 )脉冲测试:吨< 300秒; < 2 %
2
Dec-13-2001

k

BCR553
直流电流增益
h
FE
=
F(我
C
)
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE
= 5V (共发射极配置)
10
3
-
V
CESAT
=
f
(I
C
),
h
FE
= 20
10
3
mA
10
2
h
FE
10
2
10
1
I
C
10
1
10
0
10
-1 -1
10
0
1
2
10
10
10
mA
10
3
10
0
0.0
0.2
0.4
0.6
V
1.0
I
C
V
CESAT
输入电压
V
我(上)
=
f
(I
C
)
输入过电压
V
我(关闭)
=
f
(I
C
)
V
CE
= 0.3V (共发射极配置)
10
3
mA
V
CE
= 5V (共发射极配置)
10
1
mA
10
2
10
0
I
C
10
1
10
0
10
-1
10
-1
10
-2 -1
10
I
C
0
1
10
10
V
10
2
10
-2
0.0
0.5
1.0
V
2.0
V
我(上)
V
我(关闭)
3
Dec-13-2001
BCR553
总功耗
P
合计
=
f
(T
S
)
400
mW
300
P
合计
250
200
150
100
50
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
150
T
S
允许的脉冲负载
R
thjs
=
f
(t
p
)
允许的脉冲负载
P
totmax
/
P
totDC
=
f
(t
p
)
10
3
K / W
10
4
-
10
2
P
totmax
/ P
totDC
10
3
10
1
10
2
10
0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
R
thjs
10
1
10
-1 -6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
10
0 -6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
t
p
4
Dec-13-2001
BCR 553
PNP硅晶体管数字
开关电路,逆变器,接口电路,
驱动电路
内置偏置电阻(R
1
=采用2.2kΩ ,R
2
=2.2k)
TYPE
BCR 553
订购代码标识
XBS
Q62702-C2371
引脚配置
1=B
2=E
3=C
SOT-23
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
DC集电极电流
总功耗,
T
S
= 79
°C
结温
储存温度
符号
50
50
10
12
500
330
150
- 65 ... + 150
mA
mW
°C
单位
V
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
V
我(上)
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
热阻
交界处的环境
1)
R
thJA
R
thjs
325
215
K / W
结 - 焊接点
1 )包装安装在印刷电路板40× 40× 1.5毫米/ 6厘米
2
Cu
半导体集团
1
Nov-27-1996
BCR 553
电气特性
at
T
A
= 25℃ ,除非另有说明
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
典型值。
马克斯。
单位
V
( BR ) CEO
50
-
-
-
-
-
-
-
-
2.2
1
-
-
V
I
C
= 100 A,
I
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压
V
( BR ) CBO
50
I
C
= 10 A,
I
B
= 0
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
-
100
nA
mA
-
3.5
-
40
-
V
-
0.3
1.5
1.8
2.9
1.1
k
-
V
CB
= 40 V,
I
E
= 0
发射Cuto FF电流
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我(关闭)
0.6
V
EB
= 10 V,
I
C
= 0
直流电流增益
I
C
= 50毫安,
V
CE
= 5 V
集电极 - 发射极饱和电压1 )
I
C
= 50毫安,
I
B
= 2.5毫安
输入过电压
I
C
= 100 A,
V
CE
= 5 V
输入电压
V
我(上)
1
I
C
= 10毫安,
V
CE
= 0.3 V
输入电阻
电阻率
AC特性
跃迁频率
R
1
R
1
/R
2
f
T
1.5
0.9
兆赫
-
150
-
I
C
= 50毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
1 )脉冲测试:吨< 300μS ; < 2 %
半导体集团
2
Nov-27-1996
BCR 553
直流电流增益
h
FE
=
F(我
C
)
V
CE
= 5V (共发射极配置)
集电极 - 发射极饱和电压
V
CESAT
=
F(我
C
),
h
FE
= 20
10
3
-
10
3
mA
h
FE
10
2
I
C
10
2
10
1
10
1
10
0
10
-1
-1
10
10
0
10
1
10
2
mA
I
C
10
0
0.0
0.2
0.4
0.6
V
1.0
V
CESAT
输入电压
V
我(上)
=
F(我
C
)
V
CE
= 0.3V (共发射极配置)
输入过电压
V
我(关闭)
=
F(我
C
)
V
CE
= 5V (共发射极配置)
10
3
mA
10
1
mA
I
C
10
2
I
C
10
0
10
1
10
0
10
-1
10
-1
10
-2
-1
10
10
0
10
1
V
V
我(上)
10
-2
0.0
0.5
1.0
V
2.0
V
我(关闭)
半导体集团
3
Nov-27-1996
BCR 553
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
*;T
S
)
*包装安装在环氧
400
mW
P
合计
300
T
S
T
A
250
200
150
100
50
0
0
20
40
60
80
100
120 °C 150
T
A
,T
S
允许的脉冲负载
R
thjs
=
F(T
p
)
允许的脉冲负载
P
totmax
/
P
totDC
=
F(T
p
)
10
3
10
4
K / W
-
R
thjs
10
2
P
totmax
/P
totDC
10
3
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
10
2
10
0
10
1
10
-1
-6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
s 10
t
p
-1
0
10
0
-6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
