三菱半导体
\u003c TRIAC \u003e
BCR3KM
低功耗的
绝缘型，平面型钝化
BCR3KM
外形绘图
10
±
0.3
6.5
±
0.3
3
±
0.3
尺寸（mm）
2.8
±
0.2
15
±
0.3
φ
3.2
±
0.2
14
±
0.5
3.6
±
0.3
1.1
±
0.2
1.1
±
0.2
0.75
±
0.15
E
0.75
±
0.15
2.54
±
0.25
2.54
±
0.25
4.5
±
0.2
2.6
±
0.2
V
测量点
外壳温度
.................................................................. 3A
q
V
DRM
...................................................... 400V / 600V
q
I
FGT
!
, I
RGT
!
, I
RGT
#
................... 15毫安（10mA拉）
V2
q
I
T（ RMS ）
q
UL
T
1
终奌站
T
2
终奌站
栅极端子
确认：文件编号E80271
TO-220FN
应用
加热器的控制，如电饭煲，电热壶
最大额定值
符号
V
DRM
V
帝斯曼
参数
重复峰值断态电压
V1
非重复峰值断态
电压
V1
电压等级
8
400
500
12
600
720
单位
V
V
符号
I
T（ RMS ）
I
TSM
I
2t
P
GM
P
G（ AV ）
V
GM
I
GM
T
j
T
英镑
—
V
ISO
参数
RMS通态电流
浪涌通态电流
I
2t
对于融合
栅极峰值功耗
平均门功耗
峰值栅极电压
栅极峰值电流
结温
储存温度
重量
隔离电压
条件
商用频率，正弦波全波360 °传导，TC = 111℃
60Hz的正弦波1完整周期，峰值，非重复性
相当于半波60Hz的1个周期的价值，浪涌通态
当前
评级
3
30
3.7
3
0.3
6
0.5
–40 ~ +125
–40 ~ +125
2.0
单位
A
A
A
2
s
W
W
V
A
°C
°C
g
V
Feb.1999
T
a
= 25 ° C， AC 1分钟，T
1
· T
2
·G终端的情况下
2000
V1.
门敞开着。
三菱半导体
\u003c TRIAC \u003e
BCR3KM
低功耗的
绝缘型，平面型钝化
电气特性
符号
I
DRM
V
TM
V
FGT
!
V
RGT
!
V
RGT
#
I
FGT
!
I
RGT
!
I
RGT
#
V
GD
R
日（J -C ）
R
号（j -a）的
参数
重复峰值断态电流
通态电压
!
测试条件
T
j
= 125°C ，V
DRM
应用的
T
c
= 25 ° C，I
TM
= 4.5A ，瞬时测量
范围
分钟。
—
—
—
—
—
—
—
—
0.2
—
—
典型值。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
马克斯。
2.0
1.5
1.5
1.5
1.5
15
V2
15
V2
15
V2
—
4.0
50
单位
mA
V
V
V
V
mA
mA
mA
V
°C/
W
°C/
W
门极触发电压
V2
@
#
!
T
j
= 25 ° C，V
D
= 6V ，R
L
=6, R
G
=330
门极触发
当前
V2
@
#
T
j
= 25 ° C，V
D
= 6V ，R
L
=6, R
G
=330
T
j
= 125°C ，V
D
=1/2V
DRM
结到
例
V3
结到环境
门非触发电压
热阻
热阻
V2.
高灵敏度（我
GT
≤
10毫安）也是可用的。 （我
GT
项
)
V3.
接触热阻R
TH（ C-F ）
万一润滑的是0.5℃/ W的
性能曲线
最大通态
特征
额定浪涌通态
当前
40
浪涌通态电流（A）
通态电流（A ）
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
T
C
= 25°C
35
30
25
20
15
10
5
0
10
0
2 3 4 5 7 10
1
2 3 4 5 7 10
2
10
0
7
5
3
2
10
–1
0.6 1.0 1.4 1.8 2.2 2.6 3.0 3.4 3.8
通态电压（V ）
导通时间
（周期为60Hz ）
Feb.1999
三菱半导体
\u003c TRIAC \u003e
BCR3KM
低功耗的
绝缘型，平面型钝化
10
2
7
5
3
2
100 (%)
GATE特性
(Ι,
ΙΙ
和
ΙΙΙ)
门极触发电流VS.
