【BCR 400W有源偏置控制器特征提供稳定的偏置电流，即使在低电池电压和极端环境温度变化0.7V的低】,IC型号BCR400WQ62702C2481,BCR400WQ62702C2481 PDF资料,BCR400WQ62702C2481经销商,ic,电子元器件-51电子网

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BCR 400W

有源偏置控制器

特征

提供稳定的偏置电流，即使在低电池电压

和极端环境温度变化

0.7V的低电压降

应用笔记

稳定的偏置电流的NPN型晶体管和场效应管从

从不到0.2毫安最多不超过200毫安

理想的补充SIEGET和其他射频晶体管

也可作为电流源达5毫安

TYPE

订购代码标识引脚配置

包

BCR 400W W4S

Q62702-C2481

1

GND / E

NPN

2

对照/ B

NPN

3

V

S

4

REXT / C

NPN

SOT-343

(E

NPN

,B

NPN

,C

NPN

有一个稳定的NPN晶体管的电极）

最大额定值

参数

电源电压

控制电流

控制电压

所有终端之间的反向电压

总功耗，

T

S

= 117°C

结温

储存温度

热阻

交界处的环境

1)

符号

值

18

10

16

0.5

330

150

- 65 ... + 150

≤

170

≤

100

单位

V

mA

V

mW

°C

V

S

I

对照。

V

对照。

V

R

P

合计

T

j

T

英镑

R

thJA

R

thjs

K / W

结 - 焊接点

1 ）包装安装在印刷电路板40× 40× 1.5毫米/ 6厘米

2

Cu

半导体集团

1

Nov-27-1996

BCR 400W

电气特性

at

T

A

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

分钟。

DC特性

额外的电流消耗

值

典型值。

马克斯。

单位

I

0

-

20

0.1

40

A

mA

-

-

V

S

= 3 V

最低稳定电流

I

民

V

S

= 3 V

有稳定的NPN晶体管直流特性

最低足够的电池电压

V

SMIN

-

1.6

0.65

0.08

0.15

0.2

-

-

V

I

B（ NPN ）

＆ LT ; 0.5毫安

电压降

(V

S

-

V

CE

)

V

降

-

I

C

/I

C

-

I

C

/I

C

-

I

C

/I

C

-

-

-

%/K

-

ΔVS / VS

ΔhFE / hFE参数

I

C

= 25毫安

变化

I

C

与

h

FE

h

FE

＆ GT ; 50

变化

I

C

与

V

S

V

S

> 3 V

变化

I

C

与

T

A

半导体集团

2

Nov-27-1996

BCR 400W

集电极电流

I

C

=

转到f（h

FE

)

I

C

和

h

FE

指企稳NPN晶体管

参数

R

分机。

()

10

3

mA

集电极电流

I

C

=

F（V

S

)

的稳定NPN晶体管

参数

R

分机。

()

10

3

mA

2.1

5.9

12.4

I

C

10

2

5.9

I

C

10

2

10

1

67

10

1

67

10

0

760

10

0

760

4.3k

10

-1

0

10

-1

0

50

100

150

200

250

-

350

h

FE

2

4

6

8

V

V

S

11

电压降

V

降

=

F（我

C

)

集电极电流

I

C

=

F （R

分机。

)

的稳定NPN晶体管

1.0

10

3

mA

V

降

V

I

C

10

2

0.8

10

1

0.7

10

0

0.6

0.5

-2

10

10

-1

10

0

10

1

10

2

10毫安

3

10

-1

0

10

10

1

10

2

10

3

I

C

欧姆

R

分机。

半导体集团

3

Nov-27-1996

BCR 400W

集电极电流

T

A

=

F（我

C

)

的稳定NPN晶体管

参数：

R

分机。

()

10

3

mA

控制电流

I

=

F （R

分机。

)

在电流源的应用

10

1

I

C

2.2

10

2

I

对照。

mA

6

26

10

1

65

10

0

290

10

0

760

4.3k

10

-1

-40 -20

0

20

40

60

80 100 120 °C 160

T

A

10

-1

-1

10

10

0

10

1

10

2

千欧

R

分机。

控制电流

I

=

F（T

A

)

在电流源的应用

控制电流

I

=

F（V

S

)

在电流源的应用

1.5

mA

1.3

2.0

mA

I

对照。

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.0

-20

I

对照。

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

0

20

40

60

°C

T

A

100

0

1

2

3

4

5

6

7

8

V

V

S

10

半导体集团

4

Nov-27-1996

BCR 400W

总功耗

P

合计

=

f

(T

A

*;T

S

)

*包装安装在环氧

400

mW

P

合计

300

需要注意的是最多

T

S

= 130°C

T

S

T

A

它不可能超过

P

合计

尊重最高

评级

V

S

和

I

对照。

集电极或漏极

电流（分别）的

稳定的RF晶体管

250

200

150

100

不影响的BCR 400

直接，因为它提供了只

基极电流。

50

0

0

20

40

60

80

100

120 °C 150

T

A

,T

S

典型应用的GaAs FET

与有源偏置控制器

半导体集团

5

Nov-27-1996

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