三菱半导体
\u003c TRIAC \u003e
BCR3AS
低功耗的
非绝缘型，平面型钝化
BCR3AS
外形绘图
尺寸
单位：mm
6.5
4
1.5±0.2
5.0±0.2
0.5±0.1
TYPE
名字
电压
类
5.5±0.2
0.9最大
1.0
2.3
2.3 MIN
1.0 MAX
10 MAX
0.5±0.2
0.8
2.3
2.3
测量点
外壳温度
1
2
3
1
2
33
4
T
1
终奌站
T
2
终奌站
栅极端子
T
2
终奌站
24
I
T（ RMS ）
........................................................................ 3A
V
DRM
..............................................................400V/600V
I
FGT
!
, I
RGT
!
, I
RGT
#
......................... 15毫安（10mA拉）
V2
应用
混合IC ，固态继电器，开关电源，调光器，
电风扇，电热毯，
家用设备的控制，如洗衣机，
其它通用控制应用
1
MP-3
最大额定值
符号
V
DRM
V
帝斯曼
参数
重复峰值断态电压
V1
非重复峰值断态
电压
V1
电压等级
8
400
500
12
600
720
单位
V
V
符号
I
T（ RMS ）
I
TSM
I
2t
P
GM
P
G（ AV ）
V
GM
I
GM
T
j
T
英镑
—
参数
RMS通态电流
浪涌通态电流
I
2t
对于融合
栅极峰值功耗
平均门功耗
峰值栅极电压
栅极峰值电流
结温
储存温度
重量
典型的价值
条件
商用频率的正弦波全波360度通电，T
c
=108°C
60Hz的正弦波1完整周期，峰值，非重复性
相当于半波60Hz的1个周期的价值，浪涌通态
当前
评级
3
30
3.7
3
0.3
6
0.3
–40 ~ +125
–40 ~ +125
0.26
单位
A
A
A
2
s
W
W
V
A
°C
°C
g
V1.
门敞开着。
Feb.1999
三菱半导体
\u003c TRIAC \u003e
BCR3AS
低功耗的
非绝缘型，平面型钝化
GATE特性
门极触发电流VS.
结温
100 (%)
栅极电压（ V）
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
P
GM
= 3W
P
G（ AV ）
= 0.3W
I
GM
=
0.5A
门极触发电流（T
j
= T ° C）
门极触发电流（T
j
= 25°C)
10
2
7
5
3
2
10
3
7
5
4
3
2
典型的例子
I
RGT III
I
FGT我，
I
RGT III
I
RGT我
10
2
I
FGT我，
I
RGT我
7
5
4
3
2
10
1
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温（ ° C）
V
GD
= 0.2V
10
–1
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
10
栅极电流（毫安）
门极触发电压Vs
结温
最大瞬态热
阻抗特性
（结点到外壳）
100 (%)
门极触发电压（T
j
= T ° C）
门极触发电压（T
j
= 25°C)
10
3
7
5
4
3
2
10
2
7
5
4
3
2
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
4.0
3.6
3.2
2.8
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
10
–1
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
导通时间
（周期为60Hz ）
典型的例子
10
1
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温（ ° C）
最大导通功率
耗散
允许外壳温度
VS. RMS通态电流
曲线适用于基于何种
导通角140
120
100
80
60
360°
40传导
电阻式，
20 INDUCTIVE
负载
0
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
RMS通态电流（A ）
160
通态功耗（ W）
10
8
360°
传导
6电阻式，
电感
负载
4
2
0
0
1
2
3
4
5
RMS通态电流（A ）
外壳温度（ ° C）
Feb.1999
三菱半导体
\u003c TRIAC \u003e
BCR3AS
低功耗的
非绝缘型，平面型钝化
重复峰值断态电流（T
j
= T ° C）
重复峰值断态电流（T
j
= 25°C)
环境温度（ ℃）
允许环境温度
VS. RMS通态电流
160
自然对流
NO FINS
140
曲线适用于基于何种
导通角
120
阻性，感性负荷
100
80
60
40
20
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
RMS通态电流（A ）
100 (%)
重复峰值断态
当前VS. JUNCTION
温度
10
5
7典型的例子
5
3
2
10
4
7
5
3
2
10
3
7
5
3
2
10
2
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温（ ° C）
保持电流VS.
结温
10
3
7
5
4
3
2
10
2
7
5
4
3
2
10
1
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温（ ° C）
典型的例子
LACHING电流（mA）
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
100 (%)
LACHING电流VS.
结温
10
0
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温（ ° C）
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
分配
+
T
2
, G
+
典型
½
– –
T
2
，G例
维持电流（T
j
= T ° C）
维持电流（T
j
= 25°C)
+
T
2
, G
–
典型
例子
100 (%)
转折电压VS.
结温
100 (%)
160
典型的例子
140
120
100
80
60
40
20
0
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100120 140
结温（ ° C）
转折电压VS.