结温
10
3
7
5
4
3
2
10
2
7
5
4
3
2
典型的例子
门极触发电流（T
j
= T ° C）
门极触发电流（T
j
= 25°C)
栅极电压（ V）
10
1
7
5
3
V
GT
2
P
GM
= 3W
I
GM
=
0.5A
I
RGT III
P
G（ AV ）
= 0.3W
I
FGT我
,
I
RGT我
10
0
7
5
3
2
I
RGT我
I
我FGM
,
I
RGM III
V
GD
= 0.2V
10
–1 0
10
2 3 5 7
10
1
2 3 5 7
10
2
2 3 5 7
10
3
栅极电流（毫安）
10
1
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温（ ° C）
最大瞬态热
阻抗特性
（结点到外壳）
100 (%)
门极触发电压Vs
结温
10
3
7
5
4
3
2
10
2
7
5
4
3
2
10
1
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温（ ° C）
典型的例子
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
10
2
2 3 5 7 10
3
2 3 5 7
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
10
–1
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
导通时间
（周期为60Hz ）
门极触发电压（T
j
= T ° C）
门极触发电压（T
j
= 25°C)
最大瞬态热
阻抗特性
（结到环境）
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
7
5
4
3
2
最大导通功率
耗散
通态功耗（ W）
10
2
5.0
4.5
4.0 360°
3.5传导
电阻式，
3.0电感
2.5载荷
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
RMS通态电流（A ）
10
1
7
5
4
3
2
10
0 2
10
2 3 5 7
10
3
2 3 5 7
10
4
2 3 5 7
10
5
导通时间
（周期为60Hz ）
Feb.1999
三菱半导体
\u003c TRIAC \u003e
BCR3KM
低功耗的
绝缘型，平面型钝化
允许外壳温度
VS. RMS通态电流
130
110曲线适用
无论何种
传导的100
90角
80
70
60 360°
传导
50电阻式，
40 INDUCTIVE
负载
30
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
RMS通态电流（A ）
环境温度（ ℃）
120
外壳温度（ ° C）
允许环境温度
VS. RMS通态电流
160
各鳍均为黑色绘
铝和润滑
140
120
100
80
60
40
20
0
0
1
2
3
曲线适用
不管
导通角
电阻式，
感性负载
自然对流
120 120 t2.3
100 100 t2.3
60 60 t2.3
4
5
6
7
8
RMS通态电流（A ）
重复峰值断态电流（T
j
= T ° C）
重复峰值断态电流（T
j
= 25°C)
环境温度（ ℃）
允许环境温度
VS. RMS通态电流
160
自然对流
NO FINS
140
曲线适用于基于何种
导通角
120
阻性，感性负荷
100
80
60
40
20
0
0
0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 2.8 3.2
RMS通态电流（A ）
重复峰值断态
当前VS. JUNCTION
温度
10
5
7
5
3
2
100 (%)
典型的例子
10
4
7
5
3
2
10
3
7
5
3
2
10
2
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温（ ° C）
100 (%)
保持电流VS.
结温
10
3
7
5
4
3
2
LACHING电流VS.
结温
10
3
7
5
3
2
典型的例子
维持电流（T
j
= T ° C）
维持电流（T
j
= 25°C)
10
2
7
5
3
2
10
2
7
5
4
3
2
10
1
7
5
10
1
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温（ ° C）
T
2
，G例
10
0
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温（ ° C）
3
+
+
2
T
2
, G
–
典型
–
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
LACHING电流（mA）
分配
+
T
2
, G
–
典型
例子
Feb.1999
三菱半导体
\u003c TRIAC \u003e
BCR3KM
低功耗的
绝缘型，平面型钝化
100 (%)
转折电压VS.
结温
100 (%)
转折电压VS.
增长速度的
断态电压
160
140
典型的例子
T
j
= 125°C
160
140
典型的例子
击穿电压（ dv / dt的= XV /μs的）
击穿电压（ dv / dt的= 1V /μs的）
击穿电压（T
j
= T ° C）
击穿电压（T
j
= 25°C)
120
100
80
60
40
20
0
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温（ ° C）
120
100
80
第三象限
60
40
20
0
10
1
2 3 5 7
10
2
2 3 5 7
10
3
2 3 5 7
10
4
增长速度OFF态电压（V /μs的）
我象限
门极触发电流VS.
栅电流脉冲宽度
100 (%)
门极触发特性测试电路
6
6
10
3
7
5
4
3
2
I
RGT III
I
RGT我
典型的例子
门极触发电流（ TW ）
门极触发电流（ DC ）
I
FGT我
6V
V
A
R
G
6V
V
A
R
G
10
2
7
5
4
3
2
测试程序
6
测试程序
6V
A
V
R
G
10
1
10
0
2
3 4 5 7
10
1
2
3 4 5 7
10
2
栅电流脉冲宽度（微秒）
测试程序
Feb.1999
QQ：2881677436 复制