s 10
t
p
-1
0
半导体集团
4
Nov-27-1996
BCR553
PNP硅晶体管数字
内置偏置电阻(R
1
= 2.2 k,
R
2
= 2.2 k)
无铅(符合RoHS标准)封装
1)
合格的依据AEC Q101
3
1
2
C
3
R
1
R
2
1
B
2
E
EHA07183
TYPE
BCR553
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
输入正向电压
输入反向电压
集电极电流
总功率dissipation-
T
S
79 °C
结温
储存温度
热阻
参数
结 - 焊接点
2)
1
含有铅,
2
记号
XBS
引脚配置
1=B
2=E
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
我( FWD )
V
我( REV )
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
符号
R
thjs
3=C
SOT23
价值
50
50
20
10
500
330
150
mA
mW
°C
单位
V
-65 ... 150
价值
215
单位
K / W
包可能是可根据特殊要求
计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
1
2007-07-31
BCR553
电气特性
at
T
A
= 25℃ ,除非另有说明
符号
单位
参数
分钟。
典型值。马克斯。
DC特性
-
-
集电极 - 发射极击穿电压
V
( BR ) CEO
50
V
I
C
= 100 A,
I
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10 A,
I
E
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 50 V,
I
E
= 0
发射基截止电流
V
EB
= 10 V,
I
C
= 0
直流电流GAIN-
I
C
= 50毫安,
V
CE
= 5 V
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 50毫安,
I
B
= 2.5毫安
输入过电压
I
C
= 100 A,
V
CE
= 5 V
输入电压
I
C
= 10毫安,
V
CE
= 0.3 V
输入电阻
电阻率
R
1
R
1
/R
2
1.5
0.9
2.2
1
2.9
1.1
k
-
V
我(上)
1
-
1.8
V
我(关闭)
0.6
-
1.5
V
CESAT
-
-
0.3
V
h
FE
40
-
-
-
I
EBO
-
-
3.5
mA
I
CBO
-
-
100
nA
V
( BR ) CBO
50
-
-
AC特性
跃迁频率
I
C
= 50毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
1
脉冲
f
T
-
150
-
兆赫
测试:吨< 300μS ; < 2 %
2
2007-07-31
BCR553
直流电流增益
h
FE
=
(I
C
)
V
CE
= 5 V (共发射极配置)
10
3
集电极 - 发射极饱和电压
V
CESAT
=
(I
C
),
I
C
/I
B
= 20
0.5
V
10
2
0.4
V
CESAT
0.35
0.3
0.25
0.2
h
FE
10
1
-40 °C
-25 °C
25 °C
85 °C
125 °C
10
0
-40 °C
-25 °C
25 °C
85 °C
125 °C
0.15
0.1
0.05
10
-1 -4
10
10
-3
10
-2
10
-1
A
10
0
0
-2
10
10
-1
A
10
0
I
C
I
C
输入电压
V
i
(上)
=
(I
C
)
V
CE
= 0.3V (共发射极配置)
10
2
输入过电压
V
我(关闭)
=
(I
C
)
V
CE
= 5V (共发射极配置)
10
1
V
V
我(关闭)
V
我(上)
10
1
-40 °C
-25 °C
25 °C
85 °C
125 °C
V
-40 °C
-25 °C
25 °C
85 °C
125 °C
10
0
10
0
10
-1 -4
10
10
-3
10
-2
10
-1
A
10
0
10
-1 -5
10
10
-4
10
-3
A
10
-2
I
C
I
C
3
2007-07-31
BCR553
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
允许的脉冲负载
R
thjs
=
(t
p
)
400
mW
10
3
K / W
300
10
2
250
R
thjs
10
1
P
合计
200
150
10
0
100
50
10
-1 -6
10
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
150
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
T
S
t
p
允许的脉冲负载
P
totmax
/P
totDC
=
(t
p
)
10
4
-
P
totmax
/P
totDC
10
3
10
2
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
1
10
0 -6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
4
2007-07-31
SOT23封装
BCR553
包装外形
0.15分钟。
1
±0.1
0.1最大。
1.3
±0.1
2.9
±0.1
3
B
2.4
±0.15
10最大。
1)
0.4
+0.1
-0.05
1
2
10最大。
C
0.95
1.9
0.08...0.1
A
5
0...8
0.25
M
B C
0.2
M
A
1 )导线宽度可以是0.6最大。在密封条领域
FOOT PRINT
0.8
0.9
0.8
1.2
标记版面(例)
生产厂家
EH
s
销1
0.9
1.3
2005年六月
日期代码( YM )
BCW66
型号代码
标准包装
盘180毫米= 3.000件/卷
盘330毫米= 10.000件/卷
4
0.9
2.13
2.65
0.2
8
销1
3.15
1.15
5
2007-07-31
查看更多BCR553PDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BCR553
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
BCR553
INFINEON/英飞凌
2443+
23000
SOT-23
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1686616797 复制 点击这里给我发消息 QQ:2440138151 复制
电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
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