增长速度的
断态电压
160
典型的例子
140
120
100
80
60
40
20
第三象限
T
j
= 125°C
击穿电压（ dv / dt的= XV /μs的）
击穿电压（ dv / dt的= 1V /μs的）
击穿电压（T
j
= T ° C）
击穿电压（T
j
= 25°C)
我象限
0
10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
2 3 5 7 10
4
增长速度OFF态电压（V /μs的）
Feb.1999
三菱半导体
\u003c TRIAC \u003e
BCR3AS
低功耗的
非绝缘型，平面型钝化
BCR3AS
外形绘图
尺寸
单位：mm
6.5
4
1.5±0.2
5.0±0.2
0.5±0.1
TYPE
名字
电压
类
5.5±0.2
0.9最大
1.0
2.3
2.3 MIN
1.0 MAX
10 MAX
0.5±0.2
0.8
2.3
2.3
测量点
外壳温度
1
2
3
1
2
33
4
T
1
终奌站
T
2
终奌站
栅极端子
T
2
终奌站
24
I
T（ RMS ）
........................................................................ 3A
V
DRM
..............................................................400V/600V
I
FGT
!
, I
RGT
!
, I
RGT
#
......................... 15毫安（10mA拉）
V2
应用
混合IC ，固态继电器，开关电源，调光器，
电风扇，电热毯，
家用设备的控制，如洗衣机，
其它通用控制应用
1
MP-3
最大额定值
符号
V
DRM
V
帝斯曼
参数
重复峰值断态电压
V1
非重复峰值断态
电压
V1
电压等级
8
400
500
12
600
720
单位
V
V
符号
I
T（ RMS ）
I
TSM
I
2t
P
GM
P
G（ AV ）
V
GM
I
GM
T
j
T
英镑
—
参数
RMS通态电流
浪涌通态电流
I
2t
对于融合
栅极峰值功耗
平均门功耗
峰值栅极电压
栅极峰值电流
结温
储存温度
重量
典型的价值
条件
商用频率的正弦波全波360度通电，T
c
=108°C
60Hz的正弦波1完整周期，峰值，非重复性
相当于半波60Hz的1个周期的价值，浪涌通态
当前
评级
3
30
3.7
3
0.3
6
0.3
–40 ~ +125
–40 ~ +125
0.26
单位
A
A
A
2
s
W
W
V
A
°C
°C
g
V1.
门敞开着。
Feb.1999
三菱半导体
\u003c TRIAC \u003e
BCR3AS
低功耗的
非绝缘型，平面型钝化
GATE特性
门极触发电流VS.
结温
100 (%)
栅极电压（ V）
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
P
GM
= 3W
P
G（ AV ）
= 0.3W
I
GM
=
0.5A
门极触发电流（T
j
= T ° C）
门极触发电流（T
j
= 25°C)
10
2
7
5
3
2
10
3
7
5
4
3
2
典型的例子
I
RGT III
I
FGT我，
I
RGT III
I
RGT我
10
2
I
FGT我，
I
RGT我
7
5
4
3
2
10
1
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温（ ° C）
V
GD
= 0.2V
10
–1
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
10
栅极电流（毫安）
门极触发电压Vs
结温
最大瞬态热
阻抗特性
（结点到外壳）
100 (%)
门极触发电压（T
j
= T ° C）
门极触发电压（T
j
= 25°C)
10
3
7
5
4
3
2
10
2
7
5
4
3
2
瞬态热阻抗（ ℃/ W）
4.0
3.6
3.2
2.8
2.4
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
10
–1
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
导通时间
（周期为60Hz ）
典型的例子
10
1
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温（ ° C）
最大导通功率
耗散
允许外壳温度
VS. RMS通态电流
曲线适用于基于何种
导通角140
120
100
80
60
360°
40传导
电阻式，
20 INDUCTIVE
负载
0
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
RMS通态电流（A ）
160
通态功耗（ W）
10
8
360°
传导
6电阻式，
电感
负载
4
2
0
0
1
2
3
4
5
RMS通态电流（A ）
外壳温度（ ° C）
Feb.1999
三菱半导体
\u003c TRIAC \u003e
BCR3AS
低功耗的
非绝缘型，平面型钝化
重复峰值断态电流（T
j
= T ° C）
重复峰值断态电流（T
j
= 25°C)
环境温度（ ℃）
允许环境温度
VS. RMS通态电流
160
自然对流
NO FINS
140
曲线适用于基于何种
导通角
120
阻性，感性负荷
100
80
60
40
20
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
RMS通态电流（A ）
100 (%)
重复峰值断态
当前VS. JUNCTION
温度
10
5
7典型的例子
5
3
2
10
4
7
5
3
2
10
3
7
5
3
2
10
2
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温（ ° C）
保持电流VS.
结温
10
3
7
5
4
3
2
10
2
7
5
4
3
2
10
1
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温（ ° C）
典型的例子
LACHING电流（mA）
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
100 (%)
LACHING电流VS.
结温
10
0
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100 120 140
结温（ ° C）
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
分配
+
T
2
, G
+
典型
½
– –
T
2
，G例
维持电流（T
j
= T ° C）
维持电流（T
j
= 25°C)
+
T
2
, G
–
典型
例子
100 (%)
转折电压VS.
结温
100 (%)
160
典型的例子
140
120
100
80
60
40
20
0
–60 –40 –20 0 20 40 60 80 100120 140
结温（ ° C）
转折电压VS.
增长速度的
断态电压
160
典型的例子
140
120
100
80
60
40
20
第三象限
T
j
= 125°C
击穿电压（ dv / dt的= XV /μs的）
击穿电压（ dv / dt的= 1V /μs的）
击穿电压（T
j
= T ° C）
击穿电压（T
j
= 25°C)
我象限
0
10
1
2 3 5 7 10
2
2 3 5 7 10
3
2 3 5 7 10
4
增长速度OFF态电压（V /μs的）
Feb.1999
QQ：2881677436 复制